一种基于负载牵引的甜点搜索方法、电子装置及存储介质

1.本发明涉及高线性功放设计技术领域，具体而言，涉及一种基于负载牵引的甜点搜索方法、电子装置及存储介质。


背景技术：

2.线性度是射频功率放大器设计中的一项重要指标。为了提升线性度，通常可采用功率回退的方式，尽可能减弱射频输出信号波形的裁剪，降低输出信号的失真，然而该方法的代价是牺牲效率。为解决上述问题，诸多线性化技术被提出用于实现在线性度提升的同时减小效率的损失，主要分为两类，第一类是在原有功率放大器外围添加额外的功能电路，然而该类方法会带来例如成本、尺寸、带宽甚至因额外电路引入进一步恶化效率等问题。第二类则是从提升晶体管线性度角度来改进功放设计架构，该方法主要从输入功率、谐波阻抗和偏置点选择等角度出发，通过选择最佳偏置及谐波匹配阻抗最终实现整体功放线性度提升的同时兼顾效率。其中，基于晶体管三阶交调甜点的线性度优化方法能够利用功率扫描曲线中三阶交调极小值减小功率回退量进而保证效率，是一种高线性功放设计的理想解决方案。
3.三阶交调甜点表现为功率扫描曲线中，随着输入功率的增加，在某个输入功率点附近，三阶交调呈现先减小后增大的变化趋势。其本质是一种大信号和小信号三阶交调分量之间的相位消除现象。在甜点研究方面，1999年，葡萄牙阿威罗大学的n.b.de carvalho等人提出了一种晶体管行为级模型，首次实现了甜点特性的预测[n.b.de carvalho and j.c.pedro,"large-and small-signal imd behavior of microwave power amplifiers,"ieee transactions on microwave theory and techniques,vol.47,no.12,pp.2364-2374,dec.1999.]，并将其应用于甜点产生原理及其调控方法的研究。2005年，韩国浦项科技大学的yong-sub lee等人对ldmos射频功率放大器中甜点的温度相关性开展了研究[yong-sub lee,seung-yup lee and yoon-ha jeong,"effects of temperature on the imd sweet spots in an ldmosfet rf power amplifier,"2005 asia-pacific microwave conference proceedings,2005,pp.1-4.]，分析了温度对甜点位置及其偏置相关性的影响机制。2007年，该作者进一步将甜点应用于一款模拟预失真放大器的设计[y.-s.lee,m.-w.lee,s.-w.jung and y.-h.jeong,"analog predistortion power amplifier using imd sweet spots for wcdma applications,"2007 asia-pacific microwave conference,2007,pp.1-4.]，利用甜点来消除三阶和五阶互调分量，以提高功放在wcdma信号激励下的线性度。2017年，英国布里斯托大学的p.e.de falco等人针对ab类放大器响应中的甜点效应展开了研究[p.e.de falco,j.birchall and l.smith,"hitting the sweet spot:a single-ended power amplifier exploiting class ab sweet spots and optimized third harmonic termination,"ieee microwave magazine,vol.18,no.1,pp.63-70,jan.-feb.2017.]，作者通过优化晶体管的三次谐波端接阻抗来调控甜点，实现了-30dbc的三阶交调下44％的双音功率附加效率。
[0004]
虽然上述现有的同类技术中给出了甜点的产生机理及其调控方法，但仍无法与传统功放设计的负载牵引方法相结合，且基于变偏置的甜点调控方式需要通过反复调试才能实现最佳甜点的搜索，设计效率不佳。因此，如何实现甜点搜索与负载牵引技术的结合，进而实现高效率的甜点调控，是目前基于晶体管甜点技术开展高线性设计亟需解决的问题。


技术实现要素：

[0005]
有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供可用于芯片设计的晶体管甜点搜索方法，能够在传统负载牵引设计方法基础上，进一步提升晶体管的线性度，用于指导高线性功放设计。
