一种能改善TIC暗块的触控显示结构的制作方法

本发明涉及显示屏，尤其涉及一种能改善tic暗块的触控显示结构。

背景技术：

1、近年来，触控屏显示市场目前已进入产品多元化，从小尺寸的手机到中大尺寸的nb、平板、车载甚至到it产品。

2、触控技术主要分外挂式(outcell)与内嵌式(incell)两种，以手机、平板以及nb产品来说，为因应因成本、重量、厚度上考虑，内嵌式(incell)产品逐渐取代外挂式(outcell)产品。图1是内嵌式产品的结构示意图，图2是图1中a-a处剖视图，其触控显示结构包括有m1层、gi层、m2层、pv层、oc层和ch层。

3、但是，目前内嵌式(incell)产品有逐渐往窄边框趋势，故于fanout区域，由如图1和图2所示的触控显示结构，修改为如图3、图4和图5所示的触控显示结构，从图3中可以看出，该改进是在除icbonding(ic芯片键合)区之外的区域涂布一侧oc层(平坦化层)，并且在图1的基础上，增设了m3层和va层，如图4所示。

4、但由于icbonding区，无oc层，导致m3爬m1和m2处，会有m3爬坡断线问题，如图5和图6所示，故于显示画面时，面内显示区会产生暗方块问题。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题，在于提供一种能改善tic暗块的触控显示结构，能够避免m3断线，达到改善tic暗块的目的。

2、本发明是这样实现的：

3、一种能改善tic暗块的触控显示结构，包括有显示区、ic芯片键合区以及用于连接显示区和ic芯片键合区的配线，所述触控显示结构还包括有扇出区，所述扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，所述第一走线区位于ic芯片键合区内，所述第二走线区位于扇出区内；

4、所述第一走线区包括有第一m1线、第一m2线和第一m3线，所述第一m1线设置在第一m2线的下方，且所述第一m1线和第一m2线之间设置有第一gi层，所述第一m2线设置在第一m3线的下方，且所述第一m2线和第一m3线之间设置有第一pv层；

5、所述第一m1线和第一m3线在垂直方向上无交叠，所述第一m2线的第一端与第一m1线在垂直方向上交叠，所述第一m2线的第二端与第一m3线在垂直方向上交叠，且所述第一m2线的第二端的宽度小于第一m3线的宽度。

6、进一步地，所述第一m2线的第一端的宽度小于第一m1线的宽度。

7、进一步地，所述第二走线区包括有第二m1线、第二m2线和第二m3线，所述第二m1线顶部设置有第二gi层，所述第二m2线设置在第二gi层顶部，所述第二gi层顶部设置有能覆盖第二m2线的第二pv层，所述第二pv层顶部设置有oc层，所述第二m3线设置在oc层顶部，所述oc层顶部设置有能够覆盖第二m3线的va层，所述va层顶部设置有ch层。

8、进一步地，所述第二m1线的宽度大于第二m2线的宽度，所述第二m2线的宽度大于第二m3线的宽度。

9、本发明的优点在于：第一m2线的第二端的宽度小于第一m3线的宽度，使得第一m3能够包覆第一m2材料，可防止第一m2材料边缘光阻覆盖性不佳，药液渗入侧向蚀刻第一m3材料，造成m3走线断路的问题，而且，第一m1线和第一m3线在垂直方向上无交叠的设置，使得第一m3线可以做到单层跨接，从而增加制程裕度。通过上述设置，避免现有技术中m1和m2与m3间无oc层，而导致m3因爬m1和m2断线问题，从而达到有效的改善tic暗块的目的，有效达到节省人力、资源、成本。

技术特征：

1.一种能改善tic暗块的触控显示结构，包括有显示区、ic芯片键合区以及用于连接显示区和ic芯片键合区的配线，所述触控显示结构还包括有扇出区，其特征在于：所述扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，所述第一走线区位于ic芯片键合区内，所述第二走线区位于扇出区内；

2.如权利要求1所述的一种能改善tic暗块的触控显示结构，其特征在于：所述第一m2线的第一端的宽度小于第一m1线的宽度。

3.如权利要求1所述的一种能改善tic暗块的触控显示结构，其特征在于：所述第二走线区包括有第二m1线、第二m2线和第二m3线，所述第二m1线顶部设置有第二gi层，所述第二m2线设置在第二gi层顶部，所述第二gi层顶部设置有能覆盖第二m2线的第二pv层，所述第二pv层顶部设置有oc层，所述第二m3线设置在oc层顶部，所述oc层顶部设置有能够覆盖第二m3线的va层，所述va层顶部设置有ch层。

4.如权利要求3所述的一种能改善tic暗块的触控显示结构，其特征在于：所述第二m1线的宽度大于第二m2线的宽度，所述第二m2线的宽度大于第二m3线的宽度。

技术总结
本发明提供一种能改善TIC暗块的触控显示结构，包括有显示区、IC芯片键合区以及配线，扇出区将配线分为第一走线区和第二走线区，第一走线区位于IC芯片键合区内；第一走线区包括有第一M1线、第一M2线和第一M3线；第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠，第一M2线的第二端与第一M3线在垂直方向上交叠，且第一M2线的第二端的宽度小于第一M3线的宽度，上述设置，使第一M3能够包覆第一M2材料，可防止第一M2材料边缘光阻覆盖性不佳，药液渗入侧向蚀刻第一M3材料，造成M3走线断路的问题，而且，第一M1线和第一M3线在垂直方向上无交叠的设置，使得第一M3线可以做到单层跨接，从而增加制程裕度，有效的改善TIC暗块。

技术研发人员：阮丽莹
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14