专利名称：光盘母盘原盘及其制造方法、光盘母盘及其制造方法、以及光盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及光盘母盘原盘及其制造方法、光盘母盘及其制造方法、以及利用这样的光盘母盘制造的光盘。
背景技术：
作为可存储信息的存储介质的光盘，一般分为三大类，即，只读型、仅可记录一次的可写型、以及可反复记录的可擦写型。在作为只读型光盘的120mm DVD中，在光盘用基盘上形成最小长度0.400μm左右、高度或深度0.1μm左右的称为凹坑的岛状突起或凹坑。在形成于光盘的同心圆上的四万七千条轨道上形成这样的凹坑，此时，轨道间的距离(轨道间距)为0.74μm。
在这样的只读型光盘(例如音乐CD、电影DVD等)中，存储的信息通过轨道上坑的有无来表现出来。因此，即使只是在基盘上形成坑即可以用作存储介质，但为了使相对于读取光的反射率提高，一般在表面形成铝等反射层。因此，形成坑的基盘(成形物)有时被称为光盘的前体。
一方面，在可写型光盘中，在基盘上设置有记录层，该记录层一般由容易蒸发的金属薄膜或有机色素薄膜等构成。信息的记录通过向记录层照射光束形成凹坑来进行。记录的信息通过记录层上凹坑的有无或长度表现。
在这种可写型光盘上的记录层中设置有沟槽(这样的沟槽被称为凹槽，槽与槽之间称作台)，该槽在存储时用于引导光束等的记录光，一个凹槽和邻接该凹槽的一个台构成一个轨道。凹坑形成在该凹槽或台上。
另一方面，在可擦写型光盘上也设置和可写型相同的记录层，这样的记录层由相变型或光磁存储型记录材料构成。通过对记录层照射光束，形成光学性质不同的标识进行信息的存储。
在可擦写型光盘上也形成凹槽及台，在该凹槽或台上形成标识。然后，在例如使用相变型记录材料的可擦写型DVD上设置0.615～0.74μm左右的轨道间距。
在可写型及可擦写型光盘中，通过在预先形成凹槽或台的记录层上照射记录光形成槽或标识进行存储。因此，可以说在记录层上形成凹槽或台的状态的物体(成形物)是光盘的前体。另外，还可知在基盘上形成槽材层的光盘的前体，这样的前驱体被称为2P(Photo Polymer光化聚合物)基盘。在此，所谓“Photo Polymer光化聚合物”是指光固化树脂。
这样，在只读型、可写型及可擦写型中的任意一种光盘中，在其前驱体上也形成有槽或凹槽等微细的凹凸。因此，在光盘制造时，形成这样凹凸的工序是极其重要的。近年来，在光盘基盘上形成微细凹凸的方法可知有如下方法，即，使用被称为光盘母盘的铸模在基盘或记录层上转印凹凸的方法。
在使用光盘母盘时，对光盘基盘转印凹凸一般和成形同时进行。成形法可利用注射成形、注模成形、加压成形等公知的方法，使用光盘母盘的方法被广泛用于廉价而且大量地制造光盘。近年来，这样的光盘母盘利用如下所示的方法制造。
图2A～D是模式地显示现有光盘母盘制造方法的工序图。首先，在基盘101上涂敷正型光抗蚀剂，形成正型光致抗蚀剂层102(图2A第1工序)。其次，在正型光抗蚀剂层102的规定位置照射激光束，曝光，之后，通过显影除去曝光部，形成图形的正型光抗蚀剂层(图2B第2工序)。这样形成的物体被称为抗蚀剂原盘。另外，在抗蚀剂原盘的正型光抗蚀剂层上通过溅射或真空蒸镀形成导电层后，通过电铸形成Ni电铸层(图2C第3工序；导电层和Ni电铸层合并表示为Ni层103)。然后，由图形化的正型光抗蚀剂层102的基盘101剥离Ni层103后，通过蚀刻剥离(灰化，Ashing)(采用氧气的干蚀刻)除去残存在剥离后的Ni层103表面的正型光抗蚀剂，得到光盘母盘(图2D第4工序)。
