使用了直流磁场的能够磁区放大再生的光磁盘装置,再生方法以及记录再生方法

专利名称：使用了直流磁场的能够磁区放大再生的光磁盘装置,再生方法以及记录再生方法
技术领域：
本发明涉及在光磁记录媒体上记录以及/或者再生信号的光磁盘装置，再生方法以及记录再生方法。
背景技术：
作为高密度以及高可靠性的媒体，光磁记录媒体已经进入实用阶段，正在期待用作为计算机的存储器等。
其中，根据ASMO(高级存储磁光盘)标准，开发了直径12cm存储容量6G字节的光磁记录媒体，正在谋求各种应用。基于该ASMO标准的光磁记录媒体是具有记录层和再生层，如果照射激光，则在再生层上形成预定温度以上的检测窗，记录层的磁区通过静磁耦合复制到再生层的检测窗，再生信号的光磁记录媒体。
另外，还开发了通过在光磁记录媒体上加入交变磁场，向再生层上放大复制记录层的磁区再生信号的磁区放大再生方式的光磁记录媒体，该光磁记录媒体的存储容量在直径12cm下为14G字节。
进而，最近还正在进行通过在光磁记录媒体上加入直流磁场，向再生层上放大复制记录层的磁区，再生信号的光磁记录媒体的开发研究。参照图38A、38B以及图39，说明加入直流磁场再生信号的磁区放大再生的原理。参照图38A，如果从光磁记录媒体80的再生层81一侧照射激光LB，则由于在再生层81中，比150℃的补偿温度低的低温区域810、811是富稀土类，因此与由迁移金属产生的磁化814、816相比较，由稀土类金属产生的磁化成为支配性的。其结果低温区域810、811具有与由迁移金属产生的磁化814、816相反方向的磁化813、815。另一方面，在比150℃的补偿温度高的高温区域812中，由于从富稀土类金属成为富迁移金属，因此与由稀土类金属产生的磁化相比较，由迁移金属产生的磁化817成为支配性的。其结果，高温区域812具有与由迁移金属产生的磁化817相同方向的磁化818(参照图38A)。这种情况下，在光磁记录媒体80上不加入直流磁场。
参照图39，在图38A所示的再生层81中，150℃的补偿温度以下的低温区域810、811与高温区域812的边界无穷大，具有随着离开边界急剧减少然后平稳减少的顽磁力。另一方面，150℃的补偿温度以上的高温区域812与低温区域810、811的边界无穷大，具有随着从边界离开而减少，并且在高温区域812的中央部分成为最小的顽磁力。而且，高温区域812中的顽磁力的最小值Hc2比低温区域810、811中的顽磁力的最小值Hc1小。另外，Hc1是5～40kA/m，Hc2是2～40kA/m。
参照图38B，如果在光磁记录媒体80上照射激光，则在再生层81上形成富迁移金属的高温区域812。而且，从外部加入直流磁场HDC。直流磁场HDC沿着与富迁移金属的高温区域812的磁化818相反的方向加入。另外，在记录层83中，漏泄磁场HL从温度最高的磁区830经过中间层82波及到再生层81的高温区域812。这种情况下，直流磁场HDC的强度是比在直流磁场HDC的单独作用下使高温区域812的磁化818反相的强度，即，如图39所示那样高温区域812的最小顽磁力Hc2小的强度。来自记录层83的磁区830的漏泄磁场HL随着温度上升而加强，在最高温度如果加入直流磁场HDC则成为比高温区域812顽磁力Hc2强的强度。即，HDC+HL＞Hc2成立。于是，由直流磁场HDC以及漏泄磁场HL使再生层81的高温区域818的磁化方向相反，具有由迁移金属产生的磁化820和总体的磁化819(参照图38B)。由于磁化819是与磁区830的磁化相同的方向，而且高温区域812比磁区830大，因此能够向再生层81的高温区域818放大复制记录层83的磁区830。通过用激光LB检测高温区域812的磁化819，再生记录层83的磁区830。在具有与磁区830的磁化相反方向的磁化的磁区831复制到再生层81的高温区域812的情况下，由于来自磁区831的漏泄磁场HL的方向对于磁区830的情况是相反的方向，因此加入了直流磁场HDC的高温区域812的磁场强度如图39所示那样成为HDC-HL，比高温区域812的顽磁力Hc2弱(HDC-HL＜Hc2)。从而，高温区域812的由迁移金属产生的磁化817以及总体的磁化818不反相，通过用激光LB检测磁化818再生记录层83的磁区831。
由此，在光磁记录媒体80上单独加入不能够使高温区域812的磁化反相的强度的直流磁场HDC，通过根据来自记录层83的各个磁区的漏泄磁场HL的朝向控制高温区域812的磁化反相/非反相，向再生层81的高温区域812放大复制记录层83的各个磁区，并且进行再生。
但是，在加入直流磁场进行磁区放大再生的方式中，存在着如果直流磁场的强度偏移，在直流磁场加入了来自记录层的漏泄磁场的强度比升温到补偿温度以上的富迁移金属区域的最小顽磁力小，则富迁移金属区域的磁化不能够反相，不能够向再生层正确地复制记录层的磁区这样的问题。
因此，本发明的目的在于提供能够使用直流磁场正确地进行磁区放大再生的光磁盘装置，再生方法以及记录再生方法。
发明的公开本发明的光磁盘装置具备在包括室温下是富稀土类金属，在补偿温度以上成为富迁移金属的再生层的光磁记录媒体上，照射使再生层的一部分温升到补偿温度以上的强度的激光，检测其反射光的光头；在光磁记录媒体上加入与富稀土类金属区域的磁化相同方向的直流磁场的永久磁铁；通过使从永久磁铁到达光磁记录媒体的磁通密度发生变化，改变加入到光磁记录媒体的直流磁场的强度的移动装置；使直流磁场的强度发生变化，根据光头检测出的预定的记录图形的再生信号，检测出错率，决定出错率成为预定的范围以内的直流磁场的最佳强度的磁场控制电路。
在本发明的光磁盘装置中，通过永久磁铁在光磁记录媒体上加入直流磁场。而且，使从永久磁铁到达光磁记录媒体的磁通密度发生变化检测再生信号。于是，根据再生信号得到的再生信号的出错率随着到达光磁记录媒体的磁通密度的增加，即，随着加入到光磁记录媒体的直流磁场的强度增强而减少，到达最小点，进而如果加强直流磁场的强度则开始上升。而且，决定出错率成为预定范围内的直流磁场的最佳强度。从而，如果依据本发明，则能够决定再生信号的出错率减少的直流磁场的程度。其结果，能够加入直流磁场正确地磁区放大再生信号。
理想的是，光磁盘装置还具备与光磁记录媒体相对设置，由磁芯和缠绕在该磁芯上的线圈构成的磁头，永久磁铁经过磁芯加入直流磁场。
来自永久磁铁的直流磁场入射到与光磁记录媒体相对设置的磁头的磁芯，由磁芯增强强度后加入在光磁记录媒体上。而且，在使加入在光磁记录媒体上的直流磁场的强度变化时，改变从永久磁铁入射到磁芯的磁通密度。从而，如果依据本发明，则能够使用不能够单独射出磁区放大再生所需要强度的永久磁铁在光磁记录媒体上加入在磁区放大再生中所需要强度的直流磁场。另外，如果使磁头的磁芯中心与激光的光轴一致，则能够使直流磁场的中心与激光的光轴一致。
理想的是，光磁盘装置还具备包括接近永久磁铁的直流磁场的射出面设置的入射面以及向磁芯射出从入射面入射的直流磁场的射出面的磁性体，移动装置使磁性体沿着光磁记录媒体的面内方向移动，改变射出面与磁芯的距离。
永久磁铁不改变强度在磁性体上入射直流磁场，磁性体向磁头的磁芯射出直流磁场。而且，磁芯在光磁记录媒体上加入直流磁场。在使直流磁场的强度变化时，磁性体沿着光磁记录媒体的面内方向移动，改变从磁性体的射出面入射到磁芯的磁通密度。从而，如果依据本发明，则即使不直接移动永久磁铁也可以改变加入在光磁记录媒体上的直流磁场的强度。另外，由于磁性体沿着光磁记录媒体的面内方向移动，因此可以减小用于调整直流磁场强度的光磁记录媒体的法线方向的空间。
理想的是，光磁盘装置的移动装置是永久磁铁沿着光磁记录媒体的法线方向移动。
永久磁铁配置光磁记录媒体的法线方向，磁头配置在永久磁铁与光磁记录媒体之间。而且，移动装置使永久磁铁与磁芯的距离变化，改变从永久磁铁入射到磁芯的磁通密度。其结果，改变加入在光磁记录媒体上的直流磁场的强度。从而，如果依据本发明，则仅是使永久磁铁的接近或离开光磁记录媒体，就能够把可以得到出错率小的再生信号的直流磁场加入到光磁记录媒体上。
理想的是，光磁盘装置还具备包含有接近永久磁铁的直流磁场的射出面设置的入射面以及向磁芯射出从入射面入射的直流磁场的射出面的磁性体；缠绕在磁性体上的线圈；从磁头向磁性体入射了磁通密度变化的磁场时，检测流过磁性体的线圈中的电流的电流计，移动装置由使永久磁铁、磁性体以及缠绕在磁性体上的线圈沿着光磁记录媒体的面内方向移动的第1移动机构；使永久磁铁、磁性体以及缠绕在磁性体上的线圈向光磁记录媒体的法线方向移动，改变射出面与磁头的磁芯之间的距离的第2移动机构构成，磁场控制电路根据使永久磁铁、磁性体以及缠绕着磁性体上的线圈向光磁记录媒体的面内方向移动而由电流计检测出的电流值，进一步决定永久磁铁、磁性体以及缠绕在磁性体上的线圈的面内方向中的最佳位置。
在磁头的线圈中，如果在磁性体上入射从磁头发生的磁通密度变化的磁场，则与缠绕在磁性体上的线圈交链的磁通密度变化，产生电磁感应。于是，则在线圈两端产生电位差，在线圈中流过电流。而且，决定光磁记录媒体的面内方向中的永久磁铁以及磁性体的位置，使得从磁头入射的磁通密度的变化为最大，即，磁头的磁芯中心与磁性体的中心一致。永久磁铁的面内方向的位置调整以后，进行光磁记录媒体的法线方向中的永久磁铁的位置调整。从而，如果依据本发明，则调整光磁记录媒体的面内方向以及法线方向中的永久磁铁的位置，能够决定加入在光磁记录媒体上的直流磁场的强度。
理想的是，光磁盘装置的第1移动机构使永久磁铁、磁性体以及缠绕在磁性体上的线圈沿着光磁记录媒体的径向方向以及切线方向移动，磁场控制电路根据电流计检测出的电流值，决定永久磁铁、磁性体以及缠绕在磁性体上的线圈的径向方向以及切线方向中的最佳位置。
决定径向方向和切线方向中的永久磁铁的最佳位置，使得永久磁铁、磁性体以及线圈向光磁记录媒体的径向方向和切线方向移动，使得使用电磁感应，从磁头入射的磁通密度的变化为最大。而且，进行光磁记录媒体的法线方向中的永久磁铁的位置调整。从而，如果依据本发明，则能够调整永久磁铁的位置使得在光磁记录媒体上形成的磁区中加入直流磁场。
理想的是，光磁盘装置还具备驱动磁头的磁头驱动电路和使永久磁铁退避的退避装置，在信号再生时，磁头驱动电路停止磁头的驱动，在信号记录时，磁头驱动电路驱动磁头使得把用预定的记录图形调制了的交变磁场加入到光磁记录媒体上，退避装置使永久磁铁退避到交变磁场的2个峰值强度实质上成为相同的位置。
在光磁记录媒体上记录信号时，使永久磁铁退避，使得在光磁记录媒体上不加入直流磁场，在光磁记录媒体上加入2个峰值强度实质相同的交变磁场记录信号。另外，在从光磁记录媒体再生信号时，磁头不发生交变磁场。从而，如果依据本发明，则永久磁铁以及交变磁场相互不产生恶劣影响，能够进行磁场调制记录以及磁区放大再生信号。
理想的是，光磁盘装置的移动装置使永久磁铁向光磁记录媒体的法线方向移动。
来自永久磁铁的直流磁场直接加入在光磁记录媒体上。而且，使永久磁铁向光磁记录媒体的法线方向移动决定加入在光磁记录媒体上的直流磁场的最佳强度。从而，如果依据本发明，则即使在光磁记录媒体上直接加入直流磁场的方式中，也能够在光磁记录媒体上加入具有最佳强度的直流磁场。
理想的是，光磁盘装置还包括为了使直流磁场的极性变化而把永久磁铁进行旋转的旋转装置；驱动包含在光头中的半导体激光器的激光器驱动电路，在信号的清除时，旋转装置旋转永久磁铁使得在光磁记录媒体上加入第1方向的直流磁场，在信号的记录时，旋转装置旋转永久磁铁使得在光磁记录媒体上加入与第1方向相反的第2方向的直流磁场，激光器驱动电路根据预定的记录图形驱动半导体激光器。
在清除记录在光磁记录媒体上的信号时，永久磁铁在光磁记录媒体上加入第1方向的直流磁场，在光磁记录媒体上记录信号时，永久磁铁在光磁记录媒体上加入与清除时相反方向的直流磁场，把信号进行光调制记录。而且，在从光磁记录媒体再生信号时，永久磁铁在光磁记录媒体上直接加入直流磁场。从而，如果依据本发明，则即使在用光调制方式记录了信号的光磁盘装置中，也能够加入最佳强度的直流磁场，磁区放大再生信号。
理想的是，光磁盘装置还具备驱动磁头的磁头驱动电路；使磁头退避的第1退避装置；使永久磁铁退避的第2退避装置，在信号的再生时，第1退避装置使磁头退避到来自永久磁铁的磁通直接入射在光磁记录媒体上的位置，在信号的记录时，磁头驱动电路驱动磁头使得把根据预定的记录图形调制了的交变磁场加入到光磁记录媒体上，第2退避装置使永久磁铁退避到交变磁场的2个峰值强度实质上相同的位置。
永久磁铁沿着光磁记录媒体的法线方向配置。磁头配置在永久磁铁与光磁记录媒体之间。而且，在光磁记录媒体上记录信号时，磁头在光磁记录媒体上加入用预定的记录图形调制了的交变磁场，永久磁铁退避到对交变磁场没有影响的位置。另外，在从光磁记录媒体再生信号时，退避磁头，永久磁铁直接在光磁记录媒体上加入直流磁场。从而，如果依据本发明，则永久磁铁与交变磁场相互不产生恶劣影响，能够磁场调制记录、磁区放大再生信号。
理想的是，光磁盘装置的磁场控制电路包括把再生信号二值化的二值化电路；存储预定的记录图形的ROM；把来自二值化电路的再生信号与从ROM读出的预定的记录图形相比较检测出错率的比较电路；根据出错率决定直流磁场的最佳强度的控制电路。
再生信号与记录在光磁记录媒体中的预定的记录图形进行比较，检测再生信号的出错率。而且，决定直流磁场的最佳强度，使得出错率成为预定的范围以内。从而，如果依据本发明，则能够正确地决定直流磁场的最佳强度。
本发明的再生方法是在光磁记录媒体上加入直流磁场再生信号的再生方法，包括在光磁记录媒体上照射使光磁记录媒体的再生层的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第1步骤；使直流磁场的强度变化，检测预定的记录图形的再生信号的第2步骤；根据再生信号检测出错率，决定直流磁场的最佳强度使得出错率成为预定的范围以内的第3步骤。
