熔丝单元工作区间的确定方法和装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种熔丝单元工作区间的确定方法和装置。其中，熔丝单元工作区间的确定方法包括：确定熔丝的工艺参数；根据工艺参数确定熔丝的驱动电路的工作参数，其中，驱动电路包括与熔丝串联的晶体管；利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到晶体管的伏安特性曲线；以及根据工艺参数和伏安特性曲线确定熔丝单元的工作区间。通过本发明，解决了现有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问题。
【专利说明】
膝竺单元工作区间的确定方法和装置
技术领域
[0001] 本发明设及忍片领域，具体而言，设及一种烙丝单元工作区间的确定方法和装置。
【背景技术】
[0002] 断裂模式烙丝单元（rup化re mode e化se element)由于设计单元简单被广泛 的应用于各种器件中，但是随着烙丝单元的功能的拓展（单纯的修复转变为可编程阵 列），断裂模式烙丝阵列使用面积也相应变大。现阶段，采用的试验设计值esigin Of Experiments,简称为DOE)和仿真原理虽然可W大致定义断裂模式烙丝单元工作区间，但 是由于断裂模式烙丝单元的工作特性，使得在设计和仿真断裂模式烙丝单元的精度由于样 品数量，正常离散度等因素的影响存在很大的局限性。
[0003] 目前，对于断裂模式烙丝单元的工作区间的确定主要采用W下方式：首先需要确 定烙丝本身的参数，并跟据大量样品的结果定义工作区间，然后再通过改变晶体管的栅极 电压和烙丝及驱动电路两端的电压重新进行大量样品测试从而得到最终的工作区间。
[0004] 然而，在上述确定烙丝工作区间的过程中，由于存在晶体管的栅极电压和烙丝及 驱动电路两端的电压，而实际电路中断裂模式烙丝本身的正常离散变化，使得实际等效电 阻工作点变化从而导致运两种结果存在差异，导致确定的烙丝单元的工作区间不准确，或 者需要大量的样品进行试验，数据采样周期过长使得验证周期过长。
[0005] 针对现有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问题，目前尚未提 出有效的解决方案。
【发明内容】
[0006] 本发明的主要目的在于提供一种烙丝单元工作区间的确定方法和装置，W解决现 有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问题。
[0007] 为了实现上述目的，根据本发明实施例的一个方面，提供了 一种烙丝单元工作区 间的确定方法。根据本发明的烙丝单元工作区间的确定方法包括：确定烙丝的工艺参数； 根据所述工艺参数确定所述烙丝的驱动电路的工作参数，其中，所述驱动电路包括与所述 烙丝串联的晶体管；利用电路仿真模型基于所述驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到 所述晶体管的伏安特性曲线；W及根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单 元的工作区间。
[0008] 进一步地，在根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作区 间之前，所述确定方法还包括：根据所述工艺参数计算所述烙丝的电阻值的波动范围。
[0009] 进一步地，根据所述工艺参数计算所述烙丝的电阻值的波动范围包括：根据所述 工艺参数计算所述烙丝的变化阔值0?;获取所述烙丝的等效电阻R ;确定所述烙丝的电阻 值的波动范围为R±(e/2)。
[0010] 进一步地，根据所述工艺参数计算所述烙丝的变化阔值βK包括：根据W下公式计 算得到所述变化阔值
[0011]
[0012] 其中，βρτ表示烙丝多晶娃厚度，β Ο)表示栅极尺寸，β κτ表示退火溫度，β ST表示 多晶娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。
[0013] 进一步地，根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作区间 包括：根据所述烙丝的电阻值的波动范围确定出所述烙丝的伏安特性曲线；根据串联电路 分压原理W及所述烙丝的伏安特性曲线和所述晶体管的伏安特性曲线确定出所述烙丝单 元的工作区间。
[0014] 进一步地，所述工艺参数包括所述烙丝的材质参数、形貌参数、结构参数、初始阻 值。
[0015] 为了实现上述目的，根据本发明实施例的另一方面，提供了一种烙丝单元工作区 间的确定装置。根据本发明的烙丝单元工作区间的确定装置包括：第一确定单元，用于确定 烙丝的工艺参数；第二确定单元，用于根据所述工艺参数确定所述烙丝的驱动电路的工作 参数，其中，所述驱动电路包括与所述烙丝串联的晶体管；仿真单元，用于利用电路仿真模 型基于所述驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到所述晶体管的伏安特性曲线；W及第 Ξ确定单元，用于根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作区间。
