触控显示面板、掩膜板及制备方法与流程

文档序号:36349037发布日期:2023-12-14 00:49阅读:35来源:国知局
触控显示面板的制作方法

本公开涉及显示。更具体地,涉及一种触控显示面板、掩膜板及制备方法。


背景技术:

1、对于oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)触控显示产品,特别是中大尺寸的oled触控显示产品,相比于外挂tsp(touch screen panel,触摸屏)的方案,fmloc(flexible multi-layer on cell,柔性多层触控)技术能够将显示结构和触控结构集成在一起,具有轻薄、低成本、窄边框等优势,因此,fmloc技术得到越来越多的应用,例如应用在车载中控屏、笔记本电脑(nb)、触摸式面板显示屏(tpc)等产品上。然而,采用fmloc技术的oled触控显示产品存在esd问题,特别是,相比于移动终端(mobile)等产品,采用fmloc技术的中大尺寸产品的触控走线(包括感应电极rx走线和驱动电极tx走线)比较长,esd(electro-static discharge,静电释放)问题较为严重。


技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种触控显示面板、掩膜板及制备方法,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

2、为达到上述目的,本公开采用下述技术方案:

3、本公开第一方面提供一种触控显示面板,包括衬底及设置在衬底上的显示区和非显示区,所述非显示区设置有触控走线,所述触控走线包括第一触控走线和位于所述第一触控走线的远离所述衬底一侧的第二触控走线,所述第一触控走线与所述第二触控走线的延伸方向相同,所述第一触控走线与所述第二触控走线之间设置有触控绝缘层,所述触控绝缘层开设有至少一个用于连接所述第一触控走线与所述第二触控走线的过孔,所述第一触控走线具有至少一个第一缺失部和/或所述第二触控走线具有至少一个第二缺失部,所述第二触控走线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一缺失部在所述衬底上的正投影,所述第一触控走线在所述衬底上的正投影覆盖所述第二缺失部在所述衬底上的正投影。

4、可选地,所述第一缺失部包括在第二方向上位于所述第一触控走线两侧的两个第一子缺失部,所述第二缺失部包括在第二方向上位于所述第二触控走线两侧的两个第二子缺失部,所述第二方向与所述第一触控走线的延伸方向不同。

5、可选地,所述第一缺失部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影非交叠。

6、可选地,在所述第一触控走线的延伸方向上,所述第一缺失部与所述第二缺失部交替排列。

7、可选地,所述第一缺失部使所述第一触控走线形成断开,所述第二缺失部使所述第二触控走线形成断开。

8、可选地,所述第一触控走线还包括至少一个第一延伸部和/或所述第二触控走线还包括至少一个第二延伸部,所述第一延伸部的延伸方向和所述第二延伸部的延伸方向分别与所述第一触控走线的延伸方向不同。

9、可选地,所述第一延伸部包括在第三方向上位于所述第一触控走线两侧的两个延伸方向相反的第一子延伸部,所述第二延伸部包括在第三方向上位于所述第二触控走线两侧的两个延伸方向相反的第二子延伸部,所述第三方向与所述第一触控走线的延伸方向不同。

10、可选地,所述第一子延伸部呈大致半圆形,所述第二子延伸部呈大致半圆形。

11、可选地,所述第一缺失部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影非交叠。

12、可选地,在所述第一触控走线的延伸方向上,所述第一缺失部与所述第二缺失部交替排列。

13、可选地,所述第二延伸部在所述衬底上的正投影与所述第一缺失部在所述衬底上的正投影存在交叠,和/或,所述第一延伸部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影存在交叠。

14、可选地,所述显示区包括显示模层和设置于所述显示膜层出光侧的触控层。

15、本公开第二方面提供一种掩膜板,用于制备触控显示面板的触控走线,所述掩膜板具有用于通过曝光工艺使触控走线形成至少一个缺失部的第一开口部。

16、可选地,所述第一开口部用于使曝光工艺的光线衍射。

17、可选地,所述第一开口部的宽度小于等于预设值。

18、可选地,所述掩膜板的形成所述第一开口部的相对两侧壁分别呈圆角形结构。

19、可选地,所述掩膜板的形成所述第一开口部的相对两侧壁分别呈曲线形结构。

20、可选地,所述缺失部使所述触控走线形成断开。

21、可选地,所述掩膜板还具有用于通过曝光工艺使触控走线形成至少一个延伸部的第一遮挡部,其中,所述延伸部的延伸方向与所述触控走线的延伸方向不同。

22、本公开第三方面提供一种制备方法,包括利用本公开第二方面提供的掩膜板,通过曝光工艺制备触控显示面板的触控走线。

23、本公开的有益效果如下:

24、本公开所述技术方案,可在保证触控走线的电阻及布局方式不受影响,且触控显示面板的边框宽度不受影响的情况下,提升抗esd能力,进而提高产品的可靠性。



技术特征:

