专利名称：光记录媒体的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有相变型记录层的光记录媒体。
背景技术：
近年，可高密度进行记录、且可重写(overwrite)记录信息的光记录媒体广受关注。这种可重写型光记录媒体中的相变型光记录媒体是通过照射激光而使得记录层的结晶状态发生变化以记录信息，并通过检测出伴随该状态变化的记录层的反射率变化，由此进行记录信息的重放。该相变型光记录媒体通过调制单一的激光强度而能够进行重写，并且，与光磁性记录媒体用的光学系统相比较，利用单纯构造的光学系统就能够记录重放记录信息，这一点特别受到关注。
作为构成相变型的记录层的记录材料，已知有GeTe、GeTeSe、GeTeS、GeSeS、GeSeSb、GeAsSe、InTe、SeTe、SeAs、Ge-Te-(Sn、Au、Pd)、GeTeSeSb、Ge-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te等。特别地，最近，从结晶质状态与非结晶质状态下的反射率相差大以及非结晶质状态的稳定度较高的情况出发，主要采用Ge-Sb-Te系材料或Ag-In-Sb-Te系材料等的、在作为主要成分的Sb中含有Te或Se等的VIb族元素(硫族元素)的硫族化合物。
一般地，在将记录信息记录到可重写型相变型光记录媒体时，首先，将记录层全体初始化成结晶质状态，照射设定为能够将记录层升温到融点以上的高功率(记录功率)的激光。此时，在照射记录功率的激光的部位上，在记录层熔融之后，通过使得急剧冷却而形成非晶质的记录纹路(mark)。另一方面，在擦除所形成的记录纹路时，照射使得能够升温到记录层的结晶化温度以上的功率(擦除功率)的激光。此时，在照射擦除功率的激光的部位上，记录层在被加热到结晶化温度以上之后，通过徐徐冷却，能够使得记录纹路(非晶质部分)恢复到结晶质(擦除记录纹路)。如此，对于可重写型的相变型光记录媒体，通过仅调整光束的强度，就能够进行重写。
例如，在日本专利第2000-43415号中记载由含有Sb以及Te并且具有属于空间群Fm3m的准稳定态Sb3Te相的相变型记录层。该Sb3Te相具有f.c.c的面心立方构造，在该公报的实施例中，使用波长为635nm的激光并且在线速度7m/s下进行记录。
又，在日本专利第2000-313170号中记载有含有Sb、Te以及Ge且以((SbxTe1-x)yGe1-y)zM1-z表示组成的相变型记录层。又，在该公报中，该记录层在结晶状态下最好由具有面心立方晶格构造的结晶相构成，此时，可以由单一的结晶相构成，也可以由多个结晶相构成，然而，由多个结晶相构成的情况下，最好希望没有晶格不匹配的情况。又，在该公报的实施例中，使用波长为780nm的激光，使得线速度在1.2m/s～8.1m/s之间变化而进行记录。
然而，本发明的发明人经过研究上述的光记录媒体，发现下述的问题。即，近年来，为了实现记录的高密度化以及高传输率化，不断地缩短记录重放时所照射激光的波长、不断地使得记录重放光学系统的物镜为高数值孔径、不断地进行媒体的高线速化。此时，若将激光波长设定为λ、数值孔径设定为NA，则激光的记录层表面上的光斑直径以λ/NA表示，将该光斑直径λ/NA除以媒体的线速度V后的值(λ/NA)/V则成为对记录层的激光照射时间(通过束斑所需要的时间)。因此，随着高密度化以及高传输率化，对记录层照射激光的时间越来越短。因此，即使在缩短了激光照射时间的情况下，也必须要具备能够可靠地进行结晶化的、结晶转移速度快的记录层。又，该记录层必须是相对于环境变化能够稳定地保持所记录的记录信息，即必须非晶质状态的热稳定性良好。然而，上述各公报(日本专利第2000-43415号公报，日本专利第2000-313170号公报)所记载的光记录媒体还存在这样的问题，即作为光源并没有假定400nm左右的短波长的激光，而且线速度非常慢、在10m/s以下，如此就不能应付记录的高密度化以及高传输率化。
发明内容
本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种即使在短时间照射激光的情况下也能够可靠地进行结晶化并且非晶质状态的热稳定性良好的光记录媒体。
