本申请涉及油田勘探测井技术领域，特别涉及一种确定储层渗透率的方法及装置。
背景技术：
渗透率参数是油田勘探开发过程中极其重要的参数之一，其计算精度的高低对油田开发效益具有重要影响。由于碳酸盐岩、火山岩等复杂缝洞储层极强非均质性和各向异性的存在，这些复杂缝洞储层渗透率的确定一直是测井评价的难题之一。
目前测井计算渗透率的方法主要是通过岩心实验资料建立渗透率与孔隙度、粒度中值的拟合经验公式或多元回归等数学手段确定。该方法对于相对均质的碎屑岩储层来说，岩心分析的孔隙度和渗透率通常具有较好的相关性，统计得到的孔渗关系可以求取储层渗透率，但对于极强非均质性的碳酸盐岩储层，通过岩心实验建立的渗透率响应方程并不能代表整个储层的渗流能力，其计算精度和适用性差。
技术实现要素：
本申请实施例的目的是提供一种确定储层渗透率的方法及装置，以提高所确定的储层渗透率的准确度。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种确定储层渗透率的方法及装置是这样实现的：
一种确定储层渗透率的方法，所述储层包括至少两个井壁区带；其中，所述井壁区带包括以所述储层中目标井的井轴为中心轴的圆环区域；其中，所述圆环区域位于所述目标井的外侧；所述方法包括：
分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据；
基于所述至少两个井壁区带中指定井壁区带对应的测井数据，确定所述指定井壁区带的渗透率；其中，所述指定井壁区带表示所述至少两个井壁区带中任一井壁区带；
设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值；
基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。
优选方案中，所述储层中包括的至少两个井壁区带分别为第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带；其中，所述第一井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为0～0.1米，所述第二井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为0.1～1米，所述第三井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为1～10米，以及所述第四井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为10～40米。
优选方案中，
所述第一井壁区带对应的测井数据包括：电成像测井图像；
所述第二井壁区带对应的测井数据包括：阵列声波测井数据；
所述第三井壁区带对应的测井数据包括：单极纵波远探测测井数据；
所述第四井壁区带对应的测井数据包括：偶极横波远探测测井数据；
相应的，
基于所述电成像测井图像，确定所述第一井壁区带的渗透率；
基于所述阵列声波测井数据，确定所述第二井壁区带的渗透率；
基于所述单极纵波远探测测井数据，确定所述第三井壁区带的渗透率；
基于所述偶极横波远探测测井数据，确定所述第四井壁区带的渗透率。
优选方案中，所述基于所述电成像测井图像，确定所述第一井壁区带的渗透率，包括：
按照下述公式计算所述电成像测井图像中指定像素点的孔隙度：
其中，φi表示所述电成像测井图像中第i个像素点的孔隙度；a和b表示岩性系数；m表示地层胶结指数；rmf表示泥浆滤液电阻率；ci表示所述电成像测井图像中第i个像素点的电导率值；
根据所述指定像素点的孔隙度，确定孔隙度分布谱；
根据预设孔隙度谱截止值，将所述孔隙度分布谱划分为基质孔隙度分布谱和次生孔隙度分布谱，并得到与所述基质孔隙度分布谱对应的基质孔隙度，以及与所述次生孔隙度分布谱对应的次生孔隙度；
基于所述基质孔隙度和所述次生孔隙度，采用下述公式计算所述第一井壁区带的渗透率：
其中，k1表示所述第一井壁区带的渗透率；f1和f2分别表示基质渗透率系数和次生孔隙渗透率系数；ka1和ka2表示孔隙度指数；kb1和kb2表示渗透率常数；
优选方案中，基于所述阵列声波测井数据，确定所述第二井壁区带的渗透率，包括：
基于所述阵列声波测井数据，确定所述第二井壁区带对应的斯通利波信息；其中，所述斯通利波信息包括：斯通利波衰减率和斯通利波波速中的至少一种；
基于所述斯通利波信息，采用下述公式计算所述第二井壁区带的渗透率：
其中，k2表示所述第二井壁区带的渗透率；ω表示角频率；ρpf和η分别表示所述第二井壁区带的地层孔隙流体的密度和粘度；r表示所述目标井的半径；r表示获取所述阵列声波测井数据的测井仪器的半径；ke表示所述第二井壁区带的等效弹性地层的斯通利波波数；a0和a1分别表示0阶第二类虚宗量贝塞尔函数和1阶第二类虚宗量贝塞尔函数；d表示流体扩散率；k表示所述第二井壁区带的地层斯通利波波数；vst表示斯通利波波速；attst表示所述斯通利波衰减率，i表示虚数单位，且i2＝-1。
