一种数据存储方法及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及数据存储技术，尤其涉及一种数据存储方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]固态硬盘(SSD，Solid State Drives)是由固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元组成。快闪记忆体(NAND f Iash)是一种较为常见的存储单元。对于NAND f Iash而言，其存储单元分为三大类，分别为单层单元(SLC，Single-Level Cell)、多层单元(MLC，Multi_Level Cell)和三层单元(TLC，Trinary_Level Cell)。其中，SLC的每个单元为I比特(bit)，读写速度快，写寿命长(约为10万次)，但是价格也昂贵。MLC的每个单元为2bit，读写速度适中，写寿命一般(约为I万次)，价格也适中。TLC的每个单元为3bit，读写速度慢，写寿命短(约为I千次)，价格较为便宜。基于此，如何合理利用不同类型的存储单元在保障读写性能的同时，降低制造成本，是有待解决的问题。
【发明内容】
[0003]为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种数据存储方法及电子设备。
[0004]本发明实施例提供的数据存储方法，应用于电子设备，所述电子设备具有存储介质，所述存储介质至少包括:第一类存储区域、第二类存储区域;所述方法包括:
[0005]获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断；
[0006]针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储区域；针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存储区域；
[0007]在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行读/写操作;在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读/写操作；
[0008]其中，所述第一类存储区域的存储性能指数高于所述第二类存储区域的存储性能指数。
[0009]本发明实施例中，所述获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断，包括:
[0010]检测到输入的目标数据时，对所述目标数据的属性信息进行解析；
[0011 ]根据解析结果，判断所述目标数据的类型是所述第一类型或是所述第二类型。
[0012]本发明实施例中，所述针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储区域;针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存储区域，包括:
[0013]针对第一类型的目标数据，在地址映射表中为所述第一类型的目标数据设置对应的第一逻辑地址；
[0014]针对第二类型的目标数据，在所述地址映射表中为所述第二类型的目标数据设置对应的第二逻辑地址；
[0015]所述第一逻辑地址表征所述第一存储区域，所述第二逻辑地址表征所述第二存储区域。
[0016]本发明实施例中，所述在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行写操作;在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行写操作，包括:
[0017]将所述第一类型的目标数据写入所述第一逻辑地址表征的所述第一存储区域;并将所述第一存储区域的第一物理地址存储至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第一逻辑地址和所述第一物理地址的映射关系；
[0018]将所述第二类型的目标数据写入所述第二逻辑地址类型表征的所述第二存储区域;并将所述第二存储区域的第二物理地址存储至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第二逻辑地址和所述第二物理地址的映射关系。
[0019]本发明实施例中，所述在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行读操作;在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读操作，包括:
[0020]根据所述地址映射表，查找与所述第一类型的目标数据的第一逻辑地址对应的第一物理地址;从所述第一物理地址中读取所述第一类型的目标数据；
[0021]根据所述地址映射表，查找与所述第二类型的目标数据的第二逻辑地址对应的第二物理地址;从所述第二物理地址中读取所述第二类型的目标数据。
[0022]本发明实施例提供的电子设备，具有存储介质，所述存储介质至少包括:第一类存储区域、第二类存储区域;所述电子设备还包括:
[0023]判断单元，用于获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断；
[0024]分配单元，用于针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储区域;针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存储区域；
[0025]操作单元，用于在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行读/写操作;在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读/写操作；
[0026]其中，所述第一类存储区域的存储性能指数高于所述第二类存储区域的存储性能指数。
[0027]本发明实施例中，所述判断单元包括:
[0028]解析子单元，用于检测到输入的目标数据时，对所述目标数据的属性信息进行解析；
[0029]判断子单元，用于根据解析结果，判断所述目标数据的类型是所述第一类型或是所述第二类型。
[0030]本发明实施例中，所述分配单元，还用于针对第一类型的目标数据，在地址映射表中为所述第一类型的目标数据设置对应的第一逻辑地址;针对第二类型的目标数据，在所述地址映射表中为所述第二类型的目标数据设置对应的第二逻辑地址;所述第一逻辑地址表征所述第一存储区域，所述第二逻辑地址表征所述第二存储区域。
[0031]本发明实施例中，所述操作单元包括:
[0032]写操作子单元，用于将所述第一类型的目标数据写入所述第一逻辑地址表征的所述第一存储区域;并将所述第一存储区域的第一物理地址存储至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第一逻辑地址和所述第一物理地址的映射关系;将所述第二类型的目标数据写入所述第二逻辑地址类型表征的所述第二存储区域;并将所述第二存储区域的第二物理地址存储至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第二逻辑地址和所述第二物理地址的映射关系。
[0033]本发明实施例中，所述操作单元还包括:
[0034]读操作子单元，用于根据所述地址映射表，查找与所述第一类型的目标数据的第一逻辑地址对应的第一物理地址;从所述第一物理地址中读取所述第一类型的目标数据；根据所述地址映射表，查找与所述第二类型的目标数据的第二逻辑地址对应的第二物理地址;从所述第二物理地址中读取所述第二类型的目标数据。
[0035]本发明另一实施例提供的电子设备，具有存储介质，所述存储介质至少包括:第一类存储区域、第二类存储区域;所述电子设备还包括:
[0036]控制器，用于获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断;针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储区域;针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存储区域;在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行读/写操作;在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读/写操作；
[0037]其中，所述第一类存储区域的存储性能指数高于所述第二类存储区域的存储性能指数。
[0038]本发明实施例的技术方案中，电子设备具有存储介质，所述存储介质至少包括:第一类存储区域、第二类存储区域;这里，第一类存储区域的存储性能指数高于第二类存储区域的存储性能指数。存储性能指数是指写速度、写寿命。对于获得的目标数据，对所述目标数据的类型进行判断;针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储区域;针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存储区域。可见，本发明实施例结合了目标数据的类型，将多种类型的存储区域适应分配给对应类型的目标数据;在存储介质中有效地混合使用了不同类型的存储区域，在保证存储性能的同时，降低了存储介质的制造成本。
【附图说明】
[0039]图1为本发明实施例一的数据存储方法的流程示意图；
[0040]图2为本发明实施例二的数据存储方法的流程示意图；
[0041 ]图3为本发明实施例三的数据存储方法的流程示意图；
[0042]图4为本发明实施例四的数据存储方法的流程示意图；
[0043]图5为本发明实施例五的电子设备的结构组成示意图；
[0044]图6为本发明实施例六的电子设备的结构组成示意图；
[0045]图7为本发明实施例七的电子设备的结构组成示意图；
[0046]图8为本发明实施例八的电子设备的结构组成示意图。
【具体实施方式】
[0047]为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。
[0048]图1为本发明实施例一的数据存储方法的流程示意图，本示例中的数据存储方法应用于电子设备，所述电子设备具有存储介质，所述存储介质至少包括:第一类存储区域、第二类存储区域;如图1所示，所述数据存储方法包括以下步骤:
[0049]步骤101:获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断。
[0050]本发明实施例中，所述电子设备可以是笔记本、主机、一体机、服务器等等。所述电子设备包括存储介质和控制器，存储介质用于存储电子设备的数据、指令等等，控制器用于控制电子设备在存