DDR内存供电电路的制作方法

本发明涉及计算机设备制造技术领域，尤其是一种用于DDR内存的供电电路。

背景技术：

一般内存供电电路通常设计在内存插槽的附近，DDR内存需要两种不同的电压供应，现有计算机的DDR内存供电电路一般是采用开关电源供电方式，其方式和CPU供电电路的原理相似，这种供电方式现采用的比较多而且技术比较成熟。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种DDR内存供电电路，它可以成为现有技术的一种替代方案。

为了解决上述问题，本发明采用的技术方案是：这种DDR内存供电电路，包括第一电阻和双运算放大器模块，所述第一电阻、第二电阻和第三电阻串联连接，所述双运算放大器模块的同相输入端与所述第二电阻和第三电阻的连线连接，所述双运算放大器模块的反相输入端与第五电阻和第六电阻串联连接，所述双运算放大器模块的输出端通过第四电阻与场效应管的G极连接，所述场效应管的D极与电源端连接，所述场效应管的S极与所述第五电阻和第六电阻的连线连接。

上述技术方案中，更为具体的方案还可以是：所述双运算放大器模块为LM358双运算放大器模块。

由于采用了上述技术方案，本发明与现有技术相比，具有的有益效果是：本发明采用双运算放大器模块，双运算放大器模块适合电源电压范围很宽的单电源使用，也适合用于双电源工作模式，它能够分别独立地输出标准1.5伏～3.3伏电压。

附图说明

图1是本发明的原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详述：

图1所示的DDR内存供电电路，包括第一电阻R1和LM358双运算放大器模块1，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3串联连接，LM358双运算放大器模块1的同相输入端与第二电阻R2和第三电阻R3的连线连接，LM358双运算放大器模块1的反相输入端与第五电阻R5和第六电阻R6串联连接，LM358双运算放大器模块1的输出端通过第四电阻R4与场效应管Q的G极连接，场效应管Q的D极与电源端连接，场效应管Q的S极与第五电阻R5和第六电阻R6的连线连接。

设场效应管Q的S极与第五电阻R5和第六电阻R6的连线的连接点为A点，通电后的瞬间LM358双运算放大器模块1的输出端输出高电平，此高电平直接加在场效应管Q的G极，场效应管Q的G极的高电平使场效应管Q导通，场效应管Q的S极有电流输出，A点电压升高；在A点电压升高的同时，LM358双运算放大器模块1会将其反相输入端电压与同相输入端电压进行比较，如果反相输入端电压比同相输入端电压低，LM358双运算放大器模块1的输出端电压继续升高，直到LM358双运算放大器模块1的反相输入端电压与同相输入端电压一致时，LM358双运算放大器模块1保持稳压状态；当内存开始工作（如存取数据），负载加重，电流变大，LM358双运算放大器模块1的反相输入端的电压变低，LM358双运算放大器模块1的同相输入端电压不变，这时LM358双运算放大器模块1的输出端电压变高，场效应管Q导通变大，A点电压升高，直到与LM358双运算放大器模块1的同相输入端电压一致，保持供给内存主电压稳定；当内存存取数据结束，停止工作，负载减小，电流变小，LM358双运算放大器模块1的反相输入端的电压升高，而LM358双运算放大器模块1的同相输入端电压不变，这时LM358双运算放大器模块1的输出端电压变低，场效应管Q导通变小，A点电压下降，直到与LM358双运算放大器模块1同相输入端电压一致，从而保持供给内存的电压稳定。

LM358模块内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，能够独立地输出标准1.5伏～3.3伏电压，它通过电压跳线设置或改变第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3就可以任意地调整输出电压，第五电阻作负反馈用。