一种存储设备私有日志的收集方法、设备及存储介质与流程

1.本发明涉及存储设备技术领域，具体涉及一种存储设备私有日志的收集方法、设备及存储介质。


背景技术：

2.edsff作为一种新型的存储设备，一共有long和short两种尺寸，分别对应e1.l与e1.s的接口形态。e1.s与e1.l的就像一把“尺子”一样，十分细长但体积较小。十分适合在1u服务器中做竖插的高密存储，实现2.5寸硬盘无法达到的存储规模与性能上限。
3.但是存储设备在使用过程中，无论什么形态、什么接口，实质上还是数据的载体，作为存储设备，就有发生问题和异常可能性。当前2.5寸的ssd或hdd只能通过sata或sas协议中的规范，使用操作系统下的硬盘信息读取命令，收集盘的smart信息，smart信息作为盘的基础信息，仅能展示上电时间、下电次数等宏观上的数据统计。无法记录存储设备更底层的异常信息，并且操作系统瘫痪时，盘便会失去活性，无法再进行信息收集供研发人员分析。
4.依据于edsff新型存储设备的优势，与传统2.5寸硬盘相比，edsff是一种全新的存储接口，会有更多的金手指和寄存器设计，我们可以利用寄存器进行flash、dram、sram等元器件异常信息的收集，再通过专门的收集工具将edsff中的金手指作为信息通道，进行这类异常信息的收集，实现了在sata/sas协议中smart信息之外，收集存储设备底层控制器、闪存、sector等元器件私有日志的目的。
5.此类私有日志可以记录edsff存储设备在生命周期中任何的异常，包括某时刻电压抖动、pe cycle fail、fw assert等，这些记录是协议中smart日志无法记录的，在存储设备发生异常时，研发人员可以根据设计的私有日志进行问题分析与故障排查，无需在数据中心再进行问题复现，从而提升客户满意度。
6.但是，smart日志只能在宏观层面上记录存储设备的基本信息，对疑难问题分析收益甚小；smart信息依附于操作系统，操作系统死机或宕机时无法再进行smart日志的收集。


技术实现要素：

7.有鉴于此，本发明的目的在于提出一种存储设备私有日志的收集方法、设备及存储介质，根据edsff新型存储设备金手指与寄存器多于传统硬盘的优势，对edsff存储器的部分寄存器进行了改配，使这些寄存器与存储设备中的flash、dram、sram等元件器进行联通，从而对元器件实现底层日志记录功能。再通过edsff中的特殊金手指通道，与专属收集工具互联，降低日志收集对操作系统的依赖性。解决传统存储设备出现异常只能依靠smart基本信息猜测root cause和复现效率低的问题，提升数据中心的质量稳定性和客户体验感。
8.基于上述目的，一方面，本发明提供了一种存储设备私有日志的收集方法，该方法包括：
9.将edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram在内的元器件间联通，使每个关键元器件均与一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态；
10.通过收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析。
11.作为本发明的进一步方案，所述edsff新型存储设备中额外设计有16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常。
12.作为本发明的进一步方案，所述edsff新型存储设备中额外设计的16个新型寄存器中设有闪存芯片，所述闪存芯片用于每个关键元器件生命周期状态的信息记录。
13.作为本发明的进一步方案，16个寄存器分别从监控edsff存储设备中16个不同的异常状态，所述16个寄存器用于实时记录存储设备的写保护、fw挂起原因、nand写入与die故障、xor flash异常、dram与sram的ecc报错、闪存电流电压异常、电容失效、控制器重置、数据模型、温度曲线、pe cycle、命令超时、edsff reset和core核心异常的16个方面对edsff存储设备进行信息收集与底层日志记录。
14.作为本发明的进一步方案，16个寄存器的监控项目包括：
15.write project，用于设备进入写保护的原因记录；
16.fw assert，用于fw异常或固件断开记录；
17.nand write issue，用于nnad中出现写入故障，有记录和异常反馈；
18.nand die fail，用于nand中出现die异常，有记录和异常反馈；
19.xor fail，用于xor flash出现异常，会单独体现失败信息；
20.dram ecc，用于dram出现ecc问题，会单独记录和报错；
21.sram ecc，用于sram出现ecc问题，会单独记录和报错；
22.nor flash fail，用于闪存中出现故障，包括电流、电压异常的记录；
23.cap(电容)fail，用于设备中电容异常或损坏的记录；
24.controller reset，用于控制器复位时记录复位原因和触发条件；
25.data record，用于记录设备生命周期内压力或业务场景的数据变化；
26.temperature，用于记录温度变化的曲线，非最高或最低的瞬时值；
27.flash pe，用于记录闪存中擦写次数；
28.cmd timeout，用于命令超时或异常时，可以记录具体异常命令；
29.ssd reset，用于设备reset时，记录自身reset或os给的xx reset命令；
30.power-on sequence，用于控制器记录上电时序和引导流程及core中的数据记录。
