基于偏移误差的模型选择方法及装置、存储介质、终端设备与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于偏移误差的模型选择方法及装置、存储介质、终端设备。


背景技术：

2.光学邻近校正(optical proximity correction,opc)是一种光刻增强技术，光学邻近校正主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证曝光后硅片上得到的实际图形与设计图形一致。若不做光学邻近修正实际曝光后得到的图形将与设计图形有显著差异，如实际线宽度比设计的窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像。光学邻近修正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来补偿这些失真。
3.在光学邻近校正的计算过程中，信号的采样是离散的，采样点之间的信号需要通过插值算法来得到，因此多边形边(polygon edge)的信号值大多数时候都是插值计算的结果。其中，采样点是指仿真计算特征尺寸(critical dimension,cd)所使用的矩形框位置，具体可以采用矩形框中心点位置来表示；采样点的特征尺寸是指采用仿真矩形框计算出来的线段(gauge)长度。各个采样点处特征尺寸变化的范围，称之为偏移误差(shift variance)。偏移误差是评判模型(model)的稳定性的重要指标之一。现有技术中，模型会基于输入的原始版图(original layout)来计算偏移误差。
4.但是，原始版图中的图形与光学邻近校正之后的版图中的图形存在一定程度的差异，这就导致基于原始版图计算的偏移误差是不准确的，那么利用该偏移误差对模型进行选择时，导致不能选择最优的模型，进而影响芯片的性能。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种基于偏移误差的模型选择方法及装置、存储介质、终端设备，能够提升模型选择的可靠性。
6.为解决上述技术问题，第一方面，本技术实施例提供一种基于偏移误差的模型选择方法，该方法包括：获取待处理版图；采用目标模型对所述待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图，其中，所述目标模型用于根据光学临近效应对待处理版图进行尺寸调整；采用所述目标模型分别计算所述待处理版图的偏移误差以及所述第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；基于所述第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；基于所述最终偏移误差确定是否选择所述目标模型。
7.可选的，所述基于所述最终偏移误差确定是否选择所述目标模型，包括：在所述最终偏移误差小于或等于第一预设阈值时，选择所述目标模型。
8.可选的，所述基于所述最终偏移误差选择所述目标模型，包括：获取所述目标模型的均方根误差；计算所述均方根误差以及所述最终偏移误差的加权之和，以得到所述目标模型的代价函数的函数值；在所述函数值小于或等于第二预设阈值时，选择所述目标模型。
9.可选的，所述代价函数的具体表达为：cost＝(rmse
×
rmse_weight+maxsv
×
maxsv_weight)/(rmse_weight+maxsv_weight)其中，cost表示所述代价函数的函数值，rmse表示所述目标模型的均方根误差，rmse_weight表示目标模型的均方根误差对应的权重，maxsv表示所述最终偏移误差，maxsv_weight表示所述最终偏移误差对应的权重。
10.可选的，所述采用目标模型对所述待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图，包括：获得所述待处理版图中的待调整几何图形；采用所述目标模型对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，以获得至少一个与所述待处理版图对应的调整后的版图。
11.可选的，所述采用所述目标模型对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，包括：采用所述目标模型对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次增大；和/或，采用所述目标模型对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次减小。
12.可选的，所述采用所述目标模型对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，包括：采用所述目标模型按照偏移步长对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整。
13.可选的，所述采用所述目标模型按照偏移步长对所述待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，包括：获取偏移次数；采用所述目标模型按照偏移步长对所述待调整几何图形的尺寸进行调整，直至调整次数达到所述偏移次数。
