基于WAT测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备与流程

基于wat测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备
技术领域
1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备。


背景技术：

2.在晶圆厂和芯片设计公司，需要查看晶圆可接受度测试（wafer acceptance test，wat）的测试参数对晶圆良率的影响。
3.现有方法在进行晶圆可接受度测试时，主要是在一张表格中写入每次输入的wat测试参数值以及对应的晶圆良率，无法很直观的显示wat测试参数对晶圆良率的影响大小。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备。
5.第一方面，本技术提供了一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法。所述方法包括：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；所述wat测试参数包括至少一个wat测试维度；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
6.在其中一个实施例中，所述晶圆良率数据包括被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率；所述生成晶圆良率散点图，之前还包括：根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，确定所述第一wat拟合曲线对应的拟合函数，以及所述拟合函数的参数；预先存储所述拟合函数的参数。
7.在其中一个实施例中，在所述响应于用户对所述可选择组件的选择之前，所述方法还包括：获取wat测试参数的原始数据，并按照至少一种数据维度对所述原始数据进行预统计并存储预统计结果；对应地，所述确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，包括：根据与所述被选择的wat测试参数所对应的预统计结果，生成被选择的wat测试参
数对应的晶圆良率数据。
8.在其中一个实施例中，在所述响应于用户对所述可选择组件的选择之前，所述方法还包括：获取wat测试参数与晶圆良率的相关性阈值，根据所述相关性阈值筛分出多个wat测试参数的可选择组件；所述相关性阈值为wat测试参数与晶圆良率的拟合优度值的预设阈值。
9.在其中一个实施例中，所述确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，之后还包括：根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率堆叠图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率堆叠图；所述晶圆良率堆叠图包括多块裸片，所述裸片的颜色用于表示所述裸片的良率大小；所述裸片的良率大小根据多个所述晶圆中相同位置处的裸片良率计算得到。
10.在其中一个实施例中，所述方法还包括：响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示参与统计所述晶圆良率堆叠图的各个晶圆的晶圆良率图。
11.在其中一个实施例中，所述第一交互界面还包括缺陷失效率统计图表，所述缺陷失效率统计图表用于表示不同的裸片缺陷类型所对应的失效率。
12.在其中一个实施例中，所述方法还包括：响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示参与统计所述晶圆良率堆叠图的各个晶圆的wat测试参数值分布图；所述wat测试参数值分布图包括从所述晶圆中的抽取的多块裸片，所述抽取的裸片上显示所述裸片位置处设置的wat测试参数值。
13.在其中一个实施例中，所述确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，之后还包括：根据所述晶圆良率数据，确定wat测试参数值堆叠图，并在所述第一交互界面中显示所述wat测试参数值堆叠图；所述wat测试参数值堆叠图包括从所述晶圆中的抽取的多块裸片，所述抽取的裸片上显示所述裸片位置处设置的wat测试参数值；所述wat测试参数值根据多个所述晶圆中相同位置处的裸片对应的wat测试参数值计算得到。
14.在其中一个实施例中，所述方法还包括：响应于用户在所述wat测试参数值堆叠图上的第二预设操作，将所述wat测试参数值堆叠图切换为等高线图。
15.在其中一个实施例中，所述在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图，之后还包括：响应于用户在所述晶圆良率散点图上的第三预设操作，将所述晶圆良率散点图切换为晶圆良率直方图；所述晶圆良率直方图的横轴表示被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率直方图的左纵轴表示参与统计的晶圆的个数，所述晶圆良率直方图的右纵轴表示晶圆良率。