另外，在所述方法以外的方法中，作为注射模塑成形或2P铸模法用的光盘母盘，也可知有如下方法，即，通过在玻璃原盘上施行湿式或干式蚀刻，制造具有凹状图案的玻璃光盘母盘的方法。
发明内容
在所述现有的光盘母盘的制造方法中，由于在光抗蚀剂涂敷、曝光、显影的基础上，利用溅射法或真空蒸镀法等形成导电层，镀敷形成Ni电铸层，因此，光盘母盘制造的整个工序需要长时间，另外，在各工序中，容易在形成Ni电铸层的镀敷工序中产生不良，此时，必须改正整个工序。
另外，形成的导电层和Ni电铸层具有如下问题，由于密度的不同，两者容易产生剥离。因此，在剥离Ni层的工序或除去残留的光抗蚀剂的工序中，导电层产生剥离，在得到的光盘母盘上形成有目标图形以外的凹凸。
另外，随着近年来信息量的增加，为使光盘实现更大的容量，而寻求可进行高密度存储的光盘。为实现这样的高密度存储，必须使为将光盘轨道间距窄化的台及凹槽细微化、间距或标识细微化。
在利用光盘母盘进行光盘的凹槽或凹坑的形成时，为将其细微化，期望的是，使光盘母盘的凹凸微细且高精度地形成，但所述现有光盘母盘的制造方法具有如下所示问题。
已知在光盘母盘制造中形成抗蚀剂原盘时曝光、显影工序中使用的光抗蚀剂有在曝光后通过显影除去光照射部(曝光部)的正型光抗蚀剂和除去光未照射(未曝光部)的负型光抗蚀剂，一般使用正型光抗蚀剂。
这样的正型光抗蚀剂是由具有酚性羟基的酚醛清漆树脂和萘醌二迭氮等构成的，其具有利用碱溶液显影的性质。这样的碱显影型光抗蚀剂没有因吸收水分等产生的溶胀，而可在显影中仅精确地除去曝光部。由此，可以高精度地加工实施抗蚀剂的构图。
但是，在抗蚀剂原盘的形成时，当除去抗蚀剂的区域的宽度比未除去的区域的宽度更大进行构图时，在曝光时必须宽范围照射光，因此，必须增大照射的光的点径。
当增大照射的光的点径时，点的光能量被分散，特别是点外周附近的能量变小。这样，照射光的点外周附近的能量变小，该部分光抗蚀剂的固化不充分，曝光部和未曝光部的边界不明显，因此，难于高精度形成光盘母盘的凹凸。
本发明是鉴于所述问题点开发的，本发明的目的在于，提供一种光盘母盘及其制造方法，在光盘母盘制造中，可省去需要长时间且容易产生不良的Ni的电铸工序，另外，可高精度形成细微的凹凸图形。另外，本发明的目的还在于提供一种使用这种原盘得到的光盘母盘及其制造方法、与利用光盘母盘转印图形(信息的存储图形)构成的光盘。
为实现所述目的，本发明的光盘母盘具有如下特征，其包括基盘；及被设置在该基盘上的半交联抗蚀剂层和含有由下式(1)表示的化合物形成的预焙抗蚀剂层。
预焙抗蚀剂层在利用曝光、显影图形化后，将其实质地完全交联，在光盘上形成用于转印凹坑及凹槽的突起部(bump)。由于该突起部是由所述式(1)表示的化合物交联形成的甲氧基甲基化蜜胺树脂构成，故具有高的强度，另外，相对于高温、高压等条件，也具有充分的耐久性。因此，在光盘的制造条件下，使用本发明的光盘母盘原盘制造的光盘母盘具有充分的强度及耐久性。
另外，由于预焙抗蚀剂层形成在半交联抗蚀剂层上，故形成的突起部介通过半交联抗蚀剂层的固化物和基盘粘接。由于突起部及半交联抗蚀剂层的固化物都由树脂构成，故粘合性高，由此，突起部极不容易从基盘产生剥离等。
