双存储器切换电路及显示装置的制作方法

文档序号:18290379发布日期:2019-07-27 11:17阅读:153来源:国知局
双存储器切换电路及显示装置的制作方法

本申请属于电子电路技术领域,尤其涉及一种双存储器切换电路及显示装置。



背景技术:

随着电子产品的制造工艺快速发展,技术人员对于电子产品的数据存储容量要求也越来越高;由于电子产品需要集成实现多种复杂功能的电子元器件,并且电子产品在不同的工作状态下需要实时接入或者输出功能数据,以实现电子设备与外界通信设备之间的信息交互,因此传统技术中的电子产品需要扩充自身的数据存储容量,通过大容量的存储数据保障电子产品的稳定工作状态;通常的,传统技术中的电子产品只具有一个存储器,数据存储容量较小,技术人员在电子产品中采用外挂存储器的方式,使电子产品能够实现双存储器的数据存储功能,在电子产品中额外增加一个存储器能够极大地增加电子产品的数据容量,相应的,电子产品能够实现能加稳定、复杂的电路功能;从而双存储器的数据存储方式已经在电子产品中得到极为广泛的应用。

电子产品的应用场所存在差异,电子产品所需要的数据存储容量就不相同,以显示面板为例;当显示面板只需要显示静态图像或者容量较小的图像数据时,电子产品只需要一个存储器可实现正常的电路功能;当显示面板需要显示高清、大宽度的视频时,显示面板需要外挂的两个存储器来实现大容量的数据存储以及数据处理能力;当显示面板应用在不同的场所时,需要对于外挂的两个存储器进行切换,进而显示面板能够实现最佳的数据存储性能,避免存储空间的浪费;然而传统技术无法实现对于电子产品中双存储器之间的稳定切换功能,或者传统技术只能通过复杂的集成电路对双存储器进行切换,切换电路的结构过于复杂,数据切换的成本过高,并且存储器内部的数据在切换过程中容易出现丢失或者遗漏的现象,双存储器内部的数据安全性较低。



技术实现要素:

有鉴于此,本申请实施例提供了一种双存储器切换电路及显示装置,旨在解决示例性技术方案无法对双存储器进行安全、稳定的数据切换,以及传统的双存储器切换电路过于复杂,制造成本较高,兼容性较低的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种双存储器切换电路,包括:

第一存储器,所述第一存储器存储第一数据;

第二存储器,所述第二存储器存储第二数据;以及

存储切换电路,所述存储切换电路与所述第一存储器以及所述第二存储器连接,所述存储切换电路接入电气控制信号,并且所述存储切换电路根据所述电气控制信号切换所述第一存储器的工作状态和/或所述第二存储器的工作状态。

在其中的一个实施例中,所述电气控制信号由单片机生成;其中,所述单片机的通讯端口接所述存储切换电路。

在其中的一个实施例中,所述存储切换电路根据所述电气控制信号在第一存储状态和第二存储状态之间进行切换;

其中,在所述第一存储状态下,所述第一存储器处于正常工作状态,所述第二存储器处于未工作状态;

在所述第二存储状态下,所述第一存储器和所述第二存储器都处于正常工作状态。

在其中的一个实施例中,在所述电气控制信号为第一电平状态时,所述存储切换电路切换至所述第一存储状态;

在所述电气控制信号为第二电平状态时,所述存储切换电路切换至所述第二存储状态。

在其中的一个实施例中,所述第一电平状态为高电平状态,并且所述第二电平状态为低电平状态;或者

所述第一电平状态为低电平状态,并且所述第二电平状态为高电平状态。

在其中的一个实施例中,所述第一存储器包括:第一存储芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第一电容;

其中,所述第一存储芯片的片选管脚接所述存储切换电路,所述第一存储芯片的串行通信管脚接入或者输出所述第一数据,所述第一存储芯片的电源管脚、所述第一电阻的第一端以及所述第一电容的第一端共接于第一直流电源,所述第一电容的第二端和所述第一存储芯片的接地管脚共接于地,所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端共接于所述第一存储芯片的状态保持管脚,所述第二电阻的第二端接入状态保持信号,所述第三电阻的第一端和所述第四电阻的第一端共接于所述第一存储芯片的写保护管脚,所述第三电阻的第二端接入写保护信号,所述第四电阻的第二端接地。

在其中的一个实施例中,所述第二存储器包括:第二存储芯片和第二电容;

