为响应，信息存储装置200将非易失性存储介质210的一部分分配(或指定)为临时存储区域211(S440)。然后，存储器控制器220可输出针对非易失性存储介质210的临时存储区域211的访问命令(S450)。例如，假设为写入请求，则请求的写入数据可被存储在非易失性存储介质210的临时存储区域211中，假设为读取请求，则请求的读取数据可从非易失性存储介质210的临时存储区域211被读取。
[0083]因此，根据本发明构思的特定实施例，可在不涉及加密单元226的情况下处理对临时存储区域211的访问。一旦用户装置I再次进入认证状态，则可根据需要删除存储在临时存储区域211中的任何数据。
[0084]图10是示出由先前所述的实施例中的任意一个实施例中的非易失性存储介质210提供的数据存储空间的一种可能布局的概念图。如可看到的，可访问的存储器空间及其在形成非易失性存储介质210的存储器单元的组成矩阵内的位置是认证状态或非认证状态的函数。
[0085]参照图10，在用户装置I在认证状态下进行操作时主机可访问的非易失性存储介质210的数据存储空间实质上是整个非易失性存储介质210。然而，一旦用户装置I进入非认证状态，则主机可访问的非易失性存储介质210的数据存储空间下降到可由特定后台操作的执行所使用的被指定的临时存储区域211。
[0086]可使用各种方式来提供临时存储区域211。例如，临时存储区域211可以是存储器块的预定集合、用户区域的自由区域或空区域的一部分等。在非认证状态下提供的临时存储区域211的大小和位置可根据用户区域的使用状态而变化。在非认证状态下提供的临时存储区域211可由连续的或不连续的存储区域形成。
[0087]图11是用于在图1和图3的用户装置I的情况下进一步示出在本发明构思的特定实施例中在认证状态和非认证状态之间的操作如何不同的另一框图。
[0088]结合图11，假设主机100响应于用户发起的认证过程而从睡眠模式“苏醒”。当认证方是用户装置I的用户时，使用用户输入的认证信息(例如，图案认证、PIN认证或密码认证)执行认证操作。如果认证方是远程服务器(例如，公司的内联网)，则通过远程服务器执行认证操作。作为确定认证信息有效的结果，主机100将认证信息提供给信息存储装置200。然后，主机100和信息存储装置200进入认证状态。
[0089]在主机100和信息存储装置200之间定义认证过程的示例的情境中已经描述了本发明构思的实施例。然而，本发明构思不限于此。在主机100和信息存储装置200之间定义认证过程的情况下，本发明构思可支持基本的自加密功能。因此，用于自加密的加密密钥可从非易失性存储介质210自动加载到存储器控制器220上。然后，信息存储装置200可响应于主机100的访问请求而执行数据加密/解密。
[0090]图12是在一个可能的示例中进一步示出图1、图3、图6、图8和图11的非易失性存储介质210的框图。
[0091]非易失性存储介质210可以是诸如NAND闪存装置的非易失性存储装置。然而，众所周知的是，非易失性存储介质210不限于NAND闪存装置。例如，非易失性存储介质210可由NOR闪存装置、相变存储器(PRAM)装置、磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置、或自旋转移扭矩随机存取存储器(STT-RAM)装置来形成，但不限于此。此外，本发明构思的非易失性存储介质210可被实现为具有三维阵列结构。具有三维阵列结构的非易失性存储装置可被称为垂直NAND闪存装置。垂直NAND闪存装置的示例公开于例如第2013/0017629号和2013/0051146号美国专利公开中，其中，这些美国专利公布的主题通过引用合并于此。本发明构思适用于电荷存储层由绝缘膜组成的电荷捕获闪速(CTF)存储器装置以及电荷存储层由导电浮栅组成的闪存装置。
[0092]参照图12，非易失性存储介质210包括存储器单元阵列2110、地址解码器2120、电压产生器2130、控制逻辑2140、页缓冲电路2150以及输入和输出接口 2160。
[0093]存储器单元阵列2110可包括被布置在行(例如，字线)和列(例如，位线)的交叉处的存储器单元。每个存储器单元可存储I比特数据或作为多比特数据的M比特数据(M是整数2或大于整数2)。地址解码器2120被控制逻辑2140控制，并执行关于存储器单元阵列2110的行(例如，字线、串选择线、接地选择线、公共源线(common source line)等)的选择和驱动操作。电压产生器2130被控制逻辑2140控制，并产生每个操作所需的电压(诸如高电压、编程电压、读取电压、验证电压、擦除电压、通过电压、体电压(bulk voltage)等)。由电压产生器2130产生的电压可经由地址解码器2120被提供给存储器单元阵列2110。控制逻辑2140被构造为控制非易失性存储介质210的整体操作。
