本发明涉及微机电系统(mems),具体是涉及一种mems器件电-机械冲击试验设计方法。
背景技术:
1、mems器件广泛的应用于航空、航天、舰船系统、汽车、家电、通讯生物医疗等领域,是将传感器、机械机构、执行器、信息处理以及控制电路等集成于一体的微型集成器件或系统,其是基于超精密机械加工技术和微电子技术发展起来的,内部结构一般是微米级甚至是纳米量级。微机电器件与传统的器件相比,具有可大批量生产、功耗少、成本低和集成化程度高等特点。
2、由于ic与mems器件在制造工艺、材料、封装等方面的共通性,目前大部分mems试验依据的是微电子的可靠性试验标准,例如:军用微电子试验方法标准mil-std-883j就已经为许多mems的试验计划所使用,许多机构却对这一标准对mems的适用性提出了质疑。由于mems中微机械可动结构的存在,mems器件对机械冲击的响应不同于传统的电子元器件,进而也带来了新的失效模式和失效机理,如微机械可动结构断裂、裂纹扩展、粘连、颗粒短路及不同电势的部件之间的接触所引起的短路等。
3、特别对于上电工作状态下的mems器件,冲击载荷可能会引起不同电势的部件之间发生接触而短路,从而引起输出信号的异常。这种异常情况对于传统电子元器件是很少见的,按照非加电状态下的冲击试验方法也难以覆盖到。
4、因此,考虑到mems微观机械结构的特殊性,需建立能够覆盖mems器件在电-冲击状态下失效模式和失效机理的试验方法,获得在电-机械冲击条件下产品的失效判据,支撑mems器件电-机械冲击应力下的鉴定检验工作。
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、本发明主要针对以上问题,提出了一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其目的是解决在电-机械冲击条件下mems器件失效模式和失效机理的问题。
3、(二)技术方案
4、为实现上述目的,本发明提供了一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,包括如下步骤:
5、步骤一:选定mems器件,确定机械冲击下电应力参数的测试条件,设计测试电路板;
6、步骤二:根据冲击试验台底座与设计的电路板尺寸,设计制作夹具;
7、步骤三:选择labvi ew作为mems器件电信号串口控制、数据采集、数据分析、数据显示以及存储工具,设计labvi ew在线测试软件;
8、步骤四:搭建试验系统,包括冲击试验台、冲击测量控制仪、pc机、直流稳压稳流电源、示波器;
9、步骤五:对器件施加半正弦冲击脉冲,脉冲宽度与峰值加速在选择的试验条件中规定;
10、步骤六:使用示波器对于电-机械冲击过程器件的输出数据进行记录,包括每次冲击前输出、冲击过程输出波形、冲击后输出;
11、步骤七:外部目检,若发现器件产生裂纹,密封缺陷现象,视为失效。
12、进一步地,步骤一中的测试电路板设计包括cde1与cde2分别选用10μf和0.1μf的电容对mems器件进行充分的去耦;c2、c3是y轴和x轴的输出电容,大小选用2nf。
13、进一步地,步骤二中夹具的设计需满足:
14、夹具与受试件连接面上各点的响应需要一致,使得激励1:1的传递至试件;
15、夹具选用比刚度大的材料制作;
16、夹具质量大于受试件的两倍以上;
17、避免或减小夹具在垂直冲击方向上的横向运动;
18、夹具第一阶固有频率大于试验的最高频率。
19、进一步地,步骤三中的labview控制程序中包括示波器水平轴设置、触发设置、通道设置、通讯地址设置、测量设置以及示波器图形显示。
20、进一步地,步骤四中试验系统组成包括cl-02型冲击试验台、kc-2000冲击测量控制仪、pc机、直流稳压稳流电源、tektronix tbs2000示波器。
21、进一步地,所述步骤五中,每个应力下试验器件为三只,每只器件x1、x2、y1、y2、z1和z2各方向承受三次电-机械冲击应力。
22、进一步地,在步骤七中,定义失效为器件在零点下输出不在2.4-2.6v范围内,器件在-1g下输出不在1.36-1.64v范围内,器件在+1g下输出不在3.36-3.64v范围内。
23、进一步地,所述步骤七中,器件视为失效还包括:以器件输出标称值4%取输出上下界限,器件在冲击前后输出不在此范围内,冲击前后输出误差超过10%。
24、(三)有益效果
25、本发明提供的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,相较现有技术,实现了全面的测试流程从设备选择、测试条件设置、测试电路板设计、夹具设计、控制系统及软件设计到实际测试操作与数据采集。该方法针对mems微观机械结构的特殊性,形成覆盖mems器件在电-机械冲击状态下的试验方法,并获取在电-机械冲击条件下产品的失效判据,为工程应用和鉴定检验提供了更准确、可靠的依据。
1.一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,步骤一中的测试电路板设计包括cde1与cde2分别选用10μf和0.1μf的电容对mems器件进行充分的去耦;c2、c3是y轴和x轴的输出电容,大小选用2nf。
3.根据权利要求1或2所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,步骤二中夹具的设计需满足:
4.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,步骤三中的labview控制程序中包括示波器水平轴设置、触发设置、通道设置、通讯地址设置、测量设置以及示波器图形显示。
5.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,步骤四中试验系统组成包括cl-02型冲击试验台、kc-2000冲击测量控制仪、pc机、直流稳压稳流电源、tektronix tbs 2000示波器。
6.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,所述步骤五中,每个应力下试验器件为三只,每只器件x1、x2、y1、y2、z1和z2各方向承受三次电-机械冲击应力。
7.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,在步骤七中,定义失效为器件在零点下输出不在2.4-2.6v范围内,器件在-1g下输出不在1.36-1.64v范围内,器件在+1g下输出不在3.36-3.64v范围内。
8.根据权利要求1所述的一种mems器件电-机械冲击试验设计方法,其特征在于,所述步骤七中,器件视为失效还包括:以器件输出标称值4%取输出上下界限,器件在冲击前后输出不在此范围内,冲击前后输出误差超过10%。