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共面波导通量量子比特设备的制作方法
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来源:国知局
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共面波导通量量子比特设备的制作方法
技术特征:
技术总结
量子比特设备包括不由约瑟夫逊结中断的细长薄膜,与细长薄膜的近端电接触的量子器件,以及与细长薄膜共面并与细长薄膜的远端电接触的接地平面,其中薄膜,量子器件和接地平面包括在设计的工作温度下超导的材料。
技术研发人员:
Y.陈;J.马蒂尼斯;D.T.桑克;A.S.巴泽加尔
受保护的技术使用者:
谷歌有限责任公司
技术研发日:
2015.09.30
技术公布日:
2018.04.17
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