本发明的光记录媒体具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层，所述记录层具有下述构造，即，分别至少含有Sb、Mn以及Te，同时在所述结晶态相的状态下，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，利用X射线衍射可以确认仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔()的范围内分别存在一根衍射线。
对于该光记录媒体，由于具有上述构造的记录层，能够充分地确保非结晶质状态的热稳定性，并且，即使在短时间照射激光的情况下，也能够可靠地进行结晶化。因此，能够提供一种对应于记录的高密度化以及高传输率化的光记录媒体。
此时，作为所述记录层，最好具有下述构造，即，在所述结晶态相的状态下，作为六方晶格赋予指数时，与所述3.10±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(012)面赋予指数、与所述2.25±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(104)面赋予指数、与所述2.15±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(110)面赋予指数。根据上述构造，由于具备由A7构造形成的单相所构成的记录层，能够抑制因相分离所引起的结晶化速度的下降、重写特性的劣化以及一部分元素等析出而导致的保存特性的劣化等，因此，能够实现结晶转移速度(传输率)的高速化以及保存稳定性的提高。
本发明的光记录媒体具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层，所述记录层具有下述构造，即，在所述结晶态相的状态下，作为六方晶格赋予指数时，该六方晶格的c轴长对a轴长的轴比c/a为2.558以上、2.676以下。
对于该光记录媒体，由于具有上述构造的记录层，能够充分地确保非结晶质状态的热稳定性，并且，即使在短时间照射激光的情况下，也能够可靠地进行结晶化。因此，能够提供一种对应于记录的高密度化以及高传输率化的光记录媒体。
又，本内容与包含在2002年9月11日申请的日本专利申请第2002-264873中的主题相关，这些内容的所有方面在这里作为参照事项明确地组入在内。以下参照附图对于本发明的实施形态以及特征进行具体说明。
图1是表示记录媒体1的构造的剖视图。
图2是表示其他记录媒体1A的构造的剖视图。
图3是实施例1、2以及比较例1、2的各记录层的组成图。
图4是表示实施例1、2以及比较例2的传输率与擦除率的关系的特性图。
图5是与比较例1、2以及实施例1、2相对应的各试样1～4的X射线衍射图。
图6是表示实施例1～5的轴比、传输率以及激光照射时间的关系的试验结果图。
图7是表示实施例6～9的轴比、传输率以及激光照射时间的关系的试验结果图。
具体实施例方式
以下，参照附图对于本发明的光记录媒体的最佳实施方式进行说明。
本发明的光记录媒体的记录层至少分别含有Sb、Mn以及Te。该记录层最好具有这样的构造，即对结晶态相的状态(结晶化后的状态)例如进行采用Cu-kα射线的X射线衍射时，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，可以确认仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔d()的范围内分别存在一根衍射线。凭借利用X射线衍射装置(XRD)或透过型电子显微镜(TEM)的构造分析，能够容易地判别这些衍射线的存在情况。又，构成记录层以使得仅在上述3个的各面间隔()的范围内分别存在1根衍射线，由此，记录层作为能够应付记录的高密度化以及高传输率化相变型记录层，能够确保足够高速的结晶转移速度以及非晶质状态下的足够的热稳定性。
又，本发明的光记录媒体的记录层在结晶态相的状态下，当作为六方晶格赋予指数时，规定为六方晶格中的c轴长对a轴长的轴比c/a为2.558以上2.676以下。通过将轴比c/a规定在该范围内，结晶状态的构造与立方晶系的面心立方构造的记录层(轴比c/a为2.45)相比较，由于能够更进一步提高结晶转移速度，故能够进一步提高数据的传输率。然而，若轴比c/a超过2.676时，结晶化速度过快，会损害非结晶状下的热稳定性，而且，若轴比c/a不到2.558时，结晶化速度会变慢。因此，最好将轴比c/a规定在上述范围内。