14.可选的，所述按照偏移步长对所述待调整几何图形的尺寸进行调整，直至调整次数达到所述偏移次数包括：在首次对所述待调整几何图形的尺寸进行调整时，将所述待调整几何图形的尺寸增大和/或减小所述偏移步长；迭代地获取待调整图形在上一次调整后的尺寸，并对待调整图形在上一次调整后的尺寸增大和/或减小所述偏移步长，直至调整次数达到所述偏移次数。
15.可选的，所述基于第二数量个偏移误差中最大值，获得最终偏移误差，包括：获取所述第二数量个偏移误差中最大值；将所述最大值确定为最终偏移误差。
16.第二方面，本技术还提供一种基于偏移误差的模型选择装置，基于偏移误差的模型选择装置包括：获取模块，用于获取待处理版图；调整模块，用于采用目标模型对所述待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图，其中，所述目标模型用于根据光学临近效应对几何图形进行尺寸调整；计算模块，用于采用所述目标模型分别计算所述待处理版图的偏移误差以及所述第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；偏移误差确定模块，用于基于待处理版图第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；选择模块，用于基于所述最终偏移误差确定是否选择所述目标模型。
17.第三方面，本技术实施例还公开了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行第一方面所述方法的步骤。
18.第四方面，本技术实施例还公开了一种终端设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行第一方面所述方法的步骤。
19.与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
20.本技术技术方案中，采用目标模型对待处理版图进行多次调整，分别计算待处理版图的偏移误差以及第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；基于第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；基于最终偏移误差确定是否选择目标模型。
由于待处理版图与光学邻近校正之后的版图具有差异，因此本技术通过对待处理版图进行多次调整来模拟光学邻近校正之后的版图。通过分别对待处理版图和调整后的版图计算第二数量个偏移误差，并从第二数量个偏移误差中获得最终偏移误差，使最终偏移误差更接近于设计图形的偏移误差，实现了偏移误差计算的准确性；那么在基于最终偏移误差选择目标模型时，保证了目标模型选择的可靠性，进而保证生产出的芯片的性能。
21.进一步地，采用目标模型对待处理版图进行多次调整具体包括对待处理版图中的待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，以获得至少一个与待处理版图对应的调整后的版图。由于待处理版图与光学邻近校正之后的版图之间的差异为几何图形的尺寸之间的差异，因此在对待处理版图进行多次调整时，可以是对待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整。
22.进一步地，对待调整几何图形的尺寸进行至少一次增大；和/或，对待调整几何图形的尺寸进行至少一次减小。本技术通过对待处理版图中待调整几何图形的尺寸在不同方向上进行不同程度的调整，能够更加真实地模拟光学邻近校正之后的版图，进一步保证了偏移误差计算的准确性以及模型选择的可靠性。
附图说明
23.图1是本技术实施例提供的一种基于偏移误差的模型选择方法的流程图；
24.图2是本技术实施例提供的一种具体应用场景的示意图；
25.图3是本技术实施例提供的另一种具体应用场景的示意图；
26.图4是本技术实施例提供的一种基于偏移误差的模型选择装置的结构示意图。
具体实施方式
27.如背景技术中所述，原始版图中的图形与光学邻近校正之后的版图中的图形存在一定程度的差异，这就导致基于原始版图计算的偏移误差是不准确的，那么利用该偏移误差对模型进行选择时，导致不能选择最优的模型，进而影响芯片的性能。
28.本技术技术方案中，采用目标模型对待处理版图进行多次调整，分别计算待处理版图的偏移误差以及第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；基于第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；基于最终偏移误差确定是否选择目标模型。由于待处理版图与光学邻近校正之后的版图具有差异，因此本技术通过对待处理版图进行多次调整来模拟光学邻近校正之后的版图。通过分别对待处理版图和调整后的版图计算第二数量个偏移误差，并从第二数量个偏移误差中获得最终偏移误差，使最终偏移误差更接近于设计图形的偏移误差，实现了偏移误差计算的准确性；那么在基于最终偏移误差选择目标模型时，保证了目标模型选择的可靠性，进而保证生产出的芯片的性能。
29.本技术实施例中所称特征尺寸(critical dimension,cd)，也可以称为关键维度、关键尺寸、重要维度，或者其他任意可实施的名称，本技术实施例对此不作限制。