在本发明的再生方法中，在光磁记录媒体的再生层的一部分上照射形成富迁移金属区域的强度的激光。而且，使加入在光磁记录媒体上的直流磁场的强度变化，检测预定的记录图形的再生信号。于是，可以得到随着直流磁场的强度增强而下降，然后，如果直流磁场的强度再增强则开始上升的再生信号的出错率。从而，如果依据本发明，则能够决定使再生信号的出错率成为预定范围以内的直流磁场的最佳强度。其结果，能够正确地磁区放大再生信号。
本发明的记录再生方法是在光磁记录媒体上加入直流磁场再生信号，在光磁记录媒体上加入交变磁场记录信号的记录再生方法，包括在光磁记录媒体上照射激光，加入用预定的记录图形调制了的交变磁场记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体上照射使光磁记录媒体的再生层的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据再生信号检测出错率，决定直流磁场的最佳强度使得出错率成为预定的范围以内的第4步骤。
在本发明的记录再生方法中，在光磁记录媒体上根据磁场调制方式记录了预定的记录图形以后，使直流磁场的强度变化进行预定记录图形的磁区放大再生。于是，可以得到随着直流磁场的强度增强而下降，然后如果直流磁场的强度再增强则开始上升的再生信号的出租率。从而，如果依据本发明，则能够决定再生信号的出错率成为预定范围以内的直流磁场的最佳强度。其结果，能够正确地磁区放大再生信号。
本发明的记录再生方法是在光磁记录媒体上加入直流磁场再生信号，在光磁记录媒体上加入交变磁场记录信号的光磁盘装置中的记录再生方法，其中，光磁盘装置具备发生直流磁场的永久磁铁和发生交换磁场的磁头，该记录再生方法包括在光磁记录媒体上照射激光，加入用预定的记录图形调制了的交变磁场，记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体上照射使光磁记录媒体的再生层的一部分温升到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据再生信号检测出错率，决定直流磁场的最佳强度使得出错率成为预定范围以内的第4步骤，在第1步骤中，使永久磁铁退避到从磁头射出的交变磁场的2个峰值强度实质上相同的位置。
在本发明的记录再生方法中，在光磁记录媒体上根据磁场调制方式记录预定的记录图形。这时，使永久磁铁退避到对于交变磁场不产生影响的位置。然后，使直流磁场的强度变化进行预定的记录图形的磁区放大再生。于是，可以得到随着直流磁场的强度增强而下降，然后如果直流磁场的强度再增强则开始上升的再生信号的出错率。从而，如果依据本发明，则能够在光磁记录媒体上正确地记录预定的记录图形。而且，能够根据正确地记录了的预定的记录图形，正确地决定再生信号的出错率成为预定范围以内的直流磁场的最佳强度。其结果，能够正确地磁区放大再生信号。
理想的是，记录再生方法在第3步骤中，使磁头退避到来自永久磁铁的磁通直接入射到光磁记录媒体上的位置。
在去除直流磁场的影响，在光磁记录媒体上记录了预定的记录图形以后，把预定的记录图形进行磁区放大再生时，退避磁头使得直流磁场能够直接加入到光磁记录媒体上。从而，即使在把来自永久磁铁的直流磁场直接加入到光磁记录媒体上进行磁区放大再生的方式中，也能够正确地决定直流磁场的强度。
本发明的记录再生方法是在光磁记录媒体上加入直流磁场再生信号，记录信号的记录再生方法，包括照射用预定的记录图形调制了的激光，加入直流磁场记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体上照射使光磁记录媒体的再生层的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据再生信号检测出错率，决定直流磁场的最佳强度使得出错率成为预定范围以内的第4步骤。
在本发明的记录再生方法中，在光磁记录媒体上根据光调制方式记录预定的记录图形。而且，使直流磁场的强度变化进行预定的记录图形的磁区放大再生。于是，能够得到随着直流磁场的强度增强而下降，然后如果直流磁场的强度再增强则开始上升的再生信号的出错率。从而，如果依据本发明，则即使在根据光调制方式记录信号，磁区放大再生信号的方法中，也能够根据预定的记录图形的再生信号正确地决定出错率成为预定范围以内的直流磁场的最佳强度。其结果，能够正确地磁区放大再生信号。
附图的简单说明

图1是光磁记录媒体的剖面构造图。
图2是光磁记录媒体上的激光点的平面图。
图3A是示出照射激光之前的记录层以及再生层的磁区的概念图，图3B是示出向再生层复制了记录层的磁区时的记录层以及再生层的磁区的概念图，图3C是示出消除了向记录层复制的磁区时的记录层以及再生层的磁区的概念图。
图4是示出本发明实施形态1的直流磁场加入装置的结构的剖面图。
图5是说明图4的铁芯与磁头的位置关系的剖面图。
图6示出基于铁芯与磁头的距离的光磁记录媒体上的直流磁场强度的变化。
图7是说明图4的线性马达的驱动结构的剖面图。
图8是再生信号与预定的记录图形的时序图。
图9是磁头，直流磁场加入装置以及光头的剖面配置图。
图10是本发明实施形态1的光磁盘装置的概略框图。
图11是图10所示的光磁盘装置的磁场控制电路的概略框图。
图12是用于说明实施形态1中的记录动作的流程图。
图13是校正实施形态1中的直流磁场强度的流程图。
图14是再生信号的出错率与直流磁场强度的关系图。
图15是实施形态1中的再生动作的流程图。
图16是示出本发明实施形态2的直流磁场加入装置的结构的剖面图。
图17是校正实施形态2中的直流磁场的强度的流程图。
图18是实施形态2中的再生动作的流程图。
图19是示出本发明实施形态3的直流磁场加入装置的结构的剖面图。
图20是本发明实施形态3的光磁盘装置的概略框图。
图21是图20所示的光磁盘装置的磁场控制电路的概略框图。
图22是校正实施形态3中的直流磁场的强度的流程图。
图23是实施形态3中的再生动作的流程图。
图24是示出本发明实施形态4的直流磁场加入装置的结构的框图。
图25是校正实施形态4中的直流磁场的强度的流程图。
图26是实施形态4中的再生动作的流程图。
图27是示出本发明实施形态5的直流磁场加入装置的结构的剖面图。
图28示出基于永久磁铁与光磁记录媒体的距离的光磁记录媒体上的直流磁场强度的变化。
图29是实施形态5的光磁盘装置的概略框图。
图30是图29所示的光磁盘装置的磁场控制电路的概略框图。
图31是实施形态5中的记录动作的流程图。
图32是实施形态5中的再生动作的流程图。
图33是实施形态6的直流磁场加入装置的概略框图。
图34是实施形态6的光磁盘装置的概略框图。
图35是图34所示的光磁盘装置的磁场控制电路的概略框图。
图36是实施形态6中的记录动作的流程图。
图37是实施形态6中的再生动作的流程图。
图38A是示出向再生层复制记录层的磁区之前的记录层以及再生层中的磁区的概念图，图38B是示出向再生层复制了记录层的磁区时的记录层以及再生层中的磁区的概念图。
图39是富稀土类金属区域与富迁移金属区域中的顽磁力的分布图。
用于实施发明的最佳形态参照附图详细地说明本发明的实施形态。另外，在图中相同或者相当的部分上标注相同的符号，并且不重复进行其说明。
实施形态1参照图1，说明本发明的光磁盘装置的以信号的记录以及/或者再生为对象的光磁记录媒体的剖面构造。光磁记录媒体10具备透光性基板1，基底层2，再生层3，中间层4，记录层5，保护层6，紫外线硬化树脂7。透光性基板1由玻璃，聚碳酸酯等构成。基底层2由硅氮化物(SiN)构成。再生层3由包括27～33at.％范围的Gd的GdFeCo构成。而且，该GdFeCo具有100～180℃范围的补偿温度，即使在室温下也是垂直磁化膜。中间层4由SiN构成。记录层5由TbFeCo构成。保护层6由SiN构成。构成基底层2，中间层4以及保护层6的SiN，构成再生层3的GdFeCo以及构成记录层5的TbFeCo用磁控管溅射法形成。构成再生层3的GqFeCo中的Gd的含有量主要由加入到Gd靶或者FeCo靶的能量控制，如果Gd的含有量减少则补偿温度下降，如果Gd的含有量增多则补偿温度上升。
另外，各层的膜厚是基底层2为60nm(允许范围40～80nm)，再生层3为40nm(允许范围20～60nm)，中间层4为20nm(允许范围5～30nm)，记录层5为60nm(允许范围30～1000nm)，保护层6为50nm(允许范围30～70nm)，紫外线硬化树脂为3μm(允许范围1～10μm)。
参照图2，如果在光磁记录媒体10上照射激光，则在光磁记录媒体10上形成激光点LBS。而且该激光点LBS中，在光磁记录媒体10的行进方向DR1的前方形成高温区域LBHS。来自光磁记录媒体10的信号再生通过静磁耦合把记录层5的磁区复制到再生层的高温区域LBHS上，然后用激光检测其复制的磁区进行。这时，在光磁记录媒体10中，加入恒定方向的直流磁场，在再生层3的高温区域LBHS中放大复制记录层5的磁区。
加入到光磁记录媒体10上的直流磁场HDC的强度是6～56kA/m的范围，照射在光磁记录媒体10上的激光的强度是2.0～3.5mW的范围。另外，在把照射在光磁记录媒体10上的激光的波长取为635nm，把激光聚焦的透镜的孔径数取为0.6的情况下，光磁记录媒体10上的激光光点LBS的直径是大约0.9μm，高温区域LBHS的方向DR1中的长度是0.2～0.5μm。高温区域LBHS的方向DR1中的长度由照射在光磁记录媒体10上的激光的强度控制。在记录层5中，由于形成磁区长度为0.1～0.2μm的最小磁区，因此通过控制高温区域LBHS的方向DR1中的长度能够把记录层5的各个磁区独立地放大复制到再生层3上。从而，在本发明中，根据形成在记录层5中的最短磁区长度决定高温区域LBHS的方向DR1中的长度。即，照射在光磁记录媒体10上的激光的强度根据记录层5的最短磁区长度决定。
关于通过磁区放大把来自光磁记录媒体10的信号进行再生的再生原理，与图38A、38B以及图39的说明相同。
参照图3A、3B以及3C，说明来自光磁记录媒体10的信号的再生过程。在开始进行来自光磁记录媒体10的信号再生之前，沿着一定的方向把再生层3的磁化进行初始化，在记录层5上形成根据记录信号磁化方向不同的磁区(参照图3C)。然后，如果从再生层3一侧照射激光LB，加入直流磁场HDC，则根据与参考图38A、38B以及图39说明过的相同的原理，记录层5的磁区50放大复制到再生层3的高温区域32，用激光LB检测磁化39，再生磁区50(参照图3B)。检测出了磁化39以后，移动激光LB，如果高温区域32的温度下降到150℃的补偿温度以下，则高温区域32由于从富迁移金属转变为富稀土类金属，因此再生层3的磁化返回到朝向初始化磁化方向的初始状态(图3A)(参照图3C)。另外，在再生具有与磁区50相反方向磁化的磁区51的情况下，再生层3的高温区域32的磁化不反相而再生磁区51。即，通过用激光LB检测与磁化51的磁化相同方向的磁化，即，与高温区域32的磁化39相反方向的磁化，再生磁区51。经过图3A～图3C的过程，通过静磁耦合，记录层5的各磁区放大复制到再生层3，进行再生。
在本发明中，从记录了由「01010101010...」组成的预定的记录图形的光磁记录媒体10再生信号「01010101010...」，把其再生信号与预定的记录图形「01010101010...」进行比较，决定直流磁场的强度使得再生信号的出错率成为预定的范围以内。
参照图4，说明本发明实施形态1的直流磁场加入装置12。直流磁场加入装置12具备导轨121、126，载置台122、127，摇臂123、128，粗调线性马达124，永久磁铁125，细调线性马达129，铁芯130，磁芯110。另外，在磁芯110上缠绕着线圈111，磁芯110和线圈111构成磁头11，如后述那样，由于来自永久磁铁125的直流磁场HDC在信号的再生时经过磁头11的磁芯110加入在光磁记录媒体10上，因此磁头11的磁芯110也包含在直流磁场加入装置12的构成要素中。
载置台122连接导轨121，能够沿着导轨121上向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动。粗调线性马达124经过摇臂123连接载置台122，通过把摇臂123伸缩，使载置台122沿着导轨121向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动。
在载置台122上设置着永久磁铁125、导轨126以及细调线性马达129。载置台127与导轨126连接，能够沿着导轨126向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动。细调线性马达129经过摇臂128与载置台129连接。在载置台127的一个主面上设置着铁芯130。细调线性马达129通过把摇臂128伸缩，能够使载置台127沿着导轨126向光磁记录媒体10的径向方向DR1移动。铁芯130设置成使得直流磁场的射出面132与永久磁铁125的直流磁场的射出面131相对。另外，铁芯130具有直流磁场的射出面133，射出面133设置成与磁芯110的直流磁场的入射面134相对。