其中,所述第二存储芯片的片选管脚接所述存储切换电路,所述第二存储芯片的串行通信管脚接入或者输出所述第二数据,所述第二存储芯片的电源管脚和所述第二电容的第一端共接于第二直流电源,所述第二存储芯片的接地管脚和所述第二电容的第二端共接于地,所述第二存储芯片的状态保持管脚接入状态保持信号,所述第二存储芯片的写保护管脚接入写保护信号。

在其中的一个实施例中,所述存储切换电路包括:存储切换芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第三电容;

其中,所述存储切换芯片的电源管脚和所述第三电容的第一端共接于第三直流电源,所述第三电容的第二端接地,所述存储切换芯片的信号输入管脚接入所述电气控制信号,所述存储切换芯片的片选管脚和所述第五电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的片选信号输入端,所述存储切换电路的片选信号输入端接入片选信号,所述第五电阻的第二端、所述第六电阻的第一端以及所述存储切换芯片的第一信号输出管脚共接形成所述存储切换电路的第一信号输出端,所述存储切换芯片的接地管脚接地,所述存储切换芯片的第二信号输出管脚和所述第七电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的第二信号输出端,所述第六电阻的第二端和所述第七电阻的第二端共接于第四直流电源,所述存储切换电路的第一信号输出端接所述第一存储器,所述存储切换电路的第二信号输出端接所述第二存储器。

本申请实施例的第二方面提供了一种双存储器切换电路,包括:

第一存储器,所述第一存储器存储第一数据;

第二存储器,所述第二存储器存储第二数据;以及

存储切换电路,所述存储切换电路与所述第一存储器以及所述第二存储器连接,所述存储切换电路接入电气控制信号,并且所述存储切换电路根据所述电气控制信号切换所述第一存储器的工作状态和/或所述第二存储器的工作状态;

所述存储切换电路包括:存储切换芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第三电容;

其中,所述存储切换芯片的电源管脚和所述第三电容的第一端共接于第三直流电源,所述第三电容的第二端接地,所述存储切换芯片的信号输入管脚接入所述电气控制信号,所述存储切换芯片的片选管脚和所述第五电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的片选信号输入端,所述存储切换电路的片选信号输入端接入片选信号,所述第五电阻的第二端、所述第六电阻的第一端以及所述存储切换芯片的第一信号输出管脚共接形成所述存储切换电路的第一信号输出端,所述存储切换芯片的接地管脚接地,所述存储切换芯片的第二信号输出管脚和所述第七电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的第二信号输出端,所述第六电阻的第二端和所述第七电阻的第二端共接于第四直流电源,所述存储切换电路的第一信号输出端接所述第一存储器,所述存储切换电路的第二信号输出端接所述第二存储器。

本申请实施例的第三方面提供了一种显示装置,包括:

显示面板,包括如上所述的双存储器切换电路;以及

背光源,所述背光源设于所述显示面板的背面。

上述的双存储器切换电路通过存储切换电路能够自动地对第一存储器的工作状态和/或第二存储器的工作状态进行切换,以使双存储器能够处于最佳的数据存储状态,保障了两个存储器的工作状态进行切换过程中内部数据的安全性和稳定性,避免出现数据丢失的问题;从而本申请实施例中的双存储器切换电路可根据实际需要只选择其中一个存储器上电工作,也可选择两个存储器都实现上电工作;即扩充了数据存储容量,使电子产品能够实现稳定、安全的电路功能,又能够避免存储器内部的数据存储容量被浪费的问题,适用范围极广;进而所述双存储器切换电路以较为简化的电路结构实现了两个存储器工作状态的切换,电路模块结构简单,降低了存储器的工作状态的切换成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的双存储器切换电路的结构示意图;

图2为本申请实施例提供的第一存储器的电路结构图;

图3为本申请实施例提供的第二存储器的电路结构图;

图4为本申请实施例提供的存储切换电路的电路结构图;

图5为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。

请参阅图1,本申请实施例提供的双存储器切换电路10的结构示意,为了便于说明,仅示出了与本实施例相关的部分,详述如下:

如图1所示,该双存储器切换电路10包括:第一存储器101、第二存储器102以及存储切换电路103.