30.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。
31.图1是本技术实施例一种基于偏移误差的模型选择方法的流程图。
32.本技术实施例中的基于偏移误差的模型选择方法可以用于终端设备中，也即可以
由终端设备执行所述方法的各个步骤，也可以由终端设备中的芯片或芯片模组执行所述方法的各个步骤。终端设备具体可以是手机、计算机、平板电脑等。
33.具体地，基于偏移误差的模型选择方法可以包括以下步骤：
34.步骤101：获取待处理版图；
35.步骤102：采用目标模型对待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图，其中，目标模型用于根据光学临近效应对待处理版图进行尺寸调整；
36.步骤103：采用目标模型分别计算待处理版图的偏移误差以及第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；
37.步骤104：基于第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；
38.步骤105：基于最终偏移误差确定是否选择目标模型。
39.需要指出的是，本实施例中各个步骤的序号并不代表对各个步骤的执行顺序的限定。
40.可以理解的是，在具体实施中，基于偏移误差的模型选择方法可以采用软件程序的方式实现，该软件程序运行于芯片或芯片模组内部集成的处理器中。该方法也可以采用软件结合硬件的方式实现，本技术不作限制。
41.本实施例中的待处理版图是指未经光学邻近校正之前的版图，也可以称为原始版图(original layout)。
42.在步骤101的具体实施中，获取待处理版图，具体可以是将待处理版图输入至目标模型。本发明实施例中的待处理版图可以是用户提供的需要进行工艺验证的版图，也可以是用来进行试验的版图。
43.在步骤102的具体实施中，采用目标模型根据光学临近效应对待处理版图进行尺寸调整。对待处理版图进行尺寸调整具体可以是对待处理版图的尺寸进行增大和/或减小。具体地，待处理版图中具有几何图形，对待处理版图进行尺寸调整是指对待处理版图中几何图形的尺寸进行调整。更具体地，对待处理版图中几何图形的尺寸进行调整是指对几何图形的宽度、长度等尺寸的调整。
44.需要说明的是，调整待处理版图中几何图形的尺寸也是相当于调整了几何图形之间的间距，由于几何图形之间的间距对光刻过程是产生影响的，那么经过调整后的版图也是相当于模拟产生了多种不同尺寸条件下的版图，从而根据这些版图进行接下来工艺过程的模拟。
45.在一种具体实施方式中，将待处理版图输入至目标模型，目标模型对待处理版图进行一次调整，可以得到一个调整后的版图。重复上述过程，使目标模型对待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图。
46.在另一种具体实施方式中，将待处理版图输入至目标模型，目标模型对待处理版图进行不止一次调整，得到一个调整后的版图；以至少一次调整得到一个调整后的版图的方式，以得到第一数量个调整后的版图。与前述实施例不同的是，本实施得到了变化尺寸更多的版图。
47.在一个非限制性的实施例中，待处理版图中具有规则的几何图形，例如矩形。获得待处理版图中的待调整几何图形；采用目标模型对待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，以获得至少一个与待处理版图对应的调整后的版图。具体地，采用目标模型对待调整几
何图形的尺寸进行调整。更具体地，采用目标模型对待调整几何图形的宽度进行至少一次调整。例如，对待调整几何图形的宽度进行至少一次增大，和/或，对待调整几何图形的宽度进行至少一次减小。
48.此外，本发明实施例还可以应用于各种不规则的几何图形，针对1d、2d的版图，可以对其中的一个方向进行调整，那就是调整几何图形一个方向的尺寸，如前所述的高度、宽度，例如对于l形的几何图形，可以调整垂直部分的长度、宽度，也可以调整水平部分的长度或者宽度，从而达到调整几何图形的尺寸的目的。本发明实施例中针对不规则几何图形的调整可以适应于一次调整，也可以适应于多次调整，不做具体限定。
49.一并参照图2，图2示出了对待处理版图进行调整的示意图。
50.如图2所示，待处理版图20中待调整几何图形为矩形，该几何图形的宽度为a。采用目标模型1将几何图形的宽度a进行一次减小，得到宽度为a1的几何图形，也即调整后的版图21。采用目标模型1将几何图形的宽度a进行一次增大，得到宽度为a2的几何图形，也即调整后的版图22。
51.需要说明的是，图2仅示出了对待处理版图20的尺寸进行一次增大和一次减小，在实际的应用场景中，可以对待处理版图20的尺寸进行任意可实施次数的调整，本技术对此不作限制。
52.在另一个非限制性的实施例中，采用目标模型按照偏移步长对待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整。也就是说，每次对待调整几何图形的尺寸进行调整的幅度为一个固定值，也即偏移步长。具体地，偏移步长可以选自一个可配置的数值范围，例如该数值范围为{1,2,3,4}，单位为纳米(nm)。
