去尾端 效应调整，可能增加接触区域分离的可能性。不过，此类接触区域分离通常是不良的，因为 它可能引起两个单独接触的检测（和位置计算）而不是实际的大导电体（例如，诸如胖手 指）的单个接触。
[0195] 为解决这个缺点，在某些实施例中，本文所述的技术提供仅校正在具有最大RX索 引值的传感器元件下游的那些传感器元件的尾端效应。（需要指出，在此背景下，下游指的 是远离藉此布线RX电极的传感器阵列边缘的方向。）
[0196] 图13示出考虑大导电体（例如，诸如胖手指）接触的调整尾端效应并避免接触区 域分离的示例方法。图13中的方法包括如图12中的方法的相同块，除了如与图12中的块 1136A相比，藉此选择不同元件的块1136B以外。
[0197] 图13中的各块的操作在后文被描述为通过处理逻辑来执行（例如，诸如图1中的 处理逻辑102)。不过需要指出，各个实施和实施例可以使用不同并且可能多个组件来执行 图13中的方法。因此，在后文中，图13中如通过处理逻辑执行的方法的描述应被视为说明 性的含义而非限制性的含义。
[0198] 在块1304,用于传感器阵列的TX电极的斜率参数（或系数）值a已被计算并以与 它们对应的TX电极相关联的方式被存储。在块1132中，处理逻辑执行将"txlndex"变量 初始化到零的操作，"txlndex"变量表示当前TX电极的TX索引值。在块1134中，处理逻辑 确定是否有需要被处理的任何剩余TX电极。例如，如果"txlndex"变量小于"txLast"变 量，那么，至少当前TX电极仍需要被处理，并且该处理逻辑继续执行在块1136B至1144中 的操作。如果"txlndex"变量不小于"txLast"变量，那么，用于所有TX电极的传感器元件 的差分信号值均已被处理，并且该处理逻辑继续进行在块1350中的操作。
[0199] 在块1136B中，处理逻辑仅选择对其RX电极在作为正被处理的扫描操作的一部分 被检测到具有最大差分信号值的RX电极下游的那些传感器元件的尾端效应调整。例如，处 理逻辑将"rxlndex"变量初始化到高于变量（"rxMax"）值的值，变量（"rxMax"）表示沿 当前TX电极被检测到具有最高差分信号值的RX电极的RX索引值。为执行该初始化，处理 逻辑可以执行下列操作
[0200] rxlndex = rxMax+1
[0201] 为了上述操作的目的，用于每个TX电极的"rxMax"变量可以被找到并在线性近似 系数计算期间，以与该TX电极相关联的方式保存（例如，作为图11中块1112至1124中的 操作的一部分）。通过以这种方式设定"rxlndex"变量，本文所述的技术提供将仅被校正 用于其RX索引值在所有TX电极的"rxMax"索引值范围之外的那些传感器元件的差分信号 值。如果传感器阵列是双布线的，那么，块1136B中的操作可以被单独应用于藉此布线RX 电极的传感器阵列的每一面。
[0202] 在块1138中，处理逻辑确定是否有需要被处理用于当前TX电极的任何剩余RX电 极。例如，如果"rxlndex"变量小于"rxLast"变量，那么，至少当前RX电极仍需要被处理，并 且该处理逻辑继续执行在块1140和1142中的操作。如果"rxlndex"变量不小于"rxLast" 变量，那么，来自沿当前TX电极的RX电极的差分信号值已被处理，并且处理逻辑继续执行 在块1144中的操作（该块设定用于处理的下一个TX电极）。
[0203] 在块1140中，处理逻辑调整用于当前传感器元件（其通过"rxlndex"变量指示的 当前RX电极和"txlndex"变量指示的当前TX电极形成）的尾端效应的差分信号值。例如， 处理逻辑执行下列操作
[0204]信号校正=信号一Coef[txIndex] *rxlndex
[0205] 需要指出，值（即，乘积）"Coef [txlndex]*rxlndex"表示校正当前传感器元件的 尾端效应的调整值。
