一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置与流程

文档序号:18474966发布日期:2019-08-20 20:53阅读:123来源:国知局
一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置与流程

本文涉及触控显示技术领域,具体涉及一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置。



背景技术:

作为新一代主流显示技术,微型发光二极管(microlight-emittingdiode,简称microled)因其发光效率高、体积小、耗电量小、产品寿命长等优点可广泛适用于光电子学、微电子学、电子信息学和光学等领域,microled是继有机发光发光二极管(organiclight-emittingdiode,简称oled)之后,另一个具备轻薄及省电优势的显示技术。

随着显示技术的飞速发展,触控技术已经成为显示产品必不可少的部分。经发明人研究发现,相关技术中的microled显示产品无法实现触控,进而缩小了microled显示产品的应用范围。



技术实现要素:

本申请提供了一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置,能够实现microled显示产品的触控功能,进而扩大了microled显示产品的应用范围。

第一方面,本申请提供了一种触控显示基板,包括:衬底基板以及设置在所述衬底基板上的像素单元和压力触控结构;

其中,所述像素单元包括:微型发光二极管,所述压力触控结构用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在所述像素单元之间。

可选地,所述像素单元还包括:薄膜晶体管、第一连接电极、第二连接电极和电容电极;

所述电容电极位于所述薄膜晶体管的层间介质层靠近衬底基板的一侧,用于与所述薄膜晶体管的栅电极形成电容;所述第一连接电极位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧,且与所述薄膜晶体管的漏电极连接;所述第二连接电极与所述第一连接电极同层设置,所述微型发光二极管分别与第一连接电极和第二连接电极连接。

可选地,所述压力触控结构包括:阵列排列的压力触控单元,所述每个压力触控单元包括:相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极,所述第二触控电极位于所述第一触控电极远离所述衬底基板的一侧;

对于每个压力触控单元,所述第二触控电极在衬底基板上的正投影覆盖所述第一触控电极在衬底基板上的正投影。

可选地,所述压力触控结构包括:相互绝缘的第一触控层和第二触控层;所述第二触控层位于所述第一触控层远离所述衬底基板的一侧,所述第一触控层包括多个第一触控电极,所述第二触控层包括多个第二触控电极;

所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极横纵交错。

可选地,所述第一触控层和所述第二触控层同层设置。

可选地,所述第一触控电极与所述第一连接电极同层设置,所述第二触控电极设置在所述盖板上。

可选地,所述触控显示基板还包括:位于所述第一触控电极和所述盖板之间的填充层;

所述第二触控电极位于所述盖板靠近所述衬底基板的一侧。

可选地,所述触控显示基板还包括:位于所述薄膜晶体管的平坦层和所述盖板之间的封框胶;

所述第二触控电极位于所述盖板远离所述衬底基板的一侧。

可选地,所述触控显示基板还包括:第一电极;

所述第一电极与所述薄膜晶体管的源漏电极同层设置,所述第二连接电极与所述第一电极连接。

可选地,所述触控显示基板还包括:第二电极;

所述第二电极与所述第一电极连接,所述第二电极与所述电容电极或者所述薄膜晶体管的栅电极同层设置。

可选地,所述触控显示基板还包括:第三电极;

所述第三电极与所述薄膜晶体管的源漏电极同层设置,所述第一触控电极与所述第三电极连接。

可选地,所述触控显示基板还包括:第四电极;

所述第四电极与所述第三电极连接,所述第四电极与所述电容电极或者所述薄膜晶体管的栅电极同层设置。

可选地,所述第一触控电极和所述第二触控电极的制作材料为透明导电材料。

第二方面,本申请还提供一种触控显示装置,包括:上述触控显示基板。

第三方面,本申请还提供一种触控显示基板的制作方法,用于制作上述触控显示基板,所述方法包括:

提供衬底基板;

在所述衬底基板上形成像素单元和压力触控结构,所述像素单元包括:微型发光二极管,所述压力触控结构用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在所述像素单元之间。

本申请提供一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置,其中,触控显示基板包括:衬底基板以及设置在衬底基板上的像素单元和压力触控结构;其中,像素单元包括:微型发光二极管,压力触控结构用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在像素单元之间。本申请实施例通过在像素单元之间设置压力触控结构,能够实现microled显示产品的触控功能,进而扩大了microled显示产品的应用范围。

本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本申请实施例提供的触控显示基板的结构示意图;

图2为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图一;