[0016] 进一步地，所述确定装置还包括：计算单元，用于在根据所述工艺参数和所述伏安 特性曲线确定所述烙丝单元的工作区间之前，根据所述工艺参数计算所述烙丝的电阻值的 波动范围。
[0017] 进一步地，所述计算单元包括：计算模块，用于根据所述工艺参数计算所述烙丝的 变化阔值β 获取模块，用于获取所述烙丝的等效电阻R ;第一确定模块，用于确定所述烙 丝的电阻值的波动范围为R+ (0 /2)。
[0018] 进一步地，所述计算模块包括：计算子模块，用于根据W下公式计算得到所述变化 阔值0
[0019]
[0020] 其中，βρτ表示烙丝多晶娃厚度，β 〇)表示栅极尺寸，β κτ表示退火溫度，β ST表示 多晶娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。
[0021] 进一步地，所述第Ξ确定单元包括：第二确定模块，用于根据所述烙丝的电阻值的 波动范围确定出所述烙丝的伏安特性曲线；第Ξ确定模块，用于根据串联电路分压原理W 及所述烙丝的伏安特性曲线和所述晶体管的伏安特性曲线确定出所述烙丝单元的工作区 间。
[0022] 根据本发明实施例，通过确定烙丝的工艺参数，根据工艺参数确定烙丝的驱动电 路的工作参数，利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到晶体管的 伏安特性曲线，并根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间，在烙丝的工艺 参数确定的前提下，通过理论模型和工艺稳定性参数的计算得出烙丝单元的工作区间，节 省了设计和验证周期，解决了现有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问 题。
【附图说明】
[0023] 构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实 施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0024] 图1是根据本发明实施例的烙丝单元工作区间的确定方法的流程图；
[0025] 图2是根据本发明实施例的烙丝驱动电路的示意图；
[0026] 图3是根据本发明实施例的晶体管的伏案特性曲线示意图；
[0027] 图4是根据本发明实施例的晶体管和烙丝的伏案特性曲线示意图；W及 [002引图5是根据本发明实施例的烙丝单元工作区间的确定装置的流程图。
【具体实施方式】
[0029] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0030] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的 附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是 本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术 人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范 围。
[0031] 需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语"第一"、"第 二"等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解运样使 用的数据在适当情况下可W互换，W便运里描述的本发明的实施例。此外，术语"包括"和 "具有及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元 的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有 清楚地列出的或对于运些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0032] 本发明实施例提供了一种烙丝单元工作区间的确定方法。
[0033] 图1是根据本发明实施例的烙丝单元工作区间的确定方法的流程图。如图1所示， 该烙丝单元工作区间的确定方法包括步骤如下：
[0034] 步骤S102,确定烙丝的工艺参数。
[0035] 烙丝在设计生产过程中，有其相应的工艺参数，该工艺参数可W包括但不限于：烙 丝的材质参数、形貌参数、结构参数、初始阻值。其中，材质参数用于表示烙丝的材质，形貌 参数用于表示烙丝的形貌，结构参数用于表示烙丝的结构，初始阻值用于表示烙丝在初始 状态下的电阻值。
[0036] 步骤S104,根据工艺参数确定烙丝的驱动电路的工作参数。其中，驱动电路包括与 烙丝串联的晶体管。
[0037] 在确定烙丝的工艺参数之后，可W根据该工艺参数确定出烙丝所处的烙丝单元的 模型。通常情况下，不同工艺参数下的烙丝所应用到的烙丝单元可W基本确定，例如可W根 据历史统计的烙丝单元中所使用的烙丝的工艺参数，根据统计出的烙丝的工艺参数与烙丝 单元的对应关系，则可W根据烙丝的工艺参数来确定出相应的烙丝单元模型。