其中,所述第一存储器101存储第一数据。

所述第二存储器102存储第二数据。

作为一种可选的实施方式,所述第一数据和所述第二数据这两者包含的控制信息可相同也可不相同;例如,第一数据包含第一控制信息,第二数据包含第二控制信息,通过第一控制信息和第二控制信号能够驱动外界的集成电路实现不同的电路功能,以使集成电路的电路功能能够完全满足用户的实际需求;从而本实施例通过第一存储器101和第二存储器102能够分别存储不同类型的功能数据,保障了电子设备的数据存储兼容性能。

示例性的,在本实施例中,所述第一存储器101为RAM(Random Access Memory,随机存储器)或者ROM(Read-Only Memory,只读存储器);所述第二存储器102为RAM(Random Access Memory,随机存储器)或者ROM(Read-Only Memory,只读存储器);从而本实施例中的双存储器切换电路10可适用于各个工业领域,兼容性极强。

所述存储切换电路103与所述第一存储器101以及所述第二存储器102连接,所述存储切换电路103接入电气控制信号CTRL,并且所述存储切换电路103根据电气控制信号CTRL切换所述第一存储器101的工作状态和/或所述第二存储器101的工作状态。

在本申请实施例中,电气控制信号CTRL具有技术人员的功能选择信息,通过该电气控制信号CTRL能够实时改变存储切换电路103的工作状态,以使双存储器切换电路10能够按照用户的实际需求来自适应改变存储器的工作状态,有利于提高本实施例中双存储器切换电路10的可操控性能,以使双存储器切换电路10可根据技术人员的实际需求来实现数据存储功能。

该存储切换电路103能够实时切换两个存储器(包括:第一存储器101和第二存储器102)中任意一个存储器的工作状态,也可同时切换两个存储器的工作状态,通过这两个存储器能够实现不同的数据存储功能;进而存储切换电路103可根据应用场景的变化选择其中一个存储器作为数据存储部件,也可选用两个存储器作为数据存储部件,极大地保障了存储器中数据的安全性和稳定性,第一存储器101和第二存储器102之间能够顺利地实现工作状态的切换功能,操作简便。

在图1示出的双存储器切换电路10的结构中,结合第一存储器101和第二存储器102能够扩充电子产品的数据存储容量,实现了双存储器的数据存储能力;存储切换电路103可根据电子产品的应用场所自动切换两个存储器的工作状态,以满足电子产品在不同应用场景中的需求,提高了存储切换电路103的兼容性;因此本申请实施例中的双存储器切换电路10具有较为简化的模块结构,降低了双存储器切换电路10对于存储器内部数据的切换成本,通过第一存储器101和第二存储器102能够实现不同的数据存储功能,存储切换电路103可根据电气控制信号CTRL及时调整双存储器的数据存储能力,实现存储器的数据功能切换,保障了存储器中的数据安全性能;有效地解决了示例性技术中的双存储器切换电路的制造成本较高,兼容性较低,存储器中的数据在切换过程中容易出现数据丢失的问题。

作为一种可选的实施方式,所述电气控制信号CTRL由单片机生成;其中,所述单片机的通讯端口接所述存储切换电路103。

可选的,所述单片机的型号为:80C51或者8048;本领域技术人员可采用其它类型的单片机来生成电气控制信号CTRL,对此本文不做限定,单片机的通讯端口与存储切换电路103之间能够进行稳定的数据通信。

因此在本申请实施例中,单片机具有较为齐全的信号生成功能,通过该单片机能够实时操控存储切换电路103的工作状态,以实现第一存储器101工作状态和第二存储器102工作状态的切换功能;因此本实施例中的单片机可根据用户的操作信息生成相应的电气控制信号CTRL,以驱动双存储器能够适用于不同应用场所的实际需求;从而本实施例利用单片机提高了双存储器切换电路10的电路兼容性能,所述双存储器切换电路10能够普适性地适用于各个工业领域中,实用价值极高。

作为一种可选的实施方式,所述存储切换电路103根据所述电气控制信号CTRL在第一存储状态和第二存储状态之间进行切换。

其中,在所述第一存储状态下,所述第一存储器101处于正常工作状态,所述第二存储器102处于未工作状态。

在所述第二存储状态下,所述第一存储器101和所述第二存储器102都处于正常工作状态。

示例性的,当第二存储器102处于正常工作状态时,则第二存储器102可实现数据存储以及数据读写操作,通过第二存储器102中的第二数据能够使电子元器件实现相应的电路功能;相反,当第二存储器102处于未工作状态时,第二存储器102处于失电状态,外界的电子元器件无法读取第二存储器102中的第二数据。