光磁记录媒体10的法线方向DR3中的铁芯130的长度L1是1mm，径向方向DR2的长度L2是11.5～13.5mm，永久磁铁125的射出面131与铁芯130的射出面132的距离是50～100μm，铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离L4是0.1～2mm的范围，磁芯110的法线方向DR3中的长度L5是200μm。从而，来自永久磁铁125的直流磁场HDC不减弱其强度，从入射面132入射到铁芯130，然后从铁芯130的射出面133射出。而且，从射出面133射出的直流磁场HDC的强度由入射到磁芯110的入射面134的磁通决定，根据距离L4的各个值发生变化。即，在距离L4为2mm的最大值时，入射到磁芯110的射出面134的磁通数最少，在距离L4为0.1mm的最小值时，入射到磁芯110的入射面134的磁通数最多。其结果，通过使距离L4在0.1～2mm之间变化，改变入射到磁芯110的直流磁场HDC的强度。而且，直流磁场HDC从磁芯110的射出面135射出后加入在光磁记录媒体10上。
即，来自永久磁铁125的直流磁场HDC经过铁芯130以及磁芯110加入在光磁记录媒体10上。而且，用细调线性马达129使铁芯130向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动，改变铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离4，改变从磁芯110加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDC的强度。
即，参照图5，从铁芯130的射出面133射出的直流磁场HDC从入射面134入射到磁芯110，由磁芯110把强度增强2～3倍以后，从射出面135作为直流磁场HDC射出。由于射出面135与光磁记录媒体10的距离是10μm，因此直流磁场HDCF不减弱其强度而加入在光磁记录媒体10上。直流磁场HDCF的强度反比于射出面133与入射面134的距离L4(其中，射出面133的面积≥入射面134的面积)。其结果，如图6所示，加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDCF的强度与距离L4反比例变化。通过距离L4从0.1mm增加到2mm(从100μm到2000μm)，直流磁场HDCF的强度从56kA/m减少到6kA/m。从而，通过改变距离L4，能够使加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDCF的强度变化。
再次参照图4，由于光磁记录媒体10的法线方向DR3中的铁芯130的长度L1是1mm，磁芯110的法线方向DR3中的长度L5是200μm左右，因此即使由于光磁记录媒体10的表面振动磁芯110向法线方向DR3移动，来自射出面133的磁通也入射到磁芯110的入射面134上，因此不会由于光磁记录媒体10的表面振动而使直流磁场HDCF的强度变化。另外，对于光磁记录媒体10，在与磁头11的磁芯110相反的一侧配置光头13的物镜136，物镜136在信号的记录点或者再生点上聚焦照射激光LB。进而，当磁头11在光磁记录媒体10上加入由记录信号调制了的交变磁场记录信号时，用粗调线性马达124使载置台122的中心从B点向A点移动。由于A点与B点的距离是10mm，因此铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离也成为10mm以上，来自永久磁铁125的直流磁场HDC不入射到磁芯110上，直流磁场HDCF不加入在光磁记录媒体10上。从而，磁头11能够去除直流磁场HDCF的影响而把交变磁场加入在光磁记录媒体10上。而且，在从光磁记录媒体10再生信号时，用粗调线性马达124使载置台122的中心从A点向B点移动，来自永久磁铁125的直流磁场HDC经过磁芯110作为直流磁场DCF加入在光磁记录媒体10上。
在本发明中，用细调线性马达129使载置台127向光磁记录媒体10的径向方向DR2阶梯形地移动，使铁芯130向径向方向DR2移动。而且，使铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离L4在0.1～2mm之间阶梯形地变化，在距离L4的各个值中，在光磁记录媒体10上加入直流磁场HDCF，检测预定的记录图形「01010101010...」的再生信号。而且，把再生信号与预定的记录图形「01010101010...」进行比较，检测出错率，决定直流磁场HDCF的强度，使得出错率成为10-5以下的预定范围以内。
参照图7，说明图4的粗调线性马达124以及细调线性马达129的动作。粗调线性马达124或者细调线性马达129具有齿轮1240，摇臂123、128具有与齿轮1240齿合的齿轮1230。而且，通过粗调线性马达124或者细调线性马达129的马达(未图示)阶梯形地旋转，使齿轮1240沿着箭头1241的方向阶梯形地旋转，使摇臂123、128向光磁记录媒体10的径向方向DR2阶梯形移动。其结果，连接在摇臂123上的载置台122或者连接在摇臂128上的载置台127分别经过导轨121、126向径向方向DR2移动。另外，粗调线性马达124的1步中的移动距离比细调线性马达129的1步中的移动距离大，粗调线性马达124的1步的移动距离是大约100μm，细调线性马达129的1步的移动距离是10μm。
细调线性马达129使铁芯130向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动的顺序如表1所示那样，是距离4为2000μm，1000μm，500μm，100μm，1500μm，750μm，400μm，300μm以及200μm的顺序。这种情况下，直流磁场HDCF的强度按照6kA/m，16kA/m，28kA/m，56kA/m，12kA/m，20kA/m，40kA/m，44kA/m以及48kA/m的顺序变化。
表1


而且，具有各个强度的直流磁场HDCF加入在光磁记录媒体10上，磁区放大再生预定的记录图形「01010101010...」。把再生信号二值化，与预定的记录图形相比较，检测再生信号的出错率。即，如图8所示那样被二值化了的再生信号RFD与预定的记录图形WDK相比较，检测出错率。预定的记录图形WDK是「010101010」，而由于再生信号RFD是「000101110」，因此存在着2比特部分的误差。即，由于在9比特中存在2比特的误差，因此出错率成为0.22。实际上，由于从预定的记录图形「010101010...」中再生数万比特左右的大量数据，检测误差，因此误差率成为10-5以下的等级。
参照图9，在记录媒体在光磁记录媒体10上记录以及/或者再生信号的情况下，使用磁头11，直流磁场加入装置12和光头13。直流磁场加入装置12在光磁记录媒体10上加入恒定方向的直流磁场HDCF。另外，磁头11在光磁记录媒体10上加入方向交互变化而且由记录信号调制了的交变磁场。进而，光头13在光磁记录媒体10上照射激光，检测其反射光量。直流磁场加入装置12经过摇臂61连接到支撑体62上。
如果光磁记录媒体10通过步进马达144旋转，则磁头11是从光磁记录媒体10上浮的上浮型磁头，用板簧63连接到摇臂64上。而且，摇臂64连接到支撑体62上。由于磁头11是上浮型的磁头，因此板簧63把磁头11压向光磁记录媒体10。由此，通过光磁记录媒体10旋转，在磁头11上产生的上浮力与板簧63把磁头11压向光磁记录媒体10的方向的力相平衡，磁头11与光磁记录媒体10的距离保持为恒定。
光头13经过摇臂65连接到支撑体62上。从而，由于磁头11、直流磁场加入装置12以及光头13都连接到支撑体62上，因此如果把光头13向光磁记录媒体10的径向方向DR2搜索，则与此相伴随，磁头11以及直流磁场加入装置12也向径向方向D22搜索。其结果，如果以磁头11的磁芯110为中心，进行使得与来自光头13的激光的光轴一致的调整，则光头13即使向径向方向DR2搜索，直流磁场HDCF的中心以及交变磁场的中心也不从激光的光轴偏移。
参照图10，本实施形态1的光磁盘盘装置100具备磁头11，直流磁场加入装置12，光头13，信号处理控制电路14，图形发生器15，磁场控制电路16，磁头驱动电路17，激光器驱动电路18。
信号处理控制电路14由外部同步信号生成电路141，伺服电路142，伺服机构143，步进马达144，二值化电路145，纠错电路146，控制控制电路147构成。
磁头11在光磁记录媒体10上加入用记录信号调制了的交变磁场。直流磁场加入装置12根据上述方法在光磁记录媒体10上加入直流磁场HDCF。光头13在光磁记录媒体上10上照射激光，检测值其反射光。而且，光头13把检测出的跟踪误差信号TE，聚焦误差信号FE，微调时钟标记信号FCM，地址信号ADD以及光磁信号RFA放大到预定的水平，把跟踪误差信号TE以及聚焦误差信号FE输出到伺服电路142，把微调时钟标记信号FCM输出到外部同步信号生成电路141，把地址信号ADD输出到磁场控制电路16，把光磁信号RFA输出到磁场控制电路16以及二值化电路145。
外部同步信号生成电路141根据微调时钟标记信号FCF生成外部同步时钟CLK。微调时钟标记信号FCM是通过径向推挽由光头13检测出与光磁记录媒体10的纹以及纹间同步地形成的颤动的信号。从而，微调时钟标记信号FCM是强度以恒定周期变化的信号。外部同步信号生成电路141从周期性变化的微调时钟标记信号FCM生成包括每隔一定周期，从L(逻辑低)电平切换为H(逻辑高)电平的脉冲成分的二值化信号，生成外部同步信号CLK使得在其生成的二值化信号的邻接脉冲成分之间存在一定数量的周期信号。而且，外部同步信号生成电路141把所生成的外部同步信号CLK输出到伺服电路142，纠错电路146以及图形发生器145。
伺服电路142控制伺服机构143，使得根据从光头13输入的跟踪误差信号TE以及聚焦误差信号FE，进行光头13中的物镜136的跟踪伺服以及聚焦伺服。另外，伺服电路142与外部同步信号CLK相同步，使步进马达144以预定的转数旋转。
伺服机构143根据来自伺服电路142的控制，进行光头13中的物镜136的跟踪伺服以及聚焦伺服。步进马达144根据来自伺服电路14的控制，以预定的转数使光磁记录媒体10旋转。
二值化电路145把光磁信号RFA进行比较，生成按照H电平与L电平进行变换的二值化了的再生信号RFD。纠错电路146与外部同步信号CLK相同步，进行被二值化了的再生信号RFD的纠错以及解调，然后把再生数据输出到外部输出装置(未图示)。控制电路147把从光头13射出的激光的强度输出到激光器驱动电路18的同时，控制光磁盘装置100的各部分。
图形发生器15与外部同步信号CLK相同步，把记录数据进行编码，调制成预定的方式。磁场控制电路16在校正直流磁场HDCF的强度时，把驱动直流磁场加入装置12中的粗调线性马达124以及细调线性马达129的驱动信号输出到直流磁场加入装置12，把载置台122的中心移动到B点，把载置台127向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动，使加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDCF的强度变化。而且，磁场控制电路16使直流磁场HDCF的强度变化，把光头13检测出的光磁信号RFA二值化，与外部同步信号CLK相同步，把该二值化了的再生信号RFD与预定的记录图形「01010101010...」进行比较，检测再生信号RFD的出错率。进而，磁场控制电路16决定检测出的出错率成为10-5以下的直流磁场HDCF的最佳强度。另外，进而，磁场控制电路16在把记录数据记录在光磁记录媒体10上时，把来自图形发生器15的记录信号输出到磁头驱动电路17。
磁头驱动电路17根据记录信号驱动磁头11。激光器驱动电路18根据来自控制电路147的强度驱动光头13中的半导体激光器(未图示)。
参照图11，磁场控制电路16还具备地址检测电路161，地址判定电路162，二值化电路163，图形保存ROM164，比较电路165，控制器166，缓冲器167和选择器168。
地址检测电路161根据光头13检测出的地址信号ADD，检测照射着激光的光磁记录媒体10上的地址。地址判定电路162根据来自地址检测电路161的地址，判定是否在记录着预定的记录图形「01010101010......」的校准区域中照射着激光。
二值化电路163把光磁信号RFA进行比较，输出被二值化了的再生信号RFD。图形保存ROM164保存预定的记录图形「01010101010...」，把预定的记录图形「01010101010...」输出到比较电路165和选择器168。比较电路165与外部同步信号CLK相同步，把来自二值化电路163的再生信号RFD与来自图形保存ROM164的预定的记录图形「01010101010...」进行比较，根据在图8中说明过的方法检测再生信号RFD的出错率，把该检测出的出错率输出到控制器166。
控制器166在根据来自包含在信号处理控制电路14中的控制电路147的控制，校正直流磁场HDCF的强度时，如果从地址判定电路162输入了访问校准区域的信号，则与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择来自图形保存ROM164的预定的记录图形「01010101010...」。另外，控制器166在光磁记录媒体10的校准区域中记录了预定的记录图形「01010101010...」以后，与外部同步信号CLK相同步控制选择器168使得选择意味着信号的再生模式的信号「0」的同时，根据保存在内部安装的存储器中(未图示)的表1的铁芯位置，与外部同步信号CLK相同步，把用于使直流磁场加入装置12中的铁芯130向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动的驱动信号输出到细调线性马达129。而且，控制器166在内部安装的存储器中保存在表1的范围内考虑了直流磁场HDCF的强度时的来自比较电路165的出错率，从所保存的出错率检测成为10-5以下的出错率的直流磁场HDCF的最佳强度，根据表1检测实现该最佳强度的铁芯130的最佳位置。进而，控制器166把用于使铁芯130保持在检测出的最佳位置的驱动信号，与外部同步信号CLK相同步，输出到细调线性马达129。