[0038] 确定出烙丝单元模型之后，从该烙丝单元模型中可W确定出烙丝的驱动电路的工 作参数，例如，驱动电路的电压，或者驱动电路中晶体管的栅极电压等参数。具体地，本发明 实施例的驱动电路是指在烙丝单元中用于驱动烙丝烙断的电路，其一种可选的原理如图2 所示，其中，晶体管与烙丝E串联，晶体管的栅极连接S端，该驱动电路施加电压VP。
[0039] 步骤S106,利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到晶体 管的伏安特性曲线。
[0040] 步骤S108,根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间。
[0041] 电路仿真模型（SPICE modol)可W用于对电路元件进行仿真模拟，从而得到其工 作参数曲线，例如伏安特性曲线等，利用仿真得到的晶体管的伏安特性曲线，如图3所示， 并结合烙丝本身的工艺参数，共同确定烙丝单元的工作区间，运里的烙丝单元的工作区间 可W是指烙丝的工作电压的范围。
[0042] 根据本发明实施例，通过确定烙丝的工艺参数，根据工艺参数确定烙丝的驱动电 路的工作参数，利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到晶体管的 伏安特性曲线，并根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间，在烙丝的工艺 参数确定的前提下，通过理论模型和工艺稳定性参数的计算得出烙丝单元的工作区间，节 省了设计和验证周期，解决了现有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问 题。
[0043] 优选地，在根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间之前，确定方 法还包括：根据工艺参数计算烙丝的电阻值的波动范围。
[0044] 由于在工作过程中，烙丝单元的伏安特性会随着工作条件的变化而发生变化，其 电阻会因为工艺参数产生一些变化，因此，根据工艺参数计算出烙丝电阻值的波动范围，可 W确定出烙丝的伏安特性的变化范围，从而提高确定出的工作区间的准确性。
[0045] 进一步地，根据工艺参数计算烙丝的电阻值的波动范围包括：根据工艺参数计算 烙丝的变化阔值0K;获取烙丝的等效电阻R ;确定烙丝的电阻值的波动范围为R+ (0 /2)。
[0046] 具体地，根据工艺参数计算烙丝的变化阔值β泡括：根据W下公式计算得到变化 阔值0
[0047]
[0048] 其中，βρτ表示烙丝多晶娃厚度，β CD表示栅极尺寸，β κτ表示退火溫度，β ST表示 多晶娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。
[0049] 由于烙丝单元在工艺过程中通常会受到是上述因素的影响，因此，可W定义上 述可监测工艺参数的波动范围为0，从而计算出烙丝电阻的变化阔值。由于各材质烙断 点确定，所W可W确定烙丝的烙断等效电阻R，然后可W根据烙丝的电阻的波动范围为 R±(iV2)。
[0050] 进一步地，根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间包括：根据烙 丝的电阻值的波动范围确定出烙丝的伏安特性曲线；根据串联电路分压原理W及烙丝的伏 安特性曲线和晶体管的伏安特性曲线确定出烙丝单元的工作区间。
[0051] 利用上述确定出的烙丝的电阻值的波动范围，模拟仿真得到烙丝的伏安特性曲 线，将由于烙丝与晶体管串联，根据串联电路的分压原理，确定出烙丝单元的工作区间。
[0052] 在介绍本发明的一个应用场景之前，先介绍断裂模式烙丝单元的工作原理。由于 烙丝结（e化se link)区域和两极板间的面积差异，使得在通过电流时，电流密度存在梯度， 当e化se材质，形貌确定时，对于理想e化se link的瞬态大电流会造成link烙断。由于是 理想e化se link其烙断点只取决于材质特性和截面积。假设在运个瞬态的电流密度梯度 为诫，则当别 < 鄉时，烙丝单元表现为不断裂（under burnt)，而当02 > 00且达到多晶娃 (salicide)相变条件时，则会优先产生相变，形成过烙断（over burnt)。
[0053] W图2所示的电路为例，根据串联电路分压原理及烙丝的等效电阻，可从陕速地 获取烙丝单元的工作点。如图4所示，其中，RS1 = Κ-(βκ/2)，Κ52 = Κ+(βκ/2)，由图4可 知，当工作点C，D分布在饱和区或近似饱和区，晶体管的工作状态近似于稳流器（可变电 阻），所W通过e化se的等效电流恒定，所W烙丝单元工作状态稳定。当工作点Α，Β分布在 线性区，晶体管相当于固定电阻，则烙丝单元工作状态只取决于化输入电压和e化se link 的本征特性。
[0054] 本发明实施例还提供了一种烙丝单元工作区间的确定装置。需要说明的是，本发 明实施例的烙丝单元工作区间的确定装置可W用于执行本发明实施例所提供的烙丝单元 工作区间的确定方法，本发明实施例的烙丝单元工作区间的确定方法也可W通过本发明实 施例所提供的烙丝单元工作区间的确定装置来执行。