31.本发明的再一方面，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时执行上述任一项根据本发明的存储设备私有日志的收集方法。
32.本发明的又一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序指令，该计算机程序指令被执行时实现上述任一项根据本发明的存储设备私有日志的收集方法。
33.相比于传统的实现方式，本发明的主要优势有：
34.本发明通过对edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram等元器件间的联通，使得每个关键元器件都有一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态。再通过特殊收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存
器信息用于异常问题的分析，不再依靠于操作系统，在os死机或服务器宕机情况下，仍然不影响存储设备的底层信息收集，从而实现了更高效率的异常状态分析。
35.本发明通过新型edsff存储设备特有的接口与底层日志收集功能，优化了传统2.5寸硬盘日志记录与收集方式，当存储设备挂起或服务器系统宕机时，可以通过edsff特殊金手指通道进行16个单独寄存器的底层日志收集，丰富私有日志信息的同时优化传统的日志收集手段，便于研发人员进行fa分析，保障客户端系统可靠性，提升客户体验感。
36.本技术的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
38.在图中：
39.图1为本发明的存储设备私有日志的收集方法中额外设计新型寄存器的结构示意图；
40.图2为本发明的实现存储设备私有日志的收集方法的计算机可读存储介质的实施例的示意图；
41.图3为本发明的实现存储设备私有日志的收集方法的计算机设备的实施例的硬件结构示意图。
具体实施方式
42.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。
43.需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称的非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备固有的其他步骤或单元。
44.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
45.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
46.附图中所示的流程图仅是示例说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解、组合或部分合并，因此实际
执行的顺序有可能根据实际情况改变。
47.下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
48.由于smart日志只能在宏观层面上记录存储设备的基本信息，对疑难问题分析收益甚小；smart信息依附于操作系统，操作系统死机或宕机时无法再进行smart日志的收集。
49.鉴于此，本发明的实施例提供了一种存储设备私有日志的收集方法、设备及存储介质，根据edsff新型存储设备金手指与寄存器多于传统硬盘的优势，对edsff存储器的部分寄存器进行了改配，使这些寄存器与存储设备中的flash、dram、sram等元件器进行联通，从而对元器件实现底层日志记录功能。再通过edsff中的特殊金手指通道，与专属收集工具互联，降低日志收集对操作系统的依赖性。解决传统存储设备出现异常只能依靠smart基本信息猜测root cause和复现效率低的问题，提升数据中心的质量稳定性和客户体验感。
50.在本发明的一些实施例中，参见图1所示，提供了一种存储设备私有日志的收集方法，该方法包括：
51.将edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram在内的元器件间联通，使每个关键元器件均与一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态；
52.通过收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析。
53.在本发明的实施例中，所述edsff新型存储设备中额外设计有16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常。
54.本发明根据edsff新型存储设备金手指与寄存器多于传统硬盘的优势，对edsff存储器的部分寄存器进行了改配，使这些寄存器与存储设备中的flash、dram、sram等元件器进行联通，从而对元器件实现底层日志记录功能。再通过edsff中的特殊金手指通道，与专属收集工具互联，降低日志收集对操作系统的依赖性。解决传统存储设备出现异常只能依靠smart基本信息猜测root cause和复现效率低的问题，提升数据中心的质量稳定性和客户体验感。
55.在本发明的实施例中，所述edsff新型存储设备中额外设计的16个新型寄存器中设有闪存芯片，所述闪存芯片用于每个关键元器件生命周期状态的信息记录。
