技术特征：
技术总结
本发明公开了一种MOS器件SPICE局域失配模型,其中在某一参数的现有SPICE局域失配模型方程增加温度效应系数。温度效应系数tcoef采用下述计算；temper是模型中设定的仿真温度，ad是拟合系数。本发明通过在现有MOS器件SPICE局域失配模型中增加温度效应系数，将温度效应对MOS器件SPICE局域失配模型的影响充分考虑。本发明能准确的反映局域失配随着温度变化而产生的变化，使SPICE局域失配模型适配范围更广，能与实测数据具有更高的吻合度。
技术研发人员：顾经纶;彭兴伟;王伟
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.02.24
技术公布日：2018.07.20