盖板制作方法、盖板及终端与流程

本发明涉及电子设备的触控技术领域，特别是涉及一种盖板制作方法、盖板及终端。

背景技术：

随着信息技术和平面显示技术的迅速发展，触摸屏已作为时代进步的标志在各行各业中都有举足轻重的地位，尤其是在智能手机、平板电脑等电子产品中更是占据了大部分的市场份额。同时，消费者对于触摸屏产品的大量需求与行业的技术进步也更进一步的促进了触摸屏技术的不断发展。

而就觖摸屏本身来说，玻璃盖板是触摸屏最外层的保护元件，对性能的要求非常高，需要具备高透光率、抗划伤、抗冲击和轻便性等特点，一般采用1mm以下的超薄玻璃，如今常用的有0.7mm的钠钙玻璃、硅铝玻璃和硼硅玻璃，然而，在人们享受超薄玻璃所带来的好处的同时，也承受着超薄玻璃的弊端，即其力学性能较差，容易出现抗划伤和抗冲击等性能差的问题。

现有技术中为了提高手机触摸屏盖板的抗划伤和抗冲击性能，也有采用价格昂贵的蓝宝石作为相应盖板，但成本相应过高。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种盖板制作方法、盖板及终端，通过在盖板上设置一层类金刚石镀膜层，提高了盖板的耐刮伤性、耐磨性能及抗碎性，同时通过在盖板上设置一层af镀膜层，提高了盖板的防指纹性能，改善用户的体验。

本发明提供一种盖板，包括：盖板基材、类金刚石镀膜层及af镀膜层；所述af镀膜层位于所述盖板基材的一表面上，所述类金刚石镀膜层位于所述盖板基材与所述af镀膜层之间。

进一步地，所述类金刚石镀膜层掺杂有预设元素。

进一步地，所述预设元素为硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或锗元素。

进一步地，所述类金刚石镀膜层采用真空蒸发离子辅助沉积生成。

进一步地，所述类金刚石镀膜层的厚度为10μm到20μm。

进一步地，所述af镀膜层的厚度为10μm到20μm。

本发明还提供一种终端，所述终端包括如上所述的盖板。

本发明还提供一种盖板制作方法，包括：提供一基材作为基底层；在所述基底层上沉积类金刚石镀膜层；在所述类金刚石镀膜层上形成af镀膜层。

进一步地，所述类金刚石镀膜层采用真空蒸发离子辅助沉积生成。

本发明提供的盖板制作方法、盖板及终端，通过在盖板上设置一层类金刚石镀膜层，提高了盖板的耐刮伤性、耐磨性能及抗碎性，同时通过在盖板上设置一层af镀膜层，提高了盖板的防指纹性能，改善用户的体验。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的盖板的结构示意图。

图2为本发明第二实施例提供的盖板制作方法到的流程示意图。

图3为本发明第三实施例提供的终端的结构示意图。

图4为一种终端的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的终端启动方法、装置及终端其具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及其功效，详细说明如下。

有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效,在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用,并非用来对本发明加以限制。

图1为本发明第一实施例提供的盖板的结构示意图。如图1所示，盖板10包括盖板基材12、类金刚石(diamond-likecarbon，dlc)镀膜层14及af镀膜层16。该af镀膜层16位于该盖板基材12的一表面上，该类金刚石镀膜层14位于该盖板基材12与该af镀膜层16之间。

具体地，在本实施例中，盖板基材12可以但不限于为玻璃，例如，玻璃可以是钠钙玻璃、硅铝玻璃和硼硅玻璃等等。

具体地，该类金刚石镀膜层14的第一表面设置于该盖板基材12的一表面上，该af镀膜层16的一表面设置于该类金刚石镀膜层14的第二表面上。类金刚石镀膜是一种非晶碳膜，它同时含有类似于金刚石的sp3杂化键(sp3键)与类似于石墨的sp2杂化键(sp2键)，国际上定义类金刚石薄膜为硬度超过金刚石硬度20％的绝缘硬质无定形碳膜。