56.在本发明的实施例中，16个寄存器分别从监控edsff存储设备中16个不同的异常状态，所述16个寄存器用于实时记录存储设备的写保护、fw挂起原因、nand写入与die故障、xor flash异常、dram与sram的ecc报错、闪存电流电压异常、电容失效、控制器重置、数据模型、温度曲线、pe cycle、命令超时、edsff reset和core核心异常的16个方面对edsff存储设备进行信息收集与底层日志记录。
57.本发明通过对edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram等元器件间的联通，使得每个关键元器件都有一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态。再通过特殊收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析，不再依靠于操作系统，在os死机或服务器宕机情况下，仍然不影响存储设备的底层信息收集，从而实现了更高效率的异常状态分析。
58.其中，在edsff新型存储设备中，会额外设计16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常，这些寄存器中有闪存芯片，可以实现每个关键元器件生命周期状
态的信息记录。当存储设备挂起或服务器系统宕机时，可以使用专属工具与edsff的金手指通道建立通路，从而实现edsff设备中寄存器私有日志的收集。
59.在一些实施例中，16个寄存器分别用于监控edsff存储设备中16个不同的异常状态，16个寄存器的监控项目包括：
60.write project，用于设备进入写保护的原因记录；
61.fw assert，用于fw异常或固件断开记录；
62.nand write issue，用于nnad中出现写入故障，有记录和异常反馈；
63.nand die fail，用于nand中出现die异常，有记录和异常反馈；
64.xor fail，用于xor flash出现异常，会单独体现失败信息；
65.dram ecc，用于dram出现ecc问题，会单独记录和报错；
66.sram ecc，用于sram出现ecc问题，会单独记录和报错；
67.nor flash fail，用于闪存中出现故障，包括电流、电压异常的记录；
68.cap(电容)fail，用于设备中电容异常或损坏的记录；
69.controller reset，用于控制器复位时记录复位原因和触发条件；
70.data record，用于记录设备生命周期内压力或业务场景的数据变化；
71.temperature，用于记录温度变化的曲线，非最高或最低的瞬时值；
72.flash pe，用于记录闪存中擦写次数；
73.cmd timeout，用于命令超时或异常时，可以记录具体异常命令；
74.ssd reset，用于设备reset时，记录自身reset或os给的xx reset命令；
75.power-on sequence，用于控制器记录上电时序和引导流程及core中的数据记录。
76.16个寄存器分别用于监控edsff存储设备中16个不同的异常状态，参见下表所示：
77.[0078][0079]
通过edsff中特殊寄存器的设计，可以实时记录存储设备的写保护、fw挂起原因、nand写入与die故障、xor flash异常、dram与sram的ecc报错、闪存电流电压异常、电容失效、控制器重置、数据模型、温度曲线、pe cycle、命令超时、edsff reset和core核心异常的16个方面对edsff存储设备进行信息收集与底层日志记录，从而在根本上解决传统2.5寸硬盘无法记录底层日志的问题，提升研发人员解决疑难问题的时效，大大提升了服务器运行的可靠性。
[0080]
综上所示，通过新型edsff存储设备特有的接口与底层日志收集功能，优化了传统2.5寸硬盘日志记录与收集方式，当存储设备挂起或服务器系统宕机时，可以通过edsff特殊金手指通道进行16个单独寄存器的底层日志收集，丰富私有日志信息的同时优化传统的日志收集手段，便于研发人员进行fa分析，保障客户端系统可靠性，提升客户体验感。
[0081]
需要说明的是，本发明中edsff新型存储设备，不同于当前的2.5寸硬盘，其尺寸、架构、金手指通道都与当前硬盘不同，edsff拥有更多的寄存器空间和金手指通道，我们利用这些寄存器和金手指通道，新定义了edsff底层私有日志项目和一种全新的日志收集方法。
[0082]
应该理解的是，上述虽然是按照某一顺序描述的，但是这些步骤并不是必然按照上述顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，本实施例的一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0083]
本发明实施例的第二个方面，还提供了一种计算机设备400，包括存储器420和处理器410，该存储器中存储有计算机程序，该计算机程序被该处理器执行时实现上述任意一
项实施例的方法，包括以下步骤：
[0084]
将edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram在内的元器件间联通，使每个关键元器件均与一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态；
[0085]
通过收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析。
[0086]
所述edsff新型存储设备中额外设计有16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常。