由这样的本发明的光盘母盘原盘制造的光盘母盘，与上述现有技术的光盘母盘的制造方法中，相当于作为Ni电铸中作为模具使用的抗蚀剂原盘，但由于形成的突起部如上所述具有高强度及耐久性，故可直接以此状态作为光盘母盘使用。因此，根据本发明的光盘母盘原盘，可省去在制造现有的光盘母盘原盘后必要的Ni等的电铸工序。
另外，在使用本发明的光盘母盘原盘时，由于通过曝光、显影形成的图形可以直接形成光盘母盘的突起部，故与图形化后进一步电铸的现有技术相比，可形成更细微且具有高精度图形的突起部。
具体地说，最好如下构成，即，半交联抗蚀剂层和预焙抗蚀剂层从基盘侧开始顺序地层积。另外，预焙抗蚀剂层最好含有对波长635～650nm的光的具有吸收性的色素。另外，还可以在预焙抗蚀剂层上设置保护膜。
另外，本发明的光盘母盘原盘的制造方法是用于制造本发明光盘母盘原盘的有效方法，其特征在于，包括如下工序研磨或清洗基盘的至少一个面；在研磨或清洗后的一个面上形成半交联抗蚀剂层；在半交联抗蚀剂层上形成含有所述式(1)表示的化合物的预焙抗蚀剂层。
在这种制造方法中，在实施预焙抗蚀剂层的形成工序后，也可以进一步实施在该层上形成保护膜的工序。
另外，本发明的光盘母盘是使用本发明光盘母盘实现的，其具有如下特征，包括基盘和突起部，该突起部设于所述基盘上，作为单体单元含有由所述式(1)表示的化合物。
本发明的光盘母盘的制造方法是有效地制造本发明光盘母盘的方法，其特征在于，包括如下工序在光盘母盘原盘的预焙抗蚀剂层上存储一定信息，该光盘母盘原盘具有基盘和被设在该基盘上的半交联抗蚀剂层和含有所述式(1)表示的化合物形成的所述预焙抗蚀剂层；将存储有信息的预焙抗蚀剂层显影，形成突起部；使半交联抗蚀剂层及突起部上产生交联反应，使其实质上完全固化。
另外，本发明还提供一种光盘，其特征在于其使用下述光盘母盘转印一定信息，该光盘母盘具有基盘和设于该基盘上的作为单体单元含有由所述式(1)表示的化合物的突起部。
图1A～E是示意性表示本发明光盘母盘制造方法的工序图；图2A～D是示意性表示现有光盘母盘制造方法的工序图；图3是表示本发明光盘一实施例的方式面图。
具体实施例方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。另外，相同的构成要素使用同一符号，省略重复的说明。
本实施例的光盘母盘原盘11包括基盘1；设于该基盘1上的半交联抗蚀剂层2；设于该半交联抗蚀剂层2上的由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺树脂构成的预焙抗蚀剂层3(参照图1C)。
在此，在本发明中，所谓半交联是，包括完全交联固化构成化学放大型树脂的单体单元成分之前的未交联树脂(也包括在单体单元的状态下存在的物质)的状态。另外，所谓预焙是，为了使用于形成预焙抗蚀剂层3的液状物中的残留溶剂蒸发，实施使用烤箱或电热板等的烤焙处理，稳定化形成的层的状态。
构成基盘1的材料列举例如金属、玻璃、石英、陶瓷、合成树脂等。金属列举例如镍、铝、钛、不锈钢、钨、铬或以上这些的合金等，一般采用Ni金属。
只要得到的光盘是作为标准值范围内的厚度，则基盘1的厚度没有特别限制。例如，在通过注射模塑成形来成形光盘时，理想的基盘1的厚度为230～330μm，更优选为280～300μm。
光盘基盘中，为了在其注射模塑成形时，同时利用导入模具内的光盘母盘转印凹凸，而对应光盘母盘的基盘1的厚度，相对地变化光盘基盘的厚度。因此，当基盘1薄于230μm时，得到的光盘基盘有比作为标准值的1.2mm±0.05mm更厚的倾向，当基盘1厚于330μm时，得到的光盘基盘的厚度有比标准值更薄的倾向。