53.进一步地，还可以获取偏移次数，采用目标模型按照偏移步长对待调整几何图形的尺寸进行调整，直至调整次数达到偏移次数。本实施例中，偏移次数可以表示对待调整几何图形的尺寸进行调整的总调整次数。例如，偏移次数为8次，表示对待调整几何图形的尺寸进行了8次调整。
54.在另一个可选实施例中，可以在两个方向(例如增大和减小)上对待调整几何图形的尺寸进行调整，此时偏移次数可以表示对待调整几何图形的尺寸在每个方向上进行调整的调整次数。例如，偏移次数为4次，表示对待调整几何图形的尺寸增大4次，以及对待调整几何图形的尺寸减小4次，对待调整几何图形的尺寸进行调整的总调整次数为8次。
55.具体地，偏移次数也可以选自一个可配置的数值范围，例如该数值范围为{0,1,2,3,4}。
56.下面结合图3对按照偏移步长和偏移次数调整待处理版图的过程进行详细说明。
57.待处理版图30中待调整几何图形为矩形，该几何图形的宽度为b。偏移步长为1nm，偏移次数为4次。在首次对待调整几何图形进行调整时，将待调整几何图形的宽度减小1nm，调整后的几何图形的宽度为b-1＝b4；以及将待调整几何图形的宽度增大1nm，调整后的几何图形的宽度为b+1＝b5。类似地，将待调整几何图形的宽度减小2nm，调整后的几何图形的宽度为b-2＝b3；以及将待调整几何图形的宽度增大2nm，调整后的几何图形的宽度为b+2＝b6。将待调整几何图形的宽度减小3nm，调整后的几何图形的宽度为b-3＝b2；以及将待调整几何图形的宽度增大3nm，调整后的几何图形的宽度为b+3＝b7。
58.将待调整几何图形的宽度减小4nm，调整后的几何图形的宽度为b-4＝b1；以及将
待调整几何图形的宽度增大4nm，调整后的几何图形的宽度为b+4＝b8。至此，可以获得8个调整后的版图，8个调整后的版图中几何图形的宽度分别为b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7和b8。
59.本技术通过对待处理版图中待调整几何图形的尺寸在不同方向上进行不同程度的调整，能够更加真实地模拟光学邻近校正之后的版图，进一步保证了偏移误差计算的准确性以及模型选择的可靠性。
60.在一个具体的应用场景中，目标模型可以是opc模型(opc model)，包括但不限于光学模型(optical model)和光阻模型resist model；目标模型也可以是电子束模型(e-beam model)等。
61.继续参照图1，在步骤103的具体实施中，采用目标模型分别计算待处理版图的偏移误差以及第一数量个调整后的版图的偏移误差。在每个版图的偏移误差的计算过程中，首先针对该版图中的一个采样位置点，取其特征尺寸最大值和特征尺寸最小值的差值，然后针对该版图的所有采样位置点获取差值中的最大值，将该最大值作为该版图的偏移误差。
62.需要说明的是，关于偏移误差的具体计算方式可以采用任意可实施的已有技术计算，本技术对此不作限制。
63.在步骤104的具体实施中，基于第二数量个偏移误差获得最终偏移误差。具体地，获取第二数量个偏移误差中最大值，将该最大值确定为最终偏移误差。
64.继续参照图2，采用目标模型1对待处理版图20计算偏移误差1，对调整后的版图21计算偏移误差2，以及对调整后的版图22计算偏移误差3。选取偏移误差1、偏移误差2和偏移误差3中的最大值，以得到采用目标模型1针对待处理版图20计算的最终偏移误差。
65.继续参照图3，采用目标模型1对待处理版图30以及8个调整后的版图分别计算偏移误差，并从9个偏移误差中确定最大值为最终偏移误差。
66.由于不同的目标模型具有不同的性能，因此同一待处理版图经过不同的目标模型所获得的最终偏移误差不同。最终偏移误差可以用于表征目标模型的性能。
67.例如，采用目标模型2对待处理版图20执行上述步骤102至步骤104，得到采用目标模型2针对待处理版图20计算的最终偏移误差，该最终偏移误差能够表征目标模型2的性能；同理，采用目标模型3对待处理版图20执行上述步骤102至步骤104，得到采用目标模型3针对待处理版图20计算的最终偏移误差，该最终偏移误差能够表征目标模型3的性能。
68.进而在步骤105的具体实施中，可以基于最终偏移误差确定是否选择目标模型。具体地，在最终偏移误差满足一定的要求时，可以选择目标模型，该选择的目标模型可以用于实际的光刻过程。否则，剔除该目标模型，该目标模型将不会用于后续的光刻过程。
69.在一种具体实施方式中，在最终偏移误差小于或等于第一预设阈值时，选择目标模型。
70.本实施例中，第一预设阈值可以是根据半导体的工艺要求设置的，当目标模型针对待处理版图所计算的最终偏移误差小于或等于该第一预设阈值时，表示目标模型满足工艺要求，则可以选择该目标模型。
71.在另一种具体实施方式中，获取目标模型的均方根误差；计算均方根误差以及最终偏移误差的加权之和，以得到目标模型的代价函数的函数值。在函数值小于或等于第二预设阈值时，选择目标模型。
72.本实施例中，目标模型的均方根误差表示目标模型的仿真精度，均方根误差越小，仿真越精确。目标模型的均方根误差可以是预先测量和计算得到的。均方根误差以及最终偏移误差具有对应的权重，上述权重以及第二预设阈值可以是预先根据半导体的工艺要求设置的。例如，均方根误差对应的权重为0.5，最终偏移误差对应的权重为0.5，第二预设阈值为0.95。
73.在一个具体的例子中，代价函数的具体表达为：cost＝(rmse
×
rmse_weight+maxsv
×
