透光性导电构件及其布图方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对导电区域和非导电区域进行了区分的透光性导电构件及其布图方 法。
【背景技术】
[0002] 配置于显示面板前方的透光性导电构件可以用作静电式触摸面板等。
[0003] 在以前的透光性导电构件中，形成于基材表面的透光性电极层用铟-锡氧化物 (ΙΤ0)形成，但这种金属氧化物具有弯曲应力等较弱的缺点。在专利文献1中，公开了一种在 树脂层的内部埋设有导电性纳米线网络的透光性导电层。该导电层由于对弯曲应力等物理 的外力有抵抗力，因而适合使用于以能够进行弯曲变形的树脂薄膜为基材的透光性导电构 件等。
[0004] 在包含导电性纳米线的导电层中，可以通过蚀刻工序进行使导电性纳米线溶解而 部分地形成非导电区域的布图。但是，布图后存在的问题是:导电性纳米线残存下来的导电 区域和导电性纳米线得以除去的非导电区域在光透射特性等光学特性上产生显著的差别。
[0005] 于是，在专利文献1中，记载着使导电性纳米线的一部分化学转化为非导电纳米线 或者高电阻率的纳米线的步骤。在该步骤中，对应该非导电化的区域给以氧化剂，使银纳米 线变换成不溶性金属盐，从而改质为非导电性。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1:日本特开2010-507199号公报
【发明内容】
[0009] 发明所要解决的课题
[0010] 在包含导电性纳米线网络的导电层中，为了确保与在其上形成的金属层等的导电 性，使纳米线的一部分在导电层的表面露出。因此，如果对应该非导电化的区域给以氧化 剂，则存在的课题是在导电层的表面露出的纳米线成为金属氧化化合物而以白浊物的形式 残留下来，从而使应该非导电化的区域的光学特性劣化。
[0011] 另外，在专利文献1中，作为氧化剂例示出了次氯酸盐等氧化盐、和四氰基对苯二 醌二甲烷(TCNQ)等有机氧化剂。但是，这些氧化剂向埋设有银纳米线网络的树脂层即外涂 层(overcoat layer)的渗透程度是不适当的，从而难以精密地控制用于区别导电区域和非 导电区域的布图。另外，如果在包含银纳米线的导电层上用铜和银等金属层形成引线层等， 则产生容易对该金属层造成损害的问题。
[0012] 本发明的目的在于:解决上述以前的课题，提供一种在将导电层的一部分改质成 非导电区域时，可以降低导电区域和非导电区域的光学特性之差的透光性导电构件。
[0013] 另外，本发明的目的还在于:提供一种可以高精度地进行改质导电层的一部分而 区分导电区域和非导电区域的处理的透光性导电构件的布图方法。
[0014] 用于解决课题的手段
[0015] 本发明涉及一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设 于外涂层中的导电层，其特征在于：
[0016] 所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区 域，而且在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的银纳米线的至少一部分被碘化；
[0017] 在所述非导电区域中，银碘化物不会从所述外涂层的表面露出，或者所述非导电 区域的在所述外涂层的表面露出的银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面 露出的银纳米线的量更少。
[0018] 本发明的透光性导电构件通过使非导电区域的银纳米线转化为银碘化物，不会使 相对于导电区域的光透射率大大变化而同导电区域相比较，可以更加提高表面电阻率。在 非导电区域，银碘化物不存在于外涂层的表面，或者即使存在也很微小，所以使非导电层的 表面变浑浊的银碘化物几乎不存在，非导电区域的雾度较小，从而可以将透明性维持在较 高的水平。
[0019]此外，在本说明书中，所谓在外涂层的表面露出的纳米线的量，是指在表面露出的 纳米线的质量相对于每单位面积的总计。或者是指在表面露出的纳米线于单位面积内所占 的面积比。
[0020] 接着，本发明涉及一种透光性导光构件的布图方法，其特征在于：
[0021] 其使用在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的导电层的透光 性层叠材;所述布图方法具有以下工序：
[0022] 用抗蚀剂层覆盖所述导电层的一部分的工序；
[0023] 对没有用抗蚀剂层覆盖的导电层的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线的至少 一部分发生碘化的工序；以及
[0024] 对没有用抗蚀剂层覆盖的导电层的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层的 表面露出的银碘化物除去的工序。
[0025]所述碘液为碘-碘化钾溶液，优选溶液中碘的浓度为0.05~1.0质量％，碘化钾的 浓度为0.1~5.0质量％。
[0026] 另外，硫代硫酸盐溶液优选为硫代硫酸钠溶液，硫代硫酸钠的浓度优选为1.0~25 质量％。
[0027] 本发明的透光性导电构件的布图方法在使银纳米线碘化的处理工序之后，通过设 置将银碘化物除去的工序，可以除去在外涂层的表面露出的被碘化过的银纳米线，可以减 小绝缘层的雾度，从而可以提高透明性。
