一种闪存控制方法、电子设备和存储介质与流程

申请涉及存储领域，尤其涉及一种闪存控制方法、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、随着手机等移动场景下使用的电子设备的技术的不断发展，用户在日常生活中使用电子设备的频率越来越高。而这也将必然使得用户对电子设备的存储需求越来越高。目前，手机等电子设备大都采用以nand（not and，与非门）闪存技术作为基础的存储器（例如ssd（solid state drive，固态硬盘）、ufs（universal flash storage，通用闪存存储）、emmc（embedded multi media card，嵌入式多媒体卡）等）存储数据。为了提高存储容量，电子设备的厂商可以增加nand闪存中每个存储单元cell的存储容量。具体可以是将nand闪存中的存储单元由最基本的能够存储1bit的单层存储单元（single-level，slc）变更为多层存储单元（multi-level cell，mlc）、三层存储单元（triple -level cell，tlc）、四层存储单元（quad -level cell，qlc）等可以存储更多比特的存储单元。但是，这样会使得存储电压范围不变或者变化较小的情况下，存储单元中存储不同数据的电压区分度更低，用来读取存储单元中数据的阈值电压的数量也会更多且差别更小。这样一来，会使得电子设备从存储器中读取数据时的原始比特错误率升高，对电子设备的使用造成了不利影响。

技术实现思路

1、相关技术中，为了降低电子设备从存储器中读取数据的原始比特错误率，可以基于神经网络算法在电子设备从存储器中读取数据时，自动计算得出最优的阈值电压，从而使得电子设备可以从存储器读取到准确的数据。但是，由于神经网络算法耗时长会降低电子设备的带宽，且需要较大功耗。所以，该技术方案会使得电子设备的功耗增大且带宽减小，不利于用户的使用。

2、本技术实施例提供一种闪存控制方法、电子设备和存储介质，能够在降低功耗和消耗时长的基础上，降低数据读取时的原始比特错误率。

3、为了达到上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：

4、第一方面，本技术实施例提供一种闪存控制方法，应用于电子设备中nand闪存中的闪存控制器，该电子设备中还包括存算一体芯片。该方法包括：闪存控制器在nand闪存处于空闲状态的情况下，获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组；存算一体芯片具备利用单位存储区域的阈值电压参数和预置的阈值电压计算模型，确定出单位存储区域的第一阈值电压组的能力；闪存控制器利用第二单位存储区域的第一阈值电压组，更新第二单位存储区域的最优阈值电压组；第二单位存储区域为至少一个单位存储区域中获取到了第一阈值电压组的一个单位存储区域。

5、基于本技术提供的技术方案，由于在更新最优阈值电压组的过程中，计算最优阈值电压组是放在功耗低的存算一体芯片上的，所以整体功耗不高。此外，由于计算最优阈值电压组时，nand闪存处于空闲状态，计算的耗时也不会影响nand闪存的正常使用，也就不会影响手机的带宽。这样一来，用户在使用手机的过程中，手机中nand闪存中单位存储区域的最优阈值电压组便可以在产生较低功耗且不影响手机带宽的基础上，及时的更新，进一步的，这样可以保证手机读取数据时可以更大概率的读取到准确的数据，降低了数据读取时的原始比特错误率，提高了用户的使用体验。

6、在第一方面的一种可能的实现方式中，获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：

7、若前一次对至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的最优阈值电压组更新之后，nand闪存的数据读取次数大于第一预设阈值，则获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组。

8、实际中， nand闪存中单位存储区域的最优阈值电压组中的最优阈值电压是随着时间逐步变化的，不会在短时间内产生较大的变化。所以在数据读取时，不需要每次都使用和当前时刻最符合的最优阈值电压组。也就是说，nand闪存中单位存储区域的最优阈值电压组不需要实时或连续不断的更新，仅需要每隔一段时间更新即可。而一段时间对最优阈值电压组影响主要是由电子设备对nand闪存的读取产生的，所以这里“每隔一段时间”中的一段时间具体可以由nand闪存的数据读取次数表征。基于上述实现方式，则可以周期性的对nand闪存中的单位存储区域的最优阈值电压组进行更新，使得nand闪存在被读取数据时，可以使用和当前时刻匹配的最优阈值电压组读取到更准确的数据，降低原始比特错误率，提高用户的使用体验。

9、在第一方面的一种可能的实现方式中，获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：闪存控制器从至少一个单位存储区域中确定目标单位存储区域；闪存控制器获取目标单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取目标单位存储区域的第一阈值电压组；闪存控制器在确定接收到读/写请求的情况下，对读/写请求进行响应；读/写请求用于请求在nand闪存中进行数据读取或数据写入；闪存控制器在确定未接收到读/写请求的情况下，若至少一个单位存储区域中所有单位存储区域未均得到了第一阈值电压组，则重新从至少一个单位存储区域中确定目标单位存储区域。

10、基于上述实现方式，电子设备中nand闪存的闪存控制器便可以在不影响nand闪存正常使用的情况下，在nand闪存处于空闲状态时完成对nand闪存中单位存储区域的第一阈值电压组的获取，进而完成nand闪存中单位存储区域的最优阈值电压组的更新。

11、在第一方面的一种可能的实现方式中，该方法还包括：闪存控制器在确定未接收到读/写请求的情况下，生成未完成更新信息并存储；未完成更新信息用于指示至少一个单位存储区域中存在单位存储区域未得到第一阈值电压组；未完成更新信息还包括指示该至少一个单位存储区域中，未得到第一阈值电压组的单位存储区域的标识的指示信息；

