印钞机用多功能复合传感器的制造方法

文档序号:6673391阅读:185来源:国知局
印钞机用多功能复合传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种印钞机用多功能复合传感器,包括不锈钢壳体,所述不锈钢壳体的外侧表面依次呈平面结构、第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡,对应于平面结构、第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡的位置,在所述不锈钢壳体的内侧分别设有图像采集传感器、红外穿透传感器和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头,在所述第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡之间卡设有计数器的触发头。本实用新型结构简单,针对验钞机中钞票的传递方式,改变传统的磁头的结构,将三种检测元器件集成在一起,能够实现单一传感器的复杂功能,以全面准确的甄别钞票的真伪。
【专利说明】印钞机用多功能复合传感器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种传感器,尤其是涉及一种印钞机用多功能复合传感器。
【背景技术】
[0002]在公知的【技术领域】,钞票采取的防伪特征有磁性油墨、安全线、红外油墨、荧光油墨、水印、凹版印制等,其中磁性油墨、安全线、红外油墨、荧光油墨等防伪特征可通过机读辨认其真伪,一般有磁性触头、图像采集装置、光电转换传感器等电子元件进行甄别,如何将这些检测的功能集合到一起,实现单一传感器的复杂功能,以能够全面准确的甄别钞票的真伪。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种印钞机用多功能复合传感器,实现单一传感器的复杂功能,以能够全面准确的甄别钞票的真伪。
[0004]为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种印钞机用多功能复合传感器,包括不锈钢壳体,所述不锈钢壳体的外侧表面依次呈平面结构、第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡,对应于平面结构、第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡的位置,在所述不锈钢壳体的内侧分别设有图像采集传感器、红外穿透传感器和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头,在所述第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡之间卡设有计数器的触发头。
[0005]进一步的,作为一种具体的实施方式,本实用新型中所述图像采集传感器嵌入于呈平面结构的不锈钢壳体的外侧内。
[0006]进一步的,作为一种具体的实施方式,本实用新型中所述红外穿透传感器和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头的最外侧分别与第一圆弧形过渡和第二圆弧形过渡的形状相适应。
[0007]采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果为:本实用新型结构简单,针对验钞机中钞票的传递方式,改变传统的磁头的结构,将三种检测元器件集成在一起,能够实现单一传感器的复杂功能,以全面准确的甄别钞票的真伪。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1是本实用新型实施例的结构示意图;
[0009]其中:1.不锈钢壳体,11.平面结构,12.圆弧形过渡,13.第二圆弧形过渡,2.图像采集传感器,3.红外穿透传感器,4.锑铟系半导体磁阻薄膜磁头,5.计数器,51.触发头。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0011]如图1所示印钞机用多功能复合传感器,包括不锈钢壳体1,所述不锈钢壳体I的外侧表面依次呈平面结构11、第一圆弧形过渡12和第二圆弧形过渡13,对应于平面结构
11、第一圆弧形过渡12和第二圆弧形过渡13的位置,在所述不锈钢壳体I的内侧分别设有图像采集传感器2、红外穿透传感器3和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头4,在所述第一圆弧形过渡12和第二圆弧形过渡13之间卡设有计数器5的触发头51。
[0012]所述图像采集传感器2嵌入于呈平面结构11的不锈钢壳体I的外侧内。
[0013]所述红外穿透传感器3和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头4的最外侧分别与第一圆弧形过渡12和第二圆弧形过渡13的形状相适应。
[0014]本实用新型结构简单,针对验钞机中钞票的传递方式,改变传统的磁头的结构,将三种检测元器件集成在一起,能够实现单一传感器的复杂功能,以全面准确的甄别钞票的真伪。
[0015]本实用新型不局限于上述具体的实施方式,本领域的普通技术人员从上述构思出发,不经过创造性的劳动,所作出的种种变换,均落在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种印钞机用多功能复合传感器,包括不锈钢壳体(I),其特征在于:所述不锈钢壳体(I)的外侧表面依次呈平面结构(11)、第一圆弧形过渡(12)和第二圆弧形过渡(13),对应于平面结构(11)、第一圆弧形过渡(12)和第二圆弧形过渡(13)的位置,在所述不锈钢壳体(I)的内侧分别设有图像采集传感器(2)、红外穿透传感器(3)和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头(4),在所述第一圆弧形过渡(12)和第二圆弧形过渡(13)之间卡设有计数器(5)的触发头(51)。
2.如权利要求1所述印钞机用多功能复合传感器,其特征在于:所述图像采集传感器(2)嵌入于呈平面结构(11)的不锈钢壳体(I)的外侧内。
3.如权利要求1所述印钞机用多功能复合传感器,其特征在于:所述红外穿透传感器(3)和锑铟系半导体磁阻薄膜磁头(4)的最外侧分别与第一圆弧形过渡(12)和第二圆弧形过渡(13)的形状相适应。
【文档编号】G07D7/12GK203606893SQ201320656805
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日
【发明者】何德宝 申请人:宁波腾阳电器有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1