磁读/写头检测方法

专利名称：磁读/写头检测方法
技术领域：
本发明一般地涉及检测方法，具体涉及具有磁记录部分(读装置)和 磁再现部分(写装置)的磁读/写头的检测方法。本发明适用于例如包括用 于硬盘驱动器("HDD")的高灵敏读头(诸如巨磁阻"GMR"头装置 和穿隧磁阻("TMR")头装置)的磁读/写头的检测方法。
背景技术：
随着近来因特网等的普及，对于提供稳定记录和再现大量信息(包括 静止和运动的图片)的便宜的磁盘驱动器的需求不断增大。当增大表面记 录密度来满足大容量的要求时，记录介质上的1比特面积减小，并且来自 记录介质的信号磁场变得更弱。为了读该弱的信号磁场，需要小的并且高 灵敏的读头。对于这类读头，GMR头装置和TMR头装置是已知的。通常，基于头 装置的电磁转换特性进行头装置的读性能测试，并且在读头被安装在 HDD上之后测试整个HDD的运行，以确定HDD的工作性能。 现有技术包括例如日本专利申请公开No.( "JP" )2005-93054。 在HDD被装运之前进行环境测试，以检査HDD是否存在缺陷。环境 测试例如通过将HDD置于高于室温的温度下或外部负载之下来检测其特 性。随着高灵敏读头的小型化，读特性可能由于诸如磁场、热(温度)和 电波之类的外部负载而劣化。不利的是，这些外部负载降低了 HDD的成 品率。JP 2005-93054在HDD安装读装置之后进行外部负载测试，但是如 果从待安装到HDD上的候选件撤除不能维持到将外部负载的预定持续时 间的读装置，则可改善HDD的成品率。然而，新的专用外部负载测试设 备将增大HDD的成本，无法满足提供廉价HDD的需求。

发明内容
因此，本发明涉及用于提供对于外部负载劣化减小的磁再现部分的检 测方法。
根据本发明的一方面的一种用于检测其中磁记录部分和磁再现部分彼
此靠近的磁读/写头的方法包括如下步骤以大于所述磁记录部分的正常磁 记录操作的负载执行磁记录操作；以及在以所述负载进行的所述磁记录操 作之后，检测所述磁再现部分。此检测方法利用了磁记录部分和磁再现部 分之间的靠近布置，并且磁记录部分向磁再现部分施加外部负载。由于磁 记录操作施加大于正常的磁记录操作的负载，所以在正常磁记录操作中确 保了操作可靠性。此外，由传统的磁记录部分施加外部负载，而不设置新 的施加外部负载的装置，防止了检测成本的增加。当磁记录部分和磁再现 部分之间的距离为例如5 /mi时，它们在磁读/写头中彼此靠近，但是，本 发明对于该据率没有限制，只要磁记录部分可以向磁再现部分施加外部负 载。
所述检测步骤检测当恒定电流流过所述磁再现部分时所述磁再现部分 的电压。所述负载可以为使大于额定电流的电流流过所述磁记录部分，以 最大的写频率连续地写，对于将由所述磁读/写头进行记录和再现的磁记录 介质的至少一圈进行连续地写。
根据本发明的另一方面的头(所述头包括从盘读信息的所述读装置和 在所述盘中写信息的写装置)的读装置的测试方法包括如下步骤在所述 头被安装到存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加负载的同 时，检测所述读装置的读特性。根据该测试方法，在检测读装置的读特性 时，检测步骤向读装置施加外部负载。传统头测试设备具有在外部负载 没有施加负载的情况下检测所述读装置的读特性的第一功能；和在没有外 部负载情况检测所述写装置的写特性的第二功能。第二功能可以控制流过
写装置的电流的大小，电流的频率和写的次数。对于传统的测试设备而 言，在进行第一功能的同时进行第二功能不是大的变化。通过写装置施加 外部负载利用了传统的测试设备所固有的第一和第二功能。设置第三模式 仅仅需要对传统测试设备中的程序或软件进行小的修改，并且不需要新的
设备，防止了测试成本的增加。而且，此测试方法较之JP 2005-93054可 以进一步提高HDD的成品率，因为其在头被安装在HDD上之前进行测 试。
根据本发明的另一方面的制造包括头(所述头包括从盘读信息的读装
置和在所述盘中写信息的写装置)的存储设备的方法包括如下步骤在所 述头被安装到所述存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加负载 的同时，检测所述读装置的读特性；确定由所述检测步骤检测到的所述读 装置的读特性是否落入容许范围；以及选择具有落入所述容许范围的读特 性的所述读装置作为将被安装到所述存储设备上的候选件。该制造方法在 存储设备上仅仅安装由确定步骤确定为具有预定读特性的读装置，提高了 存储设备的成品率。上述的检测步骤可以限制存储设备制造成本的明显增 加。
根据本发明的另一方面的用于制造包括头(所述头包括从盘读信息的 读装置和在所述盘中写信息的写装置)的存储设备的方法包括第一检测
步骤，所述第一检测步骤在所述头被安装到所述存储设备上之前，在所述