在求该轴比c/a时，对记录层进行例如采用Cu-kα线的X射线衍射时，对于呈现在X射线衍射图中的衍射线，赋予作为六方晶格的指数，根据这些衍射线的位置计算出该六方晶格中的c轴长/a轴长，将其作为轴比c/a。对于在计算该轴比c/a中所采用的衍射线，并没有作特别地限定，然而，由于该衍射线位于窄面间隔侧(高角度侧)并且相互距离较近，从该方面考虑，最好采用在六方晶(104)面上来去的衍射线与在六方晶(110)面上来去的衍射线。又，在上述作为示例的、采用Cu-kα射线的X射线衍射中，与存在于3.10±0.03的面间隔d()范围内的衍射线相当的晶格面能够作为六方晶(012)面赋予指数、与存在于2.25±0.03的面间隔d()范围内的衍射线相当的晶格面能够作为六方晶(104)面赋予指数、与存在于2.15±0.03的面间隔d()范围内的衍射线相当的晶格面能够作为六方晶(110)面赋予指数。
又，本发明的光记录媒体的记录层在结晶态相状态下，最好由A7构造形成的单相所构成的菱形晶来构成。记录层的X射线衍射图中呈现出的衍射线的数目以及位置，会随相对于Sb的Mn以及Te的各含量而发生变化，例如，当含有超过适量的Mn时，作为在记录层中产生SbMn的结果，会出现表示SbMn存在的衍射线。因此，通过与JCPDS卡等的数据库作对照，能够容易地判别，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，仅在上述3个面间隔d()的范围内出现衍射线的记录层是由Sb的单相所形成的菱形晶而构成。这里，所说的单相是指，虽然在记录层中除了Sb还含有Mn以及Te(根据不同情况下，也可以含有In以及Ge)，而这些元素在Sb晶格内为固溶状态。如此，在结晶态相的状态下，通过用由A7构造形成的单相构成的菱形晶而来构成记录层，能够抑制因相分离产生的结晶化速度下降、重写特性的劣化以及因一部分元素等的析出所引起的保存特性劣化等，因此，能够实现结晶转移速度(传输率)的高速化、提高保存的稳定性。
又，在本发明中，对于记录层的组成以外即光记录媒体的构造，没有作特别限定。例如，作为一般的相变型光记录媒体1的构造示例，如图1所示，可以列举在基体20上依次形成反射层5、第2电介质层3b、记录层4、第1电介质层3a以及光透过层2的叠层构造。又，也可以在第1电介质层3a与光透过层2之间配设例如由氮化铝(AlN)所构成的散热层而来构成光记录媒体。对于该光记录媒体1，在记录重放时通过光透过层2照射激光。
又，本发明也能够适用于图2所示构造的光记录媒体。作为该相变型光记录媒体1A的构造示例，如该图所示，在透光性基体20A上依次形成第1电介质层3a、记录层4、第2电介质层3b、反射层5以及保护层6的叠层结构。对于该光记录媒体1A，在记录重放时通过透光性基体20A照射激光。
实施例其次，列举实施例对于本发明进行详细说明。
(实施例1、2以及比较例1、2)将利用注射模塑成形同时形成了沟槽的、并且直径为120nm、厚度为1.1mm的聚碳酸酯制的盘片作为基体20，在其表面如图1所示，依次形成反射层5、第2电介质层3b、记录层4、第1电介质层3a以及光透过层2，由此，作成多个光记录媒体。此时，对于各光记录媒体中的各记录层4，对于每一个光记录媒体如图3所示改变Sb、Mn以及Te的组成(该图中的各数值的单位为原子％(at％))，而作为实施例1，2以及比较例1、2。
此时，在Ar气体介质中利用溅射法形成反射层5。在靶子上，采用Ag，Pd，Cu＝98∶1∶1。又，将反射层5的厚度作成100nm。
采用Al2O3靶子，在Ar气体介质中利用溅射法形成第2电介质层3b。又，将第2电介质层3b的厚度作成7nm。作为靶子采用Sb，Mn，Te各元素的靶子，在Ar气体介质中利用3维溅射法形成记录层4。又，将记录层4的厚度作成14nm。第1电介质层3a是采用ZnS(80摩尔％)-SiO2(20摩尔％)靶子在Ar气体介质中利用溅射法而形成。又，将第1电介质层3a的厚度作成110nm。采用紫外线硬化性丙烯树脂，利用旋转涂层法形成光透过层2。又，将光透过层2的厚度作成0.1mm。
