基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法
【专利摘要】本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，包括：针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对基于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；根据第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。本方法能够克服射频综合系统中模块间的相互耦合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。
【专利说明】
基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法
技术领域
[0001] 本发明设及电磁学技术领域，尤其设及一种基于等效多端口的射频综合模块电磁 特性分析方法。
【背景技术】
[0002] 射频综合系统的电子设备基于功能模块来实现各种功能，功能模块集成在一个相 对较小的空间，因此很多原先在联合式系统不需要考虑的问题如近场禪合作用W及较为严 重的相互干扰现象等等，都需要在射频综合环境下得到解决，否则将影响整个系统的性能。 同时，射频综合系统的功能实现不再是像联合式系统那样的直线式电路系统，而是通过信 号的统一采集统一处理再分别将信号处理结果进行提取获得所需要的功能。因此传统的电 磁兼容分析设计方法在面临射频综合系统所提出的诸多问题时显得力不从屯、，不能很好地 完成电磁兼容设计。
[0003] 鉴于此，如何提供一种射频综合系统的特性分析方法，W克服射频综合系统中模 块间的相互禪合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计成为目前需要解决的 技术问题。
【发明内容】
[0004] 为解决上述的技术问题，本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特 性分析方法，能够克服射频综合系统中模块间的相互禪合及相互干扰现象，完成射频综合 系统的电磁兼容设计。
[0005] 第一方面，本发明提供一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法， 包括：
[0006] 针对射频综合系统，建立基于福射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于福 射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果；
[0007] 针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传 导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果；
[000引根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。
[0009] 可选地，所述针对射频综合系统，建立基于福射形式的电磁等效多端口模型，并对 所述基于福射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包括：
[0010] 分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外福射特性；
[0011] 建立基于福射形式的电磁等效多端口模型；
[0012] 对所述基于福射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。
[0013] 可选地，所述分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外福射特 性，包括：
[0014] 根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁流的形式；
[0015] 利用电磁流福射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外福 射特性进行计算分析。
[0016] 可选地，所述建立基于福射形式的电磁等效多端口模型，包括：
[0017] 根据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处福射出的电磁能量 与除了该端口外其他端口间的相互作用关系，建立基于福射形式的电磁等效多端口模型。
[0018] 可选地，所述对所述基于福射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，包 括：
[0019] 在所述基于福射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路模块，在 屏蔽腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。
[0020] 可选地，所述针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包 括：
[0021 ]建立射频综合系统中忍片的等效电路模型；
[0022] 建立射频综合系统中PCB走线的电路模型；
[0023] 建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型；
[0024] 建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型；
