本发明涉及触控,特别是涉及电阻屏及其制备方法和触控装置。
背景技术:
1、传统电阻屏的通用结构包括依次层叠设置的刚性透明基材、第一层透明导电电极、透明颗粒层、第二层透明导电电极和柔性薄膜。使用时,通过按压柔性薄膜,使第一层透明导电电极与第二层透明导电电极接触,通过算法获得位置坐标,从而实现触控功能。但是,传统电阻屏的通用结构需要双层透明导电电极,同时需要中间插入透明颗粒实现阻隔,导致整体工艺复杂和原材料的浪费,阻碍了电阻屏的商业化发展。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述问题,提供一种电阻屏及其制备方法和触控装置;所述电阻屏为单层透明导电层,使整体结构以及控制逻辑更简单,易制备,有利于降低材料和工艺成本。
2、一种电阻屏,包括依次层叠设置的透明基板、透明导电层以及柔性薄膜,其中,所述透明导电层包括多个电极以及连接相邻电极的银纳米线阵列,所述银纳米线阵列的宽度依次递增,每一所述银纳米线阵列中均包括多个相互平行的银纳米线束,所述银纳米线束与所述电极的夹角大于0°且小于90°,每一所述银纳米线束在受到压力的条件下能够形成导电通路。
3、在其中一个实施例中,所述银纳米线束与所述透明基板边的夹角为30°-60°。
4、在其中一个实施例中,所述透明导电层满足以下条件中的至少一个:
5、(1)所述银纳米线阵列的宽度依次递增;
6、(2)所述银纳米线阵列的宽度的差值为0.01mm-0.012mm;
7、(3)所述银纳米线阵列的最小宽度为0.2mm-0.4mm;
8、(4)在每一所述银纳米线阵列中,相邻两个银纳米线束的间距为0.5mm-0.8mm;
9、(5)每一所述电极的宽度为0.5mm-0.8mm;
10、(6)相邻两个所述银纳米线阵列中至少有部分银纳米线束处于同一直线上。
11、在其中一个实施例中,所述银纳米线阵列的宽度的差值相等。
12、在其中一个实施例中,在每一所述银纳米线阵列中,相邻两个银纳米线束的间距相等。
13、在其中一个实施例中,每一所述电极电极的宽度相等。
14、在其中一个实施例中,所述电极选自银纳米线电极。
15、本发明所述的电阻屏中,一方面,银纳米线束具有断点以及断点附近分布的银纳米颗粒,使所述电阻屏的单层透明导电层可以替代传统电阻屏结构中的双层透明导电电极和透明颗粒层,通过按压使银纳米颗粒进入断点,从而使银纳米线束形成导电通路,进而实现触控功能;另一方面,设计横向宽度依次递增的银纳米线阵列结构使银纳米线束在横向具有不同的电阻分布,同时由于各个银纳米线束具有不同的断点,通过银纳米颗粒的可导通作用,使银纳米线束在纵向形成因导通的银纳米线束长度不同而具有不同的电阻分布,从而可以利用按压后导通时不同位置的输出电阻不同,确定触控位置点,进而构建电阻-触控位置反馈的新逻辑网络,使整体结构以及控制逻辑更简单。
16、一种如上所述的电阻屏的制备方法,包括如下步骤:
17、在透明基板的表面制备多个宽度依次递增并间隔分布的银纳米线阵列,每一所述银纳米线阵列中均包括多个相互平行的银纳米线束,所述银纳米线束与所述银纳米线阵列排布方向的夹角大于0°且小于90°;
18、在每一所述银纳米线阵列相对的两端放置电极片,使银纳米线束的两端均与所述电极片接触,经通电处理使每一所述银纳米线阵列中的银纳米线束均断路;
19、去除所述电极片,并在原来所述电极片的位置制备电极,使每一所述银纳米线阵列中银纳米线束的两端均与所述电极接触;
20、在所述银纳米线阵列的表面设置柔性薄膜,使所述柔性薄膜与所述透明基板平行,得到电阻屏。
21、在其中一个实施例中,在通电处理之前,每一所述银纳米线束的最小电阻为100ω-120ω;
22、及/或,所述通电处理的电压为36v-43v。
23、一种触控装置,包括如上所述的电阻屏。
24、本发明所述的制备方法,通过设计倾斜的银纳米线束,在通电处理过程中,由于电子风力沿银纳米线束方向,而电场力沿水平方向,使银纳米线束中产生垂直于银纳米线束方向上的拉应力,驱动银纳米线束发生迁移,导致银纳米线束形成断点,且断点处生成银纳米颗粒,构成可通过按压形成电阻信号的单层透明导电层,不仅易制备,而且有利于降低材料和工艺成本,促进了电阻屏在触控装置中的进一步应用。
1.一种电阻屏,其特征在于,包括依次层叠设置的透明基板、透明导电层以及柔性薄膜,其中,所述透明导电层包括多个电极以及连接相邻电极的银纳米线阵列,所述银纳米线阵列的宽度依次递增,每一所述银纳米线阵列中均包括多个相互平行的银纳米线束,所述银纳米线束与所述电极的夹角大于0°且小于90°,每一所述银纳米线束在受到压力的条件下能够形成导电通路。
2.根据权利要求1所述的电阻屏,其特征在于,所述银纳米线束与所述电极的夹角为30°-60°。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电阻屏,其特征在于,所述透明导电层满足以下条件中的至少一个:
4.根据权利要求3所述的电阻屏,其特征在于,所述银纳米线阵列的宽度的差值相等。
5.根据权利要求3所述的电阻屏,其特征在于,在每一所述银纳米线阵列中,相邻两个银纳米线束的间距相等。
6.根据权利要求3所述的电阻屏,其特征在于,每一所述电极的宽度相等。
7.根据权利要求1所述的电阻屏,其特征在于,所述电极选自银纳米线电极。
8.一种如权利要求1至权利要求7任一项所述的电阻屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
9.根据权利要求8所述的电阻屏的制备方法,其特征在于,在通电处理之前,每一所述银纳米线束的最小电阻为100ω-120ω;
10.一种触控装置,其特征在于,包括如权利要求1至权利要求7任一项所述的电阻屏。