写装置没有向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置的读特性；第 二检测步骤，所述第二检测步骤在所述头被安装到所述存储设备上之前， 在所述写装置向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置的读特性； 确定由所述第二检测步骤检测出的所述读装置的读特性相对于由所述第一 检测步骤检测出的所述读装置的读特性的劣化是否落入容许范围；以及选 择具有落入所述容许范围的读特性的所述读装置作为将被安装到所述存储 设备上的候选件。该制造方法在存储设备上仅仅安装由确定步骤确定为具 有预定读特性的读装置，提高了存储设备的成品率。上述的检测步骤可以 限制存储设备制造成本的明显增加。
例如，所述负载是磁负载和/或热负载。所述第二检测步骤的检测步骤
将流过所述写装置的电流的大小、所述电流的频率和写的次数中至少之 一，设定为大于用于实际将信息写入盘中的实际使用模式中的最大值的 值。如果必要，可以进一步控制电流前沿的过冲、电流极性以及频率模式 (即，其是连续模式还是随机模式)。根据本发明的另一方面的程序能够使得计算机实施包括头(所述头包 括从盘读信息的读装置和在所述盘中写信息的写装置)的存储设备的制造 方法，所述方法包括如下歩骤确定在由写装置向读装置施加负载的情况 下所述读装置的读特性相对于在所述读装置没有负载的情况下读特性的劣 化是否落入容许范围；输出所述确定歩骤的确定结果，同时将所述确定结 果与头的识别信息相关联。此程序有助于分类存在缺陷和不存在缺陷的 头。根据本发明的另一方面的头(所述头包括从盘读信息的读装置和在所 述盘中写信息的写装置)的测试设备包括第一模式，用于在所述头被安 装到所述存储设备上之前，在所述写装置没有向所述读装置施加负载的情 况下检测所述读装置的读特性；第二模式，用于在所述头被安装到所述存 储设备上之前，检测所述写装置的写特性；和第三模式，用于在所述头被 安装到所述存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加负载的情况 下检测所述读装置的读特性。此测试设备具有对于传统的测试设备不是固 有的第三模式，但是第三模式是对于第一和第二模式的修改，并且仅仅是 软件修改就足够了。因此，不必对传统的测试设备进行大的设计修改。优选地，测试设备还包括控制器，所述控制器确定在所述头被安装到 所述存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加负载的情况下所述 读装置的读特性相对于在所述写装置没有向所述读装置施加负载的情况下 所述读装置的读特性的劣化是否落入容许范围。而且，控制器输出测试确 定结果，并且将其与头的ID相关联。参考附图，通过下面对优选实施例的描述，本发明的其它目的和更多 的特征将变得十分清楚。


图1是根据本发明的一个实施例的测试设备的示意性平面图。
图2是用于解释根据本发明一个实施例的制造方法的流程图。
图3是用于解释图2所示的步骤1000的细节的流程图。
图4是用于解释图3所示的步骤1100的细节的流程图。
图5是用于解释图3所示的步骤1200的细节的流程图。
图6是用于解释图3所示的步骤1300的细节的流程图。
图7A是示出了图3所示的步骤1000的结果的视图；图7B是通过了
图3所示的步骤1000的测试的读装置的视图。
图8是图1所示的头万向架组件("HGA")被安装到其上的HDD
的平面图。
图9是示出了图8所示的磁头部分的细节的透视图和局部放大透视 图，以及该头的示意性剖视图。
图IO是图9所示的磁头部分的示意性放大平面图。 图11是图1所示的HGA的顶视、侧视和后视图。
具体实施例方式
下面将参考附图描述用于将在后面描述的HDD (存储设备)100的磁 头的测试设备1。测试设备包括个人电脑("PC" ) 10，安装有头万向架 组件("HGA" ) 111的安装部分20,盘(记录介质)30，探测器40，和 一对电流供应单元50。 HGA111是安装有滑块的悬架组件，并且也被称作 头悬架组件。
测试设备1在HGA 111被安装在HDD 100上以前检测HGA 111是否 存在缺陷。如后文所述，HGA 111安装有磁头部分120，并且磁头部分 120包括写装置(或者感应头装置130，其将在后面进行描述)，其将 信息写入盘；读装置(或者MR头装置140，其将在后面进行描述)，其 从盘104读信息。测试设备l测试读装置和写装置，以检查其是否存在缺 陷，并且与其ID相关联地输出结果。