具体地，在一实施方式中，类金刚石镀膜层14采用真空蒸发离子辅助沉积生成。具体地，在真空腔内用蒸发源(电子束)将sp3杂化碳原子和sp2杂化碳原子以一定比例混合后沉积在盖板基片上,同时利用离子轰击类金刚石镀膜层14,以获得比离子注入层更厚、比蒸发镀膜法附着力更大的高性能致密类金刚石镀膜层14，从而有利于增强类金刚石薄膜的摩擦学性能，但并不限于此。例如，在其他实施例中，在盖板基材12上还可通过其他制备方法制备类金刚石镀膜层14，可以但不限于包括物理气相沉积、化学气相沉积以及液相沉积三大类，而三大类下又分为很多小类，工业生产常用物理气相沉积中的溅射沉积技术、真空蒸发镀膜技术及真空离子镀膜技术等等，其中就需要先制作碳源部件，当作沉积原料。具体地，在生活中细小沙子、脏污物、金属等都有可能对终端屏幕造成不可逆转的损伤，带来触控体验不佳、影响美观、影响视觉效果等问题。而通过在盖板基材12的一表面上沉积一层类金刚石镀膜层14，在类金刚石镀膜层14的强大硬度可有效减缓以上物质对终端屏幕的磨损，从而提高产品的使用寿命和使用体验。同时，在盖板基材12的一表面上沉积一层类金刚石镀膜层14，能够提高终端屏幕的抗碎性，从而能够有效地保护终端屏幕表面完整性，分散终端屏幕的冲击力。

具体地，在本实施例中，类金刚石镀膜层14的厚度可以但不限于为10μm到20μm之间，例如，在其他实施例中，类金刚石镀膜层14的厚度可以比10μm的厚度更薄，或者比20μm的厚度更厚。

具体地，在本市实施例中，af镀膜层16可以但不限于通过真空蒸发离子辅助沉积生成，例如，af镀膜层16还可以通过物理气相沉积、化学气相沉积以及液相沉积方式沉积得到。af镀膜层16的厚度可以但不限于为10μm到20μm之间，例如，在其他实施例中，af镀膜层16的厚度可以比10μm的厚度更薄，或者比20μm的厚度更厚。通过在盖板基材12上沉积一层af镀膜层16，能够提高终端屏幕的防脏污和防指纹的性能，无需用户另外购买终端屏幕贴膜，提高用户的使用体验。此外，在类金刚石镀膜层14上沉积af镀膜层16，af镀膜层16将类金刚石镀膜层14进行覆盖，以能够有效地防止类金刚石镀膜层14直接裸露在空气中及直接接触用户的手指等，从而更好的保护类金刚石镀膜层14，延长了类金刚石镀膜层14的使用寿命。

具体地，在一实施方式中，为了增强表面润滑度，可以但不限于采用掺杂预设元素的碳源部件，从而在沉积类金刚石镀膜层14时能够掺杂预设元素。

具体地，在一实施方式中，预设元素可以但不限于为硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或锗元素。掺杂可使类金刚石镀膜层14改性，可掺杂的元素很多，可分为金属和非金属类，金属类元素掺杂不与碳原子发生反应，非金属元素掺杂与碳原子发生键合，使碳基网络结构重整，改善类金刚石镀膜层14性能，而硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或锗元素均能够降低类金刚石镀膜层14的摩擦系数。

本发明的盖板10，通过在盖板10上设置一层类金刚石镀膜层14，提高了盖板10的耐刮伤性、耐磨性能及抗碎性，同时通过在盖板10上设置一层af镀膜层16，提高了盖板10的防指纹性能，改善用户的体验。

图2为本发明第二实施例提供的盖板制作方法到的流程示意图。如图2所示的盖板制作方法可用于制作盖板的类金刚石镀膜层14及af镀膜层16。盖板制作方法包括如下步骤：

步骤s21，提供一盖板基材作为基底层。

具体地，在一实施方式中，盖板基材12的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据终端显示屏的尺寸大小。具体地，在本实施例中，盖板基材12可以但不限于为玻璃，例如，玻璃可以是钠钙玻璃、硅铝玻璃和硼硅玻璃等等。

具体地，在本实施例中，优选采用厚度为0.7mm的康宁玻璃基片作为盖板基材12，但并不限于此。将盖板基材12依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水各清洗15min，经过去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗后去除盖板基材12表面的油渍等污迹得到基底层，然后将基底层进行吹干备用。将经过处理的盖板基材12装夹后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10^-5pa。同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃后，再向镀膜腔室内通入氩气，控制氩气的流量为350sccm～450sccm，并开启脉冲直流电源，且控制脉冲直流电源的功率为4.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min。

步骤s22，在该基底层上沉积类金刚石镀膜层。

具体地，在一实施方式中，类金刚石镀膜层14采用真空蒸发离子辅助沉积生成。具体地，在真空腔内用蒸发源(电子束)将sp3杂化碳原子和sp2杂化碳原子以一定比例混合后沉积在盖板基片上,同时利用离子轰击类金刚石镀膜层14,以获得比离子注入层更厚、比蒸发镀膜法附着力更大的高性能致密类金刚石镀膜层14，从而有利于增强类金刚石薄膜的摩擦学性能，但并不限于此。例如，在其他实施例中，在盖板基材12上还可通过其他制备方法制备类金刚石镀膜层14，可以但不限于包括物理气相沉积、化学气相沉积以及液相沉积三大类，而三大类下又分为很多小类，工业生产常用物理气相沉积中的溅射沉积技术、真空蒸发镀膜技术及真空离子镀膜技术等等，其中就需要先制作碳源部件，当作沉积原料。