[0206] 在块1142中，处理逻辑设定需要被处理的下一个RX电极的RX索引值并继续在块 1138中的操作。在来自沿当前TX电极的选定RX电极的差分信号值已被处理后，在块1138 中处理逻辑确定当前"rxlndex"变量不小于"rxLast"变量。因此，处理逻辑继续在块1144 中的操作。在块1144中处理逻辑设定需要被处理的下一个TX电极的TX索引值并继续在 块1134中的操作。在所有TX电极的传感器元件的差分信号值被以上述方式调整后，在块 1134中处理逻辑确定当前"txlndex"变量不小于"txLast"变量。因此，处理逻辑继续在块 1350中的操作。在块1350中，处理逻辑执行在图11中的块1150中描述的操作（例如，诸 如使用尾端效应已校正信号值计算导电体在传感器阵列上的定位位置的操作）。
[0207] 在某些实施例中，本文所述的技术的简单（例如，更快）实施可以包括计算仅用于 在接触区域中间的那些TX电极的斜率参数值，以及调整仅通过那些TX电极形成的那些传 感器元件的尾端效应。在这些实施例中，用于校正尾端效应的方法类似于在图11和12中 示出的方法，除了取代循环通过所有TX电极以外，这些方法将提供仅选择TX电极的子集的 操作（例如，诸如仅包括在接触区域中间的那些TX电极的子集）。
[0208] 在某些实施例中，本文所述的用于校正尾端效应的技术不仅可以用于互电容式传 感器阵列，而且可以用于具有自电容设计的传感器阵列。本文所述的技术的此类应用对于 自电容式传感器阵列是可能的，因为它们也提供能够被激活并且能够产生能被分析的信号 分布图的多个传感器。此外，本文所述的技术不只与电容式感应应用相关联，而且可以用于 其他感应技术（例如，去除光学感应应用中的阴影），以及可用于提供能够接收与线性分布 图耦合的寄生信号的传感器元件阵列的任何其他类型的设计。
[0209] 本文所述的用于校正尾端效应的技术的各个实施例可以包括各种操作。这些操作 可以通过硬件组件、软件、固件或它们的组合来执行。如本文所使用的，术语"耦合于"可以 意指直接耦合后通过一个或多个插入组件间接耦合。本文所述的在各个总线上提供的任何 信号可以与其他信号时分多路复用并被在一个或多个公用总线上提供。另外，各电路组件 或各块之间的互连可以被示出为各总线或单信号线。每个总线可以另选是一个或多个单信 号线，以及每个单信号线可以另选是各总线。
[0210] 特定实施例可以被实施为计算机程序产品，该程序产品可以包括储存在非临时性 计算机可读介质（例如，诸如易失性储存器和/或非易失性储存器）上。这些指令可用于 编程包括一个或多个通用或专用处理器（例如，诸如中央处理单元或CPU)或其等效物（例 如，诸如处理核，处理引擎，微控制器等）的一个或多个装置，使得当该指令被处理器或其 等效物执行时，该指令促使该装置执行所述的用于校正本文所述的尾端效应的操作。计算 机可读介质还可以包括用于以机器（例如，诸如装置或计算机）可读的形式（例如，诸如 软件、处理应用）存储或传送信息的一个或多个机制。非临时性计算机可读存储介质可以 包括但不限于电磁存储介质（例如，软盘、硬盘等）、光学存储介质（例如，CD-ROM)、磁光存 储介质、只读存储器（R0M)、随机存取存储器（RAM)、可擦除可编程存储器（例如，EPROM和 EEPR0M)、闪存或适用于存储信息的另一种现在已知或以后开发类型的介质。
[0211] 虽然本文方法的操作以特定次序示出和描述，但是每种方法的操作次序可以被改 变，使得特定操作可以以相反次序执行，或使得特定操作可与其他操作至少部分并行执行。 在其他实施例中，各指令或不同操作的子操作可以以间歇和/或交替的方式。
[0212] 在前述说明书中，本发明已关于其特定示例性实施例进行了描述。不过很显然，可 以对其做出各种更改和改变，而不偏离如在所附权利要求中阐述的本发明的较广阔的实质 和范围。因此，本说明书和附图应被视为是示例性的含义而不是限制性的含义。
