本发明涉及半导体存储装置、向半导体存储装置写入数据的数据写入方法、以及半导体存储装置的制造方法。
背景技术：
1、近年来，随着半导体存储装置的存储容量的增大化，比特单价便宜的nand型的闪速存储器正在普及。
2、但是，随着nand型的闪速存储器的大容量化和高集成化，由于写入的数据的经年变化和集中的读出工作，所保存的数据变得不能正确读出的问题变得显著。即，起因于担负保存数据的电荷的降低或由于读出工作而向邻接存储单元的微量的电荷的积累，在保存数据中产生错误。
3、作为这样的现象的避免对策，一般进行通过使用纠错码（ecc：error correctingcode）来纠正产生的错误并恢复为正确的数据。
4、但是，在纠错码中，能够纠正的比特数有极限，在产生了极限以上的比特数的错误的情况下，不能恢复到原来的状态。
5、因此，提出了如下那样的半导体存储器：在从存储器读出数据时，对读出的数据实施错误检测处理，在错误比特数多于规定阈值的情况下，执行将纠错后的数据写回到存储器（刷新处理）这样的刷新控制（例如，参照专利文献1）。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2013-125303号公报。
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、但是，近年来，出现了将nand型的闪速存储器用作读出专用的rom（read onlymemory，只读存储器）的产品。
3、此时，在制造商侧，作为这样的rom用途的闪速存储器，出货了预先写入信息数据（包括程序等）的闪速存储器。在进货了该闪速存储器的商品制造商侧，对信息数据写入完毕的闪速存储器进行基板安装。
4、但是，由于在该基板安装时的焊接等中施加到闪速存储器的高热，有时担负数据保持的电荷会降低，闪速存储器的数据保存期间短于当初规定的期间长度。
5、因此，考虑，对于在读出的数据中产生的错误比特的数量较多的块，通过对闪速存储器实施进行数据的重新写入这样的刷新处理，从而避免这样的状况。
6、但是，即使在信息数据写入稍后的闪速存储器中，有时读出的数据中产生的错误比特的数量超过规定阈值的块也成为许多。因此，当对处于这样的状态的闪速存储器实施刷新控制时，由于作为数据的重新写入对象的块成为许多，所以产生刷新控制所花费的时间变长的问题。
7、此外，在闪速存储器等半导体存储装置中，在产品出货前的功能测试中写入的数据未被正确读出的情况下被视为不良品，因此期望避免这样的状态来谋求成品率的提高。
8、因此，本发明的目的在于提供一种半导体存储装置、数据写入方法和半导体存储装置的制造方法，其能够在不导致刷新控制所花费的时间的增大和成品率降低的情况下延长数据保存期间。
9、用于解决课题的方案
10、本发明的半导体存储装置包括：存储器设备，具有保持数据的多个块；以及存储器控制部，控制所述存储器设备，所述存储器控制部具有：数据写入部，根据写入指令，向所述存储器设备的各个块写入信息数据；验证处理部，每当所述信息数据写入到各块时，从写入目的地的块读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量；以及重新写入处理部，在所述错误比特的数量为规定阈值以上的情况下，在与所述写入目的地的块不同的其他块中进行所述信息数据的写入。
11、此外，本发明的半导体存储装置包括：存储器设备，具有保持数据的多个块；以及存储器控制部，控制所述存储器设备，所述存储器控制部具有：数据写入部，根据写入指令，向所述存储器设备的各个块写入信息数据；验证处理部，每当所述信息数据写入到各块时，从写入目的地的块读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量；重新写入处理部，在所述错误比特的数量为规定阈值以上的情况下，在与所述写入目的地的块不同的其他块中进行所述信息数据的写入；以及刷新控制部，根据刷新指令，从所述多个块中的每一个读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量，在该错误比特的数量为所述阈值以上的块中写入对所述读出的信息数据实施了纠错的数据。
12、本发明的数据写入方法由半导体存储装置的存储器控制部进行，所述半导体存储装置具有：具有保持数据的多个块的存储器设备、和控制所述存储器设备的所述存储器控制部，所述方法具有：根据写入指令，向所述存储器设备的各个块写入信息数据的步骤；每当所述信息数据写入到各块时，从写入目的地的块读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量的步骤；以及在所述错误比特的数量为规定阈值以上的情况下，在与所述写入目的地的块不同的其他块中进行所述信息数据的写入的步骤。
13、本发明的半导体存储装置的制造方法具有：半导体ic制造工序，制造半导体ic，所述半导体ic包括：具有保持数据的多个块的存储器设备、和控制所述存储器设备的存储器控制部；数据写入工序，向所述半导体ic的所述存储器设备写入信息数据；安装工序，对所述半导体ic加热来安装在基板上；以及刷新工序，对所述半导体ic的所述存储器设备实施刷新处理，在所述数据写入工序中，所述存储器控制部执行如下步骤：向所述存储器设备的各个块写入信息数据的步骤；每当所述信息数据写入到各块时，从写入目的地的块读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量的步骤；以及在所述错误比特的数量为规定阈值以上的情况下，在与所述写入目的地的块不同的其他块中进行所述信息数据的写入的步骤，在所述刷新工序中，所述存储器控制部执行如下步骤：从所述多个块中的每一个读出所述信息数据，按每个所述块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量，在该错误比特的数量为所述阈值以上的块中写入对所述读出的信息数据实施了纠错的数据的步骤。
14、发明效果
15、在本发明的半导体存储装置中，在其制造后，在该半导体存储装置的制造源中，一边向存储器的各块写入信息数据，一边在每次将信息数据写入到各块时，从写入目的地的块读出信息数据，按每个块检测在读出的信息数据中产生的错误比特的数量。在此，在错误比特的数量不足规定阈值的情况下，判定为向写入目的地的块的数据写入成功了。但是，在错误比特的数量为阈值以上的情况下，判定为向写入目的地的块的数据写入失败了，在与该写入目的地的块不同的其他块中进行信息数据的写入。
16、由此，在数据的读出时，按每个块，得到具有读出数据中产生的错误比特的数量不足规定阈值的状态、即、相对于可纠错的错误比特数的极限值具有富余的状态的半导体存储装置。
17、因此，根据该半导体存储装置，例如即使在安装时暴露于高热，也能够使读出数据中产生的错误比特的数量不足可纠错的错误比特数的极限值，因此能够实现数据的保存期间的延长以及成品率的提高。
18、此外，在为了实现进一步的数据的保存期间的延长而对该半导体存储装置实施刷新控制的情况下，能够抑制实际进行刷新处理（数据的重新写入）的频率，因此能够实现刷新控制所花费的时间的缩短。