计算机辅助弱图案检测及鉴定系统的制作方法

本发明大体上涉及检验的领域，且特定来说，涉及晶片检验。

背景技术：

1、薄抛光板(例如硅晶片及类似者)是现代技术的非常重要部分。例如，晶片可意指用于制造集成电路及其它装置的半导体材料的薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规及类似者。尽管此处所描述的技术主要是指晶片，但应了解，本技术还适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本发明中可互换使用。

2、晶片经受缺陷检验。缺陷可为随机的或系统的。系统缺陷可在特定设计图案上发生且可被称为热点(即，弱图案，或产生于晶片上的偏离设计的图案)。缺陷检验的目的中的一者是检测及鉴定这些热点。例如，检验过程可利用检验工具来扫描晶片及使用基于设计的分组(dbg)将所检测缺陷分级。所述缺陷可使用扫描电子显微镜(sem)取样及重检且经手动地分类以确定热点的存在。可利用模拟来帮助预测容易出故障的图案或位点，其又可用以帮助用户将检验关注点放置于可含有此类图案及位点的区域中。

3、应注意尽管上述检验过程可有帮助，但此检验过程还与一些缺点相关联。例如，此检验过程依赖人眼来确定缺陷的存在，此意味着此检验过程仅能够处理小样本大小且缺少验证。实际上，经检测的具有约20％到30％的临界尺寸(cd)变化的系统缺陷可能被丢弃。此外，由于不存在自动化且所有分类必须由人类完成，因此样本大小通常限制为不超过约5千个缺陷且归因于取样及疲劳而易发生错误。随着由增加的检测灵敏度引起的数据量的激增，取样的有效性可受限制，除非开发自动化方法。此外，模拟帮助预测风险位点但其并不帮助用户识别位点是否实际未通过后处理。

4、其中需要提供用于弱图案检测及鉴定而无前述缺点的方法及系统。

技术实现思路

1、本发明涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以：基于所述晶片的设计对所检测的缺陷执行图案分组；基于所述图案分组识别所关注区域；识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案，弱图案是偏离设计达大于阈值的量的图案；验证所述经识别弱图案；及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。

2、本发明的进一步实施例涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以：基于所述晶片的设计对所检测缺陷执行图案分组；模拟晶片处理工具对晶片的效应；识别其中图案偏离所述晶片的设计的所关注区域；识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案，弱图案是偏离设计达大于阈值的量的图案；验证所述经识别弱图案；及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。

3、本发明的额外实施例涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以：基于所述晶片的设计对所检测缺陷执行图案分组；获得晶片的扫描电子显微镜(sem)图像；将所述晶片的所述sem图像与所述晶片的设计对准；基于晶片的sem图像与晶片的设计的对准识别所关注区域；获得所述经识别所关注区域中的晶片的度量；基于所获得的度量测量经识别所关注区域中的图案变化；基于所述图案变化识别弱图案，弱图案是偏离设计达大于阈值的量的图案；验证所述经识别弱图案；及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。

4、应理解，前文概述及下文详细描述两者仅是示范性及说明性且未必限制本发明。并入说明书中且构成说明书的部分的附图说明本发明的标的物。描述及图式一起用于说明本发明的原理。

技术特征：

1.一种系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式识别所述弱图案：

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案：

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个处理器经进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以：

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式识别所述弱图案：

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案：

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个处理器经进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。

11.根据权利要求1所述的系统，其中具有大于所述阈值的局部临界尺寸变化的经识别弱图案经确认为有效弱图案。

12.一种系统，其包括：

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案：

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述至少一个处理器经进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。

16.根据权利要求12所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以：

17.根据权利要求12所述的系统，其中具有大于所述阈值的局部临界尺寸变化的经识别弱图案经确认为有效弱图案。

18.一种系统，其包括：

19.根据权利要求18所述的系统，其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案：

20.根据权利要求19所述的系统，其中所述至少一个处理器进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。

21.根据权利要求20所述的系统，其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。

22.根据权利要求21所述的系统，其中具有大于所述阈值的局部临界尺寸变化的经识别弱图案经确认为有效弱图案。

技术总结
本申请涉及计算机辅助弱图案检测及鉴定系统。弱图案检测及鉴定系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以：基于所述晶片的设计对所述所检测缺陷执行图案分组；基于所述图案分组识别所关注区域；识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案，所述弱图案是偏离所述设计达大于阈值的量的图案；验证所述经识别弱图案；及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成所述晶片的所述设计的修正。

技术研发人员：N·哈克,A·帕克,A·古普塔
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15