【主权项】
1. 一种装置，包括： 传感器阵列，所述传感器阵列包括多个接收RX电极和多个发送TX电极，其中，所述多 个RX电极和多个TX电极在所述传感器阵列的基板上的单层中的触摸感应区域中彼此交错 而没有交叉； 传感器，所述传感器经配置测量来自所述传感器阵列的多个测量结果，其中，所述多个 测量结果代表导电体与所述传感器阵列接触或接近所述传感器阵列；以及 与所述传感器耦合的处理逻辑，其中，所述处理逻辑经配置至少执行以下操作： 确定对应于与所述多个测量结果相关联的尾端效应的调整值的集合；以及 基于所述调整值的集合生成对应于所述多个测量结果的调整后的测量结果，其中，所 述调整后的测量结果校正所述尾端效应。2. 如权利要求1所述的装置，其中，所述尾端效应包括由受所述导电体影响的RX电极 的主迹线和TX电极之间的寄生耦合引起的寄生信号增加或寄生信号减少，其中，所述RX电 极的所述主迹线邻近所述TX电极布线。3. 如权利要求2所述的装置，其中，所述RX电极的所述主迹线和所述RX电极的成形部 被布置在所述传感器阵列的所述触摸感应区域中，但是，所述RX电极的所述成形部不受所 述导电体影响。4. 如权利要求1所述的装置，其中，所述传感器阵列包括在所述传感器阵列的相对侧 上的第一非感应区域和第二非感应区域，其中，所述多个RX电极的第一子集和所述多个TX 电极的第一子集从所述第一非感应区域布线，并且所述多个RX电极的第二子集和所述多 个TX电极的第二子集从所述第二非感应区域布线。5. 如权利要求1所述的装置，其中，所述处理逻辑还经配置基于所述调整后的测量结 果确定所述导电体在所述传感器阵列上的位置坐标。6. 如权利要求1所述的装置，其中，所述多个测量结果包括通过所述传感器阵列的特 定TX电极形成的传感器元件的信号值，并且其中，所述调整后的测量结果包括对应于所述 信号值的调整值。7. 如权利要求6所述的装置，其中，为了确定关于所述特定TX电极的所述调整值，所述 处理逻辑经配置执行以下操作： 计算沿所述特定TX电极形成所述传感器元件的RX电极的索引的总和； 计算沿所述特定TX电极的所述传感器元件的所述信号值的总和； 基于所述索引的总和和所述信号值总和计算参数值；以及 至少基于：每个所述信号值、所述参数值、以及对应RX电极的索引调整所述信号值中 的每个信号值，以获得对应的调整值。8. 如权利要求6所述的装置，其中，通过所述特定TX电极形成的所述传感器元件的所 述信号值小于尾端效应阈值值。9. 如权利要求6所述的装置，其中，沿所述特定TX电极形成所述传感器元件的所述RX 电极具有大于形成具有峰值信号值的传感器元件的RX电极的索引的索引。10. -种方法，包括： 接收从传感器阵列测量的多个测量结果，其中，所述多个测量结果代表导电体与所述 传感器阵列接触或接近所述传感器阵列； 其中，所述传感器阵列包括多个接收RX电极和多个发送TX电极，其中，所述多个RX电 极和所述多个TX电极在所述传感器阵列的基板上的单层中的触摸感应区域中彼此交错而 没有交叉； 处理装置确定对应于与所述多个测量结果相关联的尾端效应的调整值的集合；以及 基于所述调整值的集合生成对应于所述多个测量结果的调整后的测量结果，其中，所 述调整后的测量结果校正所述尾端效应。11. 如权利要求10所述的方法，其中，所述尾端效应包括由受所述导电体影响的RX电 极的主迹线和TX电极之间的寄生耦合引起的寄生信号增加或寄生信号减少，并且其中，所 述RX电极的所述主迹线邻近所述TX电极布线。12. 如权利要求11所述的方法，其中，所述RX电极的主迹线和所述RX电极的成形部被 布置在所述传感器阵列的所述触摸感应区域中，但是，所述RX电极的所述成形部不受所述 导电体影响。13. 如权利要求10所述的方法，还包括基于所接收到的多个测量结果确定所述传感器 阵列的传感器元件的差分信号。14. 