专利名称：防止由干扰的累积引起的数据变化的半导体记忆装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用以扇区单位进行数据写入的半导体存储器的半导体记忆装置，具体地说，涉及可防止由干扰的累积引起的数据变化的半导体记忆装置。
背景技术：
近年，随着对大容量的存储器需求的提高，不挥发性存储器的使用日益普及。一般，不挥发性存储器由多个块构成，各块由多个扇区构成。
向某扇区进行数据写入/擦除时，由于以块单位进行电压施加，因而对同一块内的其他扇区也进行了电压施加。此时，对其他扇区会有若干影响(以下，该影响称为干扰。)由于干扰的积累，各个存储单元保持的电荷渐渐消失，数据保持时间变短。即，同一块内完全未进行写入的扇区中累积了在同一块内进行写入的扇区所引起的干扰，该干扰的次数若超过规定次数，则数据发生变化。该规定次数若大于不挥发性存储器的改写次数则罢，但是若小于不挥发性存储器的改写次数则会产生问题。
为了防止这样的干扰的累积引起的数据变化，必须将未进行数据写入的扇区集中到特定块，或以扇区单位管理改写次数。另外，通过读出存储单元的数据、再写入同样数据的刷新动作，可防止干扰的累积所引起的数据的变化。特开平6-215584号公报公开了与之关连的技术。
特开平6-215584号公报公开的不挥发性半导体记忆装置中，刷新控制电路从开头顺序读出1024比特的标记单元阵列中记忆的数据，到达最初为擦除状态的标记单元后，令该标记单元为写入状态，同时对对应的刷新块的不挥发性存储器执行刷新动作。
从开头顺序读出标记单元阵列中记忆的数据，结果，当到达最后的标记单元时，执行擦除动作以使所有标记单元成为擦除状态。从而，对于1024次的刷新，可一次完成标记的擦除，从而可防止用不挥发性存储器构成刷新计数器时的写入/擦除的集中。
如上所述，通过将未进行数据写入的扇区集中到特定块或以扇区单位管理改写次数，可防止因干扰的累积引起的数据变化。但是，该管理方法变得复杂，有半导体记忆装置的处理效率低下的问题。
另外，上述特开平6-215584号公报公开的不挥发性存储器中，通过由1024比特的标记单元阵列管理1024个刷新块的刷新，可防止用不挥发性存储器构成刷新计数器时的写入/擦除的集中。但是，未考虑与进行写入的扇区在同一块内的其他扇区中的干扰的累积的程度。即，对各块均一地进行刷新，有处理效率低下写入次数增加的问题。
发明内容
本发明的目的是提供可抑制扇区的改写次数的增加且防止因干扰的累积所引起的数据的变化的半导体记忆装置。
本发明一个方面的半导体记忆装置，包括以扇区单位写入数据的不挥发性存储器和对该不挥发性存储器的数据进行改写的数据改写装置，其中，不挥发性存储器内的各扇区包含存储数据的数据区和存储表示是否已执行刷新的信息的刷新标记，数据改写装置包括通过参照刷新标记判定是否对该扇区执行刷新并执行刷新的刷新执行部。
由于刷新执行部参照各个扇区设置的刷新标记来判定是否对该扇区执行刷新并执行刷新，因而可防止对特定扇区的改写次数的增加且通过刷新防止因干扰的累积所引起的数据的变化。
本发明的上述及其他目的、特征、方面及优点通过参照附图理解的本发明的详细说明可变得更加清楚。
图1是表示本发明第1实施例的半导体记忆装置的概略结构方框图。
图2是表示半导体存储器2的扇区中的数据结构的一例的示意图。
图3是表示本发明第1实施例的半导体存储器2的概略结构方框图。
图4是逻辑/物理扇区变换的说明图。
图5是表示本发明第1实施例的数据改写装置的功能结构方框图。
图6是说明本发明第1实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
图7是说明本发明第2实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
图8是说明本发明第3实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
图9是说明本发明第4实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
图10是说明本发明第5实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
