应用于LEF文件的天线门面积参数计算的方法、装置、介质及终端与流程

本申请涉及数字集成电路设计领域，特别是涉及一种应用于lef文件的天线门面积参数计算方法。

背景技术：

1、天线效应指在芯片生产过程中，所使用的等离子刻蚀工艺会产生大量游离电荷，裸露的导体表面就会收集游离电荷，从而导致导体表面积累的电荷过多，但又无法形成对地的放电通路，结果可能对栅氧造成破坏，导致等离子导致栅氧损伤，从而引起器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重降低。为了量化天线效应的影响，引入了天线效应比率的概念。天线效应比率指的是某一层金属的面积与相连的栅的面积的商，这个比率越大，造成击穿的可能性就越高。而累积天线效应比率指全芯片中所有产生天线效应金属层的局部天线效应比率之和。

2、在数字集成电路设计和验证过程中，ip核是指芯片中具有独立功能的电路模块设计，仅从外观中无法看出ip核内部的版图布局。因此当对具有ip核的全芯片进行设计时，为了避免产生天线效应，就需要对天线效应值进行计算，即需要对栅所连接的金属线的面积进行计算。然而因为ip核所具有的黑盒子的特性，使得在计算全芯片中金属线网相连接的ip核的面积无法进行准确的计算，从而导致全芯片的天线效应值计算不准确，从而产生天线效应。

3、现有技术中采用abstract软件对天线的lef文件进行抽取，其中，天线的lef文件记载了芯片中ip核与全芯片之间天线信息传递的文件，但abstract软件在抽取的过程中存在难以消除的不稳定误差，从而造成lef文件中所包含的天线信息不准确。若能够在设计过程中，为全芯片提供具备准确ip核的天线信息的lef文件，就能够对全芯片的天线面积进行准确的计算，进一步地对全芯片的天线效应值进行计算，将全芯片的天线效应影响进行量化，从而避免天线效应对芯片产生损伤。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供应用于lef文件的天线门面积参数计算的方法、装置、储存介质及电子终端，用于解决数字集成电路设计和验证过程中因全芯片的单元无法进行准确的天线效应值计算而导致的全芯片的等离子导致栅氧损伤。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，包括，接收全芯片的spice网表文件和lef文件；基于所述spice网表文件生成得到更新天线门面积参数；使用所述更新天线门面积参数替换所述lef文件中的初始天线门面积参数，以更新黑盒功能模块与全芯片之间的lef文件。

3、于本申请的第一方面的一些实施例中，基于所述spice网表文件计算待替换天线门面积参数的过程包括：从所述spice网表文件中提取引脚信息，根据所述引脚信息逐个判断各引脚是否连接有全芯片的栅极；对连接有全芯片的栅极的引脚，计算与该引脚相连的每个栅极的单个天线门面积参数，并累加所有与该引脚相连的每个栅极的单个天线门面积参数以得到加总天线门面积参数，基于预设系数和加总天线门面积参数相乘以得到该引脚的所述更新天线门面积参数。

4、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述单个天线门面积参数的获取方式包括：si＝li*wi*mi；wi＝(nfini-1)*工艺系数*a；其中，si表示与所述引脚相连的第i个栅极的单个天线门面积参数；li表示与所述引脚相连的第i个栅极的长度，wi表示与所述引脚相连的第i个栅极的宽度，mi表示与所述引脚相连第i个栅极的mosfet场效应管的数量，nfini表示与所述引脚相连第i个栅极的mosfet场效应管所包含的栅极的数量，工艺系数根据不同的工艺类型选取对应的预设系数，a为常数。

5、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述更新天线门面积参数的获取方式包括：s＝∑si*工艺系数*b；其中，s为更新天线门面积参数，si表示与所述引脚相连的第i个栅极的单个天线门面积参数，b为常数。

6、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述mosfet场效应管包括nmos和pmos。

7、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述lef文件由lef文件生成软件的单元描述部分中生成得到。

8、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述方法还包括：所述方法还包括，通过更新后的lef文件生成得到对应的天线效应值，并基于所述天线效应值计算预防天线效应所需的反向二极管的面积。

9、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种应用于lef文件的天线门面积参数计算装置。包括：输入模块：用于接收全芯片的spice网表文件和lef文件；计算模块：用于基于所述spice网表文件计算得到最新天线门面积参数；数值替换模块：用于使用所述最新天线门面积参数替换所述lef文件中的初始天线门面积参数，以更新黑盒功能模块与全芯片之间的lef文件，以根据更新后的lef文件计算对应的天线效应值。

10、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种应用于lef文件的天线门面积参数计算的计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本申请的第一方面提供一种应用于lef文件的天线门面积参数计算方法。

11、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种电子终端，包括：处理器及存储器；所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行本申请的第一方面提供一种应用于lef文件的天线门面积参数计算方法。

12、如上所述，本申请的数字集成电路设计领域的应用于lef文件的天线门面积参数计算的方法、装置、储存介质及电子终端，具有以下有益效果：通过对全芯片的spice网表进行计算以得到天线门面积参数，并将从abstract软件中生成得到的lef文件中的天线门面积参数进行替换，从而解决了lef文件在抽取的过程中造成的数据不准确导致无法计算准确的天线效应值的问题，本发明提升了lef文件计算天线效应值的准确性，进而避免了芯片因产生天线效应而导致损坏。

技术特征：

1.一种应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，基于所述spice网表文件生成得到更新天线门面积参数的过程包括：

3.根据权利要求2所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，所述单个天线门面积参数的计算方式包括：

4.根据权利要求3所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，所述更新天线门面积参数的获取方式包括：

5.根据权利要求3所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，所述mosfet场效应管包括nmos和pmos。

6.根据权利要求1所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，所述lef文件由lef文件生成软件的单元描述部分中生成得到。

7.根据权利要求1所述的应用于lef文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，所述方法还包括，通过更新后的lef文件生成得到对应的天线效应值，并基于所述天线效应值计算预防天线效应所需的反向二极管的面积。

8.一种应用于lef文件的天线门面积参数计算装置，其特征在于，包括：

9.一种应用于lef文件的天线门面积参数计算的计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述方法。

10.一种应用于lef文件的天线门面积参数计算的电子终端，其特征在于，包括：处理器及存储器；

技术总结
本申请提供数字集成电路设计领域的应用于LEF文件的天线门面积参数计算的方法、装置、储存介质及电子终端，通过对全芯片的SPICE网表进行计算以得到天线门面积参数，并将从ABSTRACT软件中生成得到的LEF文件中的天线门面积参数进行替换，从而解决了LEF文件在抽取的过程中造成的数据不准确导致无法计算准确的天线效应值的问题，本发明提升了LEF文件计算天线效应值的准确性，进而避免了芯片因产生天线效应而导致损坏。

技术研发人员：景画,马亚奇
受保护的技术使用者：合芯科技（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16