设于基盘1上的半交联抗蚀剂层2是由通过热及/或光线产生交联反应的材料构成的，且这种材料通过加热及/或光线照射实现半交联。这样的材料可列举负型光抗蚀剂、正型光抗蚀剂、环氧树脂系热固性树脂材料、丙烯酸系热固化树脂材料、蜜胺树脂材料等。特别是当考虑和后述预焙抗蚀剂层3搭配及操作环境上的问题时，优选碱可溶性负型光抗蚀剂。
碱可溶性负型光抗蚀剂可列举具有酚性羟基的化合物，例如，可示例苯酚酚醛清漆树脂或甲酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆树脂、对乙烯苯酚或对苯酚马来酰亚胺的均聚物或这些的共聚物。这些碱可溶性负型光抗蚀剂在操作时不对人体等有恶影响，因而优选。
从和后述的预焙抗蚀剂层3的相同观点来看，所述以外的材料也可以使用含有由下述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物的抗蚀剂，也可以将这样的材料和所述材料多数组合使用，因而优选。
由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物考虑如下结构，利用化合物的其分子中含有的甲氧甲基相互反应，或甲氧甲基和半交联抗蚀剂层2中的其它成分反应结合，形成交联。此时，所谓半交联抗蚀剂层2形成时的半交联是在甲氧基甲基化蜜胺化合物的六个甲氧甲基中，其一部分反应形成交联的状态。这样形成的半交联抗蚀剂层2相对于显影液形成几乎不显示溶解性的状态。
该半交联抗蚀剂层2是为提高基盘1和后述的预焙抗蚀剂层3的粘接强度而设置的。因此，理想的是，其厚度形成可保持充分粘接强度的范围，具体地说，理想的是50～300nm，最好为100～150nm。当半交联抗蚀剂层2的厚度薄于50nm时，和预焙抗蚀剂层3的粘接强度不充分，在光盘成形时，其形状有可能损坏。另外，当厚于300nm时，其以上粘接强度的提高不能预见，结果造成抗蚀剂浪费，有增加光盘母盘的制造成本的倾向。
另外，作为形成预焙抗蚀剂层3的材料，只要是采用热预焙的材料，则无论哪一种都可以使用，在本发明中，在进行如下考虑时，即考虑和所述的半交联抗蚀剂层2相适应，制造后述的光盘母盘时的抗蚀剂突出部4的形成性、形成的抗蚀剂突起部4的强度、耐久性及操作时的安全性时，最好是由下记式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物。
作为所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物以外的材料，可列举例如负型光抗蚀剂、正型光抗蚀剂层、电子射线抗蚀剂等，最好是碱可溶性负型光抗蚀剂，另外，从粘接性这方面来看，也可以使用和用于所述半交联抗蚀剂层2中的材料相同的材料。另外，也可以将这些多种组合使用。
预焙抗蚀剂层3在将通过这些热预焙的材料涂敷到所述半交联抗蚀剂层2上后，通过预焙除去涂敷时混合的溶剂等，形成流动性降低的状态。在预焙抗蚀剂层3用材料为所述甲氧基甲基化蜜胺化合物时，通过预焙，可以认为所述这样的甲氧甲基产生的交联反应没有产生，但只要是不降低对显影液的溶解性的程度，则即使通过预焙产生若干交联反应，也没有关系。
这种预焙抗蚀剂层3的厚度和所述基盘1时的相同，得到的光盘基盘只要是标准范围内的厚度即可，可对应各光盘的标准进行适宜调整。例如，为DVD时，理想的预焙抗蚀剂层3的厚度为100～300nm，最好为150～250nm。