在本申请实施例中,存储切换电路103可根据实际应用场所来自适应改变存储器的工作状态;其中第一存储器101作为主要的存储器,所述第二存储器102作为附属的存储器;若电子产品无需双存储器功能,则存储切换电路103可切换至第一存储状态,电子产品只需要通过第一存储器101进行数据存储,防止出现数据存储容量浪费的问题;当电子产品同时需要双存储器数据存储功能,则存储切换电路103可切换至第二存储状态,电子产品利用第二存储器102扩充数据存储容量,以使电子产品能够实现大容量数据存储性能,防止电子产品中存储器的数据出现溢出等现象;以本实施例中的存储切换电路10可在第一存储状态和第二存储状态之间进行任意切换,以满足电子产品在不同工业场所中的数据存储需求,所述双存储器切换电路10能够使第一存储器101和第二存储器102处于不同的数据存储状态,保障了第一存储器101和第二存储器102这两者存储器中的数据安全,以使存储器切换电路10具有更高的实用价值。

作为一种可选的实施方式,在所述电气控制信号CTRL为第一电平状态时,所述存储切换电路103切换至所述第一存储状态。

在所述电气控制信号CTRL为第二电平状态时,所述存储切换电路103切换至所述第二存储状态。

可选的,所述第一电平状态为高电平状态或者低电平状态,对此不做限定;并且所述第一电平状态和第二电平状态的相位交错。

在本申请实施例中,电气控制信号CTRL的电平状态与存储切换电路103的存储状态具有一一对应的关系,当电气控制信号CTRL的电平状态发生改变时,则存储切换电路103的工作状态也会发生相应的变化,以切换第一存储器101的工作状态和/或第二存储器102的工作状态,相应的电子产品也能够处于不同的数据存储状态;从而本申请实施例通过电气控制信号CTRL的电平状态来操控存储切换控制电路103的工作状态,操作简便,对于双存储器工作状态的切换具有较高的控制响应速度;因此本实施例中双存储器切换电路10能够对于存储器的数据存储功能实现灵活的控制,降低了双存储器工作状态的切换成本,双存储器能够按照用户的实际需求改变数据存储容量,兼容性极强。

作为一种可选的实施方式,图2示出了本申请实施例提供的第一存储器101的具体电路结构,如图2所示,所述第一存储器101包括:第一存储芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4以及第一电容C1。

其中,所述第一存储芯片U1的片选管脚CE#接所述存储切换电路103,所述存储切换电路103将第一片选信号通过片选管脚CE#输出至第一存储芯片U1,通过第一片选信号能够切换第一存储器101的工作状态,以改变第一存储器101的数据存储容量;所述第一存储芯片U1的串行通信管脚接入或者输出所述第一数据,如图2所示,第一存储芯片U1的串行通信管脚包括:SDO、SCK以及SDI,可选的,第一存储芯片U1的串行通信管脚与外界的移动终端进行数据通信,外界的移动终端能够实时读取第一存储芯片U1内部的第一数据,通过该第一数据能够驱动外界的移动终端实现相应的电路功能;并且外界的移动终端能够数据输出至第一存储芯片U1,以实时更新第一存储器101内部的第一数据,因此本申请实施例通过第一存储芯片U1的串行通信管脚提高了第一存储器101的通信兼容性,以使第一存储器101具有较强的数据存储性能。

所述第一存储芯片U1的电源管脚VDD、所述第一电阻R1的第一端以及所述第一电容C1的第一端共接于第一直流电源V1,所述第一电容C1的第二端和所述第一存储芯片U1的接地管脚VSS共接于地GND,所述第一电阻R1的第二端和所述第二电阻R2的第一端共接于所述第一存储芯片U1的状态保持管脚HOLD#,所述第二电阻R2的第二端接入状态保持信号,通过该状态保持信号使:第一存储芯片U1不复位的情况下,第一存储芯片U1内部的第一数据能够处于安全、稳定的状态,避免第一存储芯片U1的第一数据受到外界通讯信号的干扰;所述第三电阻R3的第一端和所述第四电阻R4的第一端共接于所述第一存储芯片U1的写保护管脚WP#,所述第三电阻R3的第二端接入写保护信号,通过该写保护信号能够保障:第一数据在读写过程的安全,防止出现第一数据丢失的问题;所述第四电阻R4的第二端接地GND。