图3为图2对应的压力触控结构的俯视图一;

图4为图2对应的压力触控结构的俯视图二;

图5为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图二;

图6a为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图一;

图6b为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图二;

图6c为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图三;

图7a为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图一;

图7b为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图二;

图7c为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图三;

图8为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图三;

图9为图8对应的压力触控结构的俯视图;

图10为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图四;

图11为图10对应的压力触控结构的俯视图;

图12为本申请实施例提供的像素电路的等效电路图;

图13为图12提供的像素电路的工作时序图;

图14为本申请实施例提供的触控显示基板的触控时序图一;

图15为本申请实施例提供的触控显示基板的触控时序图二;

图16为本申请实施例提供的触控显示基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

本申请描述了多个实施例,但是该描述是示例性的,而不是限制性的,并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是,在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合,并在具体实施方式中进行了讨论,但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外,任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用,或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合,以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合,以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此,应当理解,在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此,除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外,实施例不受其它限制。此外,可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外,在描述具有代表性的实施例时,说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而,在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上,该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的,其它的步骤顺序也是可能的。因此,说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外,针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤,本领域技术人员可以容易地理解,这些顺序可以变化,并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。

除非另外定义,本申请实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述的对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。

本申请的一些实施例提供一种触控显示基板,图1为本申请实施例提供的触控显示基板的结构示意图,如图1所示,本申请实施例提供的触控显示基板包括:衬底基板10以及设置在衬底基板10上的像素单元30和压力触控结构40;其中,像素单元30包括:微型发光二极管31,压力触控结构40用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在像素单元30之间。

可选地,衬底基板10可以为刚性衬底或柔性衬底,其中,刚性基底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种;柔性基底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。

优选地,为了实现触控显示基板的柔性可折叠,本申请实施例中的衬底基板10为柔性基底,其中,柔性基底包括多个层叠设置的基底单元,每个基底单元包括:聚酰亚胺薄膜和阻挡层,每个基底单元中的阻挡层位于聚酰亚胺薄膜靠近像素单元的一侧。

具体的,阻挡层的制作材料包括氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物,用于在制作像素单元时,保护聚酰亚胺薄膜,另外,多层设置基底单元可以增加触控显示基板的柔性。

具体的,如图1所示,本申请实施例中的像素单元还包括:薄膜晶体管32、像素界定层33、第一连接电极34、第二连接电极35和电容电极36。

其中,薄膜晶体管32包括:缓冲层321、有源层322、第一栅绝缘层323、栅电极324、第二栅绝缘层325、层间绝缘层326、源电极327、漏电极328和平坦层329,其中,薄膜晶体管32可以为顶栅结构还可以为底栅结构,本申请实施例对此不作任何限定,需要说明的是,本申请实施例是以薄膜晶体管为顶栅结构为例进行说明的。

本实施例中,电容电极36位于薄膜晶体管的层间绝缘层326靠近衬底基板10的一侧,用于与薄膜晶体管的栅电极324形成电容。

具体的,像素界定层33位于平坦层329远离衬底基板10的一侧,像素界定层33位于第一连接电极34和第二连接电极35的周围,用于保护第一连接电极34和第二连接电极35。

具体的,第一连接电极34位于薄膜晶体管32远离衬底基板10的一侧,且与薄膜晶体管的漏电极328连接,具体的,平坦层329设置有过孔,第一连接电极34通过平坦层过孔与漏电极328连接。

具体的,第二连接电极35与第一连接电极34同层设置,微型发光二极管31分别与第一连接电极34和第二连接电极35连接。

具体的,像素单元中还包括:焊盘37,焊盘37分别设置在第一连接电极34和第二连接电极35上,微型发光二极管31通过焊盘37与第一连接电极34和第二连接电极35连接,实现微型发光二极管31的转印。可选地,焊盘的制作材料可以为锡膏。

本实施例中,压力触控结构40用于感测的施加在触控显示基板上的压力信息包括:压力产生位置以及压力的大小等信息,能够实现micoled显示产品的触控功能,本申请实施例对此不作任何限定。

本实施例中压力触控结构40设置在像素单元30之间,也就是说,压力触控结构40设置在非显示区域内,触控信号就不会被像素单元所屏蔽,可以实现在不影响显示效果的情况下,实现micoled显示产品的触控功能。同时,本申请实施例提供的触控显示基板兼容了microled显示产品的现有工艺叠层,在实现触控功能的同时,并未增加工艺成本。

