一种nand主控动态换pin方法与流程

文档序号:36638536发布日期:2024-01-06 23:24阅读:20来源:国知局
一种nand主控动态换pin方法与流程

本发明涉及存储领域,具体是一种nand主控中动态换pin的方法。


背景技术:

1、随着固态硬盘的io速度越来越快,对于io信号质量的要求也越来越高。高速的nand一般采用正反面镜像的贴片方式来改善信号质量,但nand主控芯片的发展速度始终是慢于nand flash的发展速度,有些nand主控还不提供硬件的pin反转功能,所以需要软件经过一定运算来模拟pin反转功能。这样做可以使nand主控提前适配新的nand特性,减少产品研发周期,使产品更具竞争力。


技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷,本发明提供一种nand主控动态换pin方法,在nand主控内利用软件实现pin反转功能,使nand主控提前适配新的nand特性,减少产品研发周期。

2、为了解决所述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种nand主控动态换pin方法,包括以下步骤:

3、s01)、在上电时完成初始化操作,所述初始化操作包括配置需要发镜像命令的channel的ce、对自带镜像功能的nand配置nand寄存器;

4、s02)、在收到读写命令时,先解析地址,然后判断是否需要镜像,若需要镜像,则将命令字及地址进行镜像操作,然后将数据进行镜像操作,最后开启dma传输;

5、s03)、在收到数据时,先判断是否需要镜像,若需要镜像,则将数据进行镜像操作,然后进行后续处理;

6、步骤s02)、s03)中将数据进行镜像操作的过程为:将数据以字节为最小单元进行镜像,1字节数据有8位,即按照从低位到高位排列的dq0、dq1、dq2、dq3、dq4、dq5、dq6、dq7,翻转时,将dq7~dq0顺序颠倒,原来的dq0变为最高位,dq7变为最低位,其余位依次类推;

7、步骤s02)中将命令字及地址进行镜像操作的过程为:将组成命令和地址的字段拼接成多个字节,然后逐字节镜像,最后将镜像后的数据重新放回各字段;所述逐字节镜像以字节为最小单元进行镜像,1字节数据有8位,即按照从低位到高位排列的dq0、dq1、dq2、dq3、dq4、dq5、dq6、dq7,翻转时,将dq7~dq0顺序颠倒,原来的dq0变为最高位,dq7变为最低位,其余位依次类推。

8、进一步的,将组成命令和地址的地段拼接成多个字节,然后逐字节镜像,最后将镜像后的数据重新放回各字段的实施过程为:根据nand地址将命令和地址的各字段进行偏移,按照字段偏移,将各字段放入长度为8bit的数组a中,然后将数组a中每个比特进行镜像,按照字段偏移,将各字段数值从数组a中取出,根据nand地址各字段位置进行反偏移操作。

9、进一步的,数据镜像和地址镜像是一个双向操作,数据读取和写入都需要镜像。

10、进一步的,数据镜像时,输入数据为数组形式或者单一变量形式。

11、进一步的,数据镜像在数据镜像模块内完成,先调用需要镜像的数据至数据镜像模块,镜像完成后,将数据返回至调用的模块。

12、本发明的有益效果:本发明在nand主控内利用软件实现pin反转功能,可以在不更换主控的情况下,适配nand的新特性。可以在芯片设计完成前提前验证软件的可行性,协助芯片开发,减少芯片研发周期。



技术特征:

1.一种nand主控动态换pin方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的nand主控动态换pin方法,其特征在于:将组成命令和地址的地段拼接成多个字节,然后逐字节镜像,最后将镜像后的数据重新放回各字段的实施过程为:根据nand地址将命令和地址的各字段进行偏移,按照字段偏移,将各字段放入长度为8bit的数组a中,然后将数组a中每个比特进行镜像,按照字段偏移,将各字段数值从数组a中取出,根据nand地址各字段位置进行反偏移操作。

3.根据权利要求1所述的nand主控动态换pin方法,其特征在于:数据镜像和地址镜像是一个双向操作,数据读取和写入都需要镜像。

4.根据权利要求1所述的nand主控动态换pin方法,其特征在于:数据镜像时,输入数据为数组形式或者单一变量形式。

5.根据权利要求1所述的nand主控动态换pin方法,其特征在于:数据镜像在数据镜像模块内完成,先调用需要镜像的数据至数据镜像模块,镜像完成后,将数据返回至调用的模块。


技术总结
本发明涉及存储领域,具体是一种nand主动动态换pin方法,本方法nand主控内利用软件实现pin反转功能,具体是针对数据和地址进行镜像操作,镜像操作以字节为最小单元,1字节数据有8位,翻转时,将各位置数据顺序颠倒。本方法可以在不更换主控的情况下,适配nand的新特性,在芯片设计完成前提前验证软件的可行性,协助芯片开发,减少芯片研发周期。

技术研发人员:陆正一,王璞,衣瑞刚
受保护的技术使用者:山东华芯半导体有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/5
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