可选的,所述第一直流电源V1为+3.3V直流电源。

可选的,所述第一存储芯片U1的型号为:W25Q16或者W25Q64;本领域技术人员也可采用其它型号的存储芯片应用于第一存储器101,对此,本文不做限定。

在图2示出地第一存储器101的具体电路结构中,第一存储器101通过第一存储芯片U1能够实现第一数据的存储以及写入功能,并且第一存储芯片U1可与存储切换电路103以及外界的移动终端进行数据通信,存储切换电路103可实时操控第一存储芯片U1的工作状态,以使第一存储器101能够实现数据存储的功能,双存储器的数据存储容量能够得到相应的改变;因此本实施例中的双存储器切换电路10具有较为简化的电路结构,有利于降低双存储器的数据切换成本,第一存储芯片U1在存储切换电路103的控制下能够与外界的移动终端实现良好的数据通信功能,保障了双存储器的数据存储容量的可扩展性及其实用性。

作为一种可选的实施方式,图3示出了本申请实施例提供的第二存储器102的具体电路结构,如图3所示,所述第二存储器包括:第二存储芯片U2和第二电容C2。

其中,第二存储芯片U2的片选管脚CE#接所述存储切换电路103,存储切换电路103将第二片选信号输出至第二存储芯片U2,通过第二片选信号能够实时操控第二存储芯片U2的数据存储状态;所述第二存储芯片U2的串行通信管脚接入或者输出所述第二数据,其中,所述第二存储芯片U2的串行通信管脚包括:SDO、SCK以及SDI,第二存储芯片U2的串行通信管脚与外界的移动终端进行数据通信,以实现第二数据的双向传输;所述第二存储芯片U2的电源管脚VDD和所述第二电容C2的第一端共接于第二直流电源V2,通过第二直流电源V2能够将稳定的直流电能传输至第二存储芯片U2,以使第二存储芯片U2能够维持稳定、安全的工作状态;所述第二存储芯片U2的接地管脚VSS和所述第二电容C2的第二端共接于地GND,所述第二存储芯片U2的状态保持管脚HOLD#接入状态保持信号,所述第二存储芯片U2的写保护管脚WP#接入写保护信号。

可选的,所述第二直流电源V2为+3.3V直流电源。

可选的,所述第二存储芯片U2的型号为:AT24C02、FM24C02或者CAT24C02。

需要说明的是,图3中的第二存储芯片U2与图2中的第一存储芯片U1这两者的功能存在相似之处,因此关于本申请实施例中第二存储芯片U2的具体实施方式可参照图2的实施例,此处量不再赘述。

在图3示出的第二存储器102的具体电路结构中,通过第二存储芯片U2能够实现第二数据的输入、输出功能,存储切换电路103能够实时改变第二存储芯片U2的数据存储性能,以实现双存储器的数据存储容量扩充的功能,第二存储芯片U2在第二片选信号的操控下,按照用户的实际功能需求存储第二数据,进而所述第二存储器102的可操控性较强;因此本实施例中的第二存储器102具有较为简化的电路结构,存储切换电路103能够使第二存储器102实现工作状态切换的功能,第二存储芯片U2的功能齐全,兼容性较高,保障了双存储器切换电路10在进行存储状态切换过程中第二数据的安全,本实施例中双存储器切换电路10具有极广的适用范围。

作为一种可选的实施方式,图4示出了本申请实施例提供的存储切换电路103的具体电路结构,如图4所示,所述存储切换电路103包括:存储切换芯片U3、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7以及第三电容C3。

其中,所述存储切换芯片U3的电源管脚VCC和所述第三电容C3的第一端共接于第三直流电源V3,所述第三电容C3的第二端接地GND,所述存储切换芯片U3的信号输入管脚S接入所述电气控制信号CTRL,通过电气控制信号CTRL能够实时改变存储切换芯片U3的工作状态,以实现双存储器的工作状态切换功能;所述存储切换芯片U3的片选管脚A和所述第五电阻R5的第一端共接形成所述存储切换电路103的片选信号输入端,所述存储切换电路103的片选信号输入端接入片选信号,通过该片选信号能够驱动存储切换芯片U3处于正常的工作状态,保障了双存储器切换电路10的稳定性和安全性;所述第五电阻R5的第二端、所述第六电阻R6的第一端以及所述存储切换芯片U3的第一信号输出管脚B1共接形成所述存储切换电路103的第一信号输出端CE1,所述存储切换芯片U3的接地管脚接地GND;所述存储切换芯片U3的第二信号输出管脚B2和所述第七电阻R7的第一端共接形成所述存储切换电路103的第二信号输出端CE2,所述第六电阻R6的第二端和所述第七电阻R7的第二端共接于第四直流电源V4,所述存储切换电路103的第一信号输出端CE1接所述第一存储器101,所述存储切换电路103的第二信号输出端CE2接所述第二存储器102。