本申请实施例提供的触控显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的像素单元和压力触控结构;其中,像素单元包括:微型发光二极管,压力触控结构用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在像素单元之间。本申请实施例通过在像素单元之间设置压力触控结构,能够实现microled显示产品的触控功能,进而扩大了microled显示产品的应用范围,大大提高了microled显示产品的附加值。

可选地,作为一种实施方式,图2为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图一,图3为图2对应的压力触控结构的俯视图一,图4为图2对应的压力触控结构的俯视图二,如图2~4所示,本申请实施例提供的触控显示基板中压力触控结构包括:阵列排列的压力触控单元400,每个压力触控单元400包括:相互绝缘的第一触控电极410和第二触控电极420,第二触控电极420位于第一触控电极410远离衬底基板10的一侧;对于每个压力触控单元,第二触控电极420在衬底基板10上的正投影覆盖第一触控电极410在衬底基板10上的正投影。

可选地,如图2所示,本申请实施例提供的触控显示基板包括:盖板20,其中,盖板20位于像素单元30远离衬底基板10的一侧。

可选地,压力触控单元的数量具体根据由显示产品所需的压感触控的精度所限定,本申请实施例对此不作任何限定。

在该种实施方式中,为了提高触控精度,第一触控电极作为感测电极,第二触控电极作为驱动电极。

具体的,如图3所示,每个压力触控单元中的第一触控电极410包括:阵列排列的第一子电极411,其中,所有第一子电极相互独立,每个第一子电极可以由单独的触控电极线连接,或者所有第一子电极411相互连接,且与一根触控电极线连接,需要说明的是,图3是以所有第一子电极411相互独立为例进行说明的。

具体的,如图4所示,每个压力触控单元中的第二触控电极可以由多个相连的子电极连接,还可以为面状电极,只要第二触控电极在衬底基板上的正投影覆盖第一触控电极在衬底基板上的正投影即可,需要说明的是,如图4是以所有第二触控电极为面状电极为例进行说明的,本申请实施例对此不作任何限定。具体的,本申请实施例中相邻第二触控电极之间通过挡墙分隔。

在该种实施方式中,如图2所示,第一触控电极410与第一连接电极34和第二连接电极35同层设置,第二触控电极420设置在盖板20上。需要说明的,第二触控电极420可以设置在盖板20靠近衬底基板10的一侧,还可以设置在盖板20远离衬底基板10的一侧,具体根据触控显示基板的具体结构限定。

如图2所示,本申请实施例提供的触控显示基板还包括:位于第一触控电极410和盖板20之间的填充层50,此时,第二触控电极420位于盖板20靠近衬底基板10的一侧。

可选地,填充层50的制作材料为柔性填充物,可以为树脂或者其他柔性材料,本申请实施例对此不作任何限定。

本申请实施例设置的填充层50是不仅起到了固定第一触控电极410,而且还起到支撑盖板20的作用。

图5为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图二,如图5所示,本申请实施例提供的触控显示基板还包括:位于薄膜晶体管的平坦层329和盖板20之间的封框胶60,此时,第二触控电极42位于盖板20远离衬底基板10的一侧。

本申请实施例设置的封框胶60起到支撑盖板20的作用。

本申请实施例中,当触控显示基板包括填充层50时,第二触控电极42位于盖板20靠近衬底基板10的一侧,当触控显示基板包括封框胶60时,第二触控电极42为盖板20远离衬底基板10的一侧。

可选地,在该种实施方式中,本申请实施例提供的触控显示基板中的第二连接电极35存在三种连接方式,图6a为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图一,图6b为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图二,图6c为本申请实施例提供的第二连接电极的连接示意图三,具体的,如图6a所示,本申请实施例提供的触控显示基板包括:第一电极71,其中,第一电极71与薄膜晶体管的漏电极328同层设置,第二连接电极35与第一电极71连接,具体的,平坦层329包括过孔,第二连接电极35通过平坦层过孔与第一电极71连接。

其中,第一电极71向第二连接电极35提供信号,可选地,为了使微型发光二极管发光,第一电极71的提供的信号不同于薄膜晶体管处于导通状态时薄膜晶体管中漏电极328的信号。

如图6b所示,本申请实施例提供的触控显示基板还包括:第二电极72,第二电极72与第一电极71连接,第二电极72与薄膜晶体管的栅电极324同层设置。具体的,层间绝缘层和第二栅绝缘层存在过孔,第一电极71通过层间绝缘层和第二栅绝缘层的过孔与第二电极72连接。