图11是说明本发明第6实施例的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。
具体实施例方式
实施例1
图1是表示本发明第1实施例的半导体记忆装置的概略结构方框图。该半导体记忆装置包括对整个半导体记忆装置执行控制的MCU(Micro Controller Unit微控制单元)1和由不挥发性存储器等构成的半导体存储器2。
MCU1由CPU(Central Processing Unit中央处理单元)、RAM(Random Access Memory随机存取存储器)等构成，CPU通过执行RAM等存储的程序来控制半导体存储器2。MCU1通过控制信号控制对半导体存储器2进行数据的读出/写入。另外，数据的读出/写入经由数据总线进行。
图2是半导体存储器2的扇区中的数据结构的一例的示意图。各扇区包括数据区11和管理区12。另外，管理区12包含数据区11的检错/纠正的ECC(Error Checking and Correcting)码13、表示扇区的好/坏的良品码14和表示是否已执行刷新的刷新标记15。
图3是表示本发明的第1实施例中的半导体存储器2的概略构成的方框图。半导体存储器2由多个块构成，各块由多个扇区构成。
图3所示的半导体存储器，在采用例如不挥发性存储器时，由于有时不是所有扇区都为好，因而必须仅仅对好的扇区分配逻辑地址。分配了逻辑地址的好的扇区称为逻辑扇区，好及坏的扇区并称为物理扇区，从逻辑扇区的地址(编号)到物理扇区的地址(编号)的变换称为逻辑/物理扇区变换。
图4是逻辑/物理扇区变换的说明图。由于物理扇区#2及#4为坏，物理扇区#0作为逻辑扇区#0分配，物理扇区#1作为逻辑扇区#1分配，物理扇区#3作为逻辑扇区#2分配，物理扇区#5作为逻辑扇区#3分配。逻辑/物理扇区变换的相关信息写入特定的扇区进行管理。该逻辑/物理扇区变换的相关信息转送到上述RAM，供CPU参照。
逻辑扇区劣化导致不能执行数据的写入/擦除时，CPU将该逻辑扇区编号分配给其他的物理扇区编号，更新逻辑/物理扇区变换的相关信息。更新的逻辑/物理扇区变换的相关信息反映到RAM及上述特定的扇区中。
图5是表示本发明的第1实施例中由MCU1执行程序而实现的数据改写机能(以下，称为数据改写装置。)的机能构成的方框图。数据改写装置包括将逻辑扇区变换成物理扇区的逻辑/物理扇区变换部21；检测出成为刷新对象的一个或多个块(以下，称为刷新区域。)的刷新区域检测部22；对刷新区域所包含的扇区执行刷新的刷新执行部23；执行成为对象的扇区的数据更新的数据更新部24。
图6是说明本发明的第1实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区写入数据时，逻辑/物理扇区变换部21将该逻辑扇区变换成物理扇区(S1)。
接着，刷新区域检测部22根据逻辑/物理扇区变换部21变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域(S2)。
接着，刷新执行部23对刷新标记置位(S3)，检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区并执行刷新，同时更新该扇区的刷新标记15的内容(S4)。本实施例的刷新不考虑改写次数，从刷新区域内的开始扇区顺序执行扇区内的信息的再写入(同一内容的写入)。在对扇区的数据写入的干扰的累积导致数据发生变化之前，执行再写入，从而，对各个存储单元保持的电荷执行再充电，可防止数据变化。
例如，若对一个块执行10万次写入后，完全未执行写入的扇区的数据因干扰的累积而引起变化，则可以在对一个块执行10万次写入期间进行整个扇区的刷新，就可防止数据的变化。
另外，刷新标记15的内容的更新，例如在刷新的第1巡回执行刷新后的扇区内的刷新标记中写入″55″，在刷新的第2巡回执行刷新后的扇区内的刷新标记中写入″AA″，以后交替写入这些值。刷新执行部23检测出刷新区域内的扇区的刷新标记从″55″变化到″AA″或从″AA″变化到″55″的变化场所，以检测出哪些扇区执行了刷新。
刷新若结束，则刷新执行部23清除刷新标记(S5)。数据更新部24对数据写入对象的扇区写入数据(S6)并结束处理。另外，在判定对扇区的刷新是否正在执行中时参照刷新标记。
另外，步骤S3～S5中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可以不对该扇区执行刷新，只执行数据更新(S6)。