另外，预焙抗蚀剂层3也可以含有所述以外的成分，例如，理想的是，在光盘母盘形成后，以进行电信号等特性检查为目的，使其含有色素等。通常，在光盘母盘的制造后，必须检查得到的光盘母盘的突出部状态，在这样的检查中，一般使用可通过光照射观察凹凸状态的光盘母盘再生机。
在使用光盘母盘原盘11得到的光盘母盘的抗蚀剂突起部4为无色或透明时，由于来自光盘母盘再生机的再生光透过，故有难于利用光盘母盘再生机检查的倾向。对此，在再生光的波长区域，通过使抗蚀剂中含有具有吸收性的色素等，对再生光的赋予吸收性，使进行抗蚀剂突出部4的检查变得极其容易。
更具体地说，作为现有的光盘母盘再生机，由于多使用照射635nm或650nm波长的再生光，故预焙抗蚀剂层3中含有的色素最好对波长635～650nm的光具有吸收性。此时，预焙抗蚀剂层3呈浓绿色或接近于浓绿色的颜色。
另外，理想的是，作为这样的色素，即使在光盘母盘的制造时或光盘的制造时，也具有不产生变化的耐热性(250℃左右)，在对形成预焙抗蚀剂层3的溶解性上是优良的。
其次，参照图1说明本发明的光盘母盘的制造方法。如图1A～E所示，首先，为除去基盘1表面的微小划伤，研磨或清洗基盘1的至少一个面(图1A)。
作为研磨的方法列举例如使用氧化铈(CeO2)这样的研磨剂进行的机械研磨、使用化学药剂进行的化学研磨、电解研磨、无电解研磨、采用溅射等的物理研磨等，可对应研磨的基盘进行适当地选择。另外，清洗是为除去研磨的研磨粉等而实施的，可通过众所周知的方法来实施。
其次，在基盘1的研磨或清洗后的面上，为了形成半交联抗蚀剂层2，而通过热及/或光线涂敷产生交联反应的材料。这样的涂敷理想的是，可适当地选择旋转涂布法、喷涂法、滚动涂布法、浸渍法等公知的方法来实施。另外，以提高半交联抗蚀剂层2和基盘1的粘接性为目的，也可以在涂敷面上预先涂敷适量的接合剂。
这样，在基盘1上涂敷因热及/或光线产生交联反应的材料后，通过加热或照射光线，这样的材料以不完全交联的程度产生交联反应，形成半交联抗蚀剂层2(图1B)。加热使用烤箱或电热板等，可在未完成交联反应的温度及时间内实施。另外，通过光线照射的交联可利用例如UV固化法实施，其照射条件以不产生完全交联这样适当地设定。
形成半交联抗蚀剂层2的材料使用由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物，在通过加热半交联时，理想的是，以70～250℃、最好为80～200℃，加热10秒～20分、最好为20秒～10分这样施行。
另外，在利用光线照射半交联时，理想的是，将具有200～450nm、最好为250～360nm波长的光线照射10秒～20分、最好照射20秒～10分。但是，这些条件可根据基盘1的厚度、涂敷材料的厚度、加热装置或光线的种类进行变更。
在形成半交联抗蚀剂层2后，在其上利用旋转涂布法、喷涂法、滚动涂布法、浸渍法等公知的方法涂敷形成预焙抗蚀剂层3的抗蚀剂材料，另外，使用烤箱或电热板加热预焙，形成预焙抗蚀剂层3(图1C)，得到光盘母盘原盘11。
形成预焙抗蚀剂层3的抗蚀剂材料使用含有由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物的材料时，理想的预焙是，以80～100℃、最好为85～95℃，加热70秒～15分、最好为80秒～12分这样施行。但是，这些条件可相应于基盘1的厚度、半交联抗蚀剂层2的厚度、涂敷的抗蚀剂层的厚度、使用的加热装置的种类进行变更。