maxsv_weight)/(rmse_weight+maxsv_weight)其中，cost表示所述代价函数的函数值，rmse表示所述目标模型的均方根误差，rmse_weight表示目标模型的均方根误差对应的权重，maxsv表示所述最终偏移误差，maxsv_weight表示所述最终偏移误差对应的权重。
74.示例性地，均方根误差对应的权重为0.5，最终偏移误差对应的权重为0.5，第二预设阈值为0.95，均方根误差为1，最终偏移误差为0.5。那么目标模型的代价函数的函数值为1
×
0.5+0.5
×
0.5＝0.75。函数值0.75小于第二预设阈值0.95，因此目标模型满足工艺要求，可以选择该目标模型。
75.本技术通过对待处理版图进行多次调整来模拟光学邻近校正之后的版图。通过分别对待处理版图和调整后的版图计算第二数量个偏移误差，并从第二数量个偏移误差中获得最终偏移误差，使最终偏移误差更接近于设计图形的偏移误差，实现了偏移误差计算的准确性；那么在基于最终偏移误差选择目标模型时，保证了目标模型选择的可靠性，进而保证生产出的芯片的性能。
76.请参照图4，本技术实施例还公开了一种基于偏移误差的模型选择装置40。基于偏移误差的模型选择装置40可以包括：
77.获取模块401，用于获取待处理版图；
78.调整模块402，用于采用目标模型对待处理版图进行多次调整，以得到第一数量个调整后的版图，其中，目标模型用于根据光学临近效应对几何图形进行尺寸调整；
79.计算模块403，用于采用目标模型分别计算待处理版图的偏移误差以及第一数量个调整后的版图的偏移误差，以得到第二数量个偏移误差；
80.偏移误差确定模块404，用于基于待处理版图第二数量个偏移误差，获得最终偏移误差；
81.选择模块405，用于基于最终偏移误差确定是否选择目标模型。
82.在一个非限制性的实施例中，选择模块405在最终偏移误差小于或等于第一预设阈值时，选择目标模型。
83.在另一个非限制性的实施例中，选择模块405包括：获取单元，用于获取所述目标模型的均方根误差；函数值计算单元，用于计算所述均方根误差以及所述最终偏移误差的加权之和，以得到所述目标模型的代价函数的函数值；选择单元，用于在所述函数值小于或等于第二预设阈值时，选择所述目标模型。
84.在一个非限制性的实施例中，调整模块402包括几何图形获取单元，用于获得待处理版图中的待调整几何图形；第一调整单元，用于采用目标模型对待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整，以获得至少一个与待处理版图对应的调整后的版图。
85.进一步地，第一调整单元采用目标模型对待调整几何图形的尺寸进行至少一次增大；和/或，采用目标模型对待调整几何图形的尺寸进行至少一次减小。
86.进一步地，第一调整单元采用所述目标模型按照偏移步长对待调整几何图形的尺寸进行至少一次调整。
87.进一步地，第一调整单元获取偏移次数，并采用目标模型按照偏移步长对待调整几何图形的尺寸进行调整，直至调整次数达到偏移次数。
88.关于所述基于偏移误差的模型选择装置40的工作原理、工作方式的更多内容，可以参照图1至图3中的相关描述，这里不再赘述。
89.在具体实施中，上述偏移误差计算装置可以对应于终端设备中具有偏移误差计算功能的芯片，例如soc(system-on-a-chip，片上系统)、基带芯片等；或者对应于终端设备中包括具有偏移误差计算功能的芯片模组；或者对应于具有数据处理功能芯片的芯片模组，或者对应于终端设备。
90.关于上述实施例中描述的各个装置、产品包含的各个模块/单元，其可以是软件模块/单元，也可以是硬件模块/单元，或者也可以部分是软件模块/单元，部分是硬件模块/单元。例如，对于应用于或集成于芯片的各个装置、产品，其包含的各个模块/单元可以都采用电路等硬件的方式实现，或者，至少部分模块/单元可以采用软件程序的方式实现，该软件程序运行于芯片内部集成的处理器，剩余的(如果有)部分模块/单元可以采用电路等硬件方式实现；对于应用于或集成于芯片模组的各个装置、产品，其包含的各个模块/单元可以都采用电路等硬件的方式实现，不同的模块/单元可以位于芯片模组的同一组件(例如芯片、电路模块等)或者不同组件中，或者，至少部分模块/单元可以采用软件程序的方式实现，该软件程序运行于芯片模组内部集成的处理器，剩余的(如果有)部分模块/单元可以采用电路等硬件方式实现；对于应用于或集成于终端的各个装置、产品，其包含的各个模块/单元可以都采用电路等硬件的方式实现，不同的模块/单元可以位于终端内同一组件(例如，芯片、电路模块等)或者不同组件中，或者，至少部分模块/单元可以采用软件程序的方式实现，该软件程序运行于终端内部集成的处理器，剩余的(如果有)部分模块/单元可以采用电路等硬件方式实现。
91.本技术实施例还公开了一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序运行时可以执行前述方法的步骤。所述存储介质可以包括rom、ram、磁盘或光盘等。所述存储介质还可以包括非挥发性存储器(non-volatile)或者非瞬态(non-transitory)存储器等。
92.本技术实施例还公开了一种终端设备，所述终端设备可以包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序。所述处理器运行所述计算机程序时可以执行前述方法的步骤。所述终端设备包括但不限于手机、计算机、平板电脑等终端设备。