优选方案中，所述基于所述单极纵波远探测测井数据，确定所述第三井壁区带的渗透率，包括：
对所述单极纵波远探测测井数据中的纵波反射波数据进行第一偏移成像处理，得到纵波偏移成像剖面数据；其中，所述纵波偏移成像剖面数据中包括多个纵波采样点、所述纵波采样点位置处的振幅以及相邻两个纵波采样点之间的径向距离；
基于所述纵波偏移成像剖面数据，采用下述公式确定所述第三井壁区带的渗透率：
其中，k3表示所述第三井壁区带的渗透率；ap表示所述纵波采样点位置处的振幅；a1和b1表示纵波反射波渗透率计算指数；dx1表示所述相邻两个纵波采样点之间的径向距离。
优选方案中，所述基于所述偶极横波远探测测井数据，确定所述第四井壁区带的渗透率，包括：
对所述偶极横波远探测测井数据中的横波反射波数据进行第二偏移成像处理，得到横波偏移成像剖面数据；其中，所述横波偏移成像剖面数据中包括多个横波采样点、所述横波采样点位置处的振幅以及相邻两个横波采样点之间的径向距离；
基于所述横波偏移成像剖面数据，采用下述公式确定所述第四井壁区带的渗透率：
其中，k4表示所述第四井壁区带的渗透率；as表示所述横波采样点位置处的振幅；a2和b2表示横波反射波渗透率计算指数；dx2表示所述相邻两个横波采样点之间的径向距离。
优选方案中，所述设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值，包括：
根据所述井壁区带与所述井壁之间的距离，确定所述井壁区带的权重值。
优选方案中，所述基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率，包括：
将所述至少两个井壁区带中各个井壁区带的渗透率与对应的权重值的乘积之和，作为所述储层的渗透率。
一种确定储层渗透率的装置，所述储层包括至少两个井壁区带；其中，所述井壁区带包括以所述储层中目标井的井轴为中心轴的圆环区域；其中，所述圆环区域位于所述目标井的外侧；所述装置包括：测井数据获取模块、井壁区带渗透率确定模块、权重值确定模块和储层渗透率确定模块；其中，
所述测井数据获取模块，用于分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据；
所述井壁区带渗透率确定模块，用于基于所述至少两个井壁区带中指定井壁区带对应的测井数据，确定所述指定井壁区带的渗透率；其中，所述指定井壁区带表示所述至少两个井壁区带中任一井壁区带；
所述权重值确定模块，用于设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值；
所述储层渗透率确定模块，用于基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。
本申请实施例提供了一种确定储层渗透率的方法及装置，分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据；基于所述至少两个井壁区带中各个井壁区带对应的测井数据，分别确定各个井壁区带的渗透率；设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值；基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。如此，采用本申请方法所确定储层的渗透率包含了与井壁相距不同距离的多个井壁区带的渗透率，准确度较高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例中井壁区带划分的示意图；
图2是本申请一种确定储层渗透率的方法实施例的流程图；
图3是本申请确定储层渗透率的装置实施例的组成结构图。
具体实施方式
本申请实施例提供一种确定储层渗透率的方法及装置。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种确定储层渗透率的方法。所述储层包括至少两个井壁区带。其中，所述井壁区带包括以所述储层中目标井的井轴为中心轴的圆环区域；其中，所述圆环区域位于所述目标井的外侧。
在本实施方式中，所述储层可以是储层渗透率尚未确定的储层。所述目标井可以是所述储层中已经开设的井。
在本实施方式中，所述储层中包括的至少两个井壁区带可以分别为第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带。其中，所述第一井壁区带相距所述目标井壁的距离范围可以为0～0.1米，所述第二井壁区带相距所述目标井壁的距离范围可以为0.1～1米，所述第三井壁区带相距所述目标井壁的距离范围可以为1～10米，以及所述第四井壁区带相距所述目标井壁的距离范围可以为10～40米。