另外，在预焙抗蚀剂层3上含有所述的色素等其他的成分时，理想的是，在涂敷抗蚀剂材料前，使抗蚀剂材料中预先含有该成分。
在得到的光盘母盘原盘11的预焙抗蚀剂层3上，为防止存在于自然环境中的化学物质或菌类对该层的污染，最好必须对应地设置保护膜。用于保护膜的材料可列举例如聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、硅氧烷树脂、聚氨酯、环氧树脂。
作为保护膜，理想的是使用对后述的曝光时照射的光的波长具有充分的透过性，且具有在后述显影的显影液中溶解的特性的材料。作为这样的材料，可例举聚乙烯醇。另外，在形成这些保护膜的材料中还可以含有防菌剂、杀菌剂、表面活性剂等添加剂。在预焙抗蚀剂层3上形成保护膜的方法可适当地选择使用旋转涂布法、喷涂法、滚动涂布法等公知的方法。
其次，在得到的光盘母盘原盘11的预焙抗蚀剂层3上照射来自例如g线、i线、Ar激光、Kr激光、ArF激光、KrF激光或F2激光这样光源的光、X射线、电子射线等，进行曝光，形成规定的图形。例如，在使用光盘母盘制造的光盘在作为DVD时，理想的是，照射波长351～413nm的光线。
在将预焙抗蚀剂层3曝光后，通过除去未曝光部(显影)，形成具有一定凹凸图形(一定的信息)的抗蚀剂突起部4(突起部)(图1D)。显影可使用碱系显影液实施。
显影液示例例如磷酸三钠、氢氧化钠等无机碱水溶液、氢氧化四甲铵(TMAH)等氢氧化四烷基铵水溶液、乙二胺、三乙胺等有机碱溶液等。显影液的浓度及显影条件可对应使用的显影液种类进行适宜地设定。
当作为预焙抗蚀剂层3使用含有由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺化合物的抗蚀剂时，作为显影液，理想的是TMAH溶液，此时，其碱浓度最好为0.4～2.5wt％。另外，显影液的温度最好为常温，显影时间最好为30～90秒。
这样，在形成抗蚀剂突起部4后，通过在半交联抗蚀剂层2及抗蚀剂突起部4上施行加热及/或光线照射等处理，使这些实质地完全交联固化，得到本发明的光盘母盘21(图1E)。加热处理可使用烤箱或电热板等实施，另外，光线照射处理可通过UV固化法实施。
当预焙抗蚀剂层3的材料为所述甲氧基甲基化蜜胺化合物时，通过如上所述的甲氧甲基的反应形成交联。此时，所谓实质地完全交联状态是比半交联状态更多甲氧甲基形成交联的状态，理想的是大部分形成交联的状态。而且，通过完全交联形成的抗蚀剂突起部4对显影液几乎不溶解，实质上是不溶的。
在加热处理时，理想的是，通过在175～250℃之间多阶段地烤焙，实质地完全交联半交联抗蚀剂层2及抗蚀剂突起部4。另外，在光线的照射处理时，理想的是，通过照射10秒～20分、最好20秒～10分200～450nm、最好为250～360nm波长的光线，实质地完全交联半交联抗蚀剂层2及抗蚀剂突起部4。也可以实施加热处理及光线的照射处理的至少一种，但为了准确的完成交联，最好实施两种处理。但是，可将这些条件相应于基盘1的厚度、半交联抗蚀剂层2的厚度、抗蚀剂突起部4的厚度、使用的加热装置等进行适当的变化。
由于这样制造的光盘母盘21具有通过由交联预焙抗蚀剂层3构成的甲氧基甲基化蜜胺树脂构成的抗蚀剂突起部4，故强度及耐久性优良。