[0006]
本发明的第一方面提供了一种基于负载牵引的甜点搜索方法，所述方法包括：
[0007]
步骤1，针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围；
[0008]
步骤2，基于预设的牵引仿真条件，以最大输出功率为目标进行源、负载牵引，确定最大输出功率对应的源阻抗点；
[0009]
步骤3，将所述最大输出功率对应的源阻抗点作为晶体管的源阻抗，同时根据步骤1中预设的牵引仿真条件中的阻抗扫描范围，确定阻抗扫描点，并依次将每个阻抗扫描点作为晶体管的负载阻抗，进行谐波平衡仿真，计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置；
[0010]
步骤4，根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个所述甜点位置对应输入功率下的输出功率、功率附加效率和甜点深度；
[0011]
步骤5，对比每个负载阻抗点下的输出功率、功率附加效率、甜点位置和甜点深度，确定最佳负载阻抗点。
[0012]
优选的，所述针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围，包括：针对需要进行牵引的晶体管，预先设定采用其大信号模型进行源、负载牵引的仿真条件；所述仿真条件包括：频率，双音频率间隔，静态栅-源、漏-源偏置电压，饱和输入功率点，负载牵引扫描圆心横、纵坐标，负载牵引扫描点数，负载牵引扫描半径。
[0013]
优选的，所述基于预设的牵引仿真条件，以最大输出功率为目标进行源、负载牵引，确定最大输出功率对应的源阻抗点，包括：
[0014]
步骤2-1，根据所述负载牵引扫描圆心、扫描点数和扫描半径，在smith圆图中平行于零阻抗线和垂直于零阻抗线方向保证取点数相同且每个方向阻抗点等距离分布的规则下，生成源阻抗扫描点分布图；在每个阻抗点下进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管的输出功率，并选出最大输出功率对应的源阻抗点；
[0015]
步骤2-2，将步骤2-1中选出的源阻抗点设定为晶体管的源阻抗，分别将步骤2-1中生成的阻抗扫描点分布图中每个阻抗点作为晶体管的负载阻抗，进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管在各点的输出功率，并选出最大输出功率对应的负载阻抗点；
[0016]
步骤2-3，将步骤2-2中选出的负载阻抗点设定为晶体管的负载阻抗，重复步骤2-1，寻找最大输出功率对应的源阻抗，用于后续的甜点负载牵引。
[0017]
优选的，所述计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置，包括：
[0018]
每个阻抗点下三阶交调特性对应的输入功率范围为所述功率回退范围；所述三阶
交调特性是采用三阶交调上边带分量和下边带分量取均值计算得到；
[0019]
根据每个负载阻抗点下计算的三阶交调特性，采用寻找功率回退范围内的三阶交调极小值的方式寻找甜点，确定甜点对应的输入功率作为甜点位置。
[0020]
优选的，所述根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个所述甜点位置对应输入功率下的输出功率、功率附加效率和甜点深度，包括：
[0021]
根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，采用商用spice仿真软件分别计算该位置对应输入功率下的输出功率和功率附加效率；
[0022]
对于每个负载阻抗点下的甜点深度，通过如下步骤计算：
[0023]
步骤4-1，进行甜点判定，若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中不存在甜点，即甜点位置为0，则设置该点的甜点深度为0；若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中存在甜点，即甜点位置不为0，则调取该阻抗点对应的功率回退范围内的三阶交调特性；
[0024]
步骤4-2，根据该阻抗点下的三阶交调特性求一阶差分，并寻找差分小于0的输入功率范围，确定该范围的起始和终止输入功率值p
sp_start
和p
sp_stop
；
[0025]
步骤4-3，调用商用spice仿真软件分别计算输入功率为p
sp_start-3db和p
sp_stop