[0025] 基于所建立的射频综合系统中忍片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过 孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。
[0026] 可选地，所述建立射频综合系统中忍片的等效电路模型，包括：
[0027] 对于忍片内部产生的同步转换噪声SSN，采用线性等效电路和电流源模型LECCS， 建立射频综合系统中忍片的等效电路模型。
[0028] 可选地，所述建立射频综合系统中PCB走线的电路模型中，PCB走线的特性阻抗Z 为：
[0029]
[0030] 其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。
[0031] 可选地，所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电容C过 为：
[0032]
[0033] 其中，Di为过孔焊盘直径，化为过孔在铺地层上的阻焊区直径，e为PCB板基材介电 常数，T为PCB板的厚度；
[0034] 所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电感L过为：
[0035]
[0036] 其中，h为过孔长度，d为过孔中屯、钻孔的直径。
[0037] 可选地，所述基于所建立的射频综合系统中忍片的等效电路模型、PCB走线的电路 模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多 端口模型，包括：
[0038] 基于所建立的射频综合系统中忍片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过 孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综合系统各结构的等效电路模型， 将运些等效电路模型按照电磁能量传输关系W端口形式进行互联，端口之间的作用通过电 路参数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁等效多端口模型。
[0039] 由上述技术方案可知，本发明的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方 法，将电磁兼容=要素进行封装，基于系统的层次结构，对系统进行分解，将要素或者包含 要素的一部分视为一个独立的单元，单元同外界的联系通过端口实现，建立电磁兼容等效 多端口模型，分析射频综合系统的电磁兼容特性，能够克服射频综合系统中模块间的相互 禪合及相互干扰现象，完成射频综合系统的电磁兼容设计。
【附图说明】
[0040] 图1为本发明一实施例提供的一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析 方法的流程示意图；
[0041 ]图2为本发明实施例提供的电磁场等效定律的原理图；
[0042] 图3为本发明实施例提供的二端口网络模型的结构示意图；
[0043] 图4为本发明实施例提供的射频综合系统中忍片的电磁基本模型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0044] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅 仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人 员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045] 图1示出了本发明一实施例提供的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析 方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析 方法，包括下述步骤101-103:
[0046] 101、针对射频综合系统，建立基于福射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基 于福射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果。
[0047] 可理解的是，本步骤中的基于福射形式的电磁等效多端口模型是指干扰通过空间 并W电磁波的特性和规律传播，福射出去的电磁能量被周围其他设备拾取，进入电路从而 产生干扰。
[004引在具体应用中，所述步骤101，可W包括图中未示出的步骤lOla-lOlc:
[0049] 101a、分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外福射特性。
[0050] 具体地，所述步骤IOla可W根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁 流的形式;利用电磁流福射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外 福射特性进行计算分析。
[0化1]参见图2,图2中I为电场强度，蔡为磁场强度，哀为曲面法线方向的单位矢量，察为 面电流密度，乾为面磁流密度，根据电磁场等效定律，在一定空间Vl范围内的源对空间V2 的福射，可W等效为包围Vl的曲面上的等效电磁流对V2产生的电磁福射，而Vl内就不再有 任何电磁场源。通过运种等效，可W将射频综合系统对外的福射特性利用等效电磁流的形 式来研究分析，而不用细化模块内部复杂的电路特征。因此在时变条件下，任何一个实际天 线都可W分解成许多连续的电流丝，再细化分解成电流元，运些电流元福射场的叠加可求 出整个天线的福射场。
[0052]由电磁场理论可知，中屯、点在Q(x，y，z)的巧由方向的时变电流元的电磁场公式为： [0化3]