另外，进而，控制器166与外部同步信号CLK相同步，把在信号的再生时用于使载置台122的中心从A点向B点移动的驱动信号输出到粗调线性马达124的同时，控制选择器168使得选择信号「0」。
另外，进而，控制器166与外部同步信号CLK相同步，把在信号的记录时用于使载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号输出到粗调线性马达124的同时，控制选择器168使得选择从图形发生器15输入的而且保存在缓冲器167中的记录信号。
缓冲器167来自图形发生器15的记录信号。选择器168根据来自控制器166的控制，选择预定的记录图形「01010101010...」以及信号「0」的某一个，输出到磁头驱动电路17。
参照图11～14，说明直流磁场HDCF的强度校正。地址检测电路161根据来自光头13的地址信号ADD检测地址。而且，地址判定电路162根据检测出的地址判定为在校准区域中正在照射激光，把其判定结果输出到控制器166。控制器166如果接收到表示没有从光头13在光磁记录媒体10上记录预定的记录图形「01010101010...」的信号，则与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择来自图形保存ROM164预定的记录图形「01010101010......」。
然后，在光磁记录媒体10上记录预定的记录图形「01010101010...」。预定的记录图形「01010101010...」的记录根据图12所示的流程图进行。控制器166与外部同步信号CLK相同步，把用于使直流磁场加入装置12中的载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号输出到粗调线性马达124，载置台122的中心移动到A点(步骤S1)，磁头11和光头13移动到校准区域(步骤S2)。然后，选择器168选择预定的记录图形「01010101010...」，把预定的记录图形「01010101010...」输出到磁头驱动电路17。磁头驱动电路17根据的预定的记录图形「01010101010...」驱动磁头11，磁头11把根据预定的记录图形「01010101010...」调制了的交变磁场加入在光磁记录媒体10上。另一方面，根据来自控制电路147的控制，激光器驱动电路18驱动光头13中的半导体激光器(未图示)使得射出信号记录所需要强度的激光。然后，光头13在校准区域中照射信号记录所需要强度的激光，在光磁盘记录媒体10上记录预定的记录图形「01010101010...」(步骤S3)。由此，结束预定的记录图形「01010101010...」的记录动作。
然后，根据图13所示的流程图校正直流磁场HDCF的强度。控制器166向细调线性马达129输出用于把固定在直流磁场加入装置12的载置台127上的铁芯130配置在距磁头11的磁芯110最远的位置的驱动信号，把铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离L4设定为2000μm(步骤S4)。另外，光头13在光磁记录媒体10上照射再生层3的一部分温升到补偿温度以上的强度的激光。而且，试行次数设定为「0」(步骤S5)，与再生层3的富稀土类金属区域的磁化方向相同，而且具有6kA/m的强度的直流磁场HDCF加入在光磁记录媒体10上，光头13通过磁区放大再生检测预定的记录图形「01010101010...」(步骤S6)。二值化电路163从光头13输入光磁信号RFA，输出二值化了的再生信号RFD。而且，比较电路165把被二值化了的再生信号RFD与来自图形保存ROM164的预定的记录图形「01010101010...」进行比较，检测再生信号RFD的出错率，输出到控制器166。于是，则控制器166判别输入的出错率是否小于作为预定的基准值的10-5(步骤S7)。在出错率小于10-5时，直流磁场HDCF的强度的校正成功(步骤S8)，结束校正动作。在出错率大于10-5时，试行次数增加1(步骤S9)，判别试行次数是否在预定的次数以内(步骤S10)。在试行次数超过了预定次数时，直流磁场HDCF的强度的校正失败(步骤S11)，结束校正动作。在试行动作是预定的次数以内时，控制器166根据保存在内部安装的存储器(未图示)中的表1，与外部同步信号CLK相同步，把用于使直流磁场加入装置12的铁芯130向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动的驱动信号输出到细调线性马达129，铁芯130移动到与表1的试行次数1相对应的位置(步骤S12)。然后，反复执行步骤S6～S12的循环，直到校准成功为止，或者，直到结束了表1的全部试行次数为止。
在把直流磁场HDCF的强度从6kA/m增强到56kA/m时，如图14所示，随着直流磁场HDCF的强度增强，再生信号RFD的出错率下降，如果直流磁场HDCF的强度进一步增强，则再生信号的出错率开始上升。从而，在本发明中，控制器166根据表1检测再生信号的出错率RFD与作为预定的基准值的10-5一致的2个直流磁场HDCF1、HDCF2，检测加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDCF的强度成为直流磁场的强度HDCF1、HDCF2的铁芯130的位置，即，检测铁芯130的射出面133与磁芯110的入射面134的距离。例如，如果检测出HDCF1＝12kA/m，HDCF2＝44kA/m，则检测出铁芯的位置1000μm以及300μm。而且，把包含在检测出的2个位置之间的区域决定为最佳位置。即，把300μm～1000μm决定为最佳的位置。控制器166向细调线性马达129输出用于把铁芯130保持在所决定的最佳位置的驱动信号，把铁芯130保持在最佳的配置。由此，结束校正直流磁场HDCF的强度的动作。
另外，当预先记录了所安装的光磁记录媒体10的预定记录图形「01010101010...」时，省略预定的记录图形「01010101010...」的记录动作，进行图13所示的直流磁场DCF的强度的校正动作。
说明光磁盘装置100中的信号记录动作以及信号再生动作。首先，说明信号的记录动作。如果在光磁盘装置100中安装了光磁记录媒体10，则控制电路147进行控制使得步进马达144以预定的转数旋转，步进马达144使光磁记录媒体10以预定的转数旋转。另外，控制电路147把要设定的激光的强度输出到激光器驱动电路18。于是，则激光器驱动电路18根据所输入的强度驱动光头13中的半导体激光器、在光磁记录媒体10上照射预定强度的激光。而且，光头13通过检测来自光磁记录媒体10的反射光，检测跟踪误差信号TE，聚焦误差信号FE以及微调时钟标记信号FCM。然后，如上述那样，接通光头13中的物镜136的跟踪伺服以及聚焦伺服，步进马达144与外部同步信号CLK相同步，以预定的转数旋转光磁记录媒体10。
于是，则控制电路147把光磁盘装置100移动到记录模式。然后，根据图12所示的流程，在光磁记录媒体10上记录信号。这种情况下，在步骤S3中，磁场控制电路16中的控制器166控制选择器168使得选择保存在缓冲器167中的记录信号的同时，与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出把载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号。粗调线性马达124把载置台122的中心移动到A点，使得来自永久磁铁125的直流磁场HDCF对于信号的记录不产生影响。然后，选择器168把记录信号输出到磁头驱动电路17，磁头驱动电路17根据记录信号驱动磁头。磁头11在光磁记录媒体10上加入用记录信号调制了的交变磁场。由此，结束对于光磁记录媒体10的信号记录动作。
其次，参照图15，说明信号的再生动作。在再生信号时，磁场控制电路16中的控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择信号「0」。选择器168把信号「0」输出到磁头驱动电路17。磁头驱动电路17根据信号「0」停止磁头11的驱动。如果开始再生动作，则判别直流磁场HDCF是否校正完毕(步骤S13)，如果校正完毕，则粗调线性马达124使载置台122的中心移动到B点(步骤S14)。然后，由细调线性马达129把铁芯130的位置移动到最佳的配置(步骤S15)，从光磁记录媒体10进行磁区放大再生(步骤S16)。这种情况下，光头13向二值化电路145输出检测出的光磁信号RFA，二值化电路145把光磁信号RFA二值化后，向纠错电路146输出再生信号RFD。纠错电路146进行再生信号RFD的纠错以及解调，向外部输出装置(未图示)输出再生数据。
在步骤S13中，如果判别为直流磁场HDCF没有被校正，则由光头13检测是否在光磁记录媒体10上记录着预定的记录图形「01010101010...」。如果判别为在光磁记录媒体10上没有记录预定的记录图形「01010101010...」，则磁场控制电路16中的控制器166控制选择器168使得从图像保存ROM164选择预定的记录图形「01010101010...」的同时，向粗调线性马达124输出用于使载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号。
粗调线性马达124把载置台122的中心移动到A点，把永久磁铁125退避到使得直流磁场HDCF对于信号的记录不产生影响(步骤S18)。另外，使磁头11与光头13移动到校准区域(步骤S19)。然后，选择器168向磁头驱动电路17输出记录信号，磁头驱动电路17根据记录信号驱动磁头11。磁头11在光磁记录媒体10上加入用记录信号调制了的交变磁场。由此，在光磁记录媒体10上记录预定的记录图形「01010101010...」(步骤S20)。然后，由粗调线性马达124把载置台122的中心移动到B点(步骤S21)，根据图13所示的流程，校正直流磁场HDCF的强度(步骤S22)。
然后，在步骤S17中，当已经在光磁记录媒体上记录着预定的记录图形「01010101010...」时，转移到步骤S21。
在直流磁场HDCF的强度的校正成功了时，转移到步骤S16，进行信号的再生。在直流磁场HDCF的强度的校正失败了时，输出盘错误信号，光磁盘装置100把安装的光磁记录媒体10排出到装置外。由此结束信号的再生动作。
如果依据实施形态1，则由于光磁盘装置100具备根据使直流磁场HDCF的强度变化了时的再生信号，决定再生信号RFD的出错率成为预定的基准值以下的最佳强度的磁场控制电路，因此能够正确地进行加入了直流磁场HDCF的磁区放大再生。
实施形态2实施形态2的光磁盘装置200把实施形态1中的光磁盘装置100的直流磁场加入装置12替换为直流磁场加入装置12A，其它部分与实施形态1相同。参照图16，直流磁场加入装置12A具备导轨121、153，载置台122、155，摇臂123、152，粗调线性马达124，永久磁铁125，细调线性马达150，磁芯110A。细调线性马达150使用参照图7说明过的机构把摇臂152阶段形地伸缩，1步的移动距离是10μm。导轨121，载置台122以及粗调线性马达124的说明与实施形态1相同。细调线性马达150固定在载置台122上，载置台151经过摇臂152连接到细调线性马达150上。另外，永久磁铁125固定在载置台151上。如果通过细调线性马达150，摇臂152向光磁记录媒体10的法线方向DR3伸缩，则载置台151沿着导轨153向法线方向DR3移动。由此，永久磁铁125也向法线方向DR3移动。即，细调线性马达150使永久磁铁125向法线方向DR3以精度10μm移动，使永久磁铁125与磁头11A的磁芯110A的距离L6在200～2000μm的范围内变化。
来自永久磁铁125的直流磁场HDC从射出面131射出，入射到磁芯110A。然后，由磁芯110A增强2～3倍后，作为直流磁场HDCF加入在光磁记录媒体10上。永久磁铁125的直流磁场HDC的射出面131的尺寸是1～3mm的方形，磁芯110A的尺寸是200μm的方形或者200mφ。从而，永久磁铁125的位置即使向光磁记录媒体10的面内方向稍稍偏移，对于直流磁场HDCF的强度也不产生影响。另外，在磁芯110A上缠绕着线圈111，磁芯110A和线圈111构成磁头11A，而如上述那样，来自永久磁铁125的直流磁场HDC在信号的再生时由于经过磁头11A的磁芯110A加入在光磁记录媒体10上，因此磁头11A的磁芯110A也包含在直流磁场加入装置12A的构成要素中。
在直流磁场入装置12A中，也通过改变永久磁铁125与磁头11A的磁芯110A的距离，使从永久磁铁125入射到磁芯110A的磁通密度变化，改变直流磁场HDCF的强度。
另外，在直流磁场加入装置12A中，粗调线性马达124在信号的记录时也把载置台122的中心从B点向A点移动，在信号的再生时也把载置台122的中心从A点向B点移动。
