一种极片检测方法、装置、系统、电子设备及存储介质与流程

文档序号:31394154发布日期:2022-09-03 02:59阅读:53来源:国知局
一种极片检测方法、装置、系统、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及计算机技术领域,尤其涉及极片检测方法、装置、系统、电子设备及存储介质。


背景技术:

2.如图1和图2所示,极片通常有位于中间的基材,然后两侧具有涂层。理想情况下,两侧的涂层应该一样高,即极耳正反两面露出的距离应当一样,而现实中因为加工精度等原因,通常很难做到完全一样。在现有的卷绕视觉检测中,需要检测隔膜与极片包覆的效果,由于卷芯结构,通常只能检测到一侧,那么就可能出现一面包覆良好,但另一面包覆不良的电芯并没有被及时检出,这将会带来很大的安全隐患。


技术实现要素:

3.本技术提供一种极片检测方法、装置、系统、电子设备及存储介质,以解决现有技术中只能检测到极片一侧包覆效果的问题。本技术的技术方案如下:
4.根据本技术实施例的第一方面,提供一种极片检测方法,所述方法包括:获取位于极片插入位的极片的第一表面的第一拍摄图像、以及第二表面的第二拍摄图像;根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像;根据所述第三拍摄图像,确定所述极片的第一表面的第一隔膜包覆值;根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值。
5.进一步地,所述根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量包括:根据所述第一拍摄图像,确定所述极片的第一表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第一距离;根据所述第二拍摄图像,确定所述极片的第二表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第二距离;根据所述第一距离和所述第二距离,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量。
6.进一步地,所述获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像包括:获取所述极片插入位和所述极片入卷位之间的距离;在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述距离时,确定所述极片位于所述极片入卷位;对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
7.进一步地,所述获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像包括:预先设定所述极片从所述极片插入位运行至所述极片入卷位所需的时间;在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述时间时,确定所述极片位于所述极片入卷位;对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
8.进一步地,在所述根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值的步骤之后,所述方法还包括:根据所述第一隔膜包覆值和所述第二隔膜包覆值,确定下一时刻的纠偏参数,以根据所述纠偏参数对下一时刻的极片的
放卷进行纠偏。
9.根据本技术实施例的第二方面,提供一种极片检测装置,所述装置包括:插入位图像获取模块,用于获取位于极片插入位的极片的第一表面的第一拍摄图像、以及第二表面的第二拍摄图像;涂层错位量确定模块,用于根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;入卷位图像获取模块,用于获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像;第一隔膜包覆值确定模块,用于根据所述第三拍摄图像,确定所述极片的第一表面的第一隔膜包覆值;第二隔膜包覆值确定模块,用于根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值。
10.根据本技术实施例的第三方面,提供一种极片检测系统,所述系统包括:第一相机,用于对位于极片插入位的极片的第一表面进行拍摄;第二相机,用于对位于极片插入位的极片的第二表面进行拍摄;第三相机,用于对位于极片入卷位的极片的第一表面进行拍摄;控制器,分别与所述第一相机、所述第二相机和所述第三相机电连接,用于执行如上述第一方面中任一项所述的方法。
11.进一步地,所述第三相机为ccd相机。
12.根据本技术实施例的第四方面,提供一种电子设备,包括:处理器;用于存储所述处理器可执行指令的存储器;其中,所述处理器被配置为执行所述指令,以实现如上述第一方面中任一项所述的方法。
13.根据本技术实施例的第五方面,提供一种计算机可读存储介质,当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时,使得所述电子设备能够执行本技术实施例的第一方面中任一所述方法。
14.根据本技术实施例的第六方面,提供一种包含指令的计算机程序产品,当其在计算机上运行时,使得计算机执行本技术实施例的第一方面中任一所述方法。
15.本技术的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果:
16.在本技术实施例中,获取位于极片插入位的极片的第一表面的第一拍摄图像、以及第二表面的第二拍摄图像,根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量,获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像,根据所述第三拍摄图像,确定所述极片的第一表面的第一隔膜包覆值,根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值。如此,可以检测由于前工序极片正反面涂层存在错位导致的包覆不良,进而减少包覆不良产品,提高卷芯品质。
17.应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本技术。
附图说明
18.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本技术的实施例,并与说明书一起用于解释本技术的原理,并不构成对本技术的不当限定。
19.图1是现有技术中极片和极耳的结构示意图;
20.图2是现有技术中极片的剖视图;
21.图3是本技术实施例提供的一种极片检测方法的流程示意图;
22.图4是本技术实施例提供的极片检测系统的结构示意图;
23.图5是本技术实施例提供的另一种极片检测方法的流程示意图;
24.图6是本技术实施例提供的极片检测装置的结构示意图;
25.图7是本技术实施例提供的极片检测方法的电子设备的框图。
具体实施方式
26.为了使本领域普通人员更好地理解本技术的技术方案,下面将结合附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
27.需要说明的是,本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
28.需要说明的是,本技术所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于展示的数据、分析的数据等),均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
29.在现有的卷绕视觉检测中,需要检测隔膜与极片包覆的效果,由于卷芯结构,通常只能检测到一侧,那么就可能出现一面包覆良好,但另一面包覆不良的电芯并没有被及时检出,这将会带来很大的安全隐患。基于此,本技术实施例提供了一种极片检测方法,如图3所示,该方法包括以下步骤:
30.s301:获取位于极片插入位的极片的第一表面的第一拍摄图像、以及第二表面的第二拍摄图像;
31.在本技术实施例中,如图4所示,可以在极片插入位的极片的两侧分别设置相机,从而对极片的第一表面(即b面)和第二表面(即a面)分别进行拍摄,获得所述极片的第一表面的第一拍摄图像,所述极片的第二表面的第二拍摄图像。
32.在实际应用中,可以只针对正极片或只针对负极片使用本技术实施例所述的极片检测方法,也可以同时分别针对正极片和负极片使用本技术实施例所述的极片检测方法。
33.s303:根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;
34.在本技术实施例中,所述根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量(即步骤s303)可以包括:根据所述第一拍摄图像,确定所述极片的第一表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第一距离;根据所述第二拍摄图像,确定所述极片的第二表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第二距离;根据所述第一距离和所述第二距离,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量。
35.在本技术实施例中,所述极片的第一表面的涂层边缘和第二表面的涂层边缘可以是指所述极片的宽度方向上的涂层边缘,也即,可以是指所述极片的垂直于其运行方向上
的涂层边缘。
36.具体的,如图2所示,所述极片的第一表面的涂层边缘相对所述极片的一侧边缘的第一距离具体可以为左侧涂层的上端边缘与基材上端边缘之间的距离,所述极片的第二表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第二距离可以为右侧涂层的上端边缘与基材上端边缘之间的距离。进而,通过所述第一距离和所述第二距离,可以确定左侧涂层上端边缘和右侧涂层上端边缘的涂层错位量。
37.s305:获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像;
38.在本技术实施例中,如图4所示,可以在极片入卷位的极片的一侧设置ccd(charge coupled device,电荷耦合器件)相机,从而可以对位于极片入卷位的所述极片的第一表面(即b面)进行拍摄,得到所述极片的第一表面的第三拍摄图像。
39.在一些实施例中,所述获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像可以包括:获取所述极片插入位和所述极片入卷位之间的距离;在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述距离时,确定所述极片位于所述极片入卷位;对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
40.具体的,可以利用编码器计长,当确定所述极片从所述极片插入位向运行至所述极片入卷位时,利用第三相机对位于极片入卷位的所述极片的第一表面(如附图4中的b面)进行拍摄,得到第三拍摄图像。