+3db下的三阶交调特性，并依据这两个输入功率值及其三阶交调特性，分别计算穿过这两个数据点直线的斜率k
imd3_sp
和截距b
imd3_sp
；在此基础上，根据直线的斜率和截距，构建关于输入功率p
in
的三阶交调p
imd3_sp
的曲线方程p
imd3_sp
＝k
imd3_sp
×
p
in
+b
imd3_sp
；
[0026]
步骤4-4，将甜点对应输入功率代入所述曲线方程用于计算甜点位置处的p
imd3_sp
，作为该甜点对应的甜点深度。
[0027]
此外，本发明的第二方面提供了一种电子装置，所述电子装置包括：一个或多个处理器，存储器，所述存储器用于存储一个或多个计算机程序；所述计算机程序被配置成由所述一个或多个处理器执行，所述程序包括用于执行如上所述的基于负载牵引的甜点搜索方法步骤。
[0028]
此外，本发明的第三方面提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序；所述程序由处理器加载并执行以实现如上任一项所述的基于负载牵引的甜点搜索方法步骤。
[0029]
本发明的方案中，通过针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围；基于预设的牵引仿真条件，以最大输出功率为目标进行源、负载牵引，确定最大输出功率对应的源阻抗点；根据最大输出功率对应的源阻抗点作为晶体管的源阻抗，同时根据预设的牵引仿真条件中的阻抗扫描范围，确定阻抗扫描点，并依次将每个阻抗扫描点作为晶体管的负载阻抗，进行谐波平衡仿真，计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置；根据每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个甜点位置对应输入功率下的输出功率、功率附加效率和甜点深度；对比每个负载阻抗点下的输出功率、功率附加效率、甜点位置和甜点深度，确定最佳负载阻抗点。相比于现有技术，一方面，通过预设功率回退范围，计算不同负载阻抗下功率范围内各输入功率点下的线性度，实现了回退范围内线性度的同步监测及甜点搜寻；另一方面，通过结合负载牵引技术，实现了在预设回退范围寻找各阻抗点下的甜点。
附图说明
[0030]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0031]
图1是本发明实施例公开的基于负载牵引的甜点搜索方法流程图；
[0032]
图2是本发明实施例公开的smith圆图中的源/负载牵引阻抗扫描点范围示意图；
[0033]
图3是本发明实施例公开的甜点搜索规则示意图；
[0034]
图4是本发明实施例公开的关于甜点深度计算示意图；
[0035]
图5是本发明实施例公开的smith圆图中绘制的阻抗圆图；
[0036]
图6是本发明实施例公开的特定参数下的smith圆图中绘制的阻抗圆图；
[0037]
图7是本发明实施例公开的表1中各负载阻抗点对应的功率扫描曲线；
[0038]
图8是本发明实施例公开的技术方案总体流程图。
具体实施方式
[0039]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0040]
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本技术的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本技术的各方面。
[0041]
附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
[0042]
附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
[0043]
需要说明的是：在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。
[0044]
以下对本技术实施例的技术方案的实现细节进行详细阐述：
[0045]
本实施例提供了一种基于负载牵引的甜点搜索方法，如图1所示，所述方法包括：
[0046]
步骤s1，针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围。
[0047]
具体地，本实施例，针对需要进行牵引的晶体管，预先设定采用其大信号模型进行源/负载牵引的仿真条件，包括：频率f，双音频率间隔δf，静态栅-源和漏-源偏置电压v
gs
和v
ds
，饱和输入功率点p