[0055] 图5是根据本发明实施例的烙丝单元工作区间的确定装置的示意图。如图5所示， 该烙丝单元工作区间的确定装置包括：第一确定单元10、第二确定单元20、仿真单元30和 第Ξ确定单元40。
[0056] 第一确定单元10用于确定烙丝的工艺参数。
[0057] 烙丝在设计生产过程中，有其相应的工艺参数，该工艺参数可W包括但不限于：烙 丝的材质参数、形貌参数、结构参数、初始阻值。其中，材质参数用于表示烙丝的材质，形貌 参数用于表示烙丝的形貌，结构参数用于表示烙丝的结构，初始阻值用于表示烙丝在初始 状态下的电阻值。
[0058] 第二确定单元20用于根据工艺参数确定烙丝的驱动电路的工作参数，其中，驱动 电路包括与烙丝串联的晶体管。
[0059] 在确定烙丝的工艺参数之后，可W根据该工艺参数确定出烙丝所处的烙丝单元的 模型。通常情况下，不同工艺参数下的烙丝所应用到的烙丝单元可W基本确定，例如可W根 据历史统计的烙丝单元中所使用的烙丝的工艺参数，根据统计出的烙丝的工艺参数与烙丝 单元的对应关系，则可W根据烙丝的工艺参数来确定出相应的烙丝单元模型。
[0060] 确定出烙丝单元模型之后，从该烙丝单元模型中可W确定出烙丝的驱动电路的工 作参数，例如，驱动电路的电压，或者驱动电路中晶体管的栅极电压等参数。具体地，本发明 实施例的驱动电路是指在烙丝单元中用于驱动烙丝烙断的电路，其一种可选的原理如图2 所示，其中，晶体管与烙丝E串联，晶体管的栅极连接S端，该驱动电路施加电压VP。
[0061] 仿真单元30用于利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得 到晶体管的伏安特性曲线。
[0062] 第Ξ确定单元40用于根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间。
[0063] 电路仿真模型（SPICE modol)可W用于对电路元件进行仿真模拟，从而得到其工 作参数曲线，例如伏安特性曲线等，利用仿真得到的晶体管的伏安特性曲线，如图3所示， 并结合烙丝本身的工艺参数，共同确定烙丝单元的工作区间，运里的烙丝单元的工作区间 可W是指烙丝的工作电压的范围。
[0064] 根据本发明实施例，通过确定烙丝的工艺参数，根据工艺参数确定烙丝的驱动电 路的工作参数，利用电路仿真模型基于驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到晶体管的 伏安特性曲线，并根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙丝单元的工作区间，在烙丝的工艺 参数确定的前提下，通过理论模型和工艺稳定性参数的计算得出烙丝单元的工作区间，节 省了设计和验证周期，解决了现有技术中需要大量的样品进行试验导致验证周期过长的问 题。 阳〇化]优选地，确定装置还包括：计算单元，用于在根据工艺参数和伏安特性曲线确定烙 丝单元的工作区间之前，根据工艺参数计算烙丝的电阻值的波动范围。
[0066] 由于在工作过程中，烙丝单元的伏安特性会随着工作条件的变化而发生变化，其 电阻会因为工艺参数产生一些变化，因此，根据工艺参数计算出烙丝电阻值的波动范围，可 W确定出烙丝的伏安特性的变化范围，从而提高确定出的工作区间的准确性。
[0067] 优选地，计算单元包括：计算模块，用于根据工艺参数计算烙丝的变化阔值获 取模块，用于获取烙丝的等效电阻R ;第一确定模块，用于确定烙丝的电阻值的波动范围为 R±(iV2)。
[0068] 具体地，计算模块包括：计算子模块，用于根据W下公式计算得到变化阔值
[0069]
[0070] 其中，βρτ表示烙丝多晶娃厚度，β 〇)表示栅极尺寸，β κτ表示退火溫度，β ST表示 多晶娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。
[0071] 由于烙丝单元在工艺过程中通常会受到是上述因素的影响，因此，可W定义上 述可监测工艺参数的波动范围为0，从而计算出烙丝电阻的变化阔值。由于各材质烙断 点确定，所W可W确定烙丝的烙断等效电阻R，然后可W根据烙丝的电阻的波动范围为 R±(iV2)。
[0072] 优选地，第Ξ确定单元包括：第二确定模块，用于根据烙丝的电阻值的波动范围确 定出烙丝的伏安特性曲线；第Ξ确定模块，用于根据串联电路分压原理W及烙丝的伏安特 性曲线和晶体管的伏安特性曲线确定出烙丝单元的工作区间。
[0073] 利用上述确定出的烙丝的电阻值的波动范围，模拟仿真得到烙丝的伏安特性曲 线，将由于烙丝与晶体管串联，根据串联电路的分压原理，确定出烙丝单元的工作区间。
[0074] 在介绍本发明的一个应用场景之前，先介绍断裂模式烙丝单元的工作原理。由于 烙丝结（e化se link)区域和两极板间的面积差异，使得在通过电流时，电流密度存在梯度， 当e化se材质，形貌确定时，对于理想e化se link的瞬态大电流会造成link烙断。由于是 理想e化se link其烙断点只取决于材质特性和截面积。假设在运个瞬态的电流密度梯度 为拂 > 则当61 <60时，烙丝单元表现为不断裂（under burnt),而当游>50且达到多晶娃 (salicide)相变条件时，则会优先产生相变，形成过烙断（over burnt)。