另外，由本发明的光盘母盘原盘11制造的光盘母盘21介由由树脂材料构成的半交联抗蚀剂层2的固化物将基盘1和抗蚀剂突起部4结合，故各层间的粘接性特别高。因此，可进一步提高光盘母盘21的强度及耐久性。另外，与在基盘上直接形成突起部时相比，可抑制抗蚀剂突起部4从基盘1剥离。
因此，形成抗蚀剂突起部4的光盘母盘21可在必须为高温、高压条件下的光盘基盘成形时，良好地进行凹坑或凹槽的形成(信息的转印)。另外，在反复多次使用时，也可以减少产生抗蚀剂突起部4的缺损或从基盘1剥离这样的时效劣化。
另外，在现有光盘母盘的制造方法中，光盘母盘21可相当于作为电铸用模所用的抗蚀剂原盘。即，相对于在现有的制造方法中，在成形这样的抗蚀剂原盘后，需要更多的时间，且容易产生不良的电铸工序，当使用本发明的光盘母盘原盘时，可省略该电铸工序。因此，根据本发明，可在短时间内进行光盘母盘的制造，可大幅地提高有效利用率。
另外，通过镀敷实施Ni电铸，但由于在通常镀敷处理后产生使用的镀液等废液，故对环境有不良影响，另外，还需要废液处理的成本。对此，根据本发明的抗蚀剂原盘11，由于不产生镀敷的废液，故不但可消减成本，还对环境有好的影响。
另外，在现有光盘母盘的制造方法中，在实施如上所述的抗蚀剂的曝光、显影，得到抗蚀剂原盘后，将其成形，进一步实施Ni电铸，为使光盘母盘形成凹凸，必须进行多阶段的工序。对此，根据本发明的光盘母盘的制造方法，可仅由曝光、显影的工序形成凹凸。因此，在光盘母盘21上，进一步提高通过曝光构图的精度。其结果是，在进行微细的构图，可充分地减轻加工精度的降低。
然后，可使用具有这样优良特性的光盘母盘21，通过在光盘基盘上转印一定的信息，得到光盘。图3是表示本发明光盘的一实施方式。光盘200具有如下结构形成凹坑的光盘基盘201、在该基盘上形成的反射层202、在该反射层上形成的覆盖盘203，其中，基盘上形成的凹坑通过所述本发明的光盘母盘21转印。
构成光盘基盘201的材料最好是对读出光盘信息的光具有透明性(透光性)的材料，例如可列举聚碳酸酯。另外，反射层202由例如铝等构成，为使对读出光的反射率提高而设置。另外，覆盖盘203保护形成凹坑的基盘或反射层，由和基盘201相同的材料构成。
这样的光盘200使用所述本发明的光盘母盘21，通过在光盘基盘201或形成于该基盘上的记录层上转印一定的信息来制造。此时，转印可和光盘的成形同时进行。成形的方法列举例如注射模塑成形、铸模成形、加压成形等公知的方法，一般采用射出压缩成形。成形条件可对应成形的光盘种类(DVD、CD等)适宜地选定。另外，当研磨在光盘母盘21的基盘1的模型上固定的面时，在成形时不容易产生光盘母盘21自模型脱落等不好的情况。
实施例实施例1光盘母盘的制造首先，使用氧化铈(CeO2)机械地研磨外径200mm、厚度0.3mm的Ni基盘的一个面。其次，在研磨Ni基盘的面上利用旋转涂布法涂敷200nm厚度的含有由下记式(1)表示的化合物的碱可溶性正型光抗蚀剂(NNR600S2、ナガセケムテックス株式会社制)。
涂敷后，在设定为110℃的电热板内二分钟处理这样的抗蚀剂，使其热交联，另外，通过在加热后/前照射UV光，使其光交联，形成半交联抗蚀剂层。其次，通过旋转涂布，在半交联抗蚀剂层上面涂敷200nm厚度的含有由所述式(1)表示的甲氧基甲基化蜜胺树脂的碱可溶性正型光抗蚀剂(NNR600S2、ナガセケムテックス株式会社制)后，通过在设定为85℃的烤箱内进行10分钟预焙，形成预焙抗蚀剂层，制造光盘母盘原盘。