16.在其中一个实施例中，在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图，之后还包括：响应于用户在所述晶圆良率散点图上的第五预设操作，将所述晶圆良率散点图中
的部分晶圆散点进行过滤，以根据更新后晶圆良率数据对所述晶圆良率散点图进行二次拟合并重新绘制晶圆良率散点图。
17.在其中一个实施例中，所述第一交互界面还包括界面切换组件；所述晶圆至少包括第一类裸片，所述方法还包括：响应于用户在所述界面切换组件上的第四预设操作，将所述第一交互界面切换至第二交互界面；所述第二交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的第一类裸片失效率数据；根据所述第一类裸片失效率数据，生成第一类裸片失效率散点图，并在所述第二交互界面中显示所述第一类裸片失效率散点图；所述第一类裸片失效率散点图包括第二wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述第一类裸片失效率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述第一类裸片失效率散点图的纵轴表示所述第一类裸片对应的失效率；所述第二wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的第一类裸片失效率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述第一类裸片对应的失效率之间的关系。
18.在其中一个实施例中，所述晶圆良率散点图中至少包括两种不同颜色的散点，所述散点的颜色用于标识晶圆的批次信息；所述第一交互界面还包括晶圆批次显示区域，所述晶圆批次显示区域用于表示所述晶圆的批次与所述散点的颜色之间的对应关系。
19.第二方面，本技术还提供了一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法。每个晶圆包括多个区域，每两个所述区域之间没有重叠区域；所述方法包括：展示第三交互界面，所述第三交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆区域良率数据；根据所述晶圆区域良率数据，生成晶圆区域良率散点图，并在所述第三交互界面中显示晶圆区域良率散点图；所述晶圆区域良率散点图包括第三wat拟合曲线和多个晶圆区域散点；所述晶圆区域良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值；所述晶圆区域良率散点图的纵轴表示晶圆在每个所述区域内的良率；所述第三wat拟合曲线基于所述多个晶圆区域散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆在每个区域内的良率之间的关系。
20.在其中一个实施例中，所述晶圆区域良率散点图中至少包括两种不同颜色的散点，所述散点的颜色用于标识晶圆的不同区域；所述第三交互界面还包括晶圆区域标识图，所述晶圆区域标识图用于表示所述晶圆中每个区域的位置与所述散点的颜色之间的对应关系。
21.第三方面，本技术还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；
根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
22.第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
23.第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
24.上述基于wat测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备，响应于用户在第一交互界面中对可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系，从而根据各个晶圆散点可以了解到每个晶圆的wat测试参数值与该晶圆良率之间的对应关系，根据第一wat拟合曲线可以直观了解到晶圆良率散点图中的所有晶圆散点对应的良率数据与被选择的wat测试参数值之间所呈现的规律，另外，将第一wat拟合曲线与多个晶圆散点在同一区域中展示，可以让用户同时了解到被选择的晶圆良率的整体分布趋势曲线以及每个被选择的晶圆良率的分布情况，解决了无法很直观的显示wat测试参数对晶圆良率的影响大小，提高了晶圆可接受度测试的效率。
附图说明
25.图1为一个实施例中基于wat测试的晶圆良率数据处理方法的流程示意图；图2为一个实施例中晶圆良率散点图；图3为一个实施例中多个wat测试参数的可选择组件的示意图；图4为一个实施例中晶圆良率堆叠图；图5为一个实施例中各个晶圆的晶圆良率图；图6为一个实施例中各个晶圆的wat测试参数值分布图；图7为一个实施例中wat测试参数值堆叠图；图8为一个实施例中晶圆良率直方图；图9为一个实施例中晶圆划分为多个区域的示意图；图10为一个实施例中晶圆区域良率散点图；图11为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