[0化4]
[0055] 其中，ix、iy和iz分别为X, y, Z方向的单位矢量，（X, y, Z)为时变电流元中屯、点的坐 标，(3为光在真空中的传播速度，取3乂108111/3，'^为磁场强度，京为电场强度^邮为电流元中 屯、点与被研究点的直线距离，I为时变电流元上的电流大小，ds为时变电流元的长度，j为虚 数单位，e为波在介质中的波数，取如A，其牛取化f，其中f为电流元的频率，e为 电流元所在介质的介电常数；
[0056] 依据电磁对偶原理，中屯、点在Q(x，y，Z)的巧由方向的时变磁流元的电磁场公式为：
[0化7]
[0化引
[0059] 其中，ix、iy和iz分别为X, y, Z方向的单位矢量，（X, y, Z)为时变电流元中屯、点的坐 标C为光在真空中的传播速度，取3X10V/S，吉为磁场强度，策为电场强度，rgp为电流元中 屯、点与被研究点的直线距离，Km为时变磁流元上的磁流大小，da为时变磁流元的面积，j为 虚数单位，e为波在介质中的波数，取如A，其牛
W取化f，其中f为磁流元的频率， y为磁流元所在介质的磁导率。
[0060] 上述中屯、点在Q(x,y ,Z)的Z轴方向的时变电流元的电磁场公式和中屯、点在Q(x,y, Z)的Z轴方向的时变磁流元的电磁场公式即为所述电磁流福射的基本公式。
[0061] 应说明的是，将上述对外福射特性进行计算分析的计算结果与仿真结果对比发现 结果一致，说明基于电磁流的等效多端口模型的对外福射特性可W得到较好的描述。
[0062] 10化、建立基于福射形式的电磁等效多端口模型。
[0063] 可理解的是，电磁兼容等效多端口是系统同外界发生电磁能量的窗口，对于射频 综合环境下的模块电路，由于电路模块周围都有金属屏蔽体，因此电磁能量的福射往往通 过屏蔽体上的开口或缝隙向外福射能量。对于福射类型的等效端口，所述步骤IOlb可W根 据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处福射出的电磁能量与除了该端 口外其他端口间的相互作用关系，建立基于福射形式的电磁等效多端口模型。
[0064] 对于两个不同的端口，假设其距离为rgp，建立的二端口网络模型如图3所示，（化1， JKl )，（化2，JK2)分别表示二端口网络的电磁流，jkl和化2被定义为模型端口孤立存在时的 电磁流，JKl和JK2被定义为在不同端口同时存在时的电磁流。由电磁场理论可知，相互关系 为：
[00化]JKl = SiiX jkl+Si2X 化2
[0066] JK2 = S2iX jkl+S22X 化2
[0067]
即为二端口网络下的归一化散射矩阵；Sii，S21表示2端口无电 流时，端口 1处的传输系数和端口巧Ij端口2的传输系数;S22，Sl2表示1端口无电流时，端口2 处的传输系数和端口巧Ij端口 1的传输系数。通过分析可知，Sll，S22均为l，S21，Sl2的计算可通 过电磁流的自由空间福射公式来获得。运样就建立了基于等效电磁流的等效多端口模型的 端口之间的关系。对于超出两个的等效多端口模型，分析思路与二端口网络类似，任意一个 端口 P的等效电磁流为所有端口共同作用的结果。
[0068] 101c、对所述基于福射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。
[0069] 在具体应用中，为了将建立的等效多端口模型应用于实际的电磁兼容特性分析， 所述步骤IOlc可W在所述基于福射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路 模块，在屏蔽腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。
[0070] 举例来说，可W在所述基于福射形式的电磁等效多端口模型中建立具有屏蔽腔的 =个电路模块，一个是主要干扰模块，其余两个是受扰模块。干扰模块内部建立有偶极子天 线，电磁能量通过开口对外部其他两个模块产生干扰。由于干扰模块是金属腔体包围的，依 据等效原理，将干扰模块等效端口处的电磁场转化成等效电流，建立依托于实际开口结构 的等效多端口模型。同理，受扰模块的由于具有金属屏蔽，大部分电磁能量只能通过实际物 理开口进入模块内部，产生干扰，所W受扰模块的等效端口也基于其开口来进行分析建立。 分别分析端口 1和端口 2在原来模型条件下W及在等效端口模型条件下的场值，两者具有很 好的吻合性，说明了基于等效电磁流的等效端口可W反映出整个干扰模块对外的福射特 性，因此运种等效多端口模型可W较好地描述射频综合环境下福射形式的电磁特性。
[0071] 102、针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基 于传导形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果。
[0072] 可理解的是，在射频综合环境下，模块电路除通过空间传播电磁信号外，电磁能量 很大一部分是通过互联线缆、接口等进行传播的。分析电路的电磁特性，可从控制忍片、电 路元器件、线缆、接口、电路载体等基本器件开始，获得电路最基本的电磁特性。对于传导形 式的电磁能量传播方式，建立运些基本电路结构的等效电路模型，分析电磁能量的传播特 性，将模块电路中有电磁能量输入输出的结构建立等效端口模型，模型之间的相互作用关 系表征模块之间的能量传输关系。
[0073] 在具体应用中，所述步骤102中的"针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁 等效多端口模型"，可W包括图中未示出的步骤l〇2a-102e:
[0074] 102a、建立射频综合系统中忍片的等效电路模型。