实施例2光盘母盘的制造在得到的光盘母盘原盘的预焙抗蚀剂层上以规定的图形照射Ar激光(351nm)，存储一定的信息后，在设定为110℃的电热板内进行4分钟焙烤。其次，使用1.57wt％的TMAH水溶液进行常温(约24℃)下60秒的旋转显影，除去曝光部，形成抗蚀剂突起部。然后，在设定为175℃的电热板内对形成抗蚀剂突起部的光盘母盘原盘进行10分钟处理后，施行在设定为250℃的电热板内进行10分钟处理的多段烘焙。另外，使用饱和UV光完全交联半交联抗蚀剂层及抗蚀剂突起部。然后，将该光盘母盘原盘冲压为外径138mm、内径22mm的圆盘状，制造成光盘母盘。
实施例3光盘的制造光盘基盘的材料使用的是聚碳酸酯树脂。将由所述实施例2得到的光盘母盘装入模具内，通过射出压缩成形，得到转即存储于该光盘母盘上的信息图形的外径120mm、内径15mm的光盘。其次，在该光盘基盘的信息图形转印面上实施铝溅射，使反射膜成膜。另外，在该反射膜上使用粘接剂粘合和光盘基盘相同大小的聚碳酸酯制覆盖盘，制造光盘。
产业上利用的可能性如上所述，通过由本发明光盘母盘及其制造方法、光盘母盘及其制造方法以及该光盘母盘转印图形的光盘，可在光盘母盘的制造中省去需要长时间且容易产生不良的Ni电铸工序，并且，可形成精度高的细微凹凸的图形。
权利要求
1.一种光盘母盘原盘，其包括基盘；和被设于所述基盘上的半交联抗蚀剂层和含有下记式(1)表示的化合物而构成的预焙抗蚀剂层。
2.如权利要求1所述的光盘母盘原盘，自所述基盘侧顺序层积所述半交联抗蚀剂层和所述预焙抗蚀剂层而构成。
3.如权利要求1所述的光盘母盘原盘，所述预焙抗蚀剂层含有对波长635～650nm的光具有吸收性的色素。
4.如权利要求1所述的光盘母盘原盘，具有设于所述预焙抗蚀剂层上的保护膜。
5.一种光盘母盘原盘的制造方法，其包括如下工序研磨基盘的至少一个面，并将其清洗的工序；在研磨或清洗的所述至少一个面上形成半交联抗蚀剂层的工序；在所述半交联抗蚀剂层上形成含有下述式(1)表示的化合物的预焙抗蚀剂层的工序。
6.如权利要求5所述的光盘母盘原盘的制造方法，具有如下工序，在实施形成所述预焙抗蚀剂层的工序后，在该预焙抗蚀剂层上形成保护膜。
7.一种光盘母盘，其包括基盘和突起部，该突起部设于所述基盘上，作为单体单元含有由下述式(1)表示的化合物。
8.一种光盘母盘的制造方法，其包括如下工序在光盘母盘原盘的预焙抗蚀剂层上存储一定信息，该光盘母盘原盘具有基盘和被设在该基盘上的半交联抗蚀剂层和含有下述式(1)表示的化合物而成的预焙抗蚀剂层；使存储了信息的所述预焙抗蚀剂层显影而形成突起部；在所述半交联抗蚀剂层及所述突起部上产生交联反应，使其实质上完全固化。
9.一种光盘，其具有如下结构，转印在下述光盘母盘上存储的一定信息而构成，所述光盘母盘具有基盘和设于该基盘上的、作为单体单元含有由下述式(1)表示的化合物的突起部。
全文摘要
本发明的目的在于，可在制造光盘母盘时省去需要长时间且容易产生不良的Ni电铸工序，另外，可形成精度高的细微凹凸图形的光盘母盘原盘等。本发明光盘母盘原盘11是顺序地层积基盘1、半交联抗蚀剂层2及预焙抗蚀剂层3的装置。预焙抗蚀剂层3由甲氧基甲基化蜜胺构成，可容易地通过曝光、显影形成突起部(图1C)。
文档编号G11B7/26GK1647181SQ03808580
公开日2005年7月27日 申请日期2003年4月15日 优先权日2002年4月15日
发明者小川修, 山中祥次郎, 越野定文, 三宅公二, 佐野一彦 申请人:长濑产业株式会社