具体的,如图6b提供的连接方式中,第一电极71相当于导线,只起到连接第二电极72和第二连接电极35的作用。第二电极72向第二连接电极35提供信号,可选地,第二电极72的信号可以和薄膜晶体管的栅电极的信号为同一信号。

如图6c所示,本申请实施例提供的触控显示基板中第二电极72与第一电极71连接,第二电极72与电容电极36同层设置。具体的,层间绝缘层存在过孔,第一电极71通过层间绝缘层的过孔与第二电极72连接。

具体的,如图6c提供的连接方式中,第一电极71相当于导线,第一电极71只起到连接第二电极72和第二连接电极35的作用,第二电极72向第二连接电极35提供信号,可选地,第二电极72的信号可以和电容电极36的信号为同一信号。

可选地,在该种实施方式中,本申请实施例提供的触控显示基板中的第一触控电极存在三种连接方式,图7a为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图一,图7b为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图二,图7c为本申请实施例提供的第一触控电极的连接示意图三,具体的,如图7a所示,本申请实施例提供的触控显示基板包括:第三电极73,第三电极73与薄膜晶体管的漏电极328同层设置,第一触控电极410与第三电极73连接。具体的,平坦层329包括过孔,第一触控电极410通过平坦层过孔与第三电极73连接。

其中,第三电极73向第一触控电极410提供信号,可选地,为了能够实现触控显示,第三电极73的提供的信号不同于第二触控电极420的信号。

如图7b所示,本申请实施例提供的触控显示基板还包括:第四电极74,第四电极74与第三电极73连接,第四电极74与薄膜晶体管的栅电极324同层设置。具体的,层间绝缘层和第二栅绝缘层存在过孔,第三电极73通过层间绝缘层和第二栅绝缘层的过孔与第四电极74连接。

具体的,如图7b提供的连接方式中,第三电极73相当于导线,只起到连接第四电极74和第一触控电极410的作用。第四电极74向第一触控电极41提供信号,可选地,第四电极74的信号可以和薄膜晶体管的栅电极的信号为同一信号。

如图7c所示,本申请实施例提供的触控显示基板中,第四电极74与第三电极73连接,第四电极74与电容电极36同层设置。具体的,层间绝缘层存在过孔,第三电极73通过层间绝缘层的过孔与第四电极74连接。

具体的,如图7c提供的连接方式中,第三电极73相当于导线,第三电极73只起到连接第四电极74和第一触控电极410的作用,第四电极74向第一触控电极410提供信号,可选地,第四电极74的信号可以和电容电极36的信号为同一信号。

需要说明的是,本申请实施例中的第二连接电极35的连接方式与第一触控电极410的连接方式之间并无直接关系,即当第二连接电极35与第一电极71连接时,第一触控电极410可以与第三电极73连接,还可以通过第三电极73与第四电极74连接,第四电极74可以与栅电极或者电容电极同层设置,当第一触控电极410与第三电极73连接时,第二连接电极35可以与第一电极71连接,还可以通过第一电极71与第二电极72连接,第二电极72可以与栅电极或者电容电极同层设置,本申请实施例并不具体限定第二连接电极35和第一触控电极410的连接方式,具体根据实际需求确定。

另外,图6a~6c以及图7a~7c均是以触控显示基板包括填充层50为例进行说明的,触控显示基板还可以为包括封框胶的结构,本申请实施例对此不作任何限定。

可选地,作为另一种实施方式,图8为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图三,图9为图8对应的压力触控结构的俯视图,图10为本申请实施例提供的触控显示基板的剖面图四,图11为图10对应的压力触控结构的俯视图,如图8~11所示,压力触控结构包括:第一触控层41和第二触控层42;第二触控层42位于第一触控层41远离衬底基板10的一侧,第一触控层41包括多个第一触控电极410,第二触控层42包括多个第二触控电极420,多个第一触控电极410和多个第二触控电极420横纵交错。

需要说明的是,多个第一触控电极410和多个第二触控电极420之间的夹角可以是直角,还可以是其他角度,只要横纵交错即可,本申请实施例对此不作任何限定。

在该种实施方式中,可以采用第一触控电极作为感测电极,第二触控电极作为驱动电极,还可以采用第一触控电极作为驱动电极,第二电极作为感测电极,本申请实施例对此不作任何限定。需要说明的是,在该种实施方式中,压力触控结构为互容式触控结构。