具体地，在离子清洗结束后，关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达5.0x10^-5pa。然后再通入氩气，并控制氩气的流量为400sccm，同时打开碳源部件发射源。具体地，碳源部件发射源可以但不限于为石墨发射源，并开启功率为3.5kw～4.5kw的脉冲直流电源使产生sp3杂化碳原子和sp2杂化碳原子等离子体，从而将sp3杂化碳原子和sp2杂化碳原子交替沉积在盖板基材12的基底层的表面上，同时利用离子轰击类金刚石镀膜层14，以形成类金刚石镀膜层14。其中，类金刚石膜为高sp³键含量类金刚石膜与低sp²键含量类金刚石膜交替沉积而成，且使该类金刚石镀膜层14的最外层为低sp²键含量类金刚石膜，并同时利用离子轰击类金刚石镀膜层14，以使形成的类金刚石镀膜层14的总厚度为10μm到20μm之间。在形成类金刚石镀膜层14后关闭碳源部件发射源。具体地，在生活中细小沙子、脏污物、金属等都有可能对终端屏幕造成不可逆转的损伤，带来触控体验不佳、影响美观、影响视觉效果等问题。而通过在盖板基材12的一表面上沉积一层类金刚石镀膜层14，在类金刚石镀膜层14的强大硬度可有效减缓以上物质对终端屏幕的磨损，从而提高产品的使用寿命和使用体验。同时，在盖板基材12的一表面上沉积一层类金刚石镀膜层14，能够提高终端屏幕的抗碎性，从而能够有效地保护终端屏幕表面完整性，分散终端屏幕的冲击力。

具体地，在一实施方式中，为了增强表面润滑度，可以但不限于采用掺杂预设元素的碳源部件，从而在沉积类金刚石镀膜层14时能够掺杂预设元素。

具体地，在一实施方式中，预设元素可以但不限于为硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或锗元素。掺杂可使类金刚石镀膜层14改性，可掺杂的元素很多，可分为金属和非金属类，金属类元素掺杂不与碳原子发生反应，非金属元素掺杂与碳原子发生键合，使碳基网络结构重整，改善类金刚石镀膜层14性能，而硅元素、氟元素、氮元素、磷元素、硼元素、碘元素或锗元素均能够降低类金刚石镀膜层14的摩擦系数。

步骤s23，在该类金刚石镀膜层上形成af镀膜层。

具体地，在一实施方式中，af镀膜层16可以但不限于通过物理气相沉积、化学气相沉积以及液相沉积等方式沉积得到，例如，可以通过常用物理气相沉积中的溅射沉积技术、真空蒸发镀膜技术及真空离子镀膜技术等进行沉积af镀膜层16，其中需要先制作af膜的材料发射源，当作沉积原料。

具体地，在类金刚石镀膜层14沉积完成后，打开af膜的材料发射源，以在类金刚石镀膜层14的表面上沉积af镀膜层16，在af镀膜层16沉积结束后，关闭af膜的材料发射源和关闭氩气。待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，打开镀膜腔的阀门，取出经过处理的盖板基材12，从而得到具有类金刚石镀膜层14及af镀膜层16的盖板。通过在盖板基材12上沉积一层af镀膜层16，能够提高终端屏幕的防脏污和防指纹的性能，无需用户另外购买终端屏幕贴膜，提高用户的使用体验。此外，在类金刚石镀膜层14上沉积af镀膜层16，af镀膜层16将类金刚石镀膜层14进行覆盖，以能够有效地防止类金刚石镀膜层14直接裸露在空气中及直接接触用户的手指等，从而更好的保护类金刚石镀膜层14，延长了类金刚石镀膜层14的使用寿命。

具体地，在一实施方式中，af镀膜层16的厚度可以但不限于为10μm到20μm之间，例如，在其他实施例中，af镀膜层16的厚度可以比10μm的厚度更薄，或者比20μm的厚度更厚。

本发明提供的盖板制作方法，通过在盖板10上设置一层类金刚石镀膜层14，提高了盖板10的耐刮伤性、耐磨性能及抗碎性，同时通过在盖板10上设置一层af镀膜层16，提高了盖板10的防指纹性能，改善用户的体验。