[0028] 碘-碘化盐溶液容易向外涂层渗透，容易使没有用抗蚀剂层覆盖的区域的导电层 内的银纳米线转化为银碘化物，因此，可以高精度地对导电区域和非导电区域的边界进行 布图。
[0029] 硫代硫酸盐溶液难以向丙烯酸系等外涂层中渗透，从而对在非导电区域的外涂层 的内部存在的碘化过的银纳米线所产生的影响较少。因此，即使在进行了给与硫代硫酸盐 溶液而将在外涂层的表面露出的银碘化物除去的处理之后，也可以在外涂层的内部残存表 面电阻得以提高的银纳米线，从而可以减小非导电区域和导电区域的光学特性之差。另外， 硫代硫酸盐溶液难以向外涂层渗透，在外涂层内部的液体的残留较少，进而硫代硫酸盐溶 液的氧化力往往也较低，从而难以对在导电区域的表面形成为引线层的铜和银等造成损 害。
[0030] 发明的效果
[0031] 本发明的透光性导电构件由于使一部分区域的银纳米线非导电化或者转化为高 电阻的银碘化物，因而不完全除去银纳米线便可以区分导电区域和非导电区域。另外，在非 导电区域，银碘化物几乎不会在外涂层的表面露出，因而可以抑制在非导电区域的表面白 浊化或者白色化的金属化合物的残留，从而光透射性得以改善。除此以外，通过在非导电区 域的外涂层的内部残存银纳米线，可以减小非导电区域和导电区域的光学特性差。
[0032] 本发明的透光性导电构件的布图方法由于使用容易向外涂层渗透的碘液而使银 纳米线实质上非导体化，因而容易对划分导电区域和非导电区域的布图进行控制。另外，虽 然用硫代硫酸盐溶液除去在外涂层的表面露出的银碘化物，但硫代硫酸盐溶液由于难以向 外涂层中渗透，因而向外涂层中的液体的残留较少，进而硫代硫酸盐溶液的氧化力往往也 较低，从而容易防止对外涂层上形成的金属层等造成损害。
[0033] 本发明的布图方法采用不同的工序进行使用碘液的银纳米线的碘化处理、和使用 硫代硫酸盐溶液的银碘化物的除去处理。例如，如果欲使用碘液和硫代硫酸盐溶液的混合 液一次进行处理，则外涂层内的银纳米线发生溶解，非导电区域的光学特性大大地发生变 化。但是，本发明的方法通过使所述2个工序分离，便在被碘化的银纳米线残留于外涂层内 部的状态下，可以除去外涂层表面的银碘化物，从而可以减小在外涂层的内部具有银纳米 线的导电区域和非导电区域的光学特性之差。
【附图说明】
[0034] 图1是表示搭载有本发明的透光性导电构件的便携式电子设备的分解立体图。 [0035 ]图2是表示透光性导电构件的导电层的图案的俯视图。
[0036] 图3是导电层的图案的放大说明图。
[0037] 图4是表示透光性导电构件的基本结构的立体图。
[0038]图5是表示透光性导电构件的布图方法的说明图。
[0039]图6是实施例的说明图。
【具体实施方式】
[0040] 图1所示的电子设备1是便携式电子设备，可以作为信息通信终端、手机或者便携 式游戏机、便携式导航装置等使用。电子设备1由输入面板6和显示面板5组合而成。
[0041] 显示面板5是具有背光灯的彩色液晶面板或电致彩色发光显示元件。在输入面板6 的背部粘接有PET等背部薄膜3。在背部薄膜3的表面整个面地设置有ΙΤ0层4, ΙΤ0层4被设定 为接地电位。在输入面板6的前方，安装有透光性的覆盖面板2。
[0042] 输入面板6是能够根据静电容量变化检测出输入坐标位置的静电式触摸面板。输 入面板6由图4所示的透光性导电构件10构成。本说明书中的所谓透光性，并不局限于纯粹 的透明，优选包含例如总透光率为80%以上的材料。
[0043]图4所示的透光性导电构件10具有透光性基材薄膜11。基材薄膜11是以PET(聚对 苯二甲酸乙二醇酯)薄膜、PC(聚碳酸酯)薄膜、C0P(环烯烃聚合物)薄膜等为代表的透光性 薄膜。此外，也可以将薄膜以外的透光性板材用作基材。在基材薄膜11的表面11a形成有透 光性导电层12。导电层12的构成是:在表面11a层叠有银纳米线13a的聚集体即银纳米线网 络13,再从银纳米线网络13上用丙烯酸系等透光性外涂层14覆盖。
[0044]由于在基材薄膜11的表面11a上配置有银纳米线网络13,且供给熔融状态的丙烯 酸系树脂而形成外涂层14,因而正如示意表示断面构造的图5那样，导电层12的构造是:在 成为透光性树脂层的外涂层14的内部埋设有银纳米线13a。另外，正如在图5的断面图中夸 张表示的那样，银纳米线网络13的一部分从外涂层14的表面突出、露出而可以使形成于导 电层12上的金属层和导电层12的接触电阻降低。
[0045] 基材薄膜11的厚度为50~300μπι左右，导电层12的厚度为lOOnm左右。
[0046] 在透光性导电构件10的导电层12中，银纳米线13a在一部分区域被转化而成为非 导电区域25,而没有转化的区域成为导电区域20。
[0047] 如图2和图3所示，导电区域20被区分为第1电极部21、连结导电部22以及第2电极 部23。
[0048] 如图2所示，第1电极部21呈四方形状或者菱形形状等，沿着Y方向排列。在Y方向相 邻的第1电极部21和第1电极部21用连结导通部22来导通。第1电极部21和连结导通部22连 续地形成。
[0049]第2电极部23以与第1电极部21相同的形状且相同的面积来形成。但是，第1电极部 21和第2电极部23有时也以不同的形状、或不同的面积来形成。第2电极部23以夹持连结导 通部22的方式相互独立地形成，各自沿着X方向成直线排列。第1电极部21以及连结导通部 22与第2电极部23之间的区域经由非导电区域25而进行电分隔。
[0050] 输入面板6的表面如图2和图3所示，跨过(over)连结导电部22和连结导电部22两 侧的非导电区域25、进而直至非导电区域25两侧的第2电极