在实施形态2中，调整永久磁铁125的位置，使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，改变直流磁场HDCF的强度，使得光头13检测出的再生信号的出错率成为10-5以下，校正直流磁场的强度。使永久磁铁125移动的范围是表2所示的范围，按照表2所示的试行次数0～7顺序地改变永久磁铁的位置。表2中设置了200μm的下限值，这是为了即使永久磁铁125冲撞磁头11A，磁头11A冲撞光磁记录媒体10，也不会损坏光磁记录媒体10。
表2


在校正直流磁场HDCF的强度时，磁场控制电路16的控制器166在内部安装的存储器中存储着表2。而且，校正直流磁场HDCF的强度的流程如图17所示，分别把图13的流程中的步骤S4、S12替换为步骤S25、S26。即，在实施形态1中，使铁芯130向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动，校正了直流磁场HDCF的强度，而在实施形态2中，通过使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，使直流磁场HDCF的强度变化，在步骤S25中，使永久磁铁125向法线方向DR3移动，配置在距磁芯110A最远的位置。另外，在步骤S26中，根据表2的永久磁铁的位置，使永久磁铁125向法线方向D23移动，使直流磁场HDCF的强度变化。在实施形态2中，也通过改变永久磁铁125与磁芯110A的距离，使入射到磁芯110A的磁通密度变化，改变直流磁场HDCF的强度。
另外，来自光磁记录媒体10的信号再生的流程如图18所示那样，把图15的步骤S22替换为步骤S27，其它部分与图15的流程图相同。步骤S27意味着校正图17中的直流磁场HDCF的强度的流程。
其余的步骤的说明与实施形态1相同。
从而，如果依据本实施形态2，则由于光磁盘装置200具备使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，并且根据直流磁场HDCF的强度变化了时的再生信号RFD，决定再生信号RFD的出错率成为预定的基准值以下的最佳强度的磁场控制电路16，因此能够正确地进行加入了直流磁场DCF的磁区放大再生。
实施形态3实施形态3的光磁盘装置300中使用的直流磁场加入装置12B参照图19，具备导轨121、153，载置台122、151，摇臂123、152，粗调线性马达124，永久磁铁125，细调线性马达150，磁芯110A，铁芯154，线圈155。导轨121，载置台122以及粗调线性马达124的说明与实施形态1相同，细调线性马达110，载置台151，摇臂152以及导轨153的说明与实施形态2相同。
铁芯154与永久磁铁125保持0～100μm的距离，在铁芯154上缠绕着线圈155。而且，铁芯154由省略图示的支撑件固定在载置台151上，在粗调线性马达124把载置台122向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动时，与永久磁铁125一起向径向方向DR2移动。另外，铁芯154的尺寸是1mm的方形或者1mmφ，磁芯110A的尺寸是200μm的方形或者200μmφ。从而，即使铁芯154的位置沿着光磁记录媒体10的面内方向稍稍偏移，对于直流磁场HDCF的强度也不产生影响。
在直流磁场加入装置12B中，来自永久磁铁125的直流磁场HDC不减弱其强度，入射到铁芯154上，从铁芯154向磁芯110A入射，把强度增强2～3倍以后，作为直流磁场HDCF加入在光磁记录媒体10上。
在直流磁场加入装置12B中，也通过改变铁芯154与磁头11A磁芯110A的距离，使得从永久磁铁125经过铁芯入射到磁芯110A的磁通密度变化，使直流磁场HDCF的强度变化。
直流磁场加入装置12B还具有铁芯154与磁芯110A的面内方向的位置调整功能。即，如果发生从磁头11A入射到铁芯154的磁通密度变化的磁场，则磁头11A与线圈155相交链的磁通数变化，产生电磁感应。于是，则在线圈155两端产生电位差，在线圈155中流过电流。从而，用电流计检测流过线圈155的电流值，由粗调线性马达124调整铁芯154的面内方向的位置使得电流值成为预定的值。在进行铁芯154的面内方向的位置调整时，铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm。在进行铁芯154的面内方向的位置调整时，磁头11A发生的磁场可以是磁场强度正弦曲线形变化的磁场，也可以是三角波形变化的磁场，一般只要是入射到铁芯154中的磁通对于时间发生变化的即可。
在结束了铁芯154与磁芯110A的面内方向的位置调整以后，在表2的范围内使铁芯154与磁芯110A的距离变化，校正加入在光磁记录媒体10上的直流磁场DCF的强度。
另外，在磁芯110A上缠绕着线圈111，磁芯110A和线圈111构成磁头11A，而由于如上述那样，来自永久磁铁125的直流磁场HDC在信号的再生时，经过磁头11A的磁芯110A加入在光磁记录媒体10上，因此磁头11A的磁芯110A也包含在直流磁场加入装置12B的构成要素中。
在直流磁场加入装置12B中，粗调线性马达124在信号的记录时也使载置台122的中心从B点向A点移动，在信号的再生时使载置台122的中心从A点向B点移动。
参照图20，实施形态3的光磁盘装置300把图10所示的光磁盘装置100的直流磁场加入装置12替换为直流磁场加入装置12B，并且添加了电流计19。
电流计19检测流过直流磁场加入装置12B的线圈155中的电流值，把其结果输出到磁场控制电路16。
如图21所示，磁场控制电路16具有与图11所示结构相同的结构。但是，控制电路166的功能与图11的情况不同。即，在进行铁芯154与磁芯110A的面内方向的位置调整时，控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择用于使在磁头11A中发生从磁头11A入射到铁芯154的磁通密度变化的磁场的信号「1」。另外，控制器166与外部同步信号CLK相同步，把驱动信号输出到细调线性马达150，细调线性马达150把铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm。然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，把驱动信号输出到粗调线性马达124，粗调线性马达124使载置台122向光磁记录媒体10的面内方向移动。使载置台122向面内方向移动的范围是表3所示的范围。在表3中所谓「位置」意味着载置台122的中心与B点的距离。另外，控制器166在内部安装的存储器中存储着表3。
表3


于是，电流计19检测流过线圈155的电流值，输入到控制器166。控制器166把为了生成从磁头11A发生的交变磁场的峰值强度为16kA/m的磁场所必需的电流值200mA的10％以上的电流值流过线圈155的铁芯154的位置决定为铁芯154的最佳位置。即，在铁芯与154与磁芯110A的距离是200μm时，如果通过电磁感应在线圈155中流过的电流值成为20mA以上，则与线圈155交链的磁通数的变化为最大。如果决定线圈154的最佳位置，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，把用于保持该位置的驱动信号输出到粗调线性马达124，粗调线性马达124把铁芯154保持在最佳位置。
然后，通过与在实施形态2中说明过的相同的方法，使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，校正直流磁场HDCF的强度。
参照图22，说明永久磁铁125，即，铁芯154的面内方向的对位的流程。如果开始动作，则试行次数设定为「0」(步骤S28)，用于发生入射到铁芯154的磁通数变化的磁场的电流流过磁头11A的线圈111(步骤S29)。然后，电流计19检测通过电磁感应产生的流过线圈155的电流(步骤S30)。然后，判断检测出的电流值是否为20mA以上(步骤S31)，如果电流值是20mA以上，则面内方向的位置调整成功而结束(步骤S32)。如果电流值不是20mA以上，则试行次数增加1(步骤S33)，判断试行次数是否在预定次数以内(步骤S34)。在试行次数超过了预定次数时，面内的位置调整失败而结束(步骤S35)。如果试行次数是预定次数以内，则根据表3使铁芯154向面内方向移动(步骤S36)，反复执行步骤S29～S36的循环直到面内方向的位置调整成功，或者在表3的所有范围内移动铁芯154为止。
结束了铁芯154的面内方向的位置调整以后，使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，校正直流磁场DCF的强度。校正该直流磁场DCF的强度的流程与图17所示的流程相同。
表示光磁盘装置300中的信号的再生动作的流程如图23所示，在图18的再生动作的流程中加入了步骤S37、S38，其余的步骤与图18所示的流程相同。
在步骤S37中，如参考图22说明过的那样，进行永久磁铁125，即，铁芯154的面内方向的位置调整。然后，在步骤S38中，判别永久磁铁125的面内方向的位置调整是否成功，如果没有成功则转移到步骤S24。在步骤S38中，如果永久磁铁125的面内方向的位置调整成功，则转移到步骤S13，经过与在图18中说明过的相同的步骤进行信号再生。
再次参照图20、21，说明进行永久磁铁125，即，铁芯154的面内方向的位置调整时的光磁盘装置300的动作。磁场控制电路16的控制器166与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达150输出用于把铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm的驱动信号，细调线性马达150把铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm。于是，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，向磁头驱动电路17输出用于生成从磁头11A入射到铁芯154的磁通随时间变化的磁场的驱动信号。
磁头驱动电路17根据来自控制器166的驱动信号驱动磁头11A。另外，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表3生成用于使载置台122向光磁记录媒体10的面内方向移动的驱动信号，输出到粗调线性马达124。粗调线性马达124根据来自控制器166的驱动信号使载置台122向面内方向移动。然后，电流计19检测流过磁头11A的线圈111中的电流，把其电流值输出到磁场控制电路16。于是，则磁场控制电路16的控制器166根据输入的电流值决定检测出20mA以上电流值的铁芯154的最佳位置，与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出用于把铁芯154保持在该位置的驱动信号。粗调线性马达124根据来自控制器166的驱动信号使载置台122向面内方向移动，把铁芯154保持在最佳位置。由此，结束铁芯154的面内方向的位置调整的动作。
其余的动作与实施形态2的说明相同。
如果依据实施形态3，则由于光磁盘装置300具备使永久磁铁125向光磁记录媒体10的面内方向移动，调整永久磁铁125的位置使得通过电磁感应产生的电流值成为最大，而且，使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，根据使直流磁场DCF的强度变化了时的再生信号RFD，决定再生信号的出错率成为预定的基准值以下的最佳磁场强度的磁场控制电路16，因此能够正确地进行加入了直流磁场DCF的磁区放大再生。
实施形态4参照图24，在实施形态4的光磁盘装置400中使用的直流磁场加入装置12C在实施形态3的直流磁场加入装置12B上添加了载置台170，导轨171、174，细调线性马达172，载置台173以及细调线性马达175。细调线性马达150固定在载置台170上。细调线性马达172固定在载置台173上，使载置台170沿着导轨171向光磁记录媒体10的径向方向DR3移动。细调线性马达175固定在载置台122上，使载置台173沿着导轨174向光磁记录媒体10的切线方向DR4(与纸面垂直的方向)移动。
直流磁场加入装置12C也通过改变铁芯154与磁头11A的磁芯110A的距离，使从永久磁铁125经过铁芯154入射到磁芯110A的磁通密度变化，使直流磁场HDCF的强度变化。
直流磁场加入装置12C用粗调线性马达124粗略地进行，用细调线性马达172精密地进行铁芯154的径向方向DR2的位置调整。另外，直流磁场着装置12C用细调线性马达175粗略地以及精密地进行铁芯154的切线方向DR4的位置调整。细调线性马达172、175的使载置台170、173阶梯形地移动的机构分别与图7所示的结构相同。
粗调线性马达124根据表3使载置台122向径向方向DR2移动。另外，细调线性马达175在粗略地进行切线方向DR4中的铁芯154的位置调整时，根据表4使载置台173移动，在精密地进行铁芯154的位置调整时，根据表5使载置台173移动。进而，细调线性马达172根据表5使载置台170向径向方向DR2移动。
表4

表5

用粗调线性马达124使载置台122向径向方向DR2移动进行铁芯154的位置调整时把用电流计19检测出的电流值成为流过磁头11A的线圈111中的电流值的10％以上的位置决定为最佳位置。另外，在用细调线性马达172使载置台170向径向方向DR2移动进行铁芯154的位置调整时，把用电流计19检测出的电流值成为流过磁头11A的线圈111中的电流值的18％以上的位置决定为最佳位置。该18％的基准值是在把磁头11A的磁芯110A取为200μm的方形(或者200μmφ)，铁芯154取为1000μm的方形(或者1000μmφ)时，成为检测出用磁头11A发生的磁通的90％的电流值。
