技术总结
本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，该晶体管小信号等效电路模型的本征单元，包含本征电感元件。所述本征电感元件位于晶体管本征单元的源极和漏极之间，具体位置为与源漏电阻串联，或者与源漏电阻、源漏电容的并联整体串联，从而实现在高频、大电流下，对晶体管的高精度仿真。本发明进一步公开了包含本征电感的特征函数，以及利用测量的S参数提取所述本征电感元件参数值的方法。本发明提出的包含本征电感的小信号等效电路模型可以提高仿真同测试结果的拟合精度。
技术研发人员：姜楠;黄风义;张有明
受保护的技术使用者：南京展芯通讯科技有限公司;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司
文档号码：201610485878
技术研发日：2016.06.23
技术公布日：2016.12.07