其中,每个第一触控电极410均与触控电极线连接,每个第二触控电极420均与触控电极线连接。

具体的,如图8和10所示,本申请实施例中,第一触控层41与第一连接电极34和第二连接电极35同层设置,即第一触控电极410与第一连接电极34和第二连接电极35同层设置。

可选地,在该种实施方式中,触控显示基板中第一触控层和第二触控层包括两种设置方式,第一种设置方式为第二触控层42设置在盖板20上,需要说明的是,图8是以第二触控层42设置在盖板20上为例进行说明的,第二种设置方式为第一触控层41和第二触控层42同层设置,图10是以第一触控层41和第二触控层42同层设置为例进行说明的。

本申请实施例中,具体的,在第一触控层42设置在盖板20上的情况下,当触控显示基板包括封框胶60时,第二触控电极42为盖板20远离衬底基板10的一侧,需要说明的是,图8是以触控显示基板包括封框胶60为例进行说明的。当触控显示基板包括位于第一触控电极41和盖板20之间的填充层50时,第二触控电极42位于盖板20靠近衬底基板10的一侧,需要说明的是,图10是以触控显示基板包括填充层50为例进行说明的。

本申请实施例中,具体的,在第一触控层和第二触控层同层设置的情况下,触控显示基板可以包括填充层50或者封框胶60,本申请实施例对此不作任何限定。

在该种实施方式中,本申请实施例提供的触控显示基板中的第二连接电极的连接方式与如图6a~6c中第二连接电极的连接方式相同,第一触控电极410的连接方式与图7a~7c中第一触控电极410的连接方式相同,本申请实施例在此不再赘述。

具体的,为了不影响触控显示基板的显示效果,本申请实施例提供的触控显示基板中的第一触控电极和第二触控电极的制作材料为透明导电材料,可选地,透明导电材料包括:氧化铟锡、氧化锌锡等材料,本申请实施例对此不作任何限定。

可选地,本申请实施例提供的触控显示基板还包括:黑矩阵层,其中,黑矩阵层位于像素界定层远离第一基板的一侧,用于将microled射向像素界定层方向的光线反射出去,提高了触控显示基板的光线利用率。

本申请实施例提供的触控显示基板还包括:处理器,处理器与压力触控结构连接,用于根据压力触控结构的信号来确信压力信息。

本申请实施例的上述两种实施方式中的压力触控结构设置有两个相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极,当手指按压触控显示基板时,触控显示基板会发生形变,位于手指按压处的两个触控电极之间的电容会发生变化,此时,处理器根据手指按压处的电容的变化趋势,进而感知手指按压力度,从而达到触控的效果。具体的,手指按压处的两个电极之间的电容发生变化会改变压力触控结构的充电时间,通过时间积分的方式来感测手指按压处的电容的变化趋势。

具体的,以第一触控电极为驱动电极为例,当触控信号输入到第一触控电极时,由于第一触控电极和第二触控电极之间本身存在rc负载,在无按压时,压力触控结构的充电时间为t1,当手指按压触控显示基板时,第一触控电极和第二触控电极之间的耦合电容增加,压力触控结构的充电时间变化为t2,根据充电变化时间来分析压力,实现触控。

本申请实施例提供的触控显示基板还包括:用于驱动microled发光的像素电路,图12为本申请实施例提供的像素电路的等效电路图,如图12所示,本申请实施例提供的像素电路包括:电流控制子电路、时长控制子电路和发光元件,其中,电流控制子电路,与时长控制子电路连接,用于输出补偿后的驱动电流,时长控制子电路,与发光元件连接,用于控制向发光元件提供驱动电流,具体的,通过时间积分的方式进一步控制发光元件的灰阶亮度。

