休眠唤醒方法及电子装置的制造方法_2

文档序号:8430269阅读:来源:国知局
电路13是在休眠阶段将页面写入外部存储装置11以产生休眠映像 文件SI,并根据主存储器12的一连续页面范围RA将相关于页面地址对应的第一页面表根 据休眠映像文件页面相对位置更新为第二页面表,并将恢复信息存入休眠文件文件头。在 一实施例中,第一页面表用以记录页面搬移至连续页面范围RA之前的位置,第二页面表用 以记录页面搬移至连续页面范围RA之后的位置。映像文件产生电路13在休眠阶段将页面 写入外部存储装置11以产生休眠映像文件SI。页面搬移电路16在唤醒阶段根据休眠映 像文件SI将页面由外部存储装置11连续写回主存储器12的连续页面范围RA。进一步来 说,页面搬移电路16在唤醒阶段根据休眠映像文件SI的文件头或页面的页面头内的页面 信息将页面由外部存储装置11连续写回第二页面表所记载页面在主存储器12的连续页面 范围RA内的位置,唤醒阶段是在休眠阶段之后。
[0051] 页面自外部存储器11写回主存储器12时的目标地址是记录于休眠映像文件SI 的文件头。页面搬移电路16传送休眠映像文件SI的方式是以一次连续传送的方式进行休 眠映像文件SI的传送。休眠映像文件SI的页面于外部存储器11的摆放方式是连续摆放, 且页面与页面之间无空隙。当休眠映像文件SI的页面写回主存储器12后,各页面于主存 储器12的位置与第二页面表所记载的位置相符。主存储器12的连续页面范围RA例如为 主存储器12的缓存区域(cacheregion) 12a的页面范围。在一实施例中,页面搬移电路16 传送休眠映像文件SI的方式亦可以非连续传送的方式进行休眠映像文件SI的传送。页面 搬移电路16根据休眠映像文件SI的文件头或页面的页面头内的页面信息,逐一将页面由 外部存储器11写回主存储器12,各页面于主存储器12的位置与第二页面表所记载的位置 相符。唤醒方法适用于电子装置1且包括下述开机流程及关机流程。
[0052] 请同时参照图1、图2及图3,图2绘示为依照第一实施例的休眠阶段的主存储器 与外部存储装置的示意图,图3绘示为依照第一实施例的关机流程图。首先如步骤31所示, 中央处理器(可为实施上述映像文件产生电路13或页面搬移电路16的中央处理器,也可 以为装置1的另一中央处理器)判断是否执行快速开机模式。若执行快速开机模式,则执 行步骤32。如步骤32所示,电子装置1进入休眠阶段。接着如步骤33所示,映像文件产生 电路13在休眠阶段集中页面PA至PK至连续页面范围RA以形成连续页面阵列SPA。页面 PA至PK例如为用户空间页面(UserSpacePage)。接着如步骤34所示,映像文件产生电 路13在休眠阶段根据连续页面阵列SPA将第一页面表更新为第二页面表。需说明的是,由 于集中页面到PA至PK后,其实体位置已经改变,因此对应地将第一页面表更新为第二页面 表。
[0053] 跟着如步骤35所示,映像文件产生电路13根据连续页面阵列SPA产生休眠映像 文件SI。也就是,映像文件产生电路13将主存储器12的页面PA至PK连续写入(Sequential I/O)至外部存储装置11以产生休眠映像文件SI。前述页面PA至PK可以有不同的集中方 式,如向前集中、向后集中或于特定区域集中。前述连续页面范围RA例如为非固定存储器 地址,并在前次休眠阶段执行一页面迁移(PageMigration)所形成。也就是说,连续页面 范围RA可以是前次休眠阶段中主存储器12用以存储前一次休眠图像文件的存储器位置。 相反地,若不执行快速开机模式,则执行步骤36。如步骤36所示,中央处理器执行一般关机 程序。
[0054] 请同时参照图1、图4及图5,图4绘示为在唤醒阶段的主存储器与外部存储装置 的示意图,图5绘示为依照第一实施例的开机流程图。首先如步骤51所示,中央处理器判 断是否执行快速开机模式。若执行快速开机模式,则执行步骤52。如步骤52所示,电子装 置1进入唤醒阶段。接着如步骤53所示,页面搬移电路16在唤醒阶段根据休眠映像文件 SI将页面PA至PK由外部存储装置11连续写回主存储器12的连续页面范围RA。相反地, 若不执行快速开机模式,则执行步骤54。如步骤54所示,中央处理器执行一般开机程序。 当使用者选择执行快速开机模式时,页面PA至PK能不经由页面缓存器而直接连续写回主 存储器12的连续页面范围RA。如此一来,能缩短开机时间,并提高开机速度。