进而，在用细调线性马达175使载置台173向切线方向DR4移动粗略地进行铁芯154的位置调整时，把用电流计19检测出的电流值成为流过磁头11A的线圈111中的电流值的13％以上的位置决定为最佳位置，在精密地进行铁芯154的位置调整时，把用电流计19检测出的电流值成为流过磁头11A的线圈111中的电流值的18％以上的位置决定为最佳位置。该13％的基准值是在把磁头11A的磁芯110A取为200μm的方形(或者200μmφ)，铁芯154取为1000μm的方形(或者1000μmφ)时，成为检测出用磁头11A发生的磁通的65％的电流值。
其余的动作与实施形态3的直流磁场加入装置12B相同。
在实施形态4中，虽然磁场控制电路16的结构与图21相同，但是功能不同。即，控制器166在内部安装的存储器(未图示)中存储表2，表3，表4以及表5。而且，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表2驱动细调线性马达150，根据表3驱动粗调线性马达124，根据表4驱动细调线性马达175，根据表5驱动细调线性马达172、175。
而且，在控制器166根据表2进行光磁记录媒体10的法线方向DR3中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时，把光头13检测出的再生信号RFD的出错率成为10-5以下的位置决定为最佳位置，为了把永久磁铁125以及铁芯154保持在该位置，与外部同步信号CLK相同步驱动细调线性马达150。另外，在控制器166根据表3进行光磁记录媒体10的径向方向DR2中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时，把从电流计195输入的电流值成为流过磁头110A的线圈111中的电流值的10％以上的位置决定为最佳位置，为了把永久磁铁125以及铁芯154保持在该位置，与外部同步信号CLK相同步驱动粗调线性马达124。进而，在控制器166根据表5进行光磁记录媒体10的径向方向DR3中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时，把从电流计19输入的电流值成为流过磁头110A的线圈111中的电流值的18％以上的位置决定为最佳位置，为了把永久磁铁125以及铁芯154保持在该位置，与外部同步信号CLK相同步驱动细调线性马达172。进而，在控制器166根据表4进行光磁记录媒体10的切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时，把从电流计19输入的电流值成为流过磁头110A的线圈111中的电流值的13％以上的位置决定为最佳位置，为了把永久磁铁125以及铁芯154保持在该位置，与外部同步信号CLK相同步驱动细调线性马达175。进而，在控制器166根据表5进行光磁记录媒体10的切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时，把从电流计19输入的电流值成为流过磁头110A的线圈111中的电流值的18％以上的位置决定为最佳位置，为了把永久磁铁125以及铁芯154保持在该位置，与外部同步信号CLK相同步驱动细调线性马达175。
其余的动作与实施形态3中的磁场控制电路的功能相同。
参照图25，说明光磁记录媒体10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯152的位置调整的流程。另外，图25中的「x方向」意味光磁记录媒体10的径向方向DR2，「y方向」意味光磁记录媒体10的切线方向DR4。
如果开始开始位置调整的动作，则径向方向DR2的粗调次数设定为「0」(步骤S39)，磁头驱动电路17在磁头11A的线圈111中流过交流电流(步骤S40)。于是，则入射到铁芯154中的磁通数与时间一起变化，通过电磁感应在线圈155上产生电位差，电流计19检测流过线圈155中的电流(步骤S41)。判别电流计19检测出的电流值是否是流过磁头11A的线圈111中的电流值的10％以上(步骤S42)，在该电流值小于10％时，径向方向DR2的粗调次数增加1(步骤S43)。然后，判别径向方向DR2的粗调次数是否在预定次数以内(步骤S44)，如果是预定次数以内则粗调线性马达124根据表3使载置台122向径向方向DR2移动(步骤S45)。然后，反复进行步骤S40～步骤S45，直到径向方向DR2中的永久磁铁125以及铁芯154的位置粗调结束为止，或者，根据表3使永久磁铁125以及铁芯154的位置全部变化为止。
在步骤S44中，当径向方向DR2的位置粗调次数超过预定次数时，面内方向的位置调整失败(步骤S56)，结束调整动作。在步骤S42中，当电流计19检测出了流过磁头11A的线圈111中的电流值的10％以上的电流值时，切线方向DR4的粗调次数设定为「0」(步骤S46)。然后，判别电流计19检测出的电流值是否是流过磁头11A的线圈111中的电流值的13％以上(步骤S47)，在电流值小于13％时，切线方向DR4的粗调次数增加1(步骤S48)。然后，判别切线方向DR4的粗调次数是否在预定次数以内(步骤S49)，如果是预定次数以内，则细调线性马达175根据表4使载置台173向切线方向DR4移动(步骤S50)。然后，反复执行步骤S47～步骤S50，直到切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置粗调结束为止，或者，根据表4使永久磁铁125以及铁芯154的位置全部变化为止。
在步骤S49中，当切线方向DR4的位置粗调次数超过了预定次数时，转移到步骤S39，重新进行永久磁铁125以及铁芯154的位置调整。在步骤S48中，当电流计19检测出了流过磁头11A的线圈111中的电流值的13％以上的电流值时，径向方向DR2以及切线方向DR4的微调次数设定为「0」(步骤S51)。然后，判别电流计19检测出的电流值是否是流过磁头11A的线圈111中的电流值的18％以上(步骤S52)，在电流值小于18％时径向方向DR2以及切线方向DR4的微调次数增加1(步骤S53)。然后，判别径向方向DR2以及切线方向DR4的粗调次数是否在预定次数以内(步骤S54)，如果是预定次数以内，则细调线性马达172根据表5使载置台170向径向方向DR2移动，细调线性马达175根据表5使载置台173向切线方向DR4移动(步骤S55)。然后，反复进行步骤S52～步骤S55，直到径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的精密的位置调整结束为止，或者，根据表5使永久磁铁125以及铁芯154的位置全部变换为止。
在步骤S52中，电流计19检测出的电流值如果是流过磁头11A的线圈111中的电流值的18％以上，则径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整成功(步骤S57)，结束光磁记录媒体10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整。
如果结束光磁记录媒体D10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯152的位置调整，则根据图17所示的流程进行光磁记录媒体10的法线方向DR3时中的永久磁铁125的位置调整。
参照图26，说明来自光磁记录媒体10的信号的再生动作。图26所示的流程把图23所示的流程的步骤S37替换为步骤S58，其余的步骤相同。在步骤S58中，如参照图25说明的那样，进行光磁记录媒体10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整。然后，进行与图23的说明相同的动作，磁区放大再生来自光磁记录媒体10的信号。
光磁盘装置400与由图20所示的光磁盘装置300相同的结构构成。参照图20、21，说明进行光磁记录媒体10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时的光磁盘装置400的动作。磁场控制电路16的控制器16向细调线性马达150输出用于把铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm的驱动信号，细调线性马达150把铁芯154与磁芯110A的距离保持为200μm。于是，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，向磁头驱动电路17输出用于生成从磁头11A入射到铁芯154的磁通随时间变化的磁场的驱动信号。磁头驱动电路17根据来自控制器166的驱动信号驱动磁头11A。另外，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表3生成用于使载置台122向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动的驱动信号，输出到粗调线性马达124。粗调线性马达124根据来自控制器166的驱动信号使载置台122向径向方向DR2移动。然后，电流计19检测流过磁头11A的磁芯111中的电流值，把该电流值输入到磁场控制电路16。于是，则磁场控制电路16的控制器166根据输入的电流值决定检测出20mA以上电流值的铁芯154的最佳位置，与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出用于把铁芯154保持在该位置的驱动信号。粗调线性马达124根据来自控制器166的驱动信号使载置台122向径向方向DR2移动，把铁芯154保持在最佳位置。
进而，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表5生成用于使载置台122向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动的驱动信号，输出到细调线性马达172。细调线性马达172根据来自控制器166的驱动信号使载置台170向径向方向DR2移动。然后，电流计19检测流过磁头11A的线圈111中的电流值，把该电流值输出到磁场控制电路16。于是，则磁场控制电路16的控制器166根据输入的电流值决定检测36mA以上的电流值的铁芯154的最佳位置，与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达172输出用于把铁芯154保持在该最佳位置的驱动信号。细调线性马达172根据来自控制器166的驱动信号使载置台170向径向方向DR2移动，把铁芯154保持在最佳位置。
另外，进而，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表4生成用于使载置台173向光磁记录媒体10的切线方向DR4移动的驱动信号，输出到细调线性马达175。细调线性马达175根据来自控制器166的驱动信号使载置台173向切线方向DR4移动。然后，电流计19检测流过磁头11A的线圈111中的电流值，把该电流值输出到磁场控制电路16。于是，则磁场控制电路16的控制器166根据输入的电流值决定检测出26mA以上电流值的铁芯154的最佳位置，与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达175输出用于把铁芯154保持在该位置的驱动信号。细调线性马达175根据来自控制器166的驱动信号使载置台173向切线方向DR4移动，把铁芯154保持在最佳配置。
另外，进而，控制器166与外部同步信号CLK相同步，根据表5生成用于使载置台173向光磁记录媒体10的切线方向DR4移动的驱动信号，输出到细调线性马达175。细调线性马达175根据来自控制器166的驱动信号使载置台173向切线方向DR4移动。然后，电流计19检测流过磁头11A的线圈111中的电流值，把该电流值输出到磁场控制电路16。于是，磁场控制电路16的控制器166根据输入的电流值决定检测出36mA以上电流值的铁芯154的最佳位置，与外部同步信号CLK相同步向细调线性马达175输出用于把铁芯154保持在该位置的驱动信号。细调线性马达175根据来自控制器166的驱动信号使载置台173向切线方向DR4移动，把铁芯154保持在最佳配置。
由此，结束进行光磁记录媒体10的径向方向DR2以及切线方向DR4中的永久磁铁125以及铁芯154的位置调整时的光磁盘装置400的动作。
其余的步骤与实施形态3相同。
如果依据实施形态4，则由于光磁盘装置400具备磁场控制电路16，该磁场控制电路16使永久磁铁125向光磁记录媒体10的面内方向移动，通过粗调整和细调整的2个阶段调整永久磁铁125的位置，使得由电磁感应产生的电流值成为最大，而且，使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，根据使直流磁场HDCF的强度变化了时的再生信号RFD决定最佳强度，使得再生信号RFD的出错率成为预定的基准值以下，因此能够正确地进行加入了直流磁场的磁区放大再生。