接着，将上述实施例1，2以及比较例1，2的光记录媒体的各记录层4利用消磁装置(bulk eraser)进行初始化(结晶化)。其次，在激光波长为405nm、数值孔径Na为0.85、调制方式为(1，7)RLL，沟道位长为0.13μm/bit、格式化效率为80％的条件下，改变记录·擦除的传输率(线速度即激光束斑的照射时间)，对于每个传输率，测定以DC擦除功率擦除8T纹路时的擦除率(以下记作“8T-DC擦除率”，单位为dB)。实施例1，2以及比较例1，2的光记录媒体中的传输率与擦除率的关系如图4所示。又，对于比较例1，在该图中未进行表示，这是由于在所有的传输率下都不能够擦除8T纹路。
根据图4，比较例2中的光记录媒体，在10Mbps左右的低传输率下擦除率为30dB，并能够确保作为可重写的擦除率大致目标即30dB，而当传输率超过10Mbps时，擦除率从30dB开始急速下降。根据该结果可以确认，比较例2的光记录媒体在传输率超过10Mbps的区域中不能够进行记录信息的记录·擦除。另一方面，实施例1中的光记录媒体在直到传输率为200Mbps为止都能够确保33dB以上的足够大的擦除率。又，实施例2的光记录媒体在直到传输率为100Mbps为止也能够确保30dB以上的足够大的擦除率。然而，对于实施例2的光记录媒体，当传输率超过100Mbps时，该擦除率急速降低，在约140Mbps时擦除率为15dB以下。根据该结果可以确认，实施例2的光记录媒体，在传输率超过100Mbps的区域中，很难进行记录信息的记录·擦除。
另一方面，对于实施例1，2以及比较例1，2的光记录媒体，还分别作成相应的X射线衍射分析用的试样1～4。此时，作为各试样1～4，是在直径为120nm、厚度为1.1mm的聚碳酸酯制的盘片所构成的基体上将与实施例1，2以及比较例1，2的光记录媒体的组成相同的记录层以厚度为140nm成膜而作成的。此时，利用消磁装置将试样1～4的各记录层进行初始化(结晶化)之后，进行X射线衍射分析。在该X射线衍射分析中，采用薄膜评判用X射线衍射装置(理学电机株式会社制作的ATX-G)，并采用CU-Kα射线作为射线源。这些试样1～4的面间隔d()与衍射线的强度的关系如图5所示。
根据图5，对于对应于比较例1、2的光记录媒体的试样1、2，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，衍射线在面间隔d＝3.10±0.03、面间隔d＝3.02±0.03、面间隔d＝2.25±0.03、面间隔d＝2.15±0.03以及面间隔d＝2.05±0.03的各范围内分别存在一根衍射线，合计仅出现5根衍射线。对于对应于实施例1、2的光记录媒体的试样3、4，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，衍射线仅在面间隔d＝3.10±0.03、面间隔d＝2.25±0.03以及面间隔d＝2.15±0.03的各范围内分别存在一根衍射线，合计仅出现3根。通过将这些衍射线与JCPDS卡相对照，能够确定试样1，2的各衍射线是从面间隔d较宽的一侧起、分别出自于Sb(012)面、SbMn(101)面、Sb(104)面与SbMn(102)面的重合处、Sb(110)面、SbMn(110)。同样地，能够确定试样3、4的各衍射线是从面间隔d的较宽的一侧起、分别出自于Sb(012)面、Sb(104)面以及Sb(110)面。根据这些结果能够确认，对于试样1、2，结晶化的记录层由Sb与SbMn两种类型的结晶相构成；对于试样3，4，结晶化的记录层由Sb的单相所构成。
再者，对于试样3，4，进行结晶状态的TEM观察。此时，与X射线衍射结果相同地，能够观测Sb(012)面、Sb(104)面以及Sb(110)面的衍射环。而且，还能够清晰地观测到在X射线衍射中不能够观测到的Sb(003)面的衍射环。根据该观测结果，可以确认对于试样3、4(即对于实施例1、2的光记录媒体也同样)，结晶化的记录层是由A7构造形成的单相所构成。
综合上述图4、5所示实施例1、2以及比较例1、2中的光记录媒体以及试样1～4的比较结果，可以确认，在对于结晶化记录层进行的X射线分析中，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，对于衍射线仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔的范围内分别仅出现一根衍射线且合计仅出现3根衍射线的光记录媒体，至少在直到100Mbps为止的传输率下能够确保30dB以上的足够大的擦除率。再者，通过比较实施例1、2的光记录媒体的相互之间，可以确认，对于更明确地分离出在2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔范围内分别出现的一根衍射线的光记录媒体，在直到更高速的传输率(200Mbps)下能够确保足够的擦除率。