12、在nand闪存处于空闲状态的情况下，该方法还包括：闪存控制器在确定存在未完成更新信息的情况下，则基于未完成更新信息中的指示信息，从至少一个单位存储区域确定目标单位存储区域。

13、基于上述实现方式，电子设备中nand闪存的闪存控制器，便可以在不影响nand闪存的正常使用的情况下，在nand闪存处于空闲状态时，顺利完成对至少一个单位存储区域中在前一次阈值电压更新过程中未能得到第一阈值电压组的中部分单位存储区域进行最优阈值电压组的更新。

14、在第一方面的一种可能的实现方式中，获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：若nand闪存中存在第三单位存储区域，则闪存控制器获取第三单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取第三单位存储区域的第一阈值电压组；其中，第三单位存储区域为前一次更新了最优阈值电压组之后，数据读取次数大于第二预设阈值的单位存储区域；此时，至少一个单位存储区域包括第三单位存储区域。

15、基于上述实现方式，闪存控制器可以在每个单位存储区域需要更新最优阈值电压组时，在nand闪存处于空闲状态的请款下完成更新。而且，由于每次获取第一阈值电压组仅针对一个单位存储区域，需要的时间很短，大概率可以在nand闪存的一次空闲期（一次处于空闲状态的持续时期）完成，也不会对nand闪存的正产使用造成不利影响，提高了用户的使用体验。

16、在第一方面的一种可能的实现方式中，闪存控制器利用第二单位存储区域的第一阈值电压组，更新第二单位存储区域的最优阈值电压组，包括：闪存控制器使用第二单位存储区域的第一阈值电压组，替换nand闪存中目标存储区中存储的第二单位存储区域的最优阈值电压组。

17、基于上述实现方式，便可以使得nand闪存中存储的单位存储区域的最优阈值电压及时的更新，方便nand闪存在被读取时使用。

18、在第一方面的一种可能的实现方式中，目标存储区中使用单层存储单元slc存储第二单位存储区域的最优阈值电压组。

19、基于上述实现方式，由于slc的阈值电压仅有一个，所以slc中阈值电压随时间产生改变时对从slc中读取数据的影响较小，所以将最优阈值电压组存储在slc中，可以降低最优阈值电压组被读取失败的风险，也就提高了依托最优阈值电压组进行的数据读取的可靠性。

20、在第一方面的一种可能的实现方式中，该方法还包括：闪存控制器响应于来自电子设备中需求方的读请求，基于待读取页所属的单位存储区域的最优阈值电压组，从待读取页中读取数据得到目标数据；读请求用于请求从nand闪存中待读取页的数据；闪存控制器在对目标数据校验成功的情况下，向需求方发送目标数据。

21、基于上述实现方式，因为每个单位存储区域的最优阈值电压组会基于之前的阈值更新流程不断的更新。所以在进行数据读取时，可以利用待读取页所属的单位存储区域的最优阈值电压组，快速从待读取页读取到更准确的数据，降低了数据读取时的原始比特错误率，提高了用户的使用体验。

22、在第一方面的一种可能的实现方式中，闪存控制器响应于来自电子设备中需求方的读请求，基于待读取页所属的单位存储区域的最优阈值电压组，从待读取页中读取数据得到目标数据，包括：闪存控制器响应于来自电子设备中需求方的读请求，使用待读取页的默认阈值电压组，从待读取页中读取数据得到第一数据；在对第一数据校验失败的情况下，闪存控制器使用待读取页所属的单位存储区域的最优阈值电压组，从待读取页中读取数据得到目标数据。

23、基于上述实现方式，闪存控制器可以采用合适的阈值电压组从待读取页中读取到数据。

24、第二方面，本技术实施例还提供一种闪存控制装置，该装置可以应用于电子设备中的nand闪存中。该装置的功能可以通过硬件实现，也可以通过硬件执行相应的软件实现。硬件或软件包括一个或多个与上述功能相对应的模块，例如，阈值电压获取模块和更新模块。

25、其中，阈值电压获取模块，用于在nand闪存处于空闲状态的情况下，获取nand闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组；存算一体芯片具备利用单位存储区域的阈值电压参数和预置的阈值电压计算模型，确定出单位存储区域的第一阈值电压组的能力；

26、更新模块，用于利用阈值电压获取模块获取的第二单位存储区域的第一阈值电压组，更新第二单位存储区域的最优阈值电压组；第二单位存储区域为至少一个单位存储区域中获取到了第一阈值电压组的一个单位存储区域。

27、第三方面，本技术提供一种电子设备，该电子设备包括显示屏、存储器、存算一体芯片和一个或多个处理器；显示屏、存储器与处理器耦合；其中，存储器中包括有nand闪存，nand闪存中包括闪存控制器；闪存控制器中存储有计算机程序代码，计算机程序代码包括计算机指令，当计算机指令被闪存控制器执行时，使得闪存控制器执行如第一方面及其任一种可能的设计方式提供的闪存控制方法。

28、第四方面，本技术提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质包括计算机指令，当所述计算机指令在电子设备中nand闪存的闪存控制器上运行时，使得电子设备中nand闪存的闪存控制器执行如第一方面及其任一种可能的设计方式提供的闪存控制方法。

29、第五方面，本技术提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在电子设备中nand闪存的闪存控制器上运行时，使得电子设备中nand闪存的闪存控制器执行如第一方面及其任一种可能的设计方式提供的闪存控制方法。

30、可以理解地，上述提供的第二方面至第五方面提供的技术方案所能达到的有益效果，可参考第一方面及其任一种可能的设计方式中的有益效果，此处不再赘述。