如以上说明，根据本实施例的半导体记忆装置，在某扇区执行数据写入时，从该扇区检测出刷新区域，依次刷新刷新区域内的一个扇区，因而，当刷新区域所包含的扇区数与向扇区写入数据的次数相同时，各扇区必定执行一次刷新，可防止干扰的累积导致的数据变化。
另外，在各扇区内设有刷新标记15，在刷新时更新该刷新标记15的内容，参照刷新标记检索刷新对象的扇区，从而，不必设置刷新计数器。因而，可防止用不挥发性存储器构成刷新计数器时发生的写入/擦除的集中。
实施例2本发明的第1实施例中，由于每次对一个扇区执行数据写入时，对一个扇区执行刷新，因而写入效率低下且由于频繁刷新，很快就可到达半导体存储器2的改写次数上限。本发明的第2实施例的半导体记忆装置改善这个问题。
本实施例中的半导体记忆装置的概略构成与图1所示第1实施例相同。另外，本实施例中的数据改写装置与图5所示第1实施例中的数据改写装置比较，仅仅刷新区域检测部22及刷新执行部23的机能不同。因而，不重复相同的结构及机能的详细说明。另外，令本实施例中的刷新区域检测部及刷新执行部的参照符号分别为22a及23a进行说明。
图7是说明本发明的第2实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区执行数据写入时，逻辑/物理扇区变换部21将该逻辑扇区变换成物理扇区(S11)。
接着，刷新区域检测部22a根据逻辑/物理扇区变换部21变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域，使与该刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一(S12)。
刷新区域计数器设置在各个刷新区域，各个计数器的值存储在RAM。初始设定时，刷新区域检测部22a在刷新区域计数器中设定规定值。若对扇区有数据写入，则刷新区域检测部22a使与包含该扇区的刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一。
接着，刷新执行部23a判定刷新区域计数器的值是否为″0″(S13)。刷新区域计数器的值若不为″0″(S13的否)，则不执行刷新，数据更新部24对扇区执行数据写入(S17)，并结束处理。
另外，刷新区域计数器的值若为″0″(S13的是)，则刷新执行部23a对刷新标记置位(S14)，检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区并执行刷新，同时更新该扇区的刷新标记15的内容(S15)。本实施例中的刷新是在每次向扇区执行规定次数的数据写入时，从刷新区域内的开始扇区开始顺序执行1扇区内的信息的再写入。
刷新若结束，则刷新执行部23a清除刷新标记，在刷新区域计数器中设定规定值(S16)。数据更新部24对数据写入对象的扇区写入数据(S17)，并结束处理。
另外，步骤S14～S16中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可不对该扇区执行刷新，仅仅执行刷新标记15的内容的更新及扇区的数据更新(S17)。
如以上说明，根据本实施例中的半导体记忆装置，在对某扇区执行数据写入时，从该扇区检测出刷新区域，在每次对刷新区域内的扇区执行规定次数的数据写入时，由于对该刷新区域内的一个扇区执行刷新，因而除了第1实施例中说明的效果外，可抑制刷新的发生频度，并防止很快达到半导体存储器2的改写次数上限。
实施例3本实施例中的半导体记忆装置的概略构成与图1所示第1实施例中的半导体记忆装置的概略构成相同。另外，本实施例中的数据改写装置与图5所示第1实施例中的数据改写装置比较，仅仅刷新区域检测部22及刷新执行部23的机能不同。从而，不重复相同构成及机能的详细说明。另外，以本实施例中的刷新区域检测部及刷新执行部的参照符号分别为22b及23b进行说明。
图8是说明本发明的第3实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区有数据写入时，逻辑/物理扇区变换部21将逻辑扇区变换成物理扇区(S21)。