[0087]
其中，16个寄存器的监控项目包括：
[0088]
write project，用于设备进入写保护的原因记录；
[0089]
fw assert，用于fw异常或固件断开记录；
[0090]
nand write issue，用于nnad中出现写入故障，有记录和异常反馈；
[0091]
nand die fail，用于nand中出现die异常，有记录和异常反馈；
[0092]
xor fail，用于xor flash出现异常，会单独体现失败信息；
[0093]
dram ecc，用于dram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0094]
sram ecc，用于sram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0095]
nor flash fail，用于闪存中出现故障，包括电流、电压异常的记录；
[0096]
cap(电容)fail，用于设备中电容异常或损坏的记录；
[0097]
controller reset，用于控制器复位时记录复位原因和触发条件；
[0098]
data record，用于记录设备生命周期内压力或业务场景的数据变化；
[0099]
temperature，用于记录温度变化的曲线，非最高或最低的瞬时值；
[0100]
flash pe，用于记录闪存中擦写次数；
[0101]
cmd timeout，用于命令超时或异常时，可以记录具体异常命令；
[0102]
ssd reset，用于设备reset时，记录自身reset或os给的xx reset命令；
[0103]
power-on sequence，用于控制器记录上电时序和引导流程及core中的数据记录。
[0104]
如图3所示，为本发明提供的执行存储设备私有日志的收集方法的计算机设备的一个实施例的硬件结构示意图。以如图3所示的计算机设备400为例，在该计算机设备中包括一个处理器410以及一个存储器420，并还可以包括：输入装置430和输出装置440。处理器410、存储器420、输入装置430和输出装置440可以通过总线或者其他方式连接，图3中以通过总线连接为例。输入装置430可接收输入的数字或字符信息，以及产生与存储设备私有日志的收集有关的信号输入。输出装置440可包括显示屏等显示设备。
[0105]
存储器420作为一种非易失性计算机可读存储介质，可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块，如本技术实施例中的存储设备私有日志的收集方法对应的程序指令/模块。存储器420可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储存储设备私有日志的收集方法的使用所创建的数据等。此外，存储器420可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中，存储器420可选包括相对于处理器410远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至本地模块。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
[0106]
处理器410通过运行存储在存储器420中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例的存储设备私有日志的收集方法，步骤以下步骤：
[0107]
将edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram在内的元器件间联通，使每个关键元器件均与一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态；
[0108]
通过收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析。
[0109]
所述edsff新型存储设备中额外设计有16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常。
[0110]
其中，16个寄存器的监控项目包括：
[0111]
write project，用于设备进入写保护的原因记录；
[0112]
fw assert，用于fw异常或固件断开记录；
[0113]
nand write issue，用于nnad中出现写入故障，有记录和异常反馈；
[0114]
nand die fail，用于nand中出现die异常，有记录和异常反馈；
[0115]
xor fail，用于xor flash出现异常，会单独体现失败信息；
[0116]
dram ecc，用于dram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0117]
sram ecc，用于sram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0118]
nor flash fail，用于闪存中出现故障，包括电流、电压异常的记录；
[0119]
cap(电容)fail，用于设备中电容异常或损坏的记录；
[0120]
controller reset，用于控制器复位时记录复位原因和触发条件；
[0121]
data record，用于记录设备生命周期内压力或业务场景的数据变化；