26.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
27.在一个实施例中，如图1所示，提供了一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法，包括以下步骤：步骤102，展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；所述wat测试参数包括至少一个wat测试维度。
28.其中，所述wat测试参数包括至少一个wat测试维度，具体地，wat测试参数主要分为两大类，一类是和器件相关的，包括mos开启电压饱和电流、关闭电流、击穿电压等；另一类和工艺相关的，包括结膜层接触电阻栅氧化层电性厚度隔离等。
29.步骤104，响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据。
30.具体地，每个wat测试参数对应一个可选择组件，用户可选择任意一个可选择组件，响应于用户的选择，可以确定被用户选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，晶圆良率数据包括被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率；需要说明的是，本实施例不对如何选择一个可选择组件进行具体限定，任何能够选择一个可选择组件的方式均在本技术的保护范围内，示例的，用户可以通过鼠标单击或者双击来选择一个可选择组件。
31.步骤106，根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
32.具体地，对晶圆良率散点图中的多个晶圆散点对应的良率数据进行拟合，得到第一wat拟合曲线，本实例不对第一wat拟合曲线的类型做具体的限定，比如，第一wat拟合曲线对应的函数可以为直线方程、幂函数、指数函数、对数函数、三角函数和反三角函数；本实
施中不对如何根据晶圆良率数据确定第一wat拟合曲线的方法做具体限定，比如可以通过插值法、磨光法和最小二乘法来确定第一wat拟合曲线。
33.另外，用户选择一个可选择组件后，可以在第一交互界面中去切换选择另外一个可选择组件，从而可以将已经被选择的wat测试参数切换为另一个wat测试参数，确定另一个wat测试参数对应的晶圆良率数据，根据另一个wat测试参数对应的晶圆良率数据，来动态更新晶圆良率散点图，因此，用户能够了解到另一个wat测试参数对应的大小与晶圆良率之间的关系。
34.示例的，请参阅图2，假设第一wat拟合曲线对应的函数为直线方程，根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图如图2所示，在图2中每个散点表示一个晶圆。
35.此外，本实施例提到的晶圆良率数据处理方法可以应用于cp测试、ft测试等其他电性测试中，需要说明的是，cp测试，也称为晶圆测试，英文全称为circuit probing、chip probing，测试对象是针对整片晶圆（wafer）中的每一个裸片（die），目的是确保整片wafer中的每一个die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证，可以用来检测fab厂制造的工艺水平；ft测试，英文全称final test，是芯片出厂前的最后一道拦截。测试对象是针对封装好的芯片，cp测试之后会进行封装，封装之后进行ft测试，可以用来检测封装厂的工艺水平。
36.可以理解的，在本实施例中，响应于用户在第一交互界面中对可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系，从而根据各个晶圆散点可以了解到每个晶圆的wat测试参数值与该晶圆良率之间的对应关系，根据第一wat拟合曲线可以直观了解到晶圆良率散点图中的所有晶圆散点对应的良率数据与被选择的wat测试参数值之间所呈现的规律，另外，将第一wat拟合曲线与多个晶圆散点在同一区域中展示，可以让用户同时了解到被选择的晶圆良率的整体分布趋势曲线以及每个被选择的晶圆良率的分布情况，解决了无法很直观的显示wat测试参数对晶圆良率的影响大小，提高了晶圆可接受度测试的效率。
37.在一个实施例中，晶圆良率数据包括被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，步骤106，生成晶圆良率散点图，之前还包括：根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，确定所述第一wat拟合曲线对应的拟合函数，以及所述拟合函数的参数；预先存储所述拟合函数的参数。
38.具体地，本实施例中的被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率表示所述晶圆良率散点图中的多个晶圆散点对应的良率数据。
39.示例的，请继续参阅图2，假设根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，确定所述第一wat拟合曲线对应的拟合函数为直线方程，则预先存储该直线方程对应的斜率和截距。