接着，刷新区域检测部22b根据由逻辑/物理扇区变换部2 1变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域，将与刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一(S22)。
接着，刷新执行部23b判定刷新区域计数器的值是否为″0″(S23)。刷新区域计数器的值若不为″0″(S23的否)，不执行刷新，数据更新部24对扇区执行数据写入(S29)，并结束处理。
另外，刷新区域计数器的值若为″0″(S23的是)，刷新执行部23b对刷新标记置位(S24)检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区、从该扇区读出数据的同时，读出ECC码13(S25)。
刷新执行部23b用ECC码13执行数据的检错/纠正(S26)，将纠正后的数据写入同一扇区以执行刷新(S27)。
刷新若结束，则刷新执行部23b清除刷新标记，在刷新区域计数器中设定规定值(S28)。数据更新部24向数据写入对象的扇区写入数据(S29)，并结束处理。
另外，步骤S24～S28中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可以不对该扇区执行刷新，仅仅执行刷新标记15的内容的更新及扇区的数据更新(S29)。
如以上说明，根据本实施例中的半导体记忆装置，在每次向刷新区域内的扇区执行的数据写入达到规定次数时，执行该刷新区域内的一个扇区的数据的检错/纠正后，将纠正后的数据写入同一扇区，因而，除了第2实施例中说明的效果，即使因干扰的累积引起数据的一部分变化时，可执行该数据的检错检测及纠正。
实施例4本实施例的半导体记忆装置的概略构成与图1所示第1实施例中的半导体记忆装置的概略构成相同。另外，本实施例中的数据改写装置与图5所示第1实施例中的数据改写装置比较，仅仅刷新区域检测部22及刷新执行部23的机能不同。从而，不重复相同构成及机能的详细说明。另外，令本实施例中的刷新区域检测部及刷新执行部的参照符号分别为22c及23c进行说明。
图9是说明本发明的第4实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区有数据写入时，逻辑/物理扇区变换部21将该逻辑扇区变换成物理扇区(S31)。
接着，刷新区域检测部22c根据逻辑/物理扇区变换部21变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域，将与该刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一(S32)。
接着，刷新执行部23c判定刷新区域计数器的值是否为″0″(S33)。刷新区域计数器的值若不为″0″(S33的否)，则不执行刷新行，数据更新部24对扇区执行数据写入(S40)，并结束处理。
另外，刷新区域计数器的值若为″0″(S33的是)，刷新执行部23c将刷新标记置位(S34)，检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区，从该扇区读出数据，同时读出ECC码13(S35)。
接着，刷新执行部23c从同一扇区读出良品码14，通过该扇区是否坏扇区来判定是否为刷新必要的扇区(S36)。
若为刷新不必要的扇区(S36的否)，则进入步骤S39的处理。另外，若为刷新必要的扇区(S36的是)，刷新执行部23c采用ECC码13执行数据的检错/纠正(S37)，通过将纠正后的数据写入同一扇区来执行刷新(S38)。
刷新若结束，则刷新执行部23c清除刷新标记，在刷新区域计数器中设定规定值(S39)。数据更新部24向数据写入对象的扇区写入数据(S40)，并结束处理。
另外，步骤S34～S39中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可以不对该扇区执行刷新，仅仅执行刷新标记15的内容的更新及扇区的数据更新(S40)。
如以上说明，根据本实施例中的半导体记忆装置，在每次对刷新区域内的扇区的数据写入达到规定次数时，判定该刷新区域内的一个扇区是否为坏扇区，仅仅在不是坏扇区时执行数据的检错/纠正，之后，将纠正后的数据写入同一扇区，因而，除了第3实施例说明的效果，可防止对坏扇区执行刷新，提高处理效率。
