一种Memory模块的验证方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及IC芯片技术领域，尤其涉及一种Memory模块的验证方法及系统。
【背景技术】
[0002]在针对不同工艺的同个芯片中IP前端设计中，工作量最大的是Memory的集成。现有的设计验证Memory的集成和功能的正确性，都是与IP的功能性验证绑定在一起，费时费力，并且不一定能够做到真正的验证出Memory集成和功能的正确性，尤其是Memory有write mask(写入掩码)功能和多块Memory拼接以及读写时钟不一致的情况。
[0003]现有技术中公开了一种“集成memory模块的芯片数据检测校正方法及系统”，见公开号为:CN102779557A，公开日为:2012-11-14的中国专利，该检测校正方法，包括:接收对划分有多个区域的memory模块中的某一区域的某一地址进行访问的指令；在被访问区域外的每个区域中确定一个需要进行检测校正的地址；对被访问的地址中存贮的数据以及在被访问区域外的每个区域中确定的地址中存贮的数据进行检测校正。该发明还公开了一种集成memory模块的芯片数据检测校正系统以及芯片。采用该发明公开的方法、系统或芯片，能够对该芯片中未被访问的部分地址中的数据进行检测校正，提高芯片中存贮数据的可靠性。也就是说该专利是对未被访问的部分地址中的数据进行检测校正，并不是对Memory模块的集成和功能性是否正确进行验证。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题之一，在于提供一种Memory模块的验证方法，其Memory模块的集成和功能性的验证的完备性可以得到最大的提升，尤其是write mask和多个Memory整合的错误可以被发现。
[0005]本发明问题之一是这样实现的:一种Memory模块的验证方法，所述验证方法具体包括如下步骤:
[0006]步骤1、在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper，实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性；
[0007]步骤2、对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号；
[0008]步骤3、对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集，采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据；
[0009]步骤4、对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，是，发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。
[0010]进一步地，所述步骤4中对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，具体为:对Memory模块一个地址写入一个固定值，通过激励信号后，采集到的数据要是固定值对应的预期值，则符合，采集的要不是固定值对应的预期值，则不符合；并对一个memory模块的所有地址进行写操作，每个地址空间的每一个bit遍历O和1，然后回读，判断回读回来的数据与写入的数据是否一致，是一致则发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。
[0011]本发明要解决的技术问题之二，在于提供一种Memory模块的集成和功能性的验证系统，其Memory模块的集成和功能性的验证的完备性可以得到最大的提升，尤其是write mask和多个Memory整合的错误可以被发现。
[0012]本发明问题之二是这样实现的:一种Memory模块的验证系统，所述验证系统包括Memory Wrapper模块、Memory测试激励产生模块、Memory数据采集模块以及Memory行为分析模块；
[0013]所述Memory Wrapper模块，用于在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper，实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性；
[0014]所述Memory测试激励产生模块，用于对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号；
[0015]所述Memory数据采集模块，用于对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集，采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据；
[0016]所述Memory行为分析模块，用于对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，是，发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。
[0017]进一步地，所述Memory行为分析模块中对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，具体为:对Memory模块一个地址写入一个固定值，通过激励信号后，采集到的数据要是固定值对应的预期值，则符合，采集的要不是固定值对应的预期值，则不符合；并对一个memory模块的所有地址进行写操作，每个地址空间的每一个bit遍历O和1，然后回读，判断回读回来的数据与写入的数据是否一致，是一致则发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。
[0018]本发明具有如下优点:1.Memory模块的集成和功能性的验证也可以通过单独的硬件验证体系来实现；
[0019]2.Memory模块的集成和功能性的验证的完备性可以得到最大的提升，尤其是write mask和多个Memory整合的错误可以被发现。
[0020]3.Memory模块的错误类型和地址可知。
【附图说明】
[0021]图1为本发明方法流程示意图。
[0022]图2为本发明系统的原理框图。
【具体实施方式】
[0023]请参阅图1所示，本发明的一种Memory模块的验证方法，所述验证方法具体包括如下步骤:
[0024]步骤1、在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper，实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性；包一层wrapper对于IC领域是公知的技术，不同工艺memory模块只是内核不一样，但是预留的接口是一样的，所以可以使用同一个wrapper。其中，Wrapper是专业术语，一般晶圆厂提供的memory模块是一个底层的模型，在实际测试中需要对这个底层的模块包装一层实现memory模块拼接等操作，这个过程京尤口Lj wrapper。
[0025]步骤2、对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号；
[0026]步骤3、对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集，采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据；
[0027]步骤4、对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，是，发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类