[0075] 对于忍片来说，其对外产生的寄生干扰主要来自忍片内部产生的同步转换噪声 SSN，然后沿着电源分布网络PDN向外传播，具体地，在所述步骤102a中，对于忍片内部产生 的同步转换噪声SSN，可采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立射频综合系统中忍片 的等效电路模型（电磁基本模型），如图4所示。
[0076] 其中，Zic是忍片在Vdd~Vss口处的阻抗，Iic是频域的表现形式。在LECCS模型中，通 过测量来获取Iic，然后SSN噪声传导至公用数据网PDN处的电流Im可W通过Im=KIic获得，K 是受Zig和PDN所有阻抗影响的系数。
[0077] 102b、建立射频综合系统中印制电路板PCB走线的电路模型。
[0078] 应说明的是，在高速PCB电路上，信号在PCB走线上会有幅度的衰减和相位的变化， 同时信号在相邻的走线上会有禪合即串扰现象，因此应把此时的PCB走线看成微带线处理。 一般情况下，PCB走线的特性阻抗是一个复数，其数学表达式呆
对于有良好 敷铜的走线W及良好的填充介质，使得PCB有较低的损耗，PCB走线的特性阻抗简化成
其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。
[00巧]102c、建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型。
[0080] 应说明的是，过孔本身存在寄生杂散电容，若已知过孔在铺地层上的阻焊区直径 为过孔焊盘直径为化，PCB板的厚度T，板基材介电常数e，过孔的寄生电容C过大小近似为：
[0081]
[0082] 问町化化化仔化哥生电感，可用W下经验公式简单的计算一个过孔近似的寄生电 感L过：
[0083]
[0084] 其中，h为过孔长度，d为过孔中屯、钻孔的直径。
[0085] 102d、建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型。
[0086] 应说明的是，在高频条件下，一些基本元器件比如电阻、电感、电容，由于自身封 装、引脚等所带来的特性，体现出了新的电气特性。
[0087] 102e、基于所建立的射频综合系统中忍片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、 PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口 模型。
[0088] 在具体应用中，所述步骤102e可W基于所建立的射频综合系统中忍片的等效电路 模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综 合系统各结构的等效电路模型，将运些等效电路模型按照电磁能量传输关系W端口形式进 行互联，端口之间的作用通过电路参数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁 等效多端口模型。
[0089] 可理解的是，端口是模块电路发生电磁能量交换的窗口，上述基于传导形式的电 磁等效多端口模型中，端口的描述借助于电路的基本变量如电流、电压、阻抗等，端口间的 相互作用可借助电路的网络分析形式;在射频综合系统各结构的等效电路模型实现端口连 接后，低层次的等效多端口模型可W基于电路参数归结为更高层次的端口模型，而更高层 次的端口模型同样可W归结为一个更高层次的端口，最后可获得整个系统的电磁等效多端 口模型。
[0090] 103、根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设 计。
[0091] 本实施例的基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，将电磁兼容=要 素进行封装，基于系统的层次结构，对系统进行分解，将要素或者包含要素的一部分视为一 个独立的单元，单元同外界的联系通过端口实现，建立电磁兼容等效多端口模型，分析射频 综合系统的电磁兼容特性，能够克服射频综合系统中模块间的相互禪合及相互干扰现象， 完成射频综合系统的电磁兼容设计。
[0092] 本实施例分析射频模块电磁兼容特性的优点在于：
[0093] 一、已存在的电磁特性分析方法多用于分析联合式系统，系统各模块之间的距离 为电大距离，不需要考虑系统内模块间的相互干扰现象。但射频综合系统中模块间的相互 禪合及相互干扰现象严重，因此传统的电兼容分析设计方法不再适用，本发明就提出了一 种新的专用于分析射频综合系统的方法。
[0094] 二、所述的基于福射形式的电磁等效多端口模型将射频综合系统的模块化，模块 与模块之间的信息交换通过模块端口实现，因此只需求解出端口处的电磁特性，而不用细 化模块内部复杂的电路特征，是一种非常简便的分析方法。
[00%]=、所述的基于传导形式的电磁等效多端口模型对实现动态平衡下的电磁兼容设 计具有重要意义。
[0096] 四、本发明所提出的基于等效电磁流的等效多端口模型能够在电磁兼容设计上作 为比较好的预测分析手段。
[0097] 五、本发明所提出的基于等效电路的等效多端口模型能够在电磁兼容设计上作为 电磁干扰定位和排除的有效方法。
[0098] 本领域普通技术人员可W理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可W通 过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可W存储于一计算机可读取存储介质中。该程 序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:R〇M、RAM、磁碟或 者光盘等各种可W存储程序代码的介质。
