存储设备和操作存储设备的方法与流程

示例性实施例通常涉及半导体集成电路，更具体地，涉及存储设备和操作存储设备的方法。

背景技术：

1、半导体存储器设备分为易失性存储器和非易失性存储器。存储在易失性存储器中的数据在断电之后可能会丢失。存储在非易失性存储器中的数据即使在断电之后也能保留。闪存设备是非易失性存储器设备的示例。闪存设备具有大容量存储能力、相对高的抗噪性和低功率操作。因此，闪存设备被用于各种领域。例如，诸如智能电话或平板个人计算机(pc)的移动系统可以采用闪存作为存储介质。

2、在包括非易失性存储器设备和存储控制器的移动设备中，正在尝试减小存储控制器的大小。

技术实现思路

1、一些示例性实施例可以提供一种能够减小存储控制器的大小的存储设备。

2、一些示例性实施例可以提供一种操作能够减小存储控制器的大小的存储设备的方法。

3、根据一些示例性实施例，一种存储设备包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域。存储控制器包括内部缓冲器，并且在第一模式中优先将来自外部主机的数据存储在第一存储器区域中。存储控制器通过以下操作来控制数据迁移操作：通过多次执行读取操作-传送操作以通过第一单元读取预先存储在第一存储器区域中的第二数据并将数据的第一单元传送到非易失性存储器设备的数据输入/输出(i/o)电路，以及通过将传送到数据i/o电路的第二数据存储在第二存储器区域中。

4、根据一些示例性实施例，提供了一种操作存储设备的方法，该存储设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域，以及包括内部缓冲器并控制非易失性存储器设备的存储控制器。根据该方法，由存储控制器从外部主机接收第一数据，由存储控制器以第一模式将第一数据编程在第一存储器区域中，由存储控制器多次执行读取操作-传送操作以通过第一单元读取预先存储在第一存储器区域中的第二数据并将数据的第一单元传送到非易失性存储器设备的数据输入/输出(i/o)电路，并且由非易失性存储器设备将传送到数据i/o电路的第二数据编程在第二存储器区域中。

5、根据一些示例性实施例，一种存储设备包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域。存储控制器包括内部缓冲器，并且在第一模式中优先将来自外部主机的数据存储在第一存储器区域中。存储控制器通过以下操作来控制数据迁移操作：通过多次执行读取操作-传送操作以通过第一单元读取预先存储在第一存储器区域中的第二数据并将数据的第一单元传送到非易失性存储器设备的数据输入/输出(i/o)电路，以及通过将传送到数据i/o电路的第二数据存储在第二存储器区域中。存储控制器还包括处理器、编程/迁移管理器和纠错码(ecc)引擎。处理器基于与第一数据相关联的写入请求，将与第一数据相关联的写入模式确定为第一模式和将第一数据存储在第二存储器区域中的第二模式之一。编程/迁移管理器在处理器的控制下控制编程操作和数据迁移操作。ecc引擎通过对数据的第一单元执行ecc译码操作来纠正数据的第一单元中的错误。

6、相应地，在根据示例性实施例的存储设备和操作存储设备的方法中，当存储控制器要将第一数据编程到具有更高写入速度的第一存储器区域中时，存储控制器执行数据迁移操作，以将预先存储在第一存储器区域中的第二数据顺序地移动到存储控制器的内部缓冲器中，并将第二数据编程到具有更低写入速度的第二存储器区域中。因此，内部缓冲器的数据容量可能小于第一存储器区域的数据存储容量，因此可以通过减小内部缓冲器的大小来减小存储控制器的大小。

技术特征：

1.一种存储设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一单元对应于所述内部缓冲器的数据存储容量，

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中：

4.根据权利要求1所述的存储设备，

5.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储控制器还包括：

6.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述存储控制器还包括：

7.根据权利要求6所述的存储设备，

8.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述存储控制器还包括：

9.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述处理器被配置为：

10.根据权利要求9所述的存储设备，

11.根据权利要求10所述的存储设备，其中，所述处理器被配置为：

12.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述处理器被配置为基于所述第一数据的大小将所述写入模式确定为所述第一模式和所述第二模式之一。

13.根据权利要求12所述的存储设备，其中，所述处理器被配置为：

14.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述处理器被配置为基于所述第一存储器区域和所述第二存储器区域的状态信息将所述写入模式确定为所述第一模式和所述第二模式之一。

15.根据权利要求14所述的存储设备，其中，所述状态信息包括以下至少一项：

16.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述非易失性存储器设备包括：

17.根据权利要求16所述的存储设备，其中，所述存储器单元阵列包括：

18.一种操作存储设备的方法，其中，所述存储设备包括非易失性存储器设备和存储控制器，所述非易失性存储器设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于所述第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域，所述存储控制器包括内部缓冲器并且被配置为控制所述非易失性存储器设备，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一单元对应于所述内部缓冲器的数据存储容量，

20.一种存储设备，包括：

技术总结
一种存储设备包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域。存储控制器包括内部缓冲器，并且在第一模式中优先将来自外部主机的数据存储在第一存储器区域中。存储控制器通过以下操作来控制数据迁移操作：通过多次执行读取操作‑传送操作以通过第一单元读取预先存储在第一存储器区域中的第二数据并将数据的第一单元传送到非易失性存储器设备的数据输入/输出(I/O)电路，以及通过将传送到数据I/O电路的第二数据存储在第二存储器区域中。

技术研发人员：宋沅钟,金栒永,金太暎
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12