作为一种可选的实施方式,所述第三直流电源V3为3.3V直流电源,通过第三直流电源V3能够将稳定的直流电能输出至存储切换芯片U3,以使存储切换芯片U3能够处于安全、稳定的工作状态,避免双存储器切换电路10本身出现较大的物理故障。

作为一种可选的实施方式,所述第四直流电源V4为3.3V直流电源,通过第四直流电源V4能够保障存储切换电路10与第一存储器101以及第二存储器102之间的通信安全;存储切换芯片U3能够根据电气控制信号CTRL对第一存储器101的工作状态以及第二存储器102的工作状态进行及时、快速切换,使双存储器的数据存储容量具有更加灵活的可操控性。

作为一种可选的实施方式,所述存储切换芯片U3的型号为:W29C020CP-90Z或者MPC860。

在图4示出的存储器切换电路103具体电路结构中,存储切换芯片U3可接入并且识别电气控制信号CTRL中的控制信号,并通过存储切换电路103的第一信号输出端CE1切换第一存储器101的工作状态,通过存储切换电路103的第二信号输出端CE2切换第二存储器102的工作状态;当第一存储器101和第二存储器102的工作状态发生变化时,双存储器的数据存储容量也会增大或者减少;因此本实施例中的存储切换芯片U3与第一存储器101以及第二存储器102之间实现良好的数据通信,根据应用场所的变化自动切换双存储器的数据存储容量,以使双存储器的存储容量能够实现自适应扩充,并且避免双存储器的存储容量被浪费的问题;所述存储切换电路103具有较为兼容的电路结构,对于第一存储器101和第二存储器102的控制响应速度极快,进而简化了对于双存储器中数据存储容量的切换步骤和切换成本。

本申请实施例还提供的另一种双存储器切换电路,其中所述双存储器切换电路包括:第一存储器、第二存储器以及存储切换电路。

其中,所述第一存储器存储第一数据。

所述第二存储器存储第二数据。

所述存储切换电路与所述第一存储器以及所述第二存储器连接,所述存储切换电路接入电气控制信号,并且所述存储切换电路根据所述电气控制信号切换所述第一存储器的工作状态和/或所述第二存储器的工作状态。

所述存储切换电路包括:存储切换芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第三电容。

其中,所述存储切换芯片的电源管脚和所述第三电容的第一端共接于第三直流电源,所述第三电容的第二端接地,所述存储切换芯片的信号输入管脚接入所述电气控制信号,所述存储切换芯片的片选管脚和所述第五电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的片选信号输入端,所述存储切换电路的片选信号输入端接入片选信号,所述第五电阻的第二端、所述第六电阻的第一端以及所述存储切换芯片的第一信号输出管脚共接形成所述存储切换电路的第一信号输出端,所述存储切换芯片的接地管脚接地,所述存储切换芯片的第二信号输出管脚和所述第七电阻的第一端共接形成所述存储切换电路的第二信号输出端,所述第六电阻的第二端和所述第七电阻的第二端共接于第四直流电源,所述存储切换电路的第一信号输出端接所述第一存储器,所述存储切换电路的第二信号输出端接所述第二存储器。

图5示出了本申请实施例提供的显示装置50的具体结构示意,如图5所示,显示装置50包括:显示面板501和背光源502,其中,显示面板501包括如上所述的双存储器切换电路10,背光源502设于所述显示面板501的背面;通过背光源502发出不同色彩和亮度的光源,用户可在显示面板501的画面中观赏到动态的视频、图像。