in-3db
，负载牵引扫描圆心横/纵坐标x_center/y_center，负载牵引扫描点数n_lp，负载牵引扫描半径r_lp。
[0048]
此外，为确定功率回退范围，还需要设定回退功率量bo，则功率回退范围即p
in-3db
–
bo～p
in-3db
。
[0049]
步骤s2，基于预设的牵引仿真条件，以最大输出功率为目标进行源、负载牵引，确定最大输出功率对应的源阻抗点。
[0050]
具体地，本实施例，基于预设的牵引仿真条件，本实施例将分以下几个步骤开展以最大输出功率为目标的源/负载牵引。
[0051]
步骤s2-1，根据所述负载牵引扫描圆心、扫描点数和扫描半径，在smith圆图中平行于零阻抗线和垂直于零阻抗线方向保证取点数相同且每个方向阻抗点等距离分布的规则下，生成源阻抗扫描点分布图；在每个阻抗点下进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管的输出功率，并选出最大输出功率对应的源阻抗点。
[0052]
具体地，本实施例，固定负载阻抗为50欧姆，根据步骤1中设置的负载牵引扫描圆心、扫描点数和扫描半径，在smith圆图中平行于零阻抗线和垂直于零阻抗线方向保证取点数相同且每个方向阻抗点等距离分布的规则下生成源阻抗扫描点分布图，如图2所示，为本实施例的smith圆图中的源/负载牵引阻抗扫描点范围示意图。在此基础上，采用商用spice仿真软件在每个阻抗点下进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管的输出功率，并选出其中最大输出功率对应的源阻抗点。
[0053]
步骤s2-2，将步骤s2-1中选出的源阻抗点设定为晶体管的源阻抗，分别将步骤2-1中生成的阻抗扫描点分布图中每个阻抗点作为晶体管的负载阻抗，进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管在各点的输出功率，并选出最大输出功率对应的负载阻抗点。
[0054]
具体地，本实施例，将该阻抗设定为晶体管的源阻抗，分别将图2中每个阻抗点作为晶体管的负载阻抗，采用商用spice仿真软件进行谐波平衡仿真，分别计算得到晶体管在各点的输出功率，并选出最大输出功率对应的负载阻抗点。
[0055]
步骤s2-3，将步骤s2-2中选出的负载阻抗点设定为晶体管的负载阻抗，重复步骤s2-1，寻找最大输出功率对应的源阻抗，用于后续的甜点负载牵引。
[0056]
具体地，本实施例，将该点作为晶体管的负载阻抗，重复步骤s2-1，寻找最大输出功率对应的源阻抗，用于后续的甜点负载牵引。
[0057]
步骤s3，根据所述最大输出功率对应的源阻抗点作为晶体管的源阻抗，同时根据步骤s1中预设的牵引仿真条件中的阻抗扫描范围，确定阻抗扫描点，并依次将每个阻抗扫描点作为晶体管的负载阻抗，进行谐波平衡仿真，计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置。
[0058]
优选的，所述计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置，包括：每个阻抗点下三阶交调特性对应的输入功率范围为所述功率回退范围；所述三阶交调特性是采用三阶交调上边带分量和下边带分量取均值计算得到；根据每个负载阻抗点下计算的三阶交调特性，采用寻找功率回退范围内的三阶交调极小值的方式寻找甜点，确定甜点对应的输入功率作为甜点位置。
[0059]
具体地，本实施例，将步骤s2确定的最大输出功率作为晶体管的源阻抗，同时，依次将图2中每个阻抗点作为晶体管的负载阻抗，采用商用spice仿真软件进行谐波平衡仿真，计算晶体管的三阶交调特性。其中，每个阻抗点下三阶交调特性对应的输入功率范围即步骤1中确定的功率回退范围，步进为1db。需要说明的是本专利中的三阶交调特性是采用三阶交调上边带分量和下边带分量取均值计算得到。
[0060]
根据每个负载阻抗点下计算的三阶交调特性，采用寻找功率回退范围内的三阶交调极小值的方式寻找甜点，确定甜点对应的输入功率，即甜点位置。如图3所述为本实施例甜点搜索规则示意图，其中，图3(a)所示为存在甜点的情况。若功率回退范围内不存在极小值，则判定为该阻抗点下没有甜点，即图3(b)所示的情况，该阻抗点的甜点位置设为0。
[0061]
步骤s4，根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个所述甜点位置对应输入功率下的输出功率、功率附加效率和甜点深度。
[0062]