如权利要求10所述的方法，其中： 所述多个测量结果包括通过所述传感器阵列的特定TX电极形成的传感器元件的信号 值；并且 所述处理装置确定所述调整后的测量结果包括： 计算沿所述特定TX电极形成所述传感器元件的RX电极的索引的总和； 计算沿所述特定TX电极的所述传感器元件的所述信号值的总和； 基于所述索引的总和和所述信号值的所述总和计算参数值；以及 至少基于：每个所述信号值、所述参数值、以及对应RX电极的索引调整所述信号值中 的每个信号值，以获得对应的调整值。15. 如权利要求14所述的方法，其中，所述处理装置确定所述调整后的测量结果还包 括： 通过将所述多个测量结果和尾端效应阈值值进行比较，选择通过所述传感器阵列的所 述特定TX电极形成的所述传感器元件的所述信号值。16. 如权利要求14所述的方法，其中，所述处理装置确定所述调整后的测量结果还包 括： 确定形成具有峰值信号值的传感器元件的RX电极的第一索引；以及 通过只选择小于尾端效应阈值值并且具有大于所述第一索引的索引的那些信号值来 选择通过所述传感器阵列的所述特定TX电极形成的所述传感器元件的所述信号值。17. 如权利要求10所述的方法，还包括，基于所述调整后的测量结果确定所述导电体 在所述传感器阵列上的位置坐标。18. -种系统，包括： 电容式传感器阵列，所述电容式传感器阵列包括多个接收RX电极和多个发送TX电极， 其中，所述多个RX电极和所述多个TX电极在所述电容式传感器阵列的基板上的单层中的 触摸感应区域中彼此交错而没有交叉； 电容式传感器，所述电容式传感器与所述电容式传感器阵列耦合，所述电容式传感器 经配置从所述多个RX电极测量多个测量结果，其中，所述多个测量结果代表导电体与所述 电容式传感器阵列接触或接近所述电容式传感器阵列；以及 处理逻辑，所述处理逻辑与所述电容式传感器耦合，其中，所述处理逻辑经配置至少执 行以下操作： 确定对应于与所述多个测量结果相关联的尾端效应的调整值的集合；以及 基于所述调整值的集合生成对应于所述多个测量结果的调整后的测量结果，其中，所 述调整后的测量结果校正所述尾端效应。19. 如权利要求18所述的系统，其中： 所述尾端效应包括由受所述导电体影响的RX电极的主迹线和TX电极之间的寄生电容 耦合引起的寄生信号增加或寄生信号减少，其中，所述RX电极的所述主迹线邻近所述TX电 极布线；并且 所述RX电极的所述主迹线和所述RX电极的成形部被布置在所述电容式传感器阵列的 所述触摸感应区域中，但是，所述RX电极的所述成形部不受所述导电体影响。20. 如权利要求18所述的系统，其中，所述电容式传感器阵列包括在所述电容式传感 器阵列的相对侧上的第一非感应区域和第二非感应区域，其中，所述多个RX电极的第一子 集和所述多个TX电极的第一子集从所述第一非感应区域布线，而所述多个RX电极的第二 子集和所述多个TX电极的第二子集从所述第二非感应区域布线。
【专利摘要】本文描述用于校正尾端效应的技术。在示例实施例中，装置包括与处理逻辑耦合的传感器。该传感器经配置测量来自传感器阵列的多个测量结果，其中，所述测量结果代表导电体与该传感器阵列接触或接近该传感器阵列。该传感器阵列包括在该传感器阵列的基板上的单层中彼此交错而没有交叉的RX电极和TX电极。处理逻辑经配置确定对应于和该测量结果相关联的尾端效应的调整值的集合，并且基于该调整值的集合生成调整后的测量结果，其中，该调整后的测量结果校正尾端效应的寄生信号变化。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN105027038
【申请号】CN201380064976
【发明人】佩特罗·科桑德扎克, 瓦席尔·曼奇, 伊戈尔·科莱奇, 马绍·巴达耶
【申请人】赛普拉斯半导体公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2013年9月27日