作为一种可选的实施方式,在具体应用中,显示面板501可以为由玻璃基板、ITO导电玻璃、偏光板、彩色滤光片、液晶基板等组成的利用电压驱动液晶改变形态来显示画面的原理实现画面显示的器件。例如,薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)。在其他实施例中,显示面板501还可以是其他类型的显示面板,例如,OLED(Organic Electroluminescence Display,有机电激光显示)显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes,量子点发光二极管)显示面板等。本实施例中,不对显示面板501的类型作特别限定。

参照图1至图4的实施例,双存储器切换电路10可根据显示装置50应用在不同的场合可自适应切换自身的数据存储容量,可同时利用两个存储器来扩充显示装置50的数据存储容量,显示面板501可通过双存储器切换电路10实时接入并更新视频数据,并且显示面板501能够读取双存储器切换电路10中的视频数据,以显示更加清晰、大幅度的视频;当所述双存储器切换电路10应用于显示装置50时,显示装置50可自动地实现数据存储功能的切换,并且显示装置50根据大容量的视频数据实现更佳的视频显示效果,给用户带来更佳的视觉体验;本实施例中的显示装置50能够兼容适用于各个不同的工业领域中,显示装置50具有更佳的数据存储和数据读取性能,显示装置50的数据存储成本更低,兼容性和实用价值更高,普适性更强;有效地解决了传统技术中显示装置中内部数据存储切换的成本过高,显示装置的画面显示效果不佳,无法普遍适用的问题。

综上所述,本申请中双存储器切换电路能够根据电子产品的应用场所而自动地切换双存储器的工作状态,利用两个外挂的存储器来扩充电子产品的数据存储容量,以保障双存储器中的数据存储安全;并且当电子产品无需双存储器的数据存储功能时,则双存储器切换电路只需要采用单个存储器来进行数据存储,避免双存储器中出现数据存储空间的浪费;从而所述双存储器切换电路可对于双存储器的数据存储容量进行自适应切换,在保障所述电子产品中数据安全的基础之上,降低了双存储器的数据切换成本,以使电子产品在不用的应用场合中都能够保持稳定的工作状态,兼容性极强;本申请提供的双存储器切换电路具有极高的适用普遍性,所述双存储器切换电路对于本领域中数据存储容量的扩充以及存储器的数据安全具有重要的积极意义,将产生重大的工业生产价值。

在本文对各种器件、电路、装置、系统和/或方法描述了各种实施方式。阐述了很多特定的细节以提供对如在说明书中描述的和在附图中示出的实施方式的总结构、功能、制造和使用的彻底理解。然而本领域中的技术人员将理解,实施方式可在没有这样的特定细节的情况下被实施。在其它实例中,详细描述了公知的操作、部件和元件,以免使在说明书中的实施方式难以理解。本领域中的技术人员将理解,在本文和所示的实施方式是非限制性例子,且因此可认识到,在本文公开的特定的结构和功能细节可以是代表性的且并不一定限制实施方式的范围。

在整个说明书中对“各种实施方式”、“在实施方式中”、“一个实施方式”或“实施方式”等的引用意为关于实施方式所述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施方式中。因此,短语“在各种实施方式中”、“在一些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在实施方式中”等在整个说明书中的适当地方的出现并不一定都指同一实施方式。此外,特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施方式中以任何适当的方式组合。因此,关于一个实施方式示出或描述的特定特征、结构或特性可全部或部分地与一个或多个其它实施方式的特征、结构或特性进行组合,而没有假定这样的组合不是不合逻辑的或无功能的限制。任何方向参考(例如,加上、减去、上部、下部、向上、向下、左边、右边、向左、向右、顶部、底部、在…之上、在…之下、垂直、水平、顺时针和逆时针)用于识别目的以帮助读者理解本公开内容,且并不产生限制,特别是关于实施方式的位置、定向或使用。

虽然上面以某个详细程度描述了某些实施方式,但是本领域中的技术人员可对所公开的实施方式做出很多变更而不偏离本公开的范围。连接参考(例如,附接、耦合、连接等)应被广泛地解释,并可包括在元件的连接之间的中间构件和在元件之间的相对运动。因此,连接参考并不一定暗示两个元件直接连接/耦合且彼此处于固定关系中。“例如”在整个说明书中的使用应被广泛地解释并用于提供本公开的实施方式的非限制性例子,且本公开不限于这样的例子。意图是包含在上述描述中或在附图中示出的所有事务应被解释为仅仅是例证性的而不是限制性的。可做出在细节或结构上的变化而不偏离本公开。

以上仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

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