例如，图1是本申请实施例中井壁区带划分的示意图。如图1所示，可以从所述目标井的井轴出发，在所述储层中沿径向依次划分出不同半径范围的同心圆环特征的井壁区带，所述第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带分别为贴井壁区带、近井壁区带、中远离井壁区带和远离井壁区带。其中，贴井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为0～0.1米，近井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为0.1～1米，中远离井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为1～10米，远离井壁区带相距所述目标井壁的距离范围为10～40米。
图2是本申请一种确定储层渗透率的方法实施例的流程图。如图2所示，所述确定储层渗透率的方法，包括以下步骤。
步骤s101：分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据。
在本实施方式中，所述第一井壁区带对应的测井数据可以包括：电成像测井图像、常规测井资料、测井时泥浆性能参数、录井资料、岩心资料等测井数据。利用储层中岩石电阻率不一样，通过电成像测井仪器测量井壁各点的电阻率值，然后把电阻率值的相对高低用灰度表示，从而可以形成电成像测井图像。
在本实施方式中，所述第二井壁区带对应的测井数据可以包括：阵列声波测井数据。
在本实施方式中，所述第三井壁区带对应的测井数据可以包括：单极纵波远探测测井数据。
在本实施方式中，所述第四井壁区带对应的测井数据可以包括：偶极横波远探测测井数据。
步骤s102：基于所述至少两个井壁区带中指定井壁区带对应的测井数据，确定所述指定井壁区带的渗透率；其中，所述指定井壁区带表示所述至少两个井壁区带中任一井壁区带。
在本实施方式中，可以基于所述电成像测井图像，确定所述第一井壁区带的渗透率。具体地，电成像测井仪器采用钮扣电极系贴井壁方式测量地层电性变化特征，经浅电阻率刻度后其图像变化反映了地层井壁电导率，再根据获取的测井数据，从而可以采用阿尔奇公式计算所述电成像测井图像中指定像素点的孔隙度：
其中，φi表示所述电成像测井图像中第i个像素点的孔隙度，无量纲；a和b表示阿尔奇公式中岩性系数，无量纲；m表示地层胶结指数，无量纲；rmf表示泥浆滤液电阻率，可通过查找测井时泥浆性能参数获得，单位为欧·米(ω·m)；ci表示所述电成像测井图像中第i个像素点的电导率值，单位为西门子/米(s/m)。所述指定像素点可以是所述电成像测井图像中任一像素点。接着，根据所述指定像素点的孔隙度，可以确定孔隙度分布谱。然后，根据预设孔隙度谱截止值，可以将所述孔隙度分布谱划分为基质孔隙度分布谱和次生孔隙度分布谱，并得到与所述基质孔隙度分布谱对应的基质孔隙度，以及与所述次生孔隙度分布谱对应的次生孔隙度。最后，基于所述基质孔隙度和所述次生孔隙度，可以采用下述公式计算所述第一井壁区带的渗透率：
其中，k1表示所述第一井壁区带的渗透率，单位为毫达西(md)；f1和f2分别表示基质渗透率系数和次生孔隙渗透率系数；ka1和ka2表示孔隙度指数，通常取值为200～300，无量纲；kb1和kb2表示渗透率常数，通常取值为-2.5，无量纲；
在本实施方式中，可以基于所述阵列声波测井数据，确定所述第二井壁区带的渗透率。具体地，可以基于所述阵列声波测井数据，确定所述第二井壁区带对应的斯通利波信息。其中，所述斯通利波信息包括：斯通利波衰减率和斯通利波波速中的至少一种。基于所述斯通利波信息，可以采用下述公式计算所述第二井壁区带的渗透率：
其中，k2表示所述第二井壁区带的渗透率，单位为毫达西；ω表示角频率；ρpf和η分别表示所述第二井壁区带的地层孔隙流体的密度和粘度，单位分别为克/立方厘米(g/cm3)和厘泊(cp)，可以通过核磁共振测井获得或通过井内取得岩心资料进行岩石物理实验获得；r表示所述目标井的半径，单位为米，可以从井径测井资料中获取；r表示获取所述阵列声波测井数据的测井仪器的半径，单位为米；ke表示所述第二井壁区带的等效弹性地层的斯通利波波数，单位为1/米(m-1)，可以利用阵列声波测井数据中的地层纵波时差、地层横波时差及密度确定；a0和a1分别表示0阶第二类虚宗量贝塞尔函数和1阶第二类虚宗量贝塞尔函数；d表示流体扩散率，单位为平方米/秒(m2/s)；k表示所述第二井壁区带的地层斯通利波波数；vst表示所述斯通利波波速，单位为米/秒(m/s)；attst表示所述斯通利波衰减率，单位为分贝/米(db/m)，i表示虚数单位，且i2＝-1。其中，可以通过普罗尼(prony)方法对所述阵列声波测井数据进行处理，可以得到整个频率范围内的斯通利波波速vst和所述斯通利波衰减率attst。