41.在另一些实施例中,所述获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像还可以包括:预先设定所述极片从所述极片插入位运行至所述极片入卷位所需的时间;在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述时间时,确定所述极片位于所述极片入卷位;对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
42.具体的,可以固定所述极片的运行速度,并预先测定在固定的运行速度下,所述极片从所述极片插入位运行至所述极片入卷位所需的时间,而后,在所述极片以固定的运行速度从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述时间时,对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
43.s307:根据所述第三拍摄图像,确定所述极片的第一表面的第一隔膜包覆值;
44.在本技术实施例中,所述第一隔膜包覆值可以用于表征极片入卷位的隔膜对所述极片的第一表面的包覆情况。
45.在本技术实施例中,如图4所示,可以根据所述第三拍摄图像,确定出下隔膜对正极片的b面的隔膜包覆值,也可以根据所述第三拍摄图像,确定出上隔膜对负极片的b面的隔膜包覆值。
46.s309:根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值。
47.在本技术实施例中,所述第二隔膜包覆值可以用于表征极片入卷位的隔膜对所述极片的第二表面的包覆情况。
48.在本技术实施例中,根据所述涂层错位量和所述极片的第一表面的所述第一隔膜包覆值,可以确定出所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值,也即,如图4所示,可以推算出位于极片入卷位处的所述极片的a面的隔膜包覆值。
49.在一个具体的实施例中,如图5所示,所述极片检测方法可以包括以下步骤:
50.同时对正极片和负极片进行放卷和纠偏操作,以在极片插入位分别进行正极片和负极片的插入;
51.利用位于极片插入位的正极片的一侧的第一相机,对正极片的第一表面(如附图4中的b面)进行拍摄,获得正极片的第一表面的第一拍摄图像;与此同时,利用位于极片插入位的正极片的另一侧的第二相机,对正极片的第二表面(如附图4中的a面)进行拍摄,获得正极片的第二表面的第二拍摄图像;同理,可以对位于极片插入位的负极片进行同样的操作;
52.根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定正极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;同理,对位于负极片进行同样的操作,以确定负极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;
53.而后,正极片和负极片在卷针的带动下进行卷绕操作,此时,可以利用编码器计长监测正极片的运行位置,当确定正极片从所述极片插入位运行至所述极片入卷位时,利用第三相机对位于极片入卷位的正极片的第一表面(如附图4中的b面)进行拍摄,得到第三拍摄图像,并根据所述第三拍摄图像确定正极片的第一表面的第一隔膜包覆值;同理,可以对负极片进行同样的操作;
54.根据正极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量和第一隔膜包覆值,确定正极片的第二表面的第二隔膜包覆值;同理,可以对负极片进行同样的操作;
55.最后,在完成当前电芯的卷绕后,对正极片和负极片的末端进行裁断。
56.在实际应用中,本技术实施例的极片检测方法可以适用于全极耳、多极耳等工艺。
57.在本技术实施例中,通过在卷芯的上游位置设置极片双面的视觉检测,可以推算出卷芯处不能拍摄到的那一面的包覆情况,从而保证卷芯的品质。
58.在本技术实施例中,在检测到所述极片的双面的包覆情况后,还可以用于调整后续极片的包覆过程,从而提高卷芯的品质,也即,在所述根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值的步骤之后,所述极片检测方法还可以包括:
59.根据所述第一隔膜包覆值和所述第二隔膜包覆值,确定下一时刻的纠偏参数,以根据所述纠偏参数对下一时刻的极片的放卷进行纠偏。
60.本技术实施例还提供了一种极片检测装置,如图6所示,所述装置可以包括:
61.插入位图像获取模块610,用于获取位于极片插入位的极片的第一表面的第一拍摄图像、以及第二表面的第二拍摄图像;
62.涂层错位量确定模块620,用于根据所述第一拍摄图像和所述第二拍摄图像,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量;
63.入卷位图像获取模块630,用于获取位于极片入卷位的所述极片的第一表面的第三拍摄图像;
64.第一隔膜包覆值确定模块640,用于根据所述第三拍摄图像,确定所述极片的第一表面的第一隔膜包覆值;
65.第二隔膜包覆值确定模块650,用于根据所述涂层错位量和所述第一隔膜包覆值,确定所述极片的第二表面的第二隔膜包覆值。
66.在一些实施例中,所述涂层错位量确定模块可以包括:
67.第一距离确定单元,用于根据所述第一拍摄图像,确定所述极片的第一表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第一距离;