优选的，所述根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个所述甜点位置对应输入功率下的输出功率、功率附加效率和甜点深度，包括：根据所述每个负载阻抗点下的甜点位置，采用商用spice仿真软件分别计算该位置对应输入功率下的输出功率和功率附加效率。
[0063]
对于每个负载阻抗点下的甜点深度，通过如下步骤计算：
[0064]
步骤s4-1，进行甜点判定，若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中不存在甜点，即甜点位置为0，则设置该点的甜点深度为0；若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中存在甜点，即甜点位置不为0，则调取该阻抗点对应的功率回退范围内的三阶交调特性
[0065]
具体地，本实施例，进行甜点判定，若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中不存在甜点，即甜点位置为0，则设置该点的甜点深度为0；若该负载阻抗点下晶体管三阶交调特性中存在甜点，即甜点位置不为0，则调取步骤s3中该阻抗点对应的功率回退范围内的三阶交调特性。具体地，如图4所示为本实例的关于甜点深度计算示意图。
[0066]
步骤s4-2，根据该阻抗点下的三阶交调特性求一阶差分，并寻找差分小于0的输入功率范围，确定该范围的起始和终止输入功率值p
sp_start
和p
sp_stop
；
[0067]
步骤s4-3，调用商用spice仿真软件分别计算输入功率为p
sp_start-3db和p
sp_stop
+3db下的三阶交调特性，并依据这两个输入功率值及其三阶交调特性，分别计算穿过这两个数据点直线的斜率k
imd3_sp
和截距b
imd3_sp
；在此基础上，根据直线的斜率和截距，构建关于输入功率p
in
的三阶交调p
imd3_sp
的曲线方程p
imd3_sp
＝k
imd3_sp
×
p
in
+b
imd3_sp
；
[0068]
步骤s4-4，将甜点对应输入功率代入所述曲线方程用于计算甜点位置处的p
imd3_sp
，作为该甜点对应的甜点深度。
[0069]
进一步，本实施例在进行计算各阻抗点下的输出功率、功率附加效率和甜点深度之后，还进一步执行绘制甜点位置、甜点深度、输出功率和功率附加效率圆图。
[0070]
其中，将步骤s3和步骤s4中的每个负载阻抗点下甜点位置、甜点位置处的输出功率、功率附加效率和甜点深度的计算结果与每个阻抗点位置一一关联，并采用smith圆图中等高线图的绘制方式，即可得到步骤s1预设仿真条件对应的甜点位置(p
in_sp
)、输出功率(p
out
)、功率附加效率(pae)和甜点深度(deltaimd3)圆图，如图5所示为本实施例smith圆图中绘制的阻抗圆图，其中，图5(a)为甜点位置圆图，图5(b)为甜点深度圆图，图5(c)为甜点位置输出功率圆图，图5(d)为甜点位置功率附加效率圆图。
[0071]
图5中，不同颜色对应不同数值的甜点位置、甜点深度、输出功率和功率附加效率，各指标的数值与颜色的对应关系如图中右侧长方形彩条所示。以甜点位置阻抗图(p
in_sp
)为例，图中黄色区域中阻抗点的甜点位置对应输入功率较高，而当负载阻抗为蓝色区域内的阻抗点时，晶体管的三阶交调在预设功率回退范围内不存在甜点。如图5(a)对应的甜点位置阻抗圆图所示，每条等高线分别对应不同的甜点位置。与甜点位置阻抗圆图类似，其余三
幅阻抗圆图均反应了在甜点位置对应输入功率的条件下，每个阻抗点的输出功率、功率附加效率和甜点深度指标分布。
[0072]
步骤s5，对比每个负载阻抗点下的输出功率、功率附加效率、甜点位置和甜点深度，确定最佳负载阻抗点。
[0073]
在一个实施例中，通过根据实际电路设计指标，在确保晶体管输出功率、功率附加效率、线性度都有设计余量的前提下，通过对比每个负载阻抗点下的输出功率、功率附加效率、甜点位置和甜点深度，折衷选出能够兼顾这些指标的阻抗点，确定为最佳负载阻抗点。
[0074]
例如，在频率为3.5ghz，频率间隔为10mhz，偏置为v
gs
＝-2.65v，v
ds
＝48v，以饱和功率点(20dbm)回退7db作为输入功率扫描范围的条件下采用晶体管大信号模型进行甜点搜索，得到如图6所示的如上特定参数下的smith圆图中绘制的阻抗圆图，其中描述了甜点位置、甜点深度、输出功率和功率附加效率阻抗圆图。为了对比不同阻抗点下的晶体管的各项输出特性，本实施例选取三个阻抗点进行对比，分别标记为m1、m2和m3。其中，图6(a)为甜点位置圆图，图6(b)为甜点深度圆图，图6(c)为甜点位置输出功率圆图，图6(d)甜点位置功率附加效率圆图。