40.可以理解的，在本实施例中，根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆
良率，可以确定第一wat拟合曲线对应的拟合函数，以及所述拟合函数的参数，并预先存储第一wat拟合曲线对应的拟合函数，以及所述拟合函数的参数，从而在用户选择可选择组件后，能够快速确定与被选择的wat测试参数对应的拟合函数，以及能够快速提取与被选择的wat测试参数对应的拟合函数的参数，进一步的，能够快速在晶圆良率散点图中展示第一wat拟合曲线。
41.在一个实施例中，根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，确定所述第一wat拟合曲线对应的拟合函数为直线方程时，根据被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆良率，计算该直线方程的拟合优度值，并在所述第一交互界面中展示该拟合优度值。
42.需要说明的是，拟合优度（goodness of fit）是指回归直线对观测值的拟合程度。度量拟合优度的统计量是可决系数（coefficient of determination）r
²
，可决系数亦称测定系数、确定系数、决定系数、可决指数，拟合优度值的范围为[0，1]，拟合优度值越接近1，说明被选择的wat测试参数与晶圆良率的相关度越高，拟合优度值越接近0，说明被选择的wat测试参数与晶圆良率的相关度越低。
[0043]
通过上述方式，通过第一交互界面中显示的拟合优度值，能够很直观的了解到被选择的wat测试参数与晶圆良率的相关度，提高了晶圆可接受度测试的效率。
[0044]
在一个实施例中，如图3所示，每个wat测试参数的可选择组件的一栏还包括wat测试参数该wat测试参数所属的类别、该wat测试参数对应的拟合函数的参数以及该wat测试参数对应的拟合优度值，其中，图3中的晶圆良率为实际测试得到的数据。
[0045]
具体地，wat测试参数所属的类别包括以下至少之一：电压、电流和电阻。
[0046]
本实施中的该wat测试参数对应的拟合函数的参数以及该wat测试参数对应的拟合优度值通过上述实施例确定，在本实施例中不做重复阐述。
[0047]
通过上述方式，用户可以直接了解到哪一类别的wat测试参数与晶圆良率的相关度高，方便调整后续的晶圆可接受测试，提高了晶圆可接受度测试的效率。
[0048]
在一个实施例中，在所述响应于用户对所述可选择组件的选择之前，获取wat测试参数与晶圆良率的相关性阈值，根据所述相关性阈值筛分出多个wat测试参数的可选择组件，并在第一交互界面中按照预设规则依次展示，所述相关性阈值为wat测试参数与晶圆良率的拟合优度值的预设阈值，比如，根据所述相关性阈值筛分出多个wat测试参数的可选择组件后，可以按照wat测试参数与晶圆良率的拟合优度值的大小在第一交互界面中依次展开多个wat测试参数的可选择组件，由此在对可选择组件的选择之前就可剔除相关性不高的wat测试参数，使用户的可更有目的性或者高效查找出哪些wat测试参数对良率影响较大。
[0049]
在一个实施例中，在实际的应用中，为提高数据筛分和联动展示的效率，在所述响应于用户对所述可选择组件的选择之前，按照至少一种数据维度对所述原始数据进行预统计并存储预统计结果，示例性的，每个wat测试参数可通过时间、批次、晶圆编号等数据维度进行预统计关联的晶圆良率，或者预先计算晶圆良率、wat测试参数值相关数据的平均值等所需数据；通过这种预聚合的方式能够在后续数据筛选和联动展示的过程中快速获取到所需要的数据结果，实现数据的快速实时展示。
[0050]
相应的，所述确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，根据与所述被选择
的wat测试参数所对应的预统计结果，生成被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，基于预统计结果进行数据选择，可极大提高数据筛选效率和后续联动展示图形的绘制，如晶圆良率散点图的绘制。
[0051]
在一个实施例中，步骤104，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，之后还包括：根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率堆叠图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率堆叠图；所述晶圆良率堆叠图包括多块裸片，所述裸片的颜色用于表示所述裸片的良率大小；所述裸片的良率大小根据多个所述晶圆中相同位置处的裸片良率计算得到。
[0052]
示例的，晶圆良率堆叠图如图4所示，图4中的每个小块为裸片（die），裸片上标识的绿色分量越多表示该裸片的良率越高，裸片上标识的红色分量越多表示该裸片的良率越低，假设晶圆良率堆叠图是100片晶圆的良率堆叠图，现要计算晶圆中的a位置处的裸片良率，则可以根据这100片晶圆a位置处的裸片良率计算得到晶圆良率堆叠图中a位置处的裸片良率，比如，可以将这100片晶圆a位置处的裸片良率先相加再求平均后得到晶圆良率堆叠图中a位置处的裸片良率。
[0053]