[0094]页缓冲电路2150被控制逻辑2140控制，并被构造为从存储器单元阵列2110读取数据和根据编程数据驱动存储器单元阵列2110的列(例如，位线)。页缓冲电路2150可包括分别与位线或位线对对应的页缓冲器。每个页缓冲器可包括多个锁存器。输入和输出接口 2160被控制逻辑2140控制，并与外部装置(例如，图1中示出的存储器控制器1200)接口连接。虽然图12中未示出，但是输入和输出接口 2160可包括但不限于列解码器、输入缓冲器、输出缓冲器等，其中，列解码器被构造为按预定单元选择页缓冲电路2150的页缓冲器，输入缓冲器被构造为接收数据，输出缓冲器被构造为输出数据。
[0095]图13是示出根据本发明构思的特定实施例的具有三维结构的存储器块的透视图。参照图13，存储器块BLKl沿与基板SUB垂直的方向形成。η+掺杂区域形成在基板SUB中。栅电极层和绝缘层依次沉积在基板SUB上。电荷存储层形成在栅电极层和绝缘层之间。
[0096]如果栅电极层和绝缘层沿垂直方向形成图案，则可形成V形柱。该柱可经由栅电极层和绝缘层与基板SUB连接。该柱的外部O可由沟道半导体形成，内部I可由诸如氧化娃的绝缘材料形成。
[0097]存储器块BLKl的栅电极层连接到接地选择线GSL、多条字线WLl至WL8以及串选择线SSL。存储器块BLKl的柱可连接到多条位线BLl至BL3。在图13中，示出了一个存储器块BLKl具有两条选择线SSL和GSL、八条字线WLl至WL8以及三条位线BLl至BL3的示例。然而，本发明构思不限于此。
[0098]图14是图13的存储器块的等效电路图。参照图14，NAND串NSll至NS33可连接在位线BLl至BL3和公共源线CSL之间。每个NAND串(例如，NS11)包括串选择晶体管SST、多个存储器单元MCl至MC8以及接地选择晶体管GST。
[0099]串选择晶体管SST连接到串选择线SSLl至SSL3。存储器单元MCl至MC8分别连接到相应的字线WLl至WL8。接地选择晶体管GST连接到接地选择线GSL。在每个NAND串中，串选择晶体管SST可连接到位线，接地选择晶体管GST可连接到公共源线CSL。
[0100]具有同一高度的字线(例如，WLl)可被共同连接，串选择线SSLl至SSL3可彼此分开。地选择线GSL可被共同连接。第一字线WLl和第一串选择线SSLl被选择用于对包括在NAND串NS11、NS12和NS13中的与第一字线WLl连接的存储器单元进行编程。
[0101]图15是在一个示例中进一步示出图1、图3、图6、图8和图11的主机100的框图。图15中示出的主机100可以是作为用户装置的移动电话(或，被称为智能电话)。然而，将理解的是，本发明构思不仅限于移动电话。
[0102]参照图15，移动电话100可包括全球移动通信系统(GSM)块110、近场通信(NFC)收发器120、NFC天线匹配网络系统(NFC AMNS) 130、输入/输出(I/O)块140、应用块150和显示器160。图15中的移动电话100的组件/块可仅通过说明的方式被示出。然而，移动电话100可包含更多或更少的组件/块。另外，虽然被描述为使用GSM技术，但是可使用诸如CDMA(码分多址)的其它技术来另外地实现移动电话100。可以以集成电路(IC)形式来实现图15的块。可选择地，可以以IC形式来实现一些块，而其它块可以处于分立形式。
[0103]移动电话100的主机连接到参照图1至图11描述的信息存储装置200。信息存储装置200可以是移动电话100的嵌入式存储器(例如，eMMC(嵌入式MMC))。或者，信息存储装置200可以是移动电话100的外部存储器。然而，本发明构思不限于此。
[0104]GSM块110连接到天线101并进行操作来以公知方式提供无线电话操作。GSM块110可在内部包含接收器和发送器部分(未示出)以执行相应的接收操作和发送操作。
[0105]NFC收发器120使用用于无线通信的感应连接，并被构造为接收和发送NFC信号。NFC收发器120将NFC信号提供给NFC天线阻抗匹配网络系统130，NFC天线阻抗匹配网络系统130通过感应连接来发送NFC信号。NFC天线阻抗匹配网络系统130接收NFC信号(从另一 NFC装置(未示出)提供的NFC信号)，并将接收到的NFC信号提供给NFC收发器120。
[0106]NFC收发器120进行操作以与在近场通信接口和协议-1 (NFCIP-1)和近场通信接口和协议-2(NFCIP-2)中描述的规格一致，并以 ECMA-340、ISO/IEC 18092、ETSI TS102190、ISO 21481、ECMA 352、ETSI TS 102312 等来标准化。
[0107]应用块150可包含相应硬件电路(例如，一个或更多个处理器)，并进行操作以提供由移动电话100提供的各种用户应用。用户应用可包括语音呼叫操作、数据传输等。应用块150可与GSM块110 —起操作以提供这种特征。
[0108]显示器160可响应于从应用块150接收到的相应显示信号来显示图像。图像可由设置在移动电话100中的相机产生，但图15中未示出。显示器160可在内部包含用于临时存储针对图像刷新目的的像素值的存储器(例如，帧缓冲器)，并可被实现为例如具有相关控