CNTFET器件模型构建方法、装置、终端设备及介质

本发明涉及半导体，尤其涉及一种cntfet器件模型构建方法、装置、终端设备及介质。

背景技术：

1、由于硅基晶体管的尺寸缩小已经快接近其极限，工业界亟需找到一种新的沟道替代材料去推动10nm(纳米)节点以下的集成电路发展。半导体性碳纳米管具有奇特的电学结构及优异的电学性质，因此有望成为下一代集成电路的沟道材料。高性能碳纳米管场效应晶体管已经在实验上制备出来，同时基于碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotubesfield-effect transistor，cntfet)的逻辑电路规模和功能复杂程度也在不断增大，开发描述碳纳米管场效应晶体管特性的器件模型和支持电路自动化设计、仿真平台的需求也在日益增加。因此，能够精确模拟器件特性的cntfet器件模型无疑已成为人们在基于cntfet设计逻辑电路所需解决的首要问题。

2、目前，业界通用、完整的器件模型为斯坦福大学建立的cntfet器件模型。然而在实践中发现，由于cntfet器件的运输机制和非理想因素的机理尚不明晰，且制备工艺也未形成统一的标准。因此，在利用cntfet器件模型对cntfet器件进行仿真获得的仿真结果，与测试cntfet器件所得的实验结果之间仍旧存在很大的差距。换言之，现有cntfet器件模型的预测精度较低。

3、因此，需提出一种更精准的cntfet器件模型。

技术实现思路

1、本申请实施例通过提供一种cntfet器件模型构建方法，解决了现有技术中cntfet器件模型的预测精度较低的技术问题。

2、一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种cntfet器件模型构建方法，所述方法包括：

3、获取初始cntfet器件模型；

4、在所述初始cntfet器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的cntfet器件模型，所述器件修正参数用于表征所述cntfet器件的栅极电压对所述cntfet器件中电流的传输概率的影响；

5、根据所述cntfet器件的实际测试数据，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新。

6、可选地，所述获取初始cntfet器件模型包括：

7、获取所述初始cntfet器件模型及所述初始cntfet器件模型的电流电压特性参数；

8、其中，所述电流电压特性参数用于反映所述cntfet器件的电流电压特性曲线。

9、可选地，所述电流电压特性参数包括以下中的至少一项：沟道碳管平均自由程lgeff、沟道栅源区间的耦合电容ccsd及阈值电压vfbp。

10、可选地，所述器件修正参数包括第一修正参数、第二修正参数及第三修正参数，所述在所述初始cntfet器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的cntfet器件模型包括：

11、根据所述第一修正参数、所述第二修正参数及所述第三修正参数，计算得到目标修正参数；

12、在所述初始cntfet器件模型中新增所述目标修正参数，得到新的cntfet器件模型。

13、可选地，所述目标修正参数为：

14、

15、其中，temptt为所述目标修正系数，coeffvg0为所述第一修正系数，coeffvg1为所述第二修正系数，coeffvg2为所述第三修正系数，vg为所述cntfet器件的栅极电压。

16、可选地，所述在所述初始cntfet器件模型中新增所述目标修正参数，得到新的cntfet器件模型包括：

17、将所述目标修正系数添加到所述初始cntfet器件模型中传输概率的修正位置处并更新，得到新的cntfet器件模型。

18、可选地，所述根据所述cntfet器件的实际测试数据，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新包括：

19、根据所述cntfet器件的实际测试数据及所述电流电压特性参数，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新。

20、另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种cntfet器件模型构建装置，所述装置包括：获取模块、新增模块和处理模块，其中：

21、所述获取模块，用于获取cntfet器件模型；

22、所述新增模块，用于在所述初始cntfet器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的cntfet器件模型，所述器件修正参数用于表征所述cntfet器件的栅极电压对所述cntfet器件中电流的传输概率的影响；

23、所述处理模块，用于根据所述cntfet器件的实际测试数据，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新。

24、关于本申请实施例中未介绍或未描述的内容可对应参考前述方法实施例中的相关介绍，这里不再赘述。

25、另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种终端设备，所述终端设备包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上所述的cntfet器件模型构建方法。

26、另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上所述的cntfet器件模型构建方法。

27、本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请获取初始cntfet器件模型，在所述初始cntfet器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的cntfet器件模型，所述器件修正参数用于表征所述cntfet器件的栅极电压对所述cntfet器件中电流的传输概率的影响，最后根据所述cntfet器件的实际测试数据，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新。上述方案中，本申请通过器件修正参数，将cntfet器件的栅极电压对传输概率的影响引入cntfet器件模型中，从而更新获得考虑有栅极电压与传输概率之间影响的新的cntfet器件模型，从而提升了模型预测的精度和精准性。

技术特征：

1.一种cntfet器件模型构建方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取初始cntfet器件模型包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电流电压特性参数包括以下中的至少一项：沟道碳管平均自由程lgeff、沟道栅源区间的耦合电容ccsd及阈值电压vfbp。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件修正参数包括第一修正参数、第二修正参数及第三修正参数，所述在所述初始cntfet器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的cntfet器件模型包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标修正参数为：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述初始cntfet器件模型中新增所述目标修正参数，得到新的cntfet器件模型包括：

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述cntfet器件的实际测试数据，对所述新的cntfet器件模型进行训练及更新包括：

8.一种cntfet器件模型构建装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块、新增模块和处理模块，其中：

9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上权利要求1-7中任一项所述的cntfet器件模型构建方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上权利要求1-7中任一项所述的cntfet器件模型构建方法。

技术总结
本发明公开了一种CNTFET器件模型构建方法、装置、终端设备及介质，其中所述方法包括：获取初始CNTFET器件模型；在所述初始CNTFET器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的CNTFET器件模型；根据所述CNTFET器件的实际测试数据，对所述新的CNTFET器件模型进行训练及更新。采用本发明，能解决现有技术中CNTFET器件模型的预测精度较低的技术问题。

技术研发人员：刘艺璇,卜建辉,杨晨,刘海南,赵发展
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13