需要说明的是，裸片（die）是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
[0054]
可以理解的，在本实施例中，通过晶圆良率堆叠图可以直观了解到所有晶圆的良率分布情况，即可以了解到晶圆的哪些位置处的裸片良率比较高，哪些位置处的裸片良率比较低，为后续的工艺改进提供理论基础。
[0055]
在一个实施例中，基于wat测试的晶圆良率数据处理方法还包括：响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示参与统计所述晶圆良率堆叠图的各个晶圆的晶圆良率图。
[0056]
具体地，响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示参与统计所述晶圆良率堆叠图的各个晶圆的晶圆良率图，每个晶圆良率图包括有缺陷的裸片块，示例的，不同类型的缺陷裸片块用不同的颜色进行标识，第一预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标单击和触控操作；如图5所示，假设晶圆良率堆叠图为三个晶圆的良率堆叠图，则响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示三个晶圆的晶圆良率图。
[0057]
通过上述方式，可以展示参与统计的各个晶圆的晶圆良率图，从而用户可以很直观的了解到每个晶圆上的缺陷裸片的分布情况，为后续的工艺改进提供理论基础。
[0058]
在一个实施例中，所述第一交互界面还包括缺陷失效率统计图表，所述缺陷失效率统计图表用于表示不同的裸片缺陷类型所对应的失效率。
[0059]
具体地，不同的裸片缺陷类型所对应的失效率可以通过每种缺陷类型所对应的裸片的数量与所有晶圆中的裸片数量的比值，另外，缺陷失效率统计图表还展示每种裸片缺陷类型对应的缺陷裸片数量。
[0060]
通过上述方式，用户可以很直观的了解到每种裸片缺陷类型所对应的失效率，以及所有晶圆中有缺陷的裸片主要是哪几种类型，从而可以为后续的工艺改进提供理论基础。
[0061]
在一个实施例中，基于wat测试的晶圆良率数据处理方法还包括：
响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示参与统计所述晶圆良率堆叠图的各个晶圆的wat测试参数值分布图；所述wat测试参数值分布图包括从所述晶圆中的抽取的多块裸片，所述抽取的裸片上显示所述裸片位置处设置的wat测试参数值。
[0062]
示例的，第一预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标单击和触控操作；如图6所示，假设晶圆良率堆叠图为三个晶圆的良率堆叠图，则响应于用户在所述晶圆良率堆叠图上的第一预设操作，展示三个晶圆的wat测试参数值分布图，请继续参阅图6，由图6可知，本实施例中主要从晶圆中抽取了9块区域的裸片，并设置该9块区域的wat测试参数值，进一步的，确定该9块区域的wat测试参数值与该区域的裸片良率之间的关系，需要说明的是，实际操作中，为了提高晶圆测试的效率和准确率，尽可能去设置不同区域内的裸片的wat测试参数，设置wat测试参数的裸片基本上能够覆盖整个晶圆。
[0063]
通过上述方式，用户能够快速直观的了解到设置wat测试参数的裸片的位置分布情况，以及设置的wat测试参数值，提高了晶圆可接受度测试的效率和准确率。
[0064]
在一个实施例中，步骤104，所述确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据，之后还包括：根据所述晶圆良率数据，确定wat测试参数值堆叠图，并在所述第一交互界面中显示所述wat测试参数值堆叠图；所述wat测试参数值堆叠图包括从所述晶圆中的抽取的多块裸片，所述抽取的裸片上显示所述裸片位置处设置的wat测试参数值；所述wat测试参数值根据多个所述晶圆中相同位置处的裸片对应的wat测试参数值计算得到。
[0065]
具体地，请参阅图7，由图7可知，本实施例中主要从每个晶圆中抽取了9块区域的裸片，并设置该9块区域的wat测试参数值，进一步的，根据每个晶圆上设置的wat测试参数值，计算wat测试参数值堆叠图中对应位置处的wat测试参数值，比如，根据每个晶圆上设置的wat测试参数值，计算wat测试参数值堆叠图中对应位置处的wat测试参数值的平均值，从而可以确定该9块区域的wat测试参数值与该区域的裸片良率之间的关系，需要说明的是，实际操作中，为了提高晶圆测试的效率和准确率，尽可能去设置不同区域内的裸片的wat测试参数，设置wat测试参数的裸片基本上能够覆盖整个晶圆。
[0066]
另外，wat测试参数值可以用不同的颜色去标识，比如，设置的wat测试参数值越大对应的裸片上的颜色绿色分量越多，设置的wat测试参数值越小对应的裸片上的颜色红色分量越多。
[0067]
通过上述方式，用户能够快速直观的了解到设置wat测试参数的裸片的位置分布情况，以及设置的wat测试参数值，提高了晶圆可接受度测试的效率和准确率。
[0068]
在一个实施例中，基于wat测试的晶圆良率数据处理方法还包括：响应于用户在所述wat测试参数值堆叠图上的第二预设操作，将所述wat测试参数值堆叠图切换为等高线图。
