固态硬盘写入控制方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储设备领域，特别涉及一种固态硬盘写入控制方法和装置。
【背景技术】
[0002]SSD (Solid State Disk，固态硬盘)具有高速、高环境适应能力、低噪音的优点，因此SSD将成为存储技术发展的重要趋势，在3-5年内SSD将得到大范围的应用。
[0003]然而，对于SSD而言，其中采用的NAND flash (Not AND,与非闪存)颗粒有一个很重要的特性，即其Program/Erase cycle (擦写次数，以下简称“P/Ecycle”)具有限制，即每个NAND flash颗粒只有有限的P/E cycle。例如目前业界普遍采用的MLC (Mult1-LevelCell，多层单元)NAND flash，其P/E cycle限制次数是3000?5000次。NAND flash颗粒中包括多个可擦写的Block (块)，当NAND flash颗粒中的Block写入寿命达到极限后，此Block将变成无效块，会造成用户数据丢失，SSD容量下降，性能下降。
[0004]研究发现，SSD寿命的下降速度与写入速度相关，因为SSD写入速度过快时，SSD的耗损均衡算法以及垃圾回收机制算法等将没有足够的资源去执行，从而导致写入放大变大，SSD下降速度变快；但相反，如果SSD写入速度过慢虽然可以保证SSD的使用寿命，但是SSD的高速的特点将会丧失，影响用户使用。因此，如何控制SSD的写入速度，使得SSD在商用时，既能保证高速写入，又能保证使用寿命不会过短。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中如何控制SSD的写入速度，使得SSD在商用时，既能保证高速写入，又能保证使用寿命不会过短的问题，本发明实施例提供了一种固态硬盘写入控制方法和装置。所述技术方案如下:
[0006]一方面，本发明实施例提供了一种固态硬盘写入控制方法，所述方法包括:
[0007]获取第一固态硬盘的第一硬件信息，所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命；
[0008]确定所述第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间，所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间；
[0009]根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想寿命的区间，控制所述第一固态硬盘的写入速度。
[0010]在本发明实施例的一种实现方式中，在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前，所述方法包括:
[0011]建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
[0012]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型，包括:
[0013]统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布；
[0014]按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布，向第二固态硬盘中写入数据，所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同；
[0015]采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息，所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命；
[0016]采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间，得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
[0017]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想寿命的区间，控制所述第一固态硬盘的写入速度，包括:
[0018]当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想寿命的区间的下限时，控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度，所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度，其中N为大于O的整数。
[0019]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0020]在所述第一固态硬盘的写入速度处于所述第一写入速度时，获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息，所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命；
[0021]确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间；
[0022]当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想寿命的区间的下限时，控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
[0023]另一方面，本发明实施例还提供了一种固态硬盘写入控制装置，所述装置包括:
[0024]获取模块，用于获取第一固态硬盘的第一硬件信息，所述第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命；
[0025]确定模块，用于确定所述第一写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间，所述寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间；
[0026]控制模块，用于根据获取到的所述第一剩余寿命与确定的所述理想寿命的区间，控制所述第一固态硬盘的写入速度。
[0027]在本发明实施例的一种实现方式中，所述装置还包括:建立模块，用于在所述获取第一固态硬盘的第一硬件信息之前，建立与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的所述寿命模型。
[0028]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述建立模块，包括:
[0029]采集单元，用于统计用户实际写入时数据的大小分布和类型分布；
[0030]写入单元，用于按照所述用户实际写入时数据的大小分布和类型分布，向第二固态硬盘中写入数据，所述第二固态硬盘与所述第一固态硬盘型号相同；
[0031]采样单元，用于采样所述第二固态硬盘的第二硬件信息，所述第二硬件信息包括第二写入数据总量与第二剩余寿命；
[0032]处理单元，用于采用多项式回归拟合出用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及所述曲线的预测区间，得到与所述第一固态硬盘同一型号的固态硬盘的寿命模型。
[0033]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述控制模块，用于当获取到的所述第一剩余寿命连续N次小于确定的所述理想寿命的区间的下限时，控制所述第一固态硬盘的写入速度处于第一写入速度，所述第一写入速度小于出厂时所述第一固态硬盘的设定写入速度，其中N为大于O的整数。
[0034]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述获取模块，还用于在所述第一固态硬盘处于的写入速度所述第一写入速度时，获取所述第一固态硬盘的第三硬件信息，所述第三硬件信息包括第三写入数据总量和第三剩余寿命；
[0035]所述确定模块，用于确定所述第三写入数据总量在所述寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间；
[0036]所述控制模块，用于当获取到的所述第三剩余寿命不小于确定的所述理想寿命的区间的下限时，控制所述第一固态硬盘的写入速度处于所述设定写入速度。
[0037]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0038]获取第一固态硬盘的第一硬件信息，第一硬件信息包括第一写入数据总量和第一剩余寿命；确定第一写入数据总量在寿命模型中对应的理想剩余寿命的区间，寿命模型包括用户写入总量和理想剩余寿命关系曲线以及曲线的预测区间；根据获取到的第一剩余寿命与确定的理想寿命的区间，控制第一固态硬盘的写入速度，由于，固态硬盘的速度是根据采集到的第一剩余寿命与寿命模型中的理想寿命比较后进行控制的，因此只会在固态硬盘寿命下降速度过快时，通过控制写入速度来保证硬盘的使用寿命，这样既保证了