实施形态5参照图27，实施形态5中的直流磁场加入装置12D具备永久磁铁125，细调线性马达150，载置台151，摇臂152，导轨153，支柱180和旋转马达181。即，直流磁场加入装置12D在实施形态2的直流磁场加入装置12A中的永久磁铁125，细调线性马达150，载置台151，摇臂152，导轨153的基础上添加了支柱180和旋转马达181，使来自永久磁铁125的直流磁场HDC不经过磁头11A的磁芯110A而直接加入在光磁记录媒体10上。这种情况下，加入在光磁记录媒体10上的直流磁场HDC的强度根据永久磁铁125与光磁记录媒体10的距离如图28所示那样变化。
细调线性马达150固定在支柱180上，旋转马达181固定在载置台151上。在直流磁场加入装置12D中，使永久磁铁125与光磁记录媒体10的距离在表2所示的范围内变化，校正直流磁场HDC的强度。其校正方法与实施形态2中的方法相同。
另外，直流磁场加入装置12D在清除记录在光磁记录媒体10上的信号时，用旋转马达181旋转永久磁铁125，使永久磁铁125的N极成为光磁记录媒体10一侧，在光磁记录媒体10上记录信号时，用旋转马达181旋转永久磁铁，使永久磁铁125的S极一侧成为光磁记录媒体10一侧。
参照图29，实施形态5的光磁盘装置500把图10所示的光磁盘装置100的直流磁场加入装置12替换为直流磁场加入装置12D，去除了磁头驱动电路17。从而，在光磁盘装置500中，不在光磁记录媒体10上加入交变磁场。
如图30所示，光磁盘装置500的磁场控制电路16虽然是与图11所示的结构相同的结构，但是功能不同。即，在光磁盘装置500中，在清除记录在光磁记录媒体10中的记录信号时，控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择信号「2」。于是，选择器168把信号「2」输出到直流磁场加入装置12D的旋转马达181。旋转马达181根据信号「2」旋转永久磁铁125，使得N极一侧成为光磁记录媒体10一侧。由此，清除记录在光磁记录媒体10中的记录信号。
另外，当在光磁记录媒体10中记录信号时，控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择来自缓冲器167的记录信号和信号「3」，选择器168把选择的信号「3」输出到直流磁场加入装置12D的旋转马达181，把选择的记录信号输出到激光器驱动电路18。于是，旋转马达181旋转永久磁铁125使得永久磁铁125的S一侧成为光磁记录媒体10一侧。另外，激光器驱动电路18根据记录信号驱动光头13中的半导体激光器(未图示)，使得激光器通/断。这种情况下，使激光器导通的占空比是20～80％的范围。
由此，记录信号通过光调制方式记录在光磁记录媒体10中。
参照图31，说明光磁盘装置500中的信号的记录动作。如果开始记录动作，则磁场控制电路16中的控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择信号「2」。选择器168选择信号「2」，把其选择的信号「2」输出到直流磁场加入装置12D中的旋转马达181。于是，旋转马达181旋转永久磁铁125使得N极一侧成为光磁记录媒体10一侧(步骤S59)。然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达150输出用于使永久磁铁125接近光磁记录媒体10的驱动信号，细调线性马达150根据驱动信号使永久磁铁125接近光磁记录媒体10(步骤S60)。然后，使光头13移动到所希望的记录位置(步骤S61)，驱动半导体激光器(未图示)使得激光器驱动电路18射出具有为了清除所必需的强度的激光，清除记录在光磁记录媒体10中的记录信号(步骤S62)。
于是，则控制器166与外部同步信号相同步控制选择器168使得选择信号「3」。选择器168选择信号「3」并且输出到旋转马达181。旋转马达181根据信号「3」旋转永久磁铁125，使得S极一侧成为光磁记录媒体10一侧(步骤S63)。然后，细调线性马达150根据需要使永久磁铁125移动到记录时的最佳位置(步骤S64)。
然后，选择器168根据来自控制器166的控制选择来自缓冲器167的记录信号，输出到激光器驱动电路18。激光器驱动电路18根据记录信号进行驱动使得光头13中的半导体激光器(未图示)通/断。然后，光头13在光磁记录媒体10上照射用记录信号调制了的激光，把信号记录在光磁记录媒体10中。由此，结束光磁盘装置50中的记录动作。
另外，在光磁盘装置500中根据与图17所示流程相同的流程校正直流磁场HDC的强度。
进而，参照图32，说明光磁盘装置500中的信号的再生动作。如果开始再生动作，则判别直流磁场HDCF是否校正完毕(步骤S66)，如果校正完毕，则细调线性马达150使载置台151向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，使永久磁铁125移动到最佳位置(步骤S74)。然后，在光磁记录媒体10上照射使得再生层3的一部分升温到补偿温度以上强度的激光，从光磁记录媒体10进行磁区再生放大(步骤S75)。这种情况下，把光头13检测出的光磁信号RFA输入到二值化电路145，二值化电路145把光磁信号RFA二值化，把再生信号RFD输出到纠错电路146。纠错电路146进行再生信号RFD的纠错以及解调，把再生数据输出到外部输出装置(未图示)。
如果在步骤S66中判别为没有进行直流磁场HDCF的校正，则由光头13检测在光磁记录媒体10中是否记录着预定的记录图形「01010101010...」。如果判别为在光磁记录媒体10中没有记录着预定的记录图形「01010101010...」，则磁场控制电路16中的控制器166控制选择器168使得选择来自图形保存ROM64的预定的记录图形。然后，控制电路147使光头13移动到校正区域(步骤S67)。
然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择信号「2」。选择器168选择信号「2」，把该选择的信号「2」输出到直流磁场加入装置12D中的旋转马达181。于是，旋转马达181旋转永久磁铁125，使得N极一侧成为光磁记录媒体10一侧。然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达150输出用于使永久磁铁125接近光磁记录媒体10的驱动信号，细调线性马达150根据驱动信号使永久磁铁125接近光磁记录媒体10。然后，激光器驱动电路18驱动半导体激光器(未图示)使得射出具有为了清除所必需的强度的激光，清除记录在光磁记录媒体10中的记录信号(步骤S68)。
于是，控制器166与外部同步信号CLK相同步，控制选择器168使得选择信号「3」。选择器168选择信号「3」，输出到旋转马达181。旋转马达181根据信号「3」旋转永久磁铁145使得S极一侧成为光磁记录媒体10一侧。(步骤S69)。
然后，选择器168根据来自控制器166的控制选择来自缓冲器167的记录信号，输出到激光器驱动电路18。激光器驱动电路18根据记录信号进行驱动使得光头13中的半导体激光器(未图示)通/断。然后，光头13向光磁记录媒体10照射用记录信号调制了的激光，把信号记录在光磁记录媒体10中(步骤S70)。
接着，根据图17所示的流程校正直流磁场HDC的强度(步骤S71)。如果直流磁场HDC的校正成功，则转移到步骤S75，在光磁记录媒体10上加入校正了强度的直流磁场HDC，进行磁区放大再生。
另外，如果直流磁场HDC的校正失败，则控制电路147输出盘错误信号(步骤S73)，把安装的光磁记录媒体10从光磁盘装置500排出到外部。由此，结束光磁盘装置500中的信号的再生动作。
另外，在步骤S67中，当在光磁记录媒体10中已经记录着预定的记录图形「01010101010...」时，转移到步骤S71。
如果依据实施形态5，则由于光磁盘装置500具备使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，并且根据使直流磁场HDC的强度变化时的再生信号RFD，决定再生信号RFD的出错率成为预定的基准值以下那样的最佳磁场强度的磁场控制电路16，因此能够正确地进行加入了直流磁场HDC的磁区放大再生。
光磁盘装置500由于照射用记录信号调制的激光在光磁记录媒体10中进行记录，因此即使在通过光调制方式记录信号的光磁盘装置中，也能够加入具有校正了强度的直流磁场HDC进行磁区放大再生。
实施形态6参照图33，实施形态6的直流磁场加入装置12E在图16所示的直流磁场加入装置12A中添加了磁头位置控制机构12F。磁头位置控制机构12F具备滑块182，支撑弹簧183，支撑体184，摇臂185、189，细调线性马达186，载置台187，粗调线性马达188。细调线性马达186以及粗调线性马达188中的驱动机构与图7的说明相同。
滑块182经过支承弹簧183固定在支撑体184上，支撑体184经过摇臂185与细调线性马达186连接，驱动细调线性马达186，通过摇臂185伸缩，支撑体184能够沿着光磁记录媒体10的径向方向DR2移动。另外，细调线性马达186固定在载置台187上，载置台187经过摇臂189与粗调线性马达188连接，驱动粗调线性马达188，通过摇臂189伸缩，支撑体184能够沿着光磁记录媒体10的径向方向DR2移动。进而，滑块182保持磁头11A，如果光磁记录媒体10旋转则向法线方向DR3上浮。
从而，在磁头位置控制机构12F中，驱动细调线性马达186以及粗调线性马达188，通过摇臂185、189收缩，滑块182以及磁头11A向光磁记录媒体10的径向方向DR2移动，永久磁铁125把直流磁场HDC直接加入在光磁记录媒体10上。另外，如果支撑弹簧183本身不向光磁记录媒体10的径向方向DR2偏移，而是摇臂185伸缩，支撑体184向径向方向DR2移动，则滑块182与此相伴随向径向方向DR2移动。
在直流磁场加入装置12E中，在光磁记录媒体10中记录信号时，用粗调线性马达124使载置台122的中心从B点向A点移动，使永久磁铁125退避。另外，当从光磁记录媒体10再生信号时，用磁头位置控制机构12F使磁头11A以及滑块182退避，使得来自永久磁铁125的直流磁场HDC直接加入在光磁记录媒体10上。
参照图34，实施形态6的光磁盘装置600把图10所示的光磁盘装置100的直流磁场加入装置12替换为直流磁场加入装置12E，添加了磁头位置控制机构12F，其余的部分与光磁盘装置100相同。
图35所示的光磁盘装置600的磁场控制电路16由与图11所示的磁场控制电路16相同的结构构成，但是功能不同。即，控制器16当向光磁记录媒体10记录信号时，与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出使载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号。由此，粗调线性马达124使载置台122的中心从B点向A点移动，使得永久磁铁125避开记录点。另外，控制器166在从光磁记录媒体10再生信号时，与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达186以及粗调线性马达188输出用于收缩摇臂185、189的驱动信号。由此，细调线性马达186收缩摇臂185，粗调线性马达188收缩摇臂189，使得磁头11A避开再生点。
其余的动作与图11的说明相同。
参照图36，说明光磁盘装置600中的信号的记录动作。如果开始记录动作，则磁场控制电路16中的控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出用于使载置台122的中心从B点向A点移动的驱动信号，粗调线性马达124使载置台122的中心从B点向A点移动，使永久磁铁124避开记录点(步骤S76)。然后，判别磁头11A是否正在退避(步骤S77)，如果正在退避，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达188输出用于使磁头11A大致与激光的光轴一致的驱动信号，使得磁头11A大致与激光的光轴一致(步骤S78)。然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达186输出用于使磁头11A精确地与激光的光轴一致的驱动信号，使磁头11A精确地与激光的光轴一致(步骤S79)。然后，选择器168根据控制器166的控制选择来自缓冲器167的记录信号，把记录信号输出到磁头驱动电路17。然后，磁头驱动电路17根据记录信号驱动磁头11A，磁头11A加入用记录信号调制了的交变磁场，把信号记录在光磁记录媒体10中(步骤S80)。
另外，在步骤S77中，如果磁头11A不是在退避过程中，则转移到步骤S80，进行对于光磁记录媒体10的信号记录。
除去用磁头位置控制机构12F使磁头11A避开记录点以外，还根据图17所示的流程校正来自永久磁铁125的直流磁场HDC的强度。
参照图37，说明光磁盘装置600中的信号的再生动作。如果开始再生动作，则判别磁头11A是否已经避开再生点(步骤S81)，如果磁头11A没有避开，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达188输出用于使磁头11A避开再生点的驱动信号，使磁头11A避开再生点(步骤S82)。