可选地,发光元件为microled。

如图12所示,电流控制子电路包括:第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第一电容c1,其中,第一晶体管t1的控制极与复位信号端rst连接,第一晶体管t1的第一极与初始信号端vint连接,第一晶体管t1的第二极与第一节点n1连接,第一电容c1的第一端与第一节点n1连接,第一电容c2的第二端与第一电源端vdd连接,第二晶体管t2的控制极与第一扫描端gate1连接,第二晶体管t2的第一极与数据信号端data连接,第二晶体管t2的第二极与第二节点n2连接,第三晶体管t3的控制极与第一扫描端gate1连接,第三晶体管t3的第一极与第一节点n1连接,第三晶体管t3的第二极与第三节点n3连接,第四晶体管t4的控制极与第一节点n1连接,第四晶体管t4的控制极与第一节点n1连接,第四晶体管t4的第一极与第二节点n2连接,第四晶体管t4的第二极与第三节点n3连接,第五晶体管t5的控制极与控制信号端em连接,第五晶体管t5的第一极与第一电源端vdd连接,第五晶体管t5的第二极与第二节点n2连接,第六晶体管t6的控制极与控制信号端em连接,第六晶体管t6的第一极与第三节点n3连接,第六晶体管t6的第二极与时长控制子电路连接。

如图12所示,时长控制子电路包括:第七晶体管t7、第八晶体管t8和第二电容c2,其中,第七晶体管t7的控制极与第二扫描端gate2连接,第七晶体管t7的第一极与时长数据端data_t连接,第七晶体管t7的第二极与第四节点n4连接,第二电容c2的第一端与第四节点n4连接,第二电容c2的第二端与第一电源端vdd连接,第八晶体管t8的控制极与第四节点n4连接,第八晶体管t8的第一极与第六晶体管t6的第二极连接,第八晶体管t8的第二极与发光元件的阳极连接,发光元件的阴极与第二电源端vss连接。

可选地,第四晶体管t4为驱动晶体管。

以晶体管t1~t8均为p型薄膜晶体管为例,图13为图12提供的像素电路的工作时序图。如图12和13所示,本申请实施例所涉及的像素电路包括:8个晶体管(t1~t8),2个电容单元(c1~c2),7个输入端(gate1、gate2、data_t、data、rst、em和vin)和2个电源端(vdd和vss)。

具体的,第一电源端vdd持续提供高电平信号,第二电源端vss持续提供低电平信号。

具体的,像素电路的工作时序包括:

第一阶段s1,即复位阶段,复位信号端rst和初始信号端vint的输入信号为低电平信号,第一晶体管t1导通,向第一节点n1提供初始信号端vint的信号,以向第一电容c1充电。

第二阶段s2,复位信号端rst的输入信号为高电平信号,第一晶体管t1截止,第一扫描端gate1的输入信号为低电平信号,第二晶体管t2和第三晶体管t3导通,向第二节点n2提供数据信号端data的信号,第一节点n1和第三节点n3连通,第一电容c1向第一节点n1放电,直至第一节点n1的电位等于数据信号端data的信号电位与第四晶体管t4的阈值电压之和,此时,第四晶体管t4导通。

第三阶段s3、第二扫描端gate2的输入信号为低电平信号,第七晶体管t7导通,向第四节点n4提供时长数据端data_t的信号,第八晶体管t8导通。

第四阶段s4、控制信号端em的输入信号为低电平信号,第五晶体管t5和第六晶体管t6导通,由于第四晶体管t4导通,因此,第四晶体管t4向第三节点提供驱动电流,另外,由于第八晶体管t8在第二电容c2的作用下仍保持导通状态,此时,发光元件发光。

由于在第二阶段s2中,第四晶体管t4的控制极的电压保持为第一节点n1的电位等于数据信号端data的信号电位与第四晶体管t4的阈值电压之和,根据驱动晶体管得到饱和时的电流公式可以得到本申请实施例提供的像素电路中流经发光元件的驱动电流与第四晶体管的阈值电压无关,从而消除了驱动晶体管dtft的阈值电压对驱动电流的影响,进而确保了触控显示基板的显示亮度均匀,进而提升了显示效果。

本申请实施例提供的触控显示基板包括:触控阶段和显示阶段,其中,显示阶段,像素电路工作,驱动microled发光,具体的,本实施例中,触控阶段和显示阶段分时驱动,即触控阶段不显示,显示阶段不触控。

需要说明的是,在触控阶段,为了不影响触控显示面板的显示效果,像素电路中的控制信号端em提供使第六晶体管m6处于截止状态的信号,复位信号端rst提供使第一晶体管m1处于截止状态的信号。

针对图2~图7提供的触控显示基板,以压力触控结构包括:n个压力触控单元为例,图14为本申请实施例提供的触控显示基板的触控时序图一,图14提供的触控时序图是图2~图7提供的触控显示基板对应的时序图,其中,在触控阶段中,第i个压力触控单元中的第一触控电极的触控信号为rxi,第i个压力触控单元中的第二触控电极的触控信号txi,其中,1≤i≤n,如图14所示,图2~图7提供的触控显示基板中压力触控结构采用的是同步驱动方式,即同时向第一触控电极和第二触控电极提供触控信号。

