一种高精准的双层异形五线电阻屏的制作方法

文档序号:10803061阅读:241来源:国知局
一种高精准的双层异形五线电阻屏的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高精准的双层异形五线电阻屏,该电阻屏包括上线ITO玻璃和下线ITO玻璃;上线ITO玻璃的下表面设有上导电层,下线ITO玻璃的表面上设有下导电层;下导电层上设有若干支撑点,上导电层贴附在若干支撑点上,上线ITO玻璃的上表面设有硅复合树脂层,硅复合树脂层的上表面设有有机硅纳米层。本实用新型具有控制精准,抗划伤性能强且触摸感觉更顺畅的特点。
【专利说明】
一种高精准的双层异形五线电阻屏
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种高精准的双层异形五线电阻屏。
【背景技术】
[0002]常规的电阻型触摸屏是由透明导电薄膜和透明导电玻璃(或透明导电薄膜)以导电膜面相对,中间设有间隔支撑。在透明导电薄膜上用手或笔等施加压力使导电膜相接触。在导电膜上施加电压,通过控制电路判断出这个接触点的位置。目前所广泛使用的电阻式触摸屏上层为表面硬3H硬化处理的PET材料,由于PET的硬化处理极限为3H,触控时频繁的接触、按压,易导致PET表面划伤光学性能下降,PET内层导电层破损,功能失效。此外,现有的电阻屏的上线ITO玻璃和下线ITO玻璃之间的间隙较大,因此按压力度也相对越大。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种高精准的双层异形五线电阻屏,以解决现有触摸屏的表面易划伤,且所需按压力度大的问题。
[0004]为解决上述技术问题,本实用新型提供一种高精准的双层异形五线电阻屏,包括上线ITO玻璃和下线ITO玻璃;上线ITO玻璃的下表面设有上导电层,下线ITO玻璃的表面上设有下导电层;下导电层上设有若干支撑点,上导电层贴附在若干支撑点上,支撑点的高度为60nm,直径为20nm;上线ITO玻璃的上表面设有硅复合树脂层,硅复合树脂层的上表面设有有机硅纳米层。
[0005]进一步地,娃复合树脂层的厚度为25nm。
[0006]进一步地,有机娃纳米层的厚度为8nm。
[0007]本实用新型的有益效果为:本申请通过将上导电层贴附在若干支撑点上,减小了上线ITO玻璃和下线ITO玻璃之间的间隙,降低了使用时的操作压力,提高了触摸屏的精度。并且,本申请在上线ITO玻璃的上表面设有硅复合树脂层,提高了触摸屏的表面硬度,提升抗划伤性能。此外,本申请硅复合树脂层的上表面设有有机硅纳米层,使得屏幕的摩擦系数达到0.9,使触摸感觉更顺畅、顺滑,从而达到改善触摸效果的作用。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型最佳实施例的结构示意图。
[0009]其中:1、有机硅纳米层;2、硅复合树脂层;3、上线ITO玻璃;31、上导电层;4、支撑点;5、下线ITO玻璃;51、下导电层。
【具体实施方式】
[0010]下面对本实用新型的【具体实施方式】进行描述,以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型,但应该清楚,本实用新型不限于【具体实施方式】的范围,对本技术领域的普通技术人员来讲,只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内,这些变化是显而易见的,一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
[0011]如图1所示的高精准的双层异形五线电阻屏,包括异型上线ITO玻璃3和异型下线ITO玻璃5。其中,上线ITO玻璃3的下表面设有上导电层31,下线ITO玻璃5的表面上设有下导电层51;下导电层51上设有若干支撑点4,上导电层31贴附在若干支撑点4上,支撑点4的高度为60nm,直径为20nm。本申请通过将上导电层31贴附在若干支撑点4上,减小了上线ITO玻璃3和下线ITO玻璃5之间的间隙,降低了使用时的操作压力,提高了触摸屏的精度。
[0012]并且,上线ITO玻璃3的上表面设有硅复合树脂层2,且硅复合树脂层2的厚度为25nm。硅复合树脂层2烘烤处理后表面硬度莫氏9H,提高了触摸屏的表面硬度,提升抗划伤性能。
[0013]此外,硅复合树脂层2的上表面设有有机硅纳米层I,且有机硅纳米层I的厚度为8nm,使得屏幕的摩擦系数可达到0.9,使触摸感觉更顺畅、顺滑,从而达到改善触摸效果的作用。
【主权项】
1.一种高精准的双层异形五线电阻屏,其特征在于,包括上线ITO玻璃和下线ITO玻璃;所述上线ITO玻璃的下表面设有上导电层,所述下线ITO玻璃的表面上设有下导电层;所述下导电层上设有若干支撑点,所述上导电层贴附在所述若干支撑点上,所述支撑点的高度为60nm,直径为20nm;所述上线ITO玻璃的上表面设有娃复合树脂层,所述娃复合树脂层的上表面设有有机硅纳米层。2.根据权利要求1所述的高精准的双层异形五线电阻屏,其特征在于,所述硅复合树脂层的厚度为25nm。3.根据权利要求1所述的高精准的双层异形五线电阻屏,其特征在于,所述有机硅纳米层的厚度为8nm。
【文档编号】G06F3/045GK205486043SQ201620108733
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】蔡光德
【申请人】成都伟易达科技有限公司
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