接着，判别是否校正了直流磁场HDC的强度(步骤S83)，在没有校正时，判别在光磁记录媒体10中是否记录着作为校正图形的预定的记录图形「01010101010...」(步骤S84)。如果在光磁记录媒体10中没有记录着预定的记录图形「01010101010...」，则控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出驱动信号，使载置台122的中心从B点向A点移动，使永久磁铁125避开记录点(步骤S85)。然后，控制电路147使光轴13移动到记录点，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向细调线性马达186以及粗调线性马达188输出驱动信号，使磁头11A向记录点移动(步骤S86)。于是，选择器168根据来自控制器166的控制，选择来自图形保存ROM164的预定的记录图形「01010101010...」，输出到磁头驱动电路17。磁头驱动电路17根据预定的记录图形「01010101010...」驱动磁头11A，磁头11A在光磁记录媒体10上加入用预定的记录图形「01010101010...」调制了的交变磁场。由此，在光磁记录媒体10中记录预定的记录图形「01010101010...」(步骤S87)。
然后，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达124输出驱动信号，使载置台122的中心从A点向B点移动，使永久磁铁125向再生点移动(步骤S88)。另外，这种情况下，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调线性马达188输出驱动信号，使磁头11A避开再生点。而且，根据图17所示的流程校正直流磁场HDC的强度(步骤S89)。
然后，判别直流磁场HDC的校正是否成功(步骤S90)，如果成功则进行记录信号的再生(步骤S94)。如果直流磁场HDC的校正不成功，则输出不能够进行再生的信号(步骤S91)，结束再生动作。
另外，在步骤S84中，如果在光磁记录媒体10中已经记录着校正图形，则转移到步骤S87。
进而，在步骤S83中，当已经结束了直流磁场HDC的校正时，控制器166与外部同步信号CLK相同步，向粗调细调线性马达124输出驱动信号，使载置台122的中心从A点向B点移动，使永久磁铁125向再生点移动(步骤S92)。然后，使永久磁铁125向最佳位置移动(步骤S93)，从光磁记录媒体10磁区放大再生信号(步骤S94)。
由此，结束光磁盘装置600中的再生动作。
其余的步骤与实施形态2中的说明相同。
如果依据实施形态6，则由于光磁盘装置600具备使永久磁铁125向光磁记录媒体10的法线方向DR3移动，并且根据使直流磁场HDCF的强度变化了时的再生信号RFD，决定再生信号RFD的出错率成为预定的基准值以下的最佳强度的磁场控制电路16，因此能够正确地进行加入了直流磁场的磁区放大再生。
以上公开的实施形态在所有的方面都是例示，应该考虑为并不是限定于这些形态。本发明的范围并不是由上述实施形态的说明而是由权利要求的范围示出，意图在于包括与权利要求的范围均等的意义以及范围内的所有的变更。
产业上的可利用性如果依据本发明，则在光磁记录媒体上照射预定强度的激光，通过把预定强度的直流磁场加入在光磁记录媒体上，能够根据磁区放大方式从光磁记录媒体连续再生信号。从而，本发明适用于根据磁区放大再生方式从光磁记录媒体再生信号的光磁盘装置或者信号的再生方法以及记录再生方法。
权利要求
1.一种光磁盘装置，其特征在于具备在包括室温下是富稀土类金属，在补偿温度以上成为富迁移金属的再生层(3)的光磁记录媒体(10)上，照射使上述再生层(3)的一部分温升到补偿温度以上的强度的激光，检测其反射光的光头(13)；在上述光磁记录媒体(10)上加入与上述富稀土类金属区域的磁化相同方向的直流磁场的永久磁铁(125)；通过使从上述永久磁铁(125)到达上述光磁记录媒体(10)的磁通密度发生变化，改变加入到上述光磁记录媒体(10)的直流磁场的强度的移动装置(126～129，150～153，170～175)；使上述直流磁场的强度发生变化，根据上述光头(13)检测出的预定记录图形的再生信号，检测出错率，决定出错率成为预定范围以内的上述直流磁场的最佳强度的磁场控制电路(16)。
2.根据权利要求1所述的光磁盘装置，其特征在于还具备与上述光磁记录媒体(10)相对设置，由磁芯(110，110A)和缠绕在该磁芯(110，110A)上的线圈(111)构成的磁头(11，11A)，上述永久磁铁(125)经过上述磁芯(110，110A)加入直流磁场。
3.根据权利要求2所述的光磁盘装置，其特征在于还具备包括接近上述永久磁铁(125)的上述直流磁场的射出面(131)设置的入射面(132)以及向上述磁芯(110)射出从上述入射面(132)入射的上述直流磁场的射出面(133)的磁性体(130)，上述移动装置(126～129)使上述磁性体(130)沿着上述光磁记录媒体(10)的面内方向移动，改变上述射出面(133)与上述磁芯(110)的距离。
4.根据权利要求2所述的光磁盘装置，其特征在于上述移动装置(150～153)使上述永久磁铁(125)沿着上述光磁记录媒体(10)的法线方向移动。
5.根据权利要求2所述的光磁盘装置，其特征在于还具备包含有接近上述永久磁铁(125)的上述直流磁场的射出面设置的入射面以及向上述磁芯(110A)射出从上述入射面入射的上述直流磁场的射出面的磁性体(154)；缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)；从上述磁头(11A)向上述磁性体(154)入射了磁通密度变化的磁场时，检测流过上述磁性体(154)的线圈(155)中的电流的电流计(19)，上述移动装置(150～153，170～175)由使上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)沿着上述光磁记录媒体(10)的面内方向移动的第1移动机构(170～175)；使上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)沿着上述光磁记录媒体(10)的法线方向移动，改变上述射出面与上述磁头(11A)的磁芯(110A)之间的距离的第2移动机构(150～153)构成，上述磁场控制电路(16)根据使上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕着上述磁性体(154)上的线圈(155)沿着上述光磁记录媒体(10)的面内方向移动而由上述电流计(19)检测出的电流值，进一步决定上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)的面内方向中的最佳位置。
6.根据权利要求5所述的光磁盘装置，其特征在于上述第1移动机构(170～175)使上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)沿着上述光磁记录媒体(10)的径向方向以及切线方向移动，上述磁场控制电路(16)根据上述电流计(19)检测出的电流值，决定上述永久磁铁(125)、上述磁性体(154)以及缠绕在上述磁性体(154)上的线圈(155)的径向方向以及切线方向中的最佳位置。
7.根据权利要求3所述的光磁盘装置，其特征在于还具备驱动上述磁头(11，11A)的磁头驱动电路(17)；使上述永久磁铁(125)退避的退避装置(121，123，124)，在信号再生时，上述磁头驱动电路(17)停止上述磁头(11，11A)的驱动，在信号记录时，上述磁头驱动电路(17)驱动上述磁头(11，11A)使得把根据预定的记录图形调制了的交变磁场加入到上述光磁记录媒体(10)上，上述退避装置(121，123，124)使上述永久磁铁(125)退避到上述交变磁场的2个峰值强度实质上成为相同的位置。
8.根据权利要求1所述的光磁盘装置，其特征在于上述移动装置(150～153)使上述永久磁铁(125)沿着上述光磁记录媒体(10)的法线方向移动。
9.根据权利要求8所述的光磁盘装置，其特征在于还包括为了使上述直流磁场的极性变化而把上述永久磁铁(125)进行旋转的旋转装置(181)；驱动包含在上述光头(13)中的半导体激光器的激光器驱动电路(18)，在信号的清除时，上述旋转装置(181)旋转上述永久磁铁(125)使得在上述光磁记录媒体(10)上加入第1方向的直流磁场，在信号的记录时，上述旋转装置(181)旋转上述永久磁铁(125)使得在上述光磁记录媒体(10)上加入与第1方向相反的第2方向的直流磁场，上述激光器驱动电路(18)根据上述预定的记录图形驱动半上述导体激光器。
10.根据权利要求1所述的光磁盘装置，其特征在于还具备驱动上述磁头(11A)的磁头驱动电路(17)；使上述磁头(11A)退避的第1退避装置(12F)；使上述永久磁铁(125)退避的第2退避装置(121，123，124)，在信号的再生时，上述第1退避装置(12F)使上述磁头(11A)退避到来自上述永久磁铁(125)的磁通直接入射在上述光磁记录媒体(10)上的位置，在信号的记录时，上述磁头驱动电路(17)驱动上述磁头(11A)使得把根据上述预定的记录图形调制了的交变磁场加入到上述光磁记录媒体(10)上，上述第2退避装置(121，123，124)使上述永久磁铁(125)退避到上述交变磁场的2个峰值强度实质上相同的位置。
11.根据权利要求1到权利要求10的任一项所述的光磁盘装置，其特征在于上述磁场控制电路(16)包括把上述再生信号二值化的二值化电路(163)；存储上述预定的记录图形的ROM(164)；把来自上述二值化电路(163)的再生信号与从上述ROM(164)读出的预定的记录图形相比较检测出错率的比较电路(165)；根据上述出错率决定上述直流磁场的最佳强度的控制电路(166)。
12.一种再生方法，该再生方法在光磁记录媒体(10)上加入直流磁场再生信号，其特征在于包括在光磁记录媒体(10)上照射使上述光磁记录媒体(10)的再生层(3)的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第1步骤；使上述直流磁场的强度变化，检测预定的记录图形的再生信号的第2步骤；根据再生信号检测出错率，决定上述直流磁场的最佳强度使得出错率成为预定的范围以内的第3步骤。
13.一种记录再生方法，该记录再生方法在光磁记录媒体(10)上加入直流磁场再生信号，在上述光磁记录媒体(10)上加入交变磁场，记录信号，其特征在于包括在上述光磁记录媒体(10)上照射激光，加入用预定的记录图形调制了的交变磁场记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体(10)上照射使上述光磁记录媒体(10)的再生层(3)的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使上述直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据上述再生信号检测出错率，决定上述直流磁场的最佳强度使得上述出错率成为预定的范围以内的第4步骤。
14.一种记录再生方法，该记录再生方法是在光磁记录媒体(10)上加入直流磁场再生信号，在上述光磁记录媒体(10)上加入交变磁场记录信号的光磁盘装置(100，200，300，400，500，600)中的记录再生方法，，其特征在于上述光磁盘装置(100，200，300，400，500，600)具备发生上述直流磁场的永久磁铁(125)；发生上述交换磁场的磁头(11，11A)，该记录再生方法包括在上述光磁记录媒体(10)上照射激光，加入用预定的记录图形调制了的交变磁场，记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体(10)上照射使上述光磁记录媒体(10)的再生层(3)的一部分温升到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使上述直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据上述再生信号检测出错率，决定上述直流磁场的最佳强度使得上述出错率成为预定范围以内的第4步骤，在上述第1步骤中，使上述永久磁铁(125)退避到从上述磁头射出的上述交变磁场的2个峰值强度实质上相同的位置。
15.根据权利要求14所述的记录再生方法，其特征在于在上述第3步骤中，使上述磁头(11，11A)退避到来自上述永久磁铁(125)的磁通直接入射到上述光磁记录媒体(10)上的位置。
16.一种记录再生方法，该记录再生方法在光磁记录媒体(10)上加入直流磁场再生信号，记录信号，其特征在于包括照射用预定的记录图形调制了的激光，加入直流磁场记录信号的第1步骤；在光磁记录媒体(10)上照射使上述光磁记录媒体(10)的再生层(3)的一部分升温到补偿温度以上的强度的激光的第2步骤；使上述直流磁场的强度变化检测预定的记录图形的再生信号的第3步骤；根据上述再生信号检测出错率，决定上述直流磁场的最佳强度使得上述出错率成为预定范围以内的第4步骤。
全文摘要
光磁盘装置(100)具备磁区(1)，直流磁场加入装置(12)，光头(13)以及磁场控制电路(16)，直流磁场加入装置(12)经过磁区(11)的磁芯在光磁记录媒体(10)上加入直流磁场，磁场控制电路(16)在光磁记录媒体(10)上加入强度变化的直流磁场，决定光头(13)检测出的预定记录图形的再生信号的出错率成为预定的基准值以下的直流磁场的适宜强度，其结果，通过使用了直流磁场的磁区放大方式能够从光磁记录媒体(10)正确地再生信号。
文档编号G11B11/105GK1446357SQ01813917
公开日2003年10月1日 申请日期2001年6月1日 优先权日2000年6月9日
发明者三谷健一郎, 高木直之 申请人:三洋电机株式会社