在本实施方式中，可以基于所述单极纵波远探测测井数据，确定所述第三井壁区带的渗透率。具体地，可以对所述单极纵波远探测测井数据中的纵波反射波数据进行第一偏移成像处理，得到纵波偏移成像剖面数据。其中，所述纵波偏移成像剖面数据中可以包括多个纵波采样点、所述纵波采样点位置处的振幅以及相邻两个纵波采样点之间的径向距离。然后，基于所述纵波偏移成像剖面数据，可以采用下述公式确定所述第三井壁区带的渗透率：
其中，k3表示所述第三井壁区带的渗透率，单位为毫达西；ap表示所述纵波采样点位置处的振幅；a1和b1表示纵波反射波渗透率计算指数，无量纲；dx1表示所述相邻两个纵波采样点之间的径向距离，单位为米。
在本实施方式中，可以基于所述偶极横波远探测测井数据，确定所述第四井壁区带的渗透率。具体地，对所述偶极横波远探测测井数据中的横波反射波数据进行第二偏移成像处理，得到横波偏移成像剖面数据。其中，所述横波偏移成像剖面数据中包括可以多个横波采样点、所述横波采样点位置处的振幅以及相邻两个横波采样点之间的径向距离。然后，可以基于所述横波偏移成像剖面数据，采用下述公式确定所述第四井壁区带的渗透率：
其中，k4表示所述第四井壁区带的渗透率单位为毫达西；as表示所述横波采样点位置处的振幅；a2和b2表示横波反射波渗透率计算指数，无量纲；dx2表示所述相邻两个横波采样点之间的径向距离，单位为米。
步骤s103：设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值。
在本实施方式中，设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值，可以包括，可以根据所述井壁区带与所述井壁之间的距离，确定所述井壁区带的权重值。具体地，所述井壁区带与所述井壁之间的距离越远，该井壁区带的权重值越小。例如，根据所述第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带分别与所述目标井的井壁的径向距离，可以分别设置所述第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带的权重值为：0.4、0.25、0.2和0.15。
需要说明的是，步骤s103可以在步骤s102之前或之后，此处不作限定。
步骤s104：基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。
在本实施方式中，基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率，具体可以包括，可以将所述至少两个井壁区带中各个井壁区带的渗透率与对应的权重值的乘积之和，作为所述储层的渗透率。例如，可以采用下述公式确定所述储层的渗透率：
k＝λ1k1+λ2k2+λ3k3+λ4k4
其中，k表示所述储层的渗透率；k1、k2、k3和k4分别表示所述第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带；λ1、λ2、λ3和λ4分别表示所述第一井壁区带、第二井壁区带、第三井壁区带和第四井壁区带的权重值。
所述确定储层渗透率的方法实施例，分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据；基于所述至少两个井壁区带中各个井壁区带对应的测井数据，分别确定各个井壁区带的渗透率；设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值；基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。如此，采用本申请方法所确定储层的渗透率包含了与井壁相距不同距离的多个井壁区带的渗透率，准确度较高。
图3是本申请确定储层渗透率的装置实施例的组成结构图。所述储层包括至少两个井壁区带。其中，所述井壁区带包括以所述储层中目标井的井轴为中心轴的圆环区域；其中，所述圆环区域位于所述目标井的外侧。如图3所示，所述装置可以包括：测井数据获取模块100、井壁区带渗透率确定模块200、权重值确定模块300和储层渗透率确定模块400。
所述测井数据获取模块100，可以用于分别获取与所述至少两个井壁区带分别对应的测井数据。
所述井壁区带渗透率确定模块200，可以用于基于所述至少两个井壁区带中指定井壁区带对应的测井数据，确定所述指定井壁区带的渗透率；其中，所述指定井壁区带表示所述至少两个井壁区带中任一井壁区带。
所述权重值确定模块300，可以用于设置与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值。