实施例5本实施例中的半导体记忆装置的概略构成与图1所示第1实施例中的半导体记忆装置的概略构成相同。另外，本实施例的数据改写装置与图5所示第1实施例中的数据改写装置比较，仅仅刷新区域检测部22及刷新执行部23的机能不同。从而，不重复相同构成及机能的详细说明。另外，令本实施例中的刷新区域检测部及刷新执行部的参照符号分别为22d及23d进行说明。
图10是说明本发明的第5实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区有数据写入时，逻辑/物理扇区变换部21将该逻辑扇区变换成物理扇区(S41)。
接着，刷新区域检测部22d根据逻辑/物理扇区变换部21变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域，将与该刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一(S42)。
接着，刷新执行部23d判定刷新区域计数器的值是否为″0″(S43)。刷新区域计数器的值若不为″0″(S43的否)，则不执行刷新，数据更新部24对扇区执行数据写入(S51)，并结束处理。
另外，刷新区域计数器的值若为″0″(S43的是)，刷新执行部23d对刷新标记置位(S44)，检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区，从该扇区读出数据，同时读出ECC码13(S45)。
接着，刷新执行部23d从同一扇区读出良品码14，通过该扇区是否坏扇区来判定是否为刷新必要的扇区(S46)。
若为刷新不必要的扇区(S46的否)，则使扇区指针加一(S47)，返回步骤S45，重复以下的处理。该扇区指针是指示成为刷新对象的扇区的指针，依次加一直到达到刷新区域内的扇区数为止。扇区指针若达到刷新区域内的扇区数，则初始化扇区指针的值。
另外，若为刷新必要的扇区(S46的是)，则刷新执行部23d采用ECC码13执行数据的检错/纠正(S48)，通过将纠正后的数据写入同一扇区来执行刷新(S49)。
刷新若结束，则刷新执行部23d清除刷新标记，在刷新区域计数器中设定规定值(S50)。数据更新部24对数据写入对象的扇区写入数据(S51)，并结束处理。
另外，步骤S44～S50中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可以不对该扇区执行刷新，仅仅执行刷新标记15的内容的更新及扇区的数据更新(S51)。
如以上说明，根据本实施例中的半导体记忆装置，在每次向刷新区域内的扇区的数据写入达到规定次数时，判定该刷新区域内的一个扇区是否为坏扇区，为坏扇区时执行下一个扇区的刷新，从而，除了第4实施例中说明的效果，还可提高处理效率。
实施例6本实施例中的半导体记忆装置的概略构成与图1所示第1实施例中的半导体记忆装置的概略构成相同。另外，本实施例的数据改写装置与图5所示第1实施例中的数据改写装置比较，仅仅刷新区域检测部22及刷新执行部23的机能不同。从而，不重复相同构成及机能的详细说明。另外，令本实施例中的刷新区域检测部及刷新执行部的参照符号分别为22e及23e进行说明。
图11是说明本发明的第6实施例中的半导体记忆装置的处理顺序的流程图。首先，对某逻辑扇区有数据写入时，逻辑/物理扇区变换部21将该逻辑扇区变换成物理扇区(S61)。
接着，刷新区域检测部22e根据由逻辑/物理扇区变换部21变换的物理扇区编号，检测出成为刷新的对象的刷新区域，将与该刷新区域对应的刷新区域计数器的值减一(S62)。
接着，刷新执行部23e判定刷新区域计数器的值是否为″0″(S63)。刷新区域计数器的值若不为″0″(S63的否)，不执行刷新，数据更新部24对扇区执行数据写入(S72)，并结束处理。
另外，刷新区域计数器的值若为″0″(S63的是)，刷新执行部23e对刷新标记置位(S64)，检测出成为刷新区域内的刷新对象的一个扇区，从该扇区读出数据，同时读出ECC码13(S65)。
接着，刷新执行部23e采用ECC码13执行数据的检错/纠正(S66)，通过将纠正后的数据写入同一扇区来执行刷新(S67)。刷新后，若有错误发生(S68的是)，则刷新执行部23e根据从同一扇区读出的良品码14，根据该扇区是否坏扇区来判定是否为刷新必要的扇区(S69)。