[0075]
为了更为清晰得对比图6中三个阻抗点下的输出特性，本实施例将上述各点对应的阻抗值、输出功率、功率附加效率、甜点出现位置及甜点深度值展示在表1中。
[0076]
表1各阻抗点下的输出功率、功率附加效率、甜点位置和及其深度对比
[0077][0078]
如图6和表1所示，m1和m2点均靠近甜点深度峰值对应的阻抗点，然而m1阻抗点下甜点出现的位置比m2阻抗点提前1db，这意味着若采用m1作为负载阻抗，需要从饱和点回退5db才能进入甜点，而m2则只需要4db。因而，相比于m1点，选择m2点可以多获得1db的输出功率提升和1.2％的效率提升。对于m3阻抗点，相比于m1点和m2点，功率回退进一步缩小，然而由于其距离最佳功率和效率阻抗点较远，输出功率和效率则低于m1点和m2点。结合图6和表1中的对比结果，m2点可被认为是面向高线性设计的最佳负载阻抗点。
[0079]
为了验证上述对比结果，本实施例进一步考察了固定在图6中三个负载阻抗点下的功率扫描曲线，如图7所示为本实施例表1中各负载阻抗点对应的功率扫描曲线，其中图7(a)为三阶交调曲线图；图7(b)为输出功率及功率附加效率曲线图。
[0080]
如图7所示，三个负载阻抗点下甜点出现的位置及甜点深度与表1基本吻合。对于输出功率和功率附加效率，m1和m2对应曲线的差异也较小，且数值上优于m3对应的结果，这与表1中对比结果相吻合。上述结果进一步验证了本专利中基于负载牵引的晶体管甜点搜索方法的准确性。
[0081]
综上，如图8所示为本实施例的技术方案总体流程图。其中，开始以后，依次执行：预设牵引仿真条件及功率回退范围；以最大输出功率为目标进行源/负载牵引；功率回退范围内三阶交调计算及甜点搜索；计算各阻抗点下的输出功率、功率附加效率和甜点深度；绘
制甜点位置、甜点深度、输出功率和功率附加效率圆图；根据阻抗圆图确定最佳甜点深度、功率回退值及负载阻抗。本实施例通过负载牵引方法，寻找会出现甜点的阻抗点；根据负载得到的阻抗圆图，在甜点出现的范围内，通过选择不同的阻抗点来改变甜点的深度，实现对甜点的调控。
[0082]
相比于现有技术，本实施例，一方面，针对传统负载牵引只能够在单个输入功率点寻找最优三阶交调特性，无法同步查看功率回退后线性度特性的问题，本专利通过预设功率回退范围，计算不同负载阻抗下功率范围内各输入功率点下的线性度，实现了回退范围内线性度的同步监测及甜点搜寻。
[0083]
另一方面，针对传统晶体管线性度优化中基于变偏置进行甜点调控的方法只能实现甜点特性优化却不具备甜点搜索功能的问题，本专利结合负载牵引技术，实现了在预设回退范围寻找各阻抗点下的甜点，并以阻抗圆图的形式展示不同阻抗下的甜点位置及其深度的功能。
[0084]
本实施例的第二方面提供了一种电子装置，所述电子装置包括：一个或多个处理器，存储器，所述存储器用于存储一个或多个计算机程序；所述计算机程序被配置成由所述一个或多个处理器执行，所述程序包括用于执行如上所述的基于负载牵引的甜点搜索方法步骤。
[0085]
此外，本实施例的第三方面提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序；所述程序由处理器加载并执行以实现如上任一项所述的基于负载牵引的甜点搜索方法步骤。
[0086]
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
[0087]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口、装置或单元的间接耦合或通信连接，也可以是电的，机械的或其它的形式连接。
[0088]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
[0089]
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以
是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0090]
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网格设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0091]
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。