技术编号:34489232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。cntfet器件模型构建方法、装置、终端设备及介质技术领域.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种cntfet器件模型构建方法、装置、终端设备及介质。背景技术.由于硅基晶体管的尺寸缩小已经快接近其极限,工业界亟需找到一种新的沟道替代材料去推动nm(纳米)节点以下的集成电路发展。半导体性碳纳米管具有奇特的电学结构及优异的电学性质,因此有望成为下一代集成电路的沟道材料。高性能碳纳米管场效应晶体管已经在实验上制备出来,同时基于碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotubes field-...
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