若为刷新必要的扇区(S69的是)，则执行将逻辑扇区分配给其他物理扇区等的错误处理(S71)。另外，若为刷新不必要扇区(S71的否)，则刷新执行部23e清除刷新标记，在刷新区域计数器中设定规定值(S70)。数据更新部24向数据写入对象的扇区写入数据(S72)，并结束处理。
另外，步骤S64～571中，数据写入对象的扇区和刷新对象的扇区相同时，可以不对该扇区执行刷新，仅仅执行刷新标记15的内容的更新及扇区的数据更新(S72)。
如以上说明，根据本实施例的半导体记忆装置，在每次对刷新区域内的扇区的数据写入达到规定次数时，对该刷新区域内的一个扇区执行刷新，在错误发生时执行错误处理，因而除了第5实施例中说明的效果，还可以执行响应刷新时发生的错误的处理。
虽然详细说明了本发明，但是只是进行例示而不是限定，应该明白发明的精神和范围仅仅由权利要求书限定。
权利要求
1.一种半导体记忆装置，包括以扇区单位写入数据的不挥发性存储器和对该不挥发性存储器的数据进行改写的数据改写装置，其中，上述不挥发性存储器内的各扇区包含存储数据的数据区和存储表示是否已执行刷新的信息的刷新标记，上述数据改写装置包括通过参照上述刷新标记判定是否对该扇区执行刷新并执行刷新的刷新执行部。
2.权利要求1所述的半导体记忆装置，其特征在于上述数据改写装置还包括刷新区域检测部，它将上述不挥发性存储器的块分割成执行刷新的单位，并分别作为刷新区域，检测作为写入对象的扇区包含在哪个刷新区域，上述刷新执行部在每次对扇区发生写入时，对由上述刷新区域检测部检测的刷新区域所包含的扇区执行刷新。
3.权利要求2所述的半导体记忆装置，其特征在于上述刷新执行部在每次对扇区发生写入时，从由上述刷新区域检测部检测的刷新区域所包含的开始扇区或最终扇区开始依次执行刷新，同时将第1值设定到该扇区所包含的刷新标记，上述刷新区域所包含的所有扇区的刷新结束后，在每次对扇区发生写入时，从由上述刷新区域检测部检测的刷新区域所包含的开始扇区或最终扇区开始依次执行刷新，同时将不同于上述第1值的第2值设定到该扇区所包含的刷新标记。
4.权利要求1所述的半导体记忆装置，其特征在于上述数据改写装置还包括刷新区域检测部，它将上述不挥发性存储器的块分割成执行刷新的单位，并分别作为刷新区域，检测作为写入对象的扇区包含在哪个刷新区域，上述刷新执行部在每次对由上述刷新区域检测部检测出的刷新区域内的扇区发生规定次数的数据写入时，对该刷新区域所包含的扇区执行刷新。
5.权利要求4所述的半导体记忆装置，其特征在于上述刷新执行部在每次对由上述刷新区域检测部检测出的刷新区域内的扇区发生规定次数的数据写入时，从由该刷新区域所包含的开始扇区或最终扇区开始依次执行刷新，同时将第1值设定到该扇区所包含的刷新标记，上述刷新区域所包含的所有扇区的刷新结束后，在每次对该刷新区域内的扇区发生规定次数的数据写入时，从由该刷新区域所包含的开始扇区或最终扇区开始依次执行刷新，同时将不同于上述第1值的第2值设定到该扇区所包含的刷新标记。
6.权利要求1所述的半导体记忆装置，其特征在于上述不挥发性存储器的各扇区还包含数据的检错/纠正码，上述刷新执行部在对扇区执行刷新时，将采用上述数据的检错/纠正码执行纠正后的数据写入该扇区。
7.权利要求1所述的半导体记忆装置，其特征在于上述不挥发性存储器的各扇区还包含表示该扇区是否为坏的良品码，上述刷新执行部在对扇区执行刷新时参照上述良品码，若该扇区为坏扇区则中断刷新。
8.权利要求7所述的半导体记忆装置，其特征在于上述刷新执行部参照上述良品码，若该扇区为坏扇区，则对上述刷新区域内的其他扇区执行刷新。
9.权利要求7所述的半导体记忆装置，其特征在于上述刷新执行部对扇区执行刷新后若发生错误，则参照上述良品码，若该扇区为坏扇区，则中断对该扇区执行刷新。
全文摘要
刷新区域检测部(22)将半导体存储器的块分割成执行刷新的单位，并分别作为刷新区域，检测作为写入对象的扇区包含在哪个刷新区域。刷新执行部(23)在每次对扇区发生写入时，对由上述刷新区域检测部(22)检测的刷新区域所包含的扇区依次执行刷新。因而可防止对特定扇区的改写次数的增加且通过刷新防止因干扰的累积所引起的数据的变化。
文档编号G11C16/06GK1525488SQ20031010469
公开日2004年9月1日 申请日期2003年10月28日 优先权日2003年2月27日
发明者石本真一 申请人:株式会社瑞萨科技, 株式会社瑞萨解决设计