图3为本发明第三实施例提供的终端100的结构示意图。如图3所示，终端100包括盖板10。盖板10的具体结构请参考图1至图2及对应的描述，在此不再赘述。

请一并参考图4，图4示出了一种终端的结构框图。如图4所示，在一实施方式中，终端100包括存储器102、存储控制器104，一个或多个(图中仅示出一个)处理器106、外设接口108、射频模块110、定位模块112、摄像模块114、音频模块116、屏幕118以及按键模块120。这些组件通过一条或多条通讯总线/信号线122相互通讯。

可以理解，图4所示的结构仅为示意，终端100还可包括比图4中所示更多或者更少的组件，或者具有与图4所示不同的配置。图4中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。

存储器102可用于存储软件程序以及模块，如本发明实施例中的盖板10中对应的程序指令/模块，处理器106通过运行存储在存储控制器104内的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的盖板10的对用户触摸位置的计算。

存储器102可包括高速随机存储器，还可包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器102可进一步包括相对于处理器106远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至终端100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。处理器106以及其他可能的组件对存储器102的访问可在存储控制器104的控制下进行。

外设接口108将各种输入/输入装置耦合至cpu以及存储器102。处理器106运行存储器102内的各种软件、指令以执行终端100的各种功能以及进行数据处理。

在一些实施例中，外设接口108，处理器106以及存储控制器104可以在单个芯片中实现。在其他一些实例中，他们可以分别由独立的芯片实现。

射频模块110用于接收以及发送电磁波，实现电磁波与电信号的相互转换，从而与通讯网络或者其他设备进行通讯。射频模块110可包括各种现有的用于执行这些功能的电路元件，例如，天线、射频收发器、数字信号处理器、加密/解密芯片、用户身份模块(sim)卡、存储器等等。射频模块110可与各种网络如互联网、企业内部网、无线网络进行通讯或者通过无线网络与其他设备进行通讯。上述的无线网络可包括蜂窝式电话网、无线局域网或者城域网。上述的无线网络可以使用各种通信标准、协议及技术，包括但并不限于全球移动通信系统(globalsystemformobilecommunication,gsm)、增强型移动通信技术(enhanceddatagsmenvironment,edge),宽带码分多址技术(widebandcodedivisionmultipleaccess,w-cdma)，码分多址技术(codedivisionaccess,cdma)、时分多址技术(timedivisionmultipleaccess,tdma)，蓝牙，无线保真技术(wireless,fidelity，wifi)(如美国电气和电子工程师协会标准ieee802.11a，ieee802.11b,ieee802.11g和/或ieee802.11n)、网络电话(voiceoverinternetprotocal,voip)、全球微波互联接入(worldwideinteroperabilityformicrowaveaccess，wi-max)、其他用于邮件、即时通讯及短消息的协议，以及任何其他合适的通讯协议，甚至可包括那些当前仍未被开发出来的协议。

定位模块112用于获取终端100的当前位置。定位模块112的实例包括但不限于全球卫星定位系统(gps)、基于无线局域网或者移动通信网的定位技术。

摄像模块114用于拍摄照片或者视频。拍摄的照片或者视频可以存储至存储器102内，并可通过射频模块110发送。

音频模块116向用户提供音频接口，其可包括一个或多个麦克风、一个或者多个扬声器以及音频电路。音频电路从外设接口108处接收声音数据，将声音数据转换为电信息，将电信息传输至扬声器。扬声器将电信息转换为人耳能听到的声波。音频电路还从麦克风处接收电信息，将电信号转换为声音数据，并将声音数据传输至外设接口108中以进行进一步的处理。音频数据可以从存储器102处或者通过射频模块110获取。此外，音频数据也可以存储至存储器102中或者通过射频模块110进行发送。在一些实例中，音频模块116还可包括一个耳机播孔，用于向耳机或者其他设备提供音频接口。

屏幕118在终端100与用户之间提供一个输出界面。具体地，屏幕118向用户显示视频输出，这些视频输出的内容可包括文字、图形、视频、及其任意组合。一些输出结果是对应于一些用户界面对象。可以理解的，屏幕118还可以包括触控屏幕。触控屏幕在终端100与用户之间同时提供一个输出及输入界面。除了向用户显示视频输出，触控屏幕还接收用户的输入，例如用户的点击、滑动等手势操作，以便用户界面对象对这些用户的输入做出响应。检测用户输入的技术可以是基于电阻式、电容式或者其他任意可能的触控检测技术。触控屏幕显示单元的具体实例包括但并不限于液晶显示器或发光聚合物显示器。

按键模块120同样提供用户向终端100进行输入的接口，用户可以通过按下不同的按键以使终端100执行不同的功能。

本发明的终端100，通过在盖板10上设置一层类金刚石镀膜层14，提高了盖板10的耐刮伤性、耐磨性能及抗碎性，同时通过在盖板10上设置一层af镀膜层16，提高了盖板10的防指纹性能，改善用户的体验。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统类实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。