1.一种触控显示面板,其特征在于,包括衬底及设置在衬底上的显示区和非显示区,所述非显示区设置有触控走线,所述触控走线包括第一触控走线和位于所述第一触控走线的远离所述衬底一侧的第二触控走线,所述第一触控走线与所述第二触控走线的延伸方向相同,所述第一触控走线与所述第二触控走线之间设置有触控绝缘层,所述触控绝缘层开设有至少一个用于连接所述第一触控走线与所述第二触控走线的过孔,所述第一触控走线具有至少一个第一缺失部和/或所述第二触控走线具有至少一个第二缺失部,所述第二触控走线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一缺失部在所述衬底上的正投影,所述第一触控走线在所述衬底上的正投影覆盖所述第二缺失部在所述衬底上的正投影。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一缺失部包括在第二方向上位于所述第一触控走线两侧的两个第一子缺失部,所述第二缺失部包括在第二方向上位于所述第二触控走线两侧的两个第二子缺失部,所述第二方向与所述第一触控走线的延伸方向不同。

3.根据权利要求1或2所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一缺失部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影非交叠。

4.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,在所述第一触控走线的延伸方向上,所述第一缺失部与所述第二缺失部交替排列。

5.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一缺失部使所述第一触控走线形成断开,所述第二缺失部使所述第二触控走线形成断开。

6.根据权利要求5所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一触控走线还包括至少一个第一延伸部和/或所述第二触控走线还包括至少一个第二延伸部,所述第一延伸部的延伸方向和所述第二延伸部的延伸方向分别与所述第一触控走线的延伸方向不同。

7.根据权利要求6所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一延伸部包括在第三方向上位于所述第一触控走线两侧的两个延伸方向相反的第一子延伸部,所述第二延伸部包括在第三方向上位于所述第二触控走线两侧的两个延伸方向相反的第二子延伸部,所述第三方向与所述第一触控走线的延伸方向不同。

8.根据权利要求7所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一子延伸部呈大致半圆形,所述第二子延伸部呈大致半圆形。

9.根据权利要求5所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一缺失部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影非交叠。

10.根据权利要求9所述的触控显示面板,其特征在于,在所述第一触控走线的延伸方向上,所述第一缺失部与所述第二缺失部交替排列。

11.根据权利要求9或10所述的触控显示面板,其特征在于,所述第二延伸部在所述衬底上的正投影与所述第一缺失部在所述衬底上的正投影存在交叠,和/或,所述第一延伸部在所述衬底上的正投影与所述第二缺失部在所述衬底上的正投影存在交叠。

12.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述显示区包括显示模层和设置于所述显示膜层出光侧的触控层。

13.一种掩膜板,用于制备触控显示面板的触控走线,其特征在于,所述掩膜板具有用于通过曝光工艺使触控走线形成至少一个缺失部的第一开口部。

14.根据权利要求13所述的掩膜板,其特征在于,所述第一开口部用于使曝光工艺的光线衍射。

15.根据权利要求14所述的掩膜板,其特征在于,所述第一开口部的宽度小于等于预设值。

16.根据权利要求14所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的形成所述第一开口部的相对两侧壁分别呈圆角形结构。

17.根据权利要求14所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的形成所述第一开口部的相对两侧壁分别呈曲线形结构。

18.根据权利要求13所述的掩膜板,其特征在于,所述缺失部使所述触控走线形成断开。

19.根据权利要求18所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板还具有用于通过曝光工艺使触控走线形成至少一个延伸部的第一遮挡部,其中,所述延伸部的延伸方向与所述触控走线的延伸方向不同。

20.一种制备方法,其特征在于,包括利用如权利要求13-19中任一项所述的掩膜板,通过曝光工艺制备触控显示面板的触控走线。


技术总结
本公开实施例公开一种触控显示面板、掩膜板及制备方法。在一具体实施方式中,触控显示面板包括衬底及设置在衬底上的显示区和非显示区,非显示区设置有触控走线,触控走线包括第一触控走线和位于第一触控走线的远离衬底一侧的第二触控走线,第一触控走线与第二触控走线的延伸方向相同,第一触控走线与第二触控走线之间设置有触控绝缘层,触控绝缘层开设有至少一个用于连接第一触控走线与第二触控走线的过孔,第一触控走线具有至少一个第一缺失部和/或第二触控走线具有至少一个第二缺失部,第二触控走线在衬底上的正投影覆盖第一缺失部在衬底上的正投影,第一触控走线在衬底上的正投影覆盖第二缺失部在衬底上的正投影。该实施方式可提升抗ESD能力。

技术研发人员:陈腾,史大为,王文涛,李传勇,蒋发明,辛宗溪,刘乾军,王艳丽,李春延
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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