[0122]
temperature，用于记录温度变化的曲线，非最高或最低的瞬时值；
[0123]
flash pe，用于记录闪存中擦写次数；
[0124]
cmd timeout，用于命令超时或异常时，可以记录具体异常命令；
[0125]
ssd reset，用于设备reset时，记录自身reset或os给的xx reset命令；
[0126]
power-on sequence，用于控制器记录上电时序和引导流程及core中的数据记录。
[0127]
本发明实施例的第四个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，图2为本发明实施例提供的存储设备私有日志的收集方法的计算机可读存储介质的示意图。如图2所示，计算机可读存储介质300存储有计算机程序指令310，该计算机程序指令310可以被处理器执行。该计算机程序指令310被执行时实现上述任意一项实施例的方法，包括以下步骤：
[0128]
将edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram在内的元器件间联通，使每个关键元器件均与一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态；
[0129]
通过收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析。
[0130]
所述edsff新型存储设备中额外设计有16个新型寄存器，分别用于监控16个不同状态的错误与异常。
[0131]
其中，16个寄存器的监控项目包括：
[0132]
write project，用于设备进入写保护的原因记录；
[0133]
fw assert，用于fw异常或固件断开记录；
[0134]
nand write issue，用于nnad中出现写入故障，有记录和异常反馈；
[0135]
nand die fail，用于nand中出现die异常，有记录和异常反馈；
[0136]
xor fail，用于xor flash出现异常，会单独体现失败信息；
[0137]
dram ecc，用于dram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0138]
sram ecc，用于sram出现ecc问题，会单独记录和报错；
[0139]
nor flash fail，用于闪存中出现故障，包括电流、电压异常的记录；
[0140]
cap(电容)fail，用于设备中电容异常或损坏的记录；
[0141]
controller reset，用于控制器复位时记录复位原因和触发条件；
[0142]
data record，用于记录设备生命周期内压力或业务场景的数据变化；
[0143]
temperature，用于记录温度变化的曲线，非最高或最低的瞬时值；
[0144]
flash pe，用于记录闪存中擦写次数；
[0145]
cmd timeout，用于命令超时或异常时，可以记录具体异常命令；
[0146]
ssd reset，用于设备reset时，记录自身reset或os给的xx reset命令；
[0147]
power-on sequence，用于控制器记录上电时序和引导流程及core中的数据记录。
[0148]
应当理解，在相互不冲突的情况下，以上针对根据本发明的存储设备私有日志的收集方法阐述的所有实施方式、特征和优势同样地适用于根据本发明的存储设备私有日志的收集系统和存储介质。
[0149]
本发明通过对edsff新型存储设备的寄存器与flash、dram、sram等元器件间的联通，使得每个关键元器件都有一个寄存器空间进行对应，用于收集元件器生命周期内的任何异常状态。再通过特殊收集工具和edsff的金手指通道进行互联，在存储设备内导出寄存器信息用于异常问题的分析，不再依靠于操作系统，在os死机或服务器宕机情况下，仍然不影响存储设备的底层信息收集，从而实现了更高效率的异常状态分析。
[0150]
本发明通过新型edsff存储设备特有的接口与底层日志收集功能，优化了传统2.5寸硬盘日志记录与收集方式，当存储设备挂起或服务器系统宕机时，可以通过edsff特殊金手指通道进行16个单独寄存器的底层日志收集，丰富私有日志信息的同时优化传统的日志收集手段，便于研发人员进行fa分析，保障客户端系统可靠性，提升客户体验感。
[0151]
以上是本发明公开的示例性实施例，但是应当注意，在不背离权利要求限定的本发明实施例公开的范围的前提下，可以进行多种改变和修改。根据这里描述的公开实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不需以任何特定顺序执行。此外，尽管本发明实施例公开的元素可以以个体形式描述或要求，但除非明确限制为单数，也可以理解为多个。
[0152]
应当理解的是，在本文中使用的，除非上下文清楚地支持例外情况，单数形式“一个”旨在也包括复数形式。还应当理解的是，在本文中使用的“和/或”是指包括一个或者一个以上相关联地列出的项目的任意和所有可能组合。上述本发明实施例公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0153]
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上的本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实
施例的保护范围之内。