93.应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/“，表示前后关联对象是一种“或”的关系。
94.本技术实施例中出现的“多个”是指两个或两个以上。
95.本技术实施例中出现的第一、第二等描述，仅作示意与区分描述对象之用，没有次序之分，也不表示本技术实施例中对设备个数的特别限定，不能构成对本技术实施例的任何限制。
96.本技术实施例中出现的“连接”是指直接连接或者间接连接等各种连接方式，以实现设备间的通信，本技术实施例对此不做任何限定。
97.应理解，本技术实施例中，所述处理器可以为中央处理单元(central processing unit，简称cpu)，该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，简称dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，简称asic)、现成可编程门阵列(field programmable gate array，简称fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
98.还应理解，本技术实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，简称rom)、可编程只读存储器(programmable rom，简称prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable prom，简称eprom)、电可擦除可编程只读存储器(electrically eprom，简称eeprom)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，简称ram)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的随机存取存储器(random access memory，简称ram)可用，例如静态随机存取存储器(static ram，简称sram)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(synchronous dram，简称sdram)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate sdram，简称ddr sdram)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced sdram，简称esdram)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink dram，简称sldram)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus ram，简称dr ram)。
99.上述实施例，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或其他任意组合来实现。当使用软件实现时，上述实施例可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令或计算机程序。在计算机上加载或执行所述计算机指令或计算机程序时，全部或部分地产生按照本技术实施例所述的流程或功能。所述计算机可以为通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线或无线方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集合的服务器、数据中心等数据存储设备。
100.应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
101.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法、装置和系统，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的；例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式；例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
102.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
103.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理包括，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
104.上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的部分步骤。
105.虽然本技术披露如上，但本技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。