(实施例3，4，5)
与上述实施例1、2的光记录媒体相同地作成多个光记录媒体。此时，对于各光记录媒体的各记录层4，使其在含有Sb、Mn以及Te而构成的同时，对于每一光记录媒体改变其组成而作为实施例3、4、5。此时，使得实施例3的光记录媒体中的记录层的组成为Sb60(MnTe)40，使得实施例4的光记录媒体中的记录层的组成为Sb40(MnTe)60，使得实施例5的光记录媒体中的记录层的组成为Sb76(MnTe)24。又，与实施例1、2的光记录媒体以及试样3、4同样地，同将与各实施例3、4、5中的光记录媒体相同组成的记录层以厚度140nm成膜，在实施例3～5中作成分别相对应的X射线衍射分析用的试样5～7。
将上述实施例3～5的光记录媒体的各记录层4利用消磁装置(bulk eraser)进行初始化(结晶化)后。在与实施例1、2相同的条件下，测定8T-DC擦除率(dB)。又，将X射线衍射分析用的试样5～7的各记录层利用消磁装置(bulkeraser)进行初始化(结晶化)之后，在与试样1～4相同的条件下，进行X射线衍射分析并作成X射线衍射图。又，根据该X射线衍射分析结果可以确认，对于试样5～7(即实施例3～5中的光记录媒体也同样)，也与试样3、4同样地，结晶化的记录层是由A7构造形成的单相所构成。
接着，对于在上述实施例3、4、5以及上述各实施例1、2的各衍射图中出现的衍射线，赋予作为六方晶格的指数，根据在六方晶(104)面以及六方晶(110)各个面上来回的衍射线，求出a轴长与c轴长，根据上述各轴长，求出各实施例1、2、3、4、5中的c轴长对a轴长的轴比c/a。此时求得的各实施例1、2、3、4、5中的各轴比c/a、传输率以及激光照射时间(λ/NA)/V(ns)的关系如图6所示。又，该图中的传输率表示，测定各实施例中光记录媒体的8T-DC擦除率并且该擦除率为30dB以上的传输率中的最大传输率。又，激光照射时间表示最大传输率下记录、擦除所必要的最低限度的照射时间。
根据图6可以知，轴比c/a在至少2.558以上、2.626以下的范围内时，即使在激光照射的时间为32ns以下的短时间的情况下，也能够充分地进行记录擦除，即其结果是能够在100Mbps以上的高速传输率下进行重写。
(实施例6、7、8、9)将聚碳酸酯制的盘片作为基体20，在其表面上依次形成反射层5、第2电介质层、记录层、第1电介质层3a、散热层(未图示)以及光透过层2，由此，作成多个光记录媒体。对于与上述实施例1、2中的光记录媒体相同构造的部分，采用同一符号并且省略说明。此时，光透过层2是在形成散热层后、利用消磁装置将记录层4初始化(全面结晶化)之后而形成的。第2电介质层是采用ZnS(50摩尔％)-SiO2(50摩尔％)靶子在Ar气体介质中利用溅射法而形成为4nm的厚度。对于记录层，使得其含有Sb、Mn、Te、Ge、In而构成，同时，通过改变每一光记录媒体的Mn的含量来改变其组成，而作为实施例6、7、8、9。此时，将各实施例的记录层的组成设为(In0.9Sb75.7Te17.5Ge5.9)1-XMnx，则在实施例6中X＝9.3(at％)、在实施例7中X＝18.7(at％)、在实施例8中X＝28.0(at％)、在实施例9中X＝33.1(at％)。又，将各实施例的记录层的厚度作成14nm。散热层是采用Al靶子在Ar与N2的气体介质中利用反应性溅射法而形成的。又，将散热层的厚度作成100nm。
其次，在与实施例1、2相同的条件下，改变记录·擦除的传输率(线速度即激光束斑的照射时间)，测定了8T-DC擦除率(dB)。其后，对于各实施例6～9的光记录媒体，在带上使第1电介质层3a、散热层以及光透过层2剥离，而露出记录层的表面，作为X射线分析用的试样，在与试样1～4相同的条件下，进行X射线衍射分析并作成X射线衍射图。又，根据X射线衍射分析结果可以确认，对于各实施例6～9的试样，也与试样3～7相同，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，衍射线仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔范围内分别仅出现一根衍射线且合计仅出现3根衍射线，同时结晶化的记录层是由A7构造形成的单相所构成的。
