一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备与流程

1.本发明涉及随机存储器技术领域，特别涉及一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法和存储设备。


背景技术：

2.现有的便携式设备，通常包括片上系统(system-on-a-chip，soc)。所谓片上系统，即在单个芯片上集成的一个完整的系统。
3.片上系统上通常包括：嵌入在单个芯片衬底上的多个存储器客户端。所述存储器客户端可以为：中央处理单元(cpu)、图形处理单元(graphics processing unit，gpu)、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)等。存储器客户端可以经由诸如双倍数据速率(double data rate，ddr)总线的高速总线，来从电力耦合到片上系统的外部动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中读、写数据。
4.通过双倍数据速率总线进行数据读写的动态随机存取存储器，称为双倍速率同步动态随机存取存储器(double data rate synchronous dynamic random access memory，ddrsdram)，简称ddr。
5.为了避免对ddr的读操作或者写操作出现错误，在对ddr进行正式的读操作或者写操作之前，需要对ddr进行调试，在申请号为：cn202011349030.5的申请文件中其公开了如何调整参考电压及dq相位，具体对于如何生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置目前没有任何装置有提及。
6.通常针对phy odt/drv及dram odt/drv都是固定配置的，针对不同的模板，不同的走线，不同的颗粒，都需要重新适配phy及dram的odt/drv配置，而且互相的组合配置多到几十种，然后根据既定的配置更新到目标机器，启动机器生成write read training的眼图文本，保存后进行对比，找出最优的眼图。过程非常耗时。
7.ddr不一样的封装，不同的模板需要重新适配最佳配置。同样封装不同颗粒，颗粒质量差异，需要重新适配最佳配置。不同颗粒最高可以运行的最高频率也有差异，目前只能根据比较差的颗粒的频点固定配置。不同频率最佳配置也有差异，目前只有最低频率和其他频率两种配置。
8.故此如何针对这些不同情况设计一种可以自动生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置则成了亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