[0075] W图2所示的电路为例，根据串联电路分压原理及烙丝的等效电阻，可从陕速地 获取烙丝单元的工作点。如图4所示，其中，RS1 = Κ-(βκ/2)，Κ52 = Κ+(βκ/2)，由图4可 知，当工作点C，D分布在饱和区或近似饱和区，晶体管的工作状态近似于稳流器（可变电 阻），所W通过e化se的等效电流恒定，所W烙丝单元工作状态稳定。当工作点Α，Β分布在 线性区，晶体管相当于固定电阻，则烙丝单元工作状态只取决于化输入电压和e化se link 的本征特性。
[0076] W上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人 员来说，本发明可W有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、 等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种烙丝单元工作区间的确定方法，其特征在于，包括： 确定烙丝的工艺参数； 根据所述工艺参数确定所述烙丝的驱动电路的工作参数，其中，所述驱动电路包括与 所述烙丝串联的晶体管； 利用电路仿真模型基于所述驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到所述晶体管的伏 安特性曲线；W及 根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作区间。2. 根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，在根据所述工艺参数和所述伏安特 性曲线确定所述烙丝单元的工作区间之前，所述确定方法还包括： 根据所述工艺参数计算所述烙丝的电阻值的波动范围。3. 根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，根据所述工艺参数计算所述烙丝的 电阻值的波动范围包括： 根据所述工艺参数计算所述烙丝的变化阔值0?; 获取所述烙丝的等效电阻R ; 确定所述烙丝的电阻值的波动范围为R+ (e k/2)。4. 根据权利要求3所述的确定方法，其特征在于，根据所述工艺参数计算所述烙丝的 变化阔值e K包括： 根据W下公式计算得到所述变化阔值其中，Ppt表示烙丝多晶娃厚度，0 〇)表示栅极尺寸，0 KT表示退火溫度，0 ST表示多晶 娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。5. 根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，根据所述工艺参数和所述伏安特性 曲线确定所述烙丝单元的工作区间包括： 根据所述烙丝的电阻值的波动范围确定出所述烙丝的伏安特性曲线； 根据串联电路分压原理W及所述烙丝的伏安特性曲线和所述晶体管的伏安特性曲线 确定出所述烙丝单元的工作区间。6. 根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述工艺参数包括所述烙丝的材质 参数、形貌参数、结构参数、初始阻值。7. -种烙丝单元工作区间的确定装置，其特征在于，包括： 第一确定单元，用于确定烙丝的工艺参数； 第二确定单元，用于根据所述工艺参数确定所述烙丝的驱动电路的工作参数，其中，所 述驱动电路包括与所述烙丝串联的晶体管； 仿真单元，用于利用电路仿真模型基于所述驱动电路的工作参数进行仿真计算，得到 所述晶体管的伏安特性曲线；W及 第=确定单元，用于根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作 区间。8. 根据权利要求7所述的确定装置，其特征在于，所述确定装置还包括： 计算单元，用于在根据所述工艺参数和所述伏安特性曲线确定所述烙丝单元的工作区 间之前，根据所述工艺参数计算所述烙丝的电阻值的波动范围。9. 根据权利要求8所述的确定装置，其特征在于，所述计算单元包括： 计算模块，用于根据所述工艺参数计算所述烙丝的变化阔值0 获取模块，用于获取所述烙丝的等效电阻R ; 第一确定模块，用于确定所述烙丝的电阻值的波动范围为R+ (e k/2)。10. 根据权利要求9所述的确定装置，其特征在于，所述计算模块包括： 计算子模块，用于根据W下公式计算得到所述变化阔值0其中，Ppt表示烙丝多晶娃厚度，0 〇)表示栅极尺寸，0 KT表示退火溫度，0 ST表示多晶 娃厚度，Pee表示通孔接触电阻。11. 根据权利要求8所述的确定装置，其特征在于，所述第=确定单元包括： 第二确定模块，用于根据所述烙丝的电阻值的波动范围确定出所述烙丝的伏安特性曲 线； 第=确定模块，用于根据串联电路分压原理W及所述烙丝的伏安特性曲线和所述晶体 管的伏安特性曲线确定出所述烙丝单元的工作区间。
【文档编号】G06F17/50GK105989208SQ201510086644
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月17日
【发明人】张京晶, 王艳琴
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司