接着，对于在上述实施例6～9的各衍射图中出现的衍射线，赋予作为六方晶格的指数，根据在六方晶(104)面以及六方晶(110)面的各个面上来回的衍射线，求出a轴长与c轴长，根据上述各轴长，求出各实施例6～9中的c轴长对a轴长的轴比c/a。此时求得的各实施例6～9中的各轴比c/a、传输率以及激光照射时间(λ/NA)/V(ns)的关系如图7所示。又，该图中的传输率表示，测定各实施例中光记录媒体的8T-DC擦除率并且该擦除率为30dB以上的传输率中的最大传输率。又，激光照射时间表示最大传输率下记录、擦除所必要的最低限度的照射时间。
根据图7可知，轴比c/a即使在超过2.626的情况下，在2.676以下的范围中，即使在激光照射的时间为26ns以下的短时间的情况下，也足够进行记录擦除，即其结果是能够在125Mbps以上的高速传输率下进行重写。
又，发明人对于轴比c/a为2.558以上、2.676以下范围内的光记录媒体进行保存(Archival)试验(在与测定上述8T-DC擦除率的条件相同的条件下评价将所记录的信号保存规定时间之后再进行重放的试验，试验条件为温度80℃、湿度干燥(湿度10％以下))。根据该试验可以确认，即使长时间的保存(例如200小时以下的25小时、50小时、150小时)，关于抖动(Jitter)例如，会如从9％到9.5％程度的劣化那样停留在1％以内的劣化，实用上不会产生任何问题。又，进行传输率为100Mbps、140Mbps、200Mbps的多速记录，进行与上述相同条件下的保存试验。根据该试验可以确认，在任何一个传输率下，抖动的劣化都停留在1％以内，实用上不存在任何问题。
权利要求
1.一种光记录媒体，具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层，其特征在于，所述记录层具有下述构造，即，分别至少含有Sb、Mn以及Te，同时在所述结晶态相的状态下，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，利用X射线衍射可以确认仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔()的范围内分别存在一根衍射线。
2.如权利要求1所述的光记录媒体，其特征在于，所述记录层具有下述构造，即，在所述结晶态相的状态下，作为六方晶格赋予指数时，与所述3.10±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(012)面赋予指数，与所述2.25±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(104)面赋予指数，与所述2.15±0.03的面间隔范围内所存在的所述衍射线相当的晶格面可作为六方晶(110)面赋予指数。
3.一种光记录媒体，具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层，其特征在于，所述记录层具有下述构造，即，在所述结晶态相的状态下，作为六方晶格赋予指数时，该六方晶格的c轴长对a轴长的轴比c/a为2.558以上、2.676以下。
4.如权利要求1～3任一项所述的光记录媒体，其特征在于，所述记录层在所述结晶态相的状态下由A7构造形成的单相构成。
全文摘要
本发明的一种光记录媒体具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层，记录层分别至少含有Sb、Mn以及Te，同时，具有下述构造，即，在结晶态相的状态下，在面间隔()为2.12以上，3.13以下的范围内，利用X射线衍射可以确认仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔()的范围内分别存在一根衍射线的结构。这样，光记录媒体即使在激光短时间的照射的情况下，也能够可靠地进行结晶化、而且非晶质状态的热稳定性良好。
文档编号G11B7/258GK1494071SQ0315937
公开日2004年5月5日 申请日期2003年9月11日 优先权日2002年9月11日
发明者新开浩, 千原宏, 知, 弘, 田中美知, 大石昌弘, 肇, 宇都宫肇 申请人:Tdk股份有限公司