[0055] 第二实施例
[0056] 请同时参照图1、图6及图7,图6绘示为依照第二实施例的主存储器与外部存储 装置的示意图,图7绘示为依照第二实施例的关机流程图。第二实施例与第一实施例主要 不同之处在于第二实施例是预先保留连续页面范围。首先如步骤71所示,中央处理器(可 为实施上述映像文件产生电路13或页面搬移电路16的中央处理器,也可以为装置1的另 一中央处理器)判断是否执行快速开机模式。若执行快速开机模式,则执行步骤72。如步 骤72所示,电子装置1进入休眠阶段。接着如步骤73所示,映像文件产生电路13在休眠 阶段是根据页面PA至PK于休眠映像文件SI的顺序决定页面PA至PK于连续页面范围RA 的位置以将第一页面表更新为第二页面表。跟着如步骤74所示,映像文件产生电路13将 主存储器12的页面PA至PK连续写入(SequentialI/O)至外部存储装置11以产生休眠 映像文件SI。相反地,若执行快速开机模式,则执行步骤75。如步骤75所示,中央处理器 执行一般关机程序。
[0057] 请同时参照图1、图6及图8,图8绘示为依照第二实施例的开机流程图。首先如 步骤81所示,中央处理器于核心初始化阶段预先保留连续页面范围RA。前述连续页面范围 RA例如为在休眠阶段第二页面表所记录的位置,其为固定存储器地址。接着如步骤82所 示,中央处理器判断是否执行快速开机模式。若执行快速开机模式,则执行步骤83。如步 骤83所示,电子装置1进入唤醒阶段。接着如步骤84所示,页面搬移电路16在唤醒阶段 根据休眠映像文件SI将页面PA至PK由外部存储装置11连续写回主存储器12的连续页 面范围RA。进一步来说,根据休眠映像文件SI的文件头或页面PA至PK的页面头内的页面 信息,页面搬移电路16将页面PA至PK由外部存储装置11连续写回第二页面表所记载页 面PA至PK在主存储器12的连续页面范围RA内的位置。
[0058] 相反地,若不执行快速开机模式,则执行步骤85。如步骤85所示,中央处理器执 行一般开机程序。接着如步骤86所示,中央处理器释放原本预先保留的连续页面范围RA。 由于非快速开机模式下不需使用连续页面范围RA,因此可将连续页面范围RA释放出来供 其他程序使用。当使用者选择执行快速开机模式时,页面PA至PK能不经由页面缓存器而 直接连续写回主存储器12的连续页面范围RA。如此一来,能缩短开机时间,并提高开机速 度。
[0059] 第三实施例
[0060] 请同时参照表1、图1、图9、图10A及图10B,表1为一种死结阵列的例示,图9绘 示为依照第三实施例的电子装置的方块图,图10A及图10B绘示为依照第三实施例的开机 流程图。电子装置8包括外部存储装置11、主存储器12、处理单元14及处理单元15。在 休眠阶段,经由处理单元14或处理单元15将页面自主存储器12写入外部存储装置11以 产生休眠映像文件SI。在唤醒阶段,经由处理单元14执行核心加载及初始化程序,并并行 地(paralledlly)经由处理单元15移动休眠映像文件SI的页面。处理单元14及处理单 元15例如为多核心处理器中的不同核心。或者,处理单元14及处理单元15例如分别为中 央处理单兀(CentralProcessingUnit,CPU)及直接内存访问(DirectMemoryAccess, DMA)控制器。此外,处理单元14及处理单元15也可以例如分别为中央处理单元及数字信 号处理器(^DigitalSignalProcessor,DSP)。另需说明的是,处理单元14和处理单元15 可以分别是前述的映像文件产生电路13和页面搬移电路16。
[0061] 在唤醒阶段,开机流程包括如下步骤:当处
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