所述储层渗透率确定模块400，可以用于基于与所述至少两个井壁区带分别对应的权重值和渗透率，确定所述储层的渗透率。
所述确定储层渗透率的装置实施例与所述确定储层渗透率的方法实施例相对应，可以实现确定储层渗透率的方法实施例的技术方案，并取得方法实施例的技术效果。
在20世纪90年代，对于一个技术的改进可以很明显地区分是硬件上的改进(例如，对二极管、晶体管、开关等电路结构的改进)还是软件上的改进(对于方法流程的改进)。然而，随着技术的发展，当今的很多方法流程的改进已经可以视为硬件电路结构的直接改进。设计人员几乎都通过将改进的方法流程编程到硬件电路中来得到相应的硬件电路结构。因此，不能说一个方法流程的改进就不能用硬件实体模块来实现。例如，可编程逻辑器件(programmablelogicdevice,pld)(例如现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray，fpga))就是这样一种集成电路，其逻辑功能由用户对器件编程来确定。由设计人员自行编程来把一个数字系统“集成”在一片pld上，而不需要请芯片制造厂商来设计和制作专用的集成电路芯片。而且，如今，取代手工地制作集成电路芯片，这种编程也多半改用“逻辑编译器(logiccompiler)”软件来实现，它与程序开发撰写时所用的软件编译器相类似，而要编译之前的原始代码也得用特定的编程语言来撰写，此称之为硬件描述语言(hardwaredescriptionlanguage，hdl)，而hdl也并非仅有一种，而是有许多种，如abel(advancedbooleanexpressionlanguage)、ahdl(alterahardwaredescriptionlanguage)、confluence、cupl(cornelluniversityprogramminglanguage)、hdcal、jhdl(javahardwaredescriptionlanguage)、lava、lola、myhdl、palasm、rhdl(rubyhardwaredescriptionlanguage)等，目前最普遍使用的是vhdl(very-high-speedintegratedcircuithardwaredescriptionlanguage)与verilog2。本领域技术人员也应该清楚，只需要将方法流程用上述几种硬件描述语言稍作逻辑编程并编程到集成电路中，就可以很容易得到实现该逻辑方法流程的硬件电路。
控制器可以按任何适当的方式实现，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：arc625d、atmelat91sam、microchippic18f26k20以及siliconelabsc8051f320，存储器控制器还可以被实现为存储器的控制逻辑的一部分。
本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。
上述实施例阐明的装置、模块，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。
为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本申请时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。该计算机软件产品可以包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。该计算机软件产品可以存储在内存中，内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flashram)。内存是计算机可读介质的示例。计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括短暂电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本申请可用于众多通用或专用的计算机系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的消费电子设备、网络pc、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等等。
本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。
虽然通过实施例描绘了本申请，本领域普通技术人员知道，本申请有许多变形和变化而不脱离本申请的精神，希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本申请的精神。