68.第二距离确定单元,用于根据所述第二拍摄图像,确定所述极片的第二表面的涂层边缘相对所述极片的同一侧边缘的第二距离;
69.涂层错位量确定单元,用于根据所述第一距离和所述第二距离,确定所述极片的第一表面和第二表面之间的涂层错位量。
70.在一些实施例中,所述入卷位图像获取模块可以包括:
71.距离获取单元,用于获取所述极片插入位和所述极片入卷位之间的距离;
72.第一极片位置确定单元,用于在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述距离时,确定所述极片位于所述极片入卷位;
73.入卷位图像获取单元,用于对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
74.在一些实施例中,所述入卷位图像获取模块还可以包括:
75.时间确定单元,用于预先设定所述极片从所述极片插入位运行至所述极片入卷位所需的时间;
76.第二极片位置确定单元,用于在所述极片从所述极片插入位向所述极片入卷位的方向运行所述时间时,确定所述极片位于所述极片入卷位;
77.入卷位图像获取单元,用于对位于所述极片入卷位的所述极片的第一表面进行拍摄,得到所述第三拍摄图像。
78.在一些实施例中,所述极片检测装置还可以包括:
79.纠偏参数确定模块,用于根据所述第一隔膜包覆值和所述第二隔膜包覆值,确定下一时刻的纠偏参数,以根据所述纠偏参数对下一时刻的极片的放卷进行纠偏。
80.关于上述实施例中的装置,其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述,此处将不做详细阐述说明。
81.本技术实施例还提供了一种极片检测系统,所述系统可以包括:
82.第一相机,用于对位于极片插入位的极片的第一表面进行拍摄;
83.第二相机,用于对位于极片插入位的极片的第二表面进行拍摄;
84.第三相机,用于对位于极片入卷位的极片的第一表面进行拍摄;
85.控制器,分别与所述第一相机、所述第二相机和所述第三相机电连接,用于执行如如上述实施例中的极片检测方法。
86.具体的,所述控制器可以是各个相机的内置处理器,也可以是plc(programmable logic controller,可编程逻辑控制器)工控机。
87.在本技术实施例中,所述第三相机可以为ccd相机。
88.关于本技术实施例中的极片检测系统,其中各个组成设备和各个执行步骤的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述,此处将不做详细阐述说明。
89.图7是本技术实施例提供的极片检测方法的电子设备的框图,该电子设备可以是终端,其内部结构图可以如图7所示。该电子设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、模型接口、显示屏和输入装置。其中,该电子设备的处理器用于提供计算和控制能力。该电
子设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该电子设备的模型接口用于与外部的终端通过模型连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现本技术实施例中的方法。该电子设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏,该电子设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层,也可以是电子设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板,还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
90.本领域技术人员可以理解,图7中示出的结构,仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图,并不构成对本技术方案所应用于其上的电子设备的限定,具体的电子设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
91.在示例性实施例中,还提供了一种电子设备,包括:处理器;用于存储该处理器可执行指令的存储器;其中,该处理器被配置为执行该指令,以实现如本技术实施例中的方法。
92.在示例性实施例中,还提供了一种计算机可读存储介质,当该存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时,使得电子设备能够执行本技术实施例中的方法。
93.在示例性实施例中,还提供了一种包含指令的计算机程序产品,当其在计算机上运行时,使得计算机执行本技术实施例中的方法。
94.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,该计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,ram以多种形式可得,诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
95.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本技术的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
96.应当理解的是,本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。
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