一种增强超高频RFID标签反射功率的方法与流程

文档序号:17065989发布日期:2019-03-08 22:55阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种增强标签反射功率的方法,包括确定标签芯片的吸收状态阻抗值Zabsorb;设定天线阻抗Zant=Zabsorb*,其中Zabsorb*是标签芯片的吸收状态阻抗值Zabsorb的共轭阻抗,改变芯片调制电路阻抗,使得反射功率Pre达到第一值;从而确定标签芯片的反射状态阻抗值Zreflect;将天线阻抗Zant设定为最大值Zant_max,使得反射功率Pre达到最大反射功率;在天线阻抗Zant=Zabsorb*的情况下,计算灵敏度损失和反射系数差绝对值;在天线阻抗Zant=Zant_max的情况下,计算灵敏度损失和反射系数差绝对值;以及在最大反射功率和最小灵敏度损失值之间进行折中,从而确定标签芯片的反射功率。

技术研发人员:沈红伟
受保护的技术使用者:华大半导体有限公司
技术研发日:2018.10.31
技术公布日:2019.03.08
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1