[0069]
示例的，第二预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标单击和触控操作；图7为一个实施例中wat测试参数值堆叠图，假设在响应于用户在图7上的第二预设操作，可以将wat测试参数值堆叠图切换为等高线图，在本实施例中，在等高线图中可以用不同的颜色和/或颜色饱和度来表示wat测试参数值，比如，饱和度越高表示设置的wat测试参数越大，绿色分量越多表示设置的wat测试参数越大。
[0070]
可以理解的，在本实施例中，用户通过等高线图可以很直观快速的了解到整个晶
圆上的wat测试参数值分布情况，从而可以为后续的工艺改进提供理论基础。
[0071]
在一个实施例中，步骤106，所述在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图，之后还包括：响应于用户在所述晶圆良率散点图上的第三预设操作，将所述晶圆良率散点图切换为晶圆良率直方图；所述晶圆良率直方图的横轴表示被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率直方图的左纵轴表示参与统计的晶圆个数，所述晶圆良率直方图的右纵轴表示晶圆良率。
[0072]
示例的，第三预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标单击和触控操作；请继续参阅图2，假设第一wat拟合曲线对应的函数为直线方程，根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图如图2所示，用户在图2上鼠标右击将图2切换为晶圆良率直方图，晶圆良率直方图如图8所示。
[0073]
可以理解的，在本实施例中，通过晶圆良率直方图用户可以直观了解到被选择的wat测试参数值、被统计的晶圆个数以及晶圆良率三者之间的关系，从而在确定被选择的wat测试参数的情况下，用户能够快速了解到统计的晶圆个数与晶圆良率之间的关系，比如，通过晶圆良率直方图用户能够快速了解到统计多少个晶圆的情况下得到的晶圆良率最高，解决了无法很直观的显示参与统计的晶圆个数对晶圆良率的影响大小，进一步提高了晶圆可接受度测试的效率。
[0074]
在一个实施例中，在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图，之后还包括：响应于用户在所述晶圆良率散点图上的第五预设操作，将所述晶圆良率散点图中的部分晶圆散点进行过滤，以根据更新后晶圆良率数据对所述晶圆良率散点图进行二次拟合并重新绘制晶圆良率散点图。
[0075]
示例的，第五预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标框选；在选择wat测试参数的可选择组件后，生成的晶圆良率散点图中存在单个晶圆散点或多个晶圆散点偏离第一wat拟合曲线，用户可通过第五预设操作，在原有的晶圆良率散点图中剔除偏离第一wat拟合曲线的晶圆散点，原则上第五预设操作可删除晶圆良率散点图中的任意一个晶圆散点，但在实际使用中，用户只会剔除偏离第一wat拟合曲线的晶圆散点，在晶圆散点剔除的同时，会根据更新后的晶圆良率数据重新计算绘制晶圆良率散点图，可使晶圆良率散点图中wat测试参数与晶圆良率的相关性更好。
[0076]
在一个实施例中，所述晶圆良率散点图中至少包括两种不同颜色的散点，所述散点的颜色用于标识晶圆的批次信息；所述第一交互界面还包括晶圆批次显示区域，所述晶圆批次显示区域用于表示所述晶圆的批次与所述散点的颜色之间的对应关系。
[0077]
可以理解的，在本实施例中，在晶圆良率散点图中用不同的颜色标识不同批次的晶圆，从而用户通过晶圆良率散点图可以直观的了解到每个批次的晶圆良率与被选择的wat测试参数值之间的关系，进一步的，用户根据晶圆良率散点图可以有针对性的分别去设置每个批次的wat测试参数值，使得每个批次的晶圆良率都能够较高，提高了每个批次的晶圆良率。
[0078]
在一个实施例中，所述第一交互界面还包括界面切换组件；所述晶圆至少包括第一类裸片，所述基于wat测试的晶圆良率数据处理方法还包括：
响应于用户在所述界面切换组件上的第四预设操作，将所述第一交互界面切换至第二交互界面；所述第二交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的第一类裸片失效率数据；根据所述第一类裸片失效率数据，生成第一类裸片失效率散点图，并在所述第二交互界面中显示所述第一类裸片失效率散点图；所述第一类裸片失效率散点图包括第二wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述第一类裸片失效率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述第一类裸片失效率散点图的纵轴表示所述第一类裸片对应的失效率；所述第二wat拟合曲线基于所述多个晶圆散点的第一类裸片失效率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述第一类裸片对应的失效率之间的关系。
[0079]