9.为此，需要提供一种持ddr自动调节最优信号参数的方法，用以解决现有技术无法自动生成最佳的dram/phy的odt drive的最佳配置的技术问题，具体技术方案如下：
10.一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，包括步骤：
11.在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。
12.进一步的，所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：
13.遍历dram odt list，依次得到write/read training结果，根据结果得最佳dram odt；
14.在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv；
15.在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt；
16.在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。
17.进一步的，所述“根据结果得最佳dram odt”，具体还包括步骤：
18.取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt；
19.所述“遍历phy drv list直至得到最佳phy drv”，具体还包括步骤：
20.取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv；
21.所述“遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt”，具体还包括步骤：
22.取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt；
23.所述“遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置”，具体还包括步骤：
24.取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳dram drv。
25.进一步的，所述dq total为所有的dq range值总和。
26.为解决上述技术问题，还提供了一种存储设备，具体技术方案如下：
27.一种存储设备，其中存储有指令集，所述指令集用于执行：
28.在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。
29.进一步的，所述指令集还用于执行：所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：
30.遍历dram odt list，依次得到write/read training结果，根据结果得最佳dram odt；
31.在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv；
32.在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt；
33.在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。
34.进一步的，所述指令集还用于执行：
35.所述“根据结果得最佳dram odt”，具体还包括步骤：
36.取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt；
37.所述“遍历phy drv list直至得到最佳phy drv”，具体还包括步骤：
38.取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv；
39.所述“遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt”，具体还包括步骤：
40.取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt；
41.所述“遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置”，具体还包括步骤：
42.取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳dram drv。
43.进一步的，所述dq total为所有的dq range值总和。
44.有益效果：一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，包括步骤：在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。通过以上方法可自动适配不同模板不同走线的pcb到最佳配置，同样也可以自动适配不同频率到最佳配置，减少了不同模板不同走线不同颗粒时都要重新适配phy及dram的odt/drv配置的麻烦，大大提高适配效率。
附图说明
45.图1为具体实施方式所述一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法的流程图；
46.图2为具体实施方式所述一种存储设备的模块示意图。
47.附图标记说明：
48.200、存储设备。
具体实施方式
49.为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
50.请参阅图1，在本实施方式中，一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法可应用在一种存储设备上，所述存储设备包括但不限于：个人计算机、服务器、通用计算机、专用计算机、网络设备、嵌入式设备、可编程设备等。
51.本技术的核心技术思想在于：在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。其中dq相位的有效范围越大则信号越好。
52.其中最佳配置主要包括了四个参数：write：dramodt(1)、phy drv(2)，read：phy odt(3)、dram drv(4)。
53.以下参阅图1，展开具体说明：
54.步骤s101：遍历dram odt list，依次得到write/read training结果，根据结果得最佳dram odt。具体为取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt。其中，所述dq total为所有的dq range值总和。比如32bit dram，有dq0-dq31，每个dq rang范围是0-255，dq total＝dq0_range+dq1_range+
…
+dq31_range。
55.步骤s102：在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv。同样为取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv。
56.步骤s103：在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt。同样为取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt。
57.步骤s104：在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。同样为取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳
dram drv。
58.以下四个参数都有协议对应的值，以下以dram drv来进行说明：
59.如dram drv是34、40、48、60、80，默认配置是34，得到以下数据：
60.cs0 read total:2041
61.配置为60的时候是：
62.cs0 read total:2541
63.从结果看60的total range明显比34大，此时就认为配置60更优，依次遍历比较。
64.一种支持ddr自动调节最优信号参数的方法，包括步骤：在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。通过以上方法可自动适配不同模板不同走线的pcb到最佳配置，同样也可以自动适配不同频率到最佳配置，减少了不同模板不同走线不同颗粒时都要重新适配phy及dram的odt/drv配置的麻烦，大大提高适配效率。
65.请参阅图2，在本实施方式中，一种存储设备200的具体实施方式如下：
66.一种存储设备200，其中存储有指令集，所述指令集用于执行：
67.在预设通用配置下，通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置。
68.进一步的，所述指令集还用于执行：所述“通过依次遍历调整配置，根据每一组的配置进行write/read training，得dq相位的有效范围，取dq相位的有效范围最大时的配置为最佳配置”，具体还包括步骤：
69.遍历dram odt list，依次得到write/read training结果，根据结果得最佳dram odt。具体为取遍历过程中dq total值最大时的dram odt为最佳dram odt。其中，所述dq total为所有的dq range值总和。比如32bit的dram，有dq0-dq31，每个dq rang范围是0-255，dq total＝dq0_range+dq1_range+
…
+dq31_range。
70.在dram odt调整至最佳的基础上，遍历phy drv list直至得到最佳phy drv。同样为取遍历过程中dq total值最大时phy drv为最佳phy drv。
71.在dram odt和phy drv调整至最佳的基础上，遍历phy odt list直至得到最佳的phy odt。同样为取遍历过程中dq total值最大时phy odt为最佳phy odt。
72.在dram odt、phy drv和phy odt均调整至最佳的基础上，遍历dram drv list直至得到最佳的一组配置。同样为取遍历过程中dq total值最大时dram drv为最佳dram drv。
73.以下四个参数都有协议对应的值，以下以dram drv来进行说明：
74.如dram drv是34、40、48、60、80，默认配置是34，得到以下数据：
75.cs0 read total:2041
76.配置为60的时候是：
77.cs0 read total:2541
78.从结果看60的total range明显比34大，此时就认为配置60更优，依次遍历比较。
79.通过执行以上存储设备200的指令集可自动适配不同模板不同走线的pcb到最佳配置，同样也可以自动适配不同频率到最佳配置，减少了不同模板不同走线不同颗粒时都要重新适配phy及dram的odt/drv配置的麻烦，大大提高适配效率。
80.需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制
本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。