本申请实施例中采用同步驱动方式,不仅抵消位于压力触控电极靠近衬底基板一侧的其他导电层对电压力触控结构中第一触控电极的影响,而且还在节省扫描时间的同时,还最大限度地提高了压感触控精度。

针对图8~图11提供的触控显示基板,压力触控结构包括:3列第一触控电极和3行第二触控电极为例,图15为本申请实施例提供的触控显示基板的触控时序图二,图15提供的触控时序图是图8~图11提供的触控显示基板对应的时序图,其中,3列第一触控电极分别为rx1、rx2和rx3,3行第二触控电极分别为tx1、tx2和tx3,如图15所示,图8~图11提供的触控显示基板在开始触控时,第二触控电极逐行开始扫描,每列第一触控电极依次采集信号。

基于上述实施例的发明构思,本申请的一些实施例还提供一种触控显示基板的制作方法,用于制作前述实施例提供的触控显示基板,图16为本申请实施例提供的触控显示基板的制作方法的流程图,如图16所示,本申请实施例提供的触控显示基板的制作方法具体包括以下步骤:

步骤100、提供衬底基板。

可选地,基底可以为刚性衬底或柔性衬底,其中,刚性基底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种;柔性基底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。优选地,为了实现触控显示基板的柔性可折叠,基底为柔性衬底。

可选地,衬底基板可以为多层聚酰亚胺结构。

步骤200、在衬底基板上形成像素单元和压力触控结构。

具体的,像素单元包括:微型发光二极管,压力触控结构用于感测施加在触控显示基板上的压力信息,且设置在像素单元之间。

其中,本申请实施例提供的触控显示基板的制作方法,用于制作前述实施例提供的触控显示基板,其实现原理和实现效果类似,在此不再赘述。

可选地,作为一种实施方式,步骤200包括:在衬底基板上形成像素单元,在像素单元上形成像素界定层,向像素界定层之间形成第一连接电极、第二连接电极和第一触控电极,在第一连接电极和第二连接电极上形成焊盘,将microled转印在焊盘上,形成填充层或者形成封框胶,提供盖板,在盖板上形成第二触控电极,在填充层或者封框胶设置形成有第二触控电极的盖板。

可选地,作为另一种实施方式,步骤200包括:在衬底基板上形成像素单元,在像素单元上形成像素界定层,向像素界定层之间形成第一连接电极、第二连接电极、第一触控电极和第二触控电极,在第一连接电极和第二连接电极上形成焊盘,将microled转印在焊盘上,形成填充层或者形成封框胶,在填充层或者封框胶上设置盖板。

具体的,在衬底基板上形成像素单元包括:在衬底基板上形成缓冲层,在缓冲层上有源层,在有源层上形成第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层上形成栅电极,在栅电极上形成第二栅绝缘层,在第二栅绝缘层上形成电容电极,在电容电极上形成层间绝缘层,在层间绝缘层上形成源漏电极,在源漏电极上形成平坦层。

可选地,触控显示基板还包括第一电极和/或第三电极,则在衬底基板上形成像素单元还包括:在层间绝缘层上形成第一电极和/或第三电极,其中,该步骤可与在层间绝缘层上形成源漏电极采用同一制程形成。

可选地,触控显示基板还包括第二电极和/或第四电极,作为一种实施方式,则在衬底基板上形成像素单元还包括:在第一栅绝缘层上形成第二电极和/或第四电极,其中,该步骤可与在第一栅绝缘层上形成栅电极采用同一制程形成。

可选地,作为另一种实施方式,则在衬底基板上形成像素单元还包括:在第二栅绝缘层上形成第二电极和/或第四电极,其中,该步骤可与在第二栅绝缘层上形成电容电极采用同一制程形成。

基于上述实施例的发明构思,本申请的一些实施例还提供一种触控显示装置,该触控显示装置包括:触控显示基板。

可选地,触控显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本申请实施例对比并不做任何限定。

其中,触控显示基板为前述实施例提供的触控显示基板中,其实现原理和效果类似,在此不再赘述。

本申请实施例附图只涉及本申请实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。

为了清晰起见,在用于描述本申请的实施例的附图中,层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。

虽然本申请所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式,并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员,在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本申请的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

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