具体地，对第一类裸片失效率散点图中的多个晶圆散点对应的第一类裸片失效率数据进行拟合，得到第二wat拟合曲线，每个wat测试参数对应一个可选择组件，用户可选择任意一个可选择组件，响应于用户的选择，可以确定被用户选择的wat测试参数对应的第一类裸片失效率数据，第一类裸片失效率数据包括被选择的wat测试参数在不同数值下对应的第一类型的裸片失效率数据；需要说明的是，本实施例不对如何选择切换为第二交互界面进行具体限定，示例的，第四预设操作包括以下至少之一：鼠标双击、鼠标单击和触控操作。
[0080]
其次，本实例不对第二wat拟合曲线的类型做具体的限定，比如，第二wat拟合曲线对应的函数可以为直线方程、幂函数、指数函数、对数函数、三角函数和反三角函数；本实施中不对如何根据第一类裸片失效率数据确定第二wat拟合曲线的方法做具体限定，比如可以通过插值法、磨光法和最小二乘法来确定第二wat拟合曲线。
[0081]
另外，用户选择一个可选择组件后，可以在第二交互界面中可以去切换选择另外一个可选择组件，从而可以将已经被选择的wat测试参数切换为另一个wat测试参数，确定另一个wat测试参数对应的第一类裸片失效率数据，根据另一个wat测试参数对应的第一类裸片失效率数据，来动态更新第一类裸片失效率散点图，因此，用户能够了解到另一个wat测试参数对应的大小与第一类裸片失效率之间的关系。
[0082]
另外，本实施例提到的晶圆良率数据处理方法可以应用于cp测试和ft测试。
[0083]
可以理解的，在本实施例中，根据各个晶圆散点可以了解到wat测试参数值与该晶圆上第一类裸片失效率之间的对应关系，根据第二wat拟合曲线可以直观了解到第一类裸片失效率散点图中的所有晶圆散点对应的第一类裸片失效率数据与被选择的wat测试参数值之间所呈现的规律，将第二wat拟合曲线与多个晶圆散点在同一区域中展示，可以让用户同时了解到被选择的不同晶圆上第一类裸片失效率的整体分布趋势曲线以及每个被选择的晶圆上第一类裸片失效率的分布情况，解决了无法很直观的显示wat测试参数对不同晶圆上的第一类裸片失效率的影响大小，进一步的，应用上述方法用户可以直观了解到wat测试参数对不同晶圆上的每个类型的裸片失效率的影响，从而用户能够了解到各个批次的晶圆主要存在哪些类型的缺陷，为后续工艺改进提供了理论基础。
[0084]
在一个实施例中，提供了另一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法，每个晶圆包括多个区域，每两个所述区域之间没有重叠区域；所述方法包括如下步骤：
展示第三交互界面，所述第三交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆区域良率数据；根据所述晶圆区域良率数据，生成晶圆区域良率散点图，并在所述第三交互界面中显示晶圆区域良率散点图；所述晶圆区域良率散点图包括第三wat拟合曲线和多个晶圆区域散点；所述晶圆区域良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值；所述晶圆区域良率散点图的纵轴表示晶圆在每个所述区域内的良率；所述第三wat拟合曲线基于所述多个晶圆区域散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆在每个区域内的良率之间的关系。
[0085]
具体地，对晶圆区域良率散点图中的多个晶圆区域散点对应的良率数据进行拟合，得到第一wat拟合曲线。
[0086]
示例的，请参阅图9，图9为一个实施例中晶圆划分为多个区域的示意图，如图9 所示，将每个晶圆划分为五个区域，实际操作了，用户可以根据需求来调整划分为区域的个数，比如用户可以将每个晶圆划分为三个或者七个区域等。
[0087]
具体地，每个wat测试参数对应一个可选择组件，用户可选择任意一个可选择组件，响应于用户的选择，可以确定被用户选择的wat测试参数对应的晶圆区域良率数据，晶圆区域良率数据包括被选择的wat测试参数在不同数值下对应的晶圆区域良率；需要说明的是，本实施例不对如何选择一个可选择组件进行具体限定，任何能够选择一个可选择组件的方式均在本技术的保护范围内，示例的，用户可以通过鼠标单击或者双击来选择一个可选择组件；其次，本实例不对第三wat拟合曲线的类型做具体的限定，比如，第三wat拟合曲线对应的函数可以为直线方程、幂函数、指数函数、对数函数、三角函数和反三角函数；本实施中不对如何根据晶圆区域良率数据确定第三wat拟合曲线的方法做具体限定，比如可以通过插值法、磨光法和最小二乘法来确定第三wat拟合曲线；另外，用户选择一个可选择组件后，可以在第一交互界面中可以去切换选择另外一个可选择组件，从而可以将已经被选择的wat测试参数切换为另一个wat测试参数，确定另一个wat测试参数对应的晶圆区域良率数据，根据另一个wat测试参数对应的晶圆区域良率数据，来动态更新晶圆区域良率散点图，因此，用户能够了解到另一个wat测试参数对应的大小与晶圆区域良率之间的关系。
[0088]
示例的，请参阅图10，假设第三wat拟合曲线对应的函数为直线方程，根据所述晶圆区域良率数据，生成晶圆区域良率散点图如图10所示，在图10中每个散点表示晶圆中的不同区域。
[0089]
另外，本实施例提到的晶圆良率数据处理方法可以应用于cp测试和ft测试。
[0090]