[0099] 最后应说明的是：W上各实施例仅用W说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽 管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依 然可W对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进 行等同替换；而运些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术 方案的范围。
【主权项】
1. 一种基于等效多端口的射频综合模块电磁特性分析方法，其特征在于，包括： 针对射频综合系统，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形 式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第一分析结果； 针对射频综合系统，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，并对所述基于传导形 式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析，得到第二分析结果； 根据所述第一分析结果和第二分析结果，实现射频综合系统的电磁兼容设计。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对射频综合系统，建立基于辐射形 式的电磁等效多端口模型，并对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分 析，包括： 分析射频综合系统的基于电磁流的等效多端口模型的对外辐射特性； 建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型； 对所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型进行电磁特性分析。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分析射频综合系统的基于电磁流的等 效多端口模型的对外辐射特性，包括： 根据电磁场等效定律，获取射频综合系统的等效电磁流的形式； 利用电磁流辐射的基本公式，对所述射频综合系统的等效电磁流的形式的对外辐射特 性进行计算分析。4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述建立基于辐射形式的电磁等效多端口 模型，包括： 根据射频综合系统的实际物理模型和射频综合系统各端口处辐射出的电磁能量与除 了该端口外其他端口间的相互作用关系，建立基于辐射形式的电磁等效多端口模型。5. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述基于辐射形式的电磁等效多端 口模型进行电磁特性分析，包括： 在所述基于辐射形式的电磁等效多端口模型中，建立具有屏蔽腔的电路模块，在屏蔽 腔体的实际物理端口依据实际开口结构建立等效多端口模型。6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对射频综合系统，建立基于传导形 式的电磁等效多端口模型，包括： 建立射频综合系统中芯片的等效电路模型； 建立射频综合系统中PCB走线的电路模型； 建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型； 建立射频综合系统中所有基本元器件的电路模型； 基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的 电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立基于传导形式的电磁等效多端口模型。7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中芯片的等效电路 模型，包括： 对于芯片内部产生的同步转换噪声SSN，采用线性等效电路和电流源模型LECCS，建立 射频综合系统中芯片的等效电路模型。8. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中PCB走线的电路 模型中，PCB走线的特性阻抗Z为：其中，L为PCB走线的，C为PCB走线的电容。9. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路 模型中，PCB过孔的寄牛电容C过为：其中，D1为过孔焊盘直径，D2为过孔在铺地层上的阻焊区直径，ε为PCB板基材介电常数， T为PCB板的厚度； 所述建立射频综合系统中PCB过孔的电路模型中，PCB过孔的寄生电感L过为：其中，h为过孔长度，d为过孔中心钻孔的直径。10. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所建立的射频综合系统中芯片 的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的电路模型和所有基本元器件的电路模型， 建立基于传导形式的电磁等效多端口模型，包括： 基于所建立的射频综合系统中芯片的等效电路模型、PCB走线的电路模型、PCB过孔的 电路模型和所有基本元器件的电路模型，建立射频综合系统各结构的等效电路模型，将这 些等效电路模型按照电磁能量传输关系以端口形式进行互联，端口之间的作用通过电路参 数来描述，获得射频综合系统的基于传导形式的电磁等效多端口模型。
【文档编号】G06F17/50GK106021727SQ201610340161
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月19日
【发明人】陈爱新, 赵柯褀, 赵越, 刘欣, 苏东林, 吴文斌
【申请人】北京航空航天大学