可以理解的，在本实施例中，根据各个晶圆区域散点可以了解到wat测试参数值与该晶圆不同区域良率之间的对应关系，根据第三wat拟合曲线可以直观了解到晶圆区域良率散点图中的所有晶圆区域散点对应的良率数据与被选择的wat测试参数值之间所呈现的规律，另外，将第三wat拟合曲线与多个晶圆区域散点在同一区域中展示，可以让用户同时了解到被选择的晶圆不同区域良率的整体分布趋势曲线以及每个被选择的晶圆不同区域良率的分布情况，解决了无法很直观的显示wat测试参数对晶圆不同区域良率的影响大小，
进一步提高了晶圆不同区域的良率。
[0091]
在一个实施例中，所述晶圆区域良率散点图中至少包括两种不同颜色的散点，所述散点的颜色用于标识晶圆的不同区域；所述第三交互界面还包括晶圆区域标识图，所述晶圆区域标识图用于表示所述晶圆中每个区域的位置与所述散点的颜色之间的对应关系。
[0092]
可以理解的，在本实施例中，在晶圆区域良率散点图中用不同的颜色标识晶圆中不同的区域，从而用户通过晶圆区域良率散点图可以直观的了解到晶圆不同区域的良率与被选择的wat测试参数值之间的关系，进一步的，用户根据晶圆区域良率散点图可以有针对性的分别去设置晶圆中每个区域的wat测试参数值，使得晶圆中每个区域的良率都能够较高，提高了晶圆中每个区域的良率。
[0093]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0094]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储晶圆良率数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种基于wat测试的晶圆良率数据处理方法。
[0095]
本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0096]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
[0097]
在一个实施例中，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0098]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
[0099]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0100]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：展示第一交互界面，所述第一交互界面包括多个wat测试参数的可选择组件；响应于用户对所述可选择组件的选择，确定被选择的wat测试参数对应的晶圆良率数据；根据所述晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在所述第一交互界面中显示所述晶圆良率散点图；所述晶圆良率散点图包括第一wat拟合曲线和多个晶圆散点；所述晶圆良率散点图的横轴表示所述被选择的wat测试参数对应的参数值，所述晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；所述第一wat拟合曲线用于表示被选择的wat测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。
[0101]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0102]
需要说明的是，本技术所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
[0103]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（read-only memory，rom）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（reram）、磁变存储器（magnetoresistive random access memory，mram）、铁电存储器（ferroelectric random access memory，fram）、相变存储器（phase change memory，pcm）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（random access memory，ram）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（static random access memory，sram）或动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据
库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0104]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0105]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。