PC 10控制测试设备1的操作模式，并且输出和存储测试结果。虽然 PC 10是测试设备1的一部分，但是另一实施例通过互联网将PC 10与测 试设备1连接。PC IO包括PC主机12，诸如键盘和鼠标的输入部分14，以及诸如显 示器的输出部分16。 PC主机12包括诸如CPU的控制器12a以及存储本 实施例的测试或制造方法的存储器12b。测试设备1包括作为操作模式的第一到第三模式。无论PC IO是测试 设备1的一部分还是经由互联网连接到测试设备1，测试设备1的操作模 式都不改变。每一个模式被实现为软件程序，并且存储在存储器12b中。 用户可以通过输入部分14和控制器12a，同时观察输出部分16，来选择一 个模式。第一模式在HGA 111被安装在HDD 100上之前在没有从写装置向其 施加负载的情况下，检测读装置的读特性。第二模式在HGA 111被安装在 HDD 100上之前检测写装置的写特性。第三模式在HGA 111被安装在 HDD 100上之前在从写装置向其施加负载的情况下检测读装置的特性。安装部分20安装有HGA 111。当HGA 111被安装在安装部分20上 时，HGA 111的读装置从盘30读出信息，并且将其发送到探测器40。由 探测器40探测的信息(或读装置的输出电压值)被发送到PC10中的控制 器12a。当HGA 111被安装到安装部分20上时，PC 10的控制器12a控制 电流供应单元50，以向写装置供应电流的频率模式，并且写装置将信息写 入盘30。现在将参考图2到6描述测试设备1的操作。在此，图2是用于解释 根据此实施例的HDD 100的制造方法的流程图。图3是用于解释图2所示 的步骤1000的细节的流程图。图4是用于解释图3所示的步骤1100的细 节的流程图。图5是用于解释图3所示的步骤1200的细节的流程图。图6 是用于解释图3所示的步骤1300的细节的流程图。参考图2，控制器12a测试HGA 111 (步骤1000)。控制器12a选择 HGA 111中该测试的合格候选件作为将被安装在HDD 100上的候选件 (步骤2000)。根据此制造方法，控制器12a仅将在步骤1000中被确定 为在步骤1304 (将在后面描述)中几乎没有劣化作用的读装置安装在 HDD 100上。对整个HDD 100进行环境测试，诸如温度测试，但是步骤 1300已经选择了安装在HDD 100上的几乎没有劣化作用的HGA 111，较 之JP 2005-93054进一步提高了 HDD 100的成品率。现在将参考图3到6 描述步骤1000。参考图3，首先，在没有向写装置施加负载的情况下测试读装置(步 骤1100)。结果，只有通过了测试的读装置被用于步骤1300。类似地， 在没有负载的情况下测试写装置(步骤1200)。结果，仅仅通过了测试的 写装置被用于步骤1300。接着，在由写装置施加负载的情况下测试读装置 (步骤1300)。结果，通过了测试的HGA 111作为没有缺陷的制件被安 装在HDD 100上。不像传统的测试方法，本实施例的测试方法具有步骤 1300。步骤1100是第一模式的操作，其也是传统的测试设备所固有的。参 考图4，步骤1100首先在写装置没有施加负载的情况下检测读装置的读特 性(或者读装置的输出)(步骤1102)。接着，控制器12a确定读装置的 读特性是否落入了容许范围(步骤1104)。容许范围被存储在存储器12b 中。本实施例的容许范围是读装置的理想输出值的±20%的范围，但这仅 仅是为了说明。控制器12a确定具有落入容许范围的读特性的读装置为不 存在缺陷的(步骤1106)，并且确定具有落入容许范围外的读特性的读装 置为存在缺陷的(步骤1108)。控制器12a将测试结果输出到输出部分 16，同时将测试结果与读装置的ID相关联，并且将其存储在存储器12b 中。只有通过了测试的读装置被用于步骤1300。结果，即使当满足步骤 1300的条件时，不满足步骤1100的读装置也被去除。步骤1200是第二模式的操作，其也是传统测试设备所固有的。参考 图5，步骤1200首先通过将具有预定频率模式的预定电流供应到写装置， 来检测写装置的写特性(步骤1202)。接着，控制器12a确定写装置的写 特性是否落入了容许范围(步骤1204)。容许范围被存储在存储器12b 中。本实施例的容许范围是写装置的理想输出值的±20%的范围，但这仅 仅是为了说明。控制器12a确定具有落入容许范围的写特性的写装置为不 存在缺陷的(步骤1206),并且确定具有落入容许范围外的写特性的写装 置为存在缺陷的(步骤1208)。控制器12a将测试结果输出到输出部分16，同时将测试结果与写装置的ID相关联，并且将其存储在存储器12b 中。只有通过了测试的写装置被用于步骤1300。结果，适当可操作的写装 置被用于步骤1300。步骤1300是第三模式的操作，其是传统的测试设备所不具有。参考 图6，步骤1300首先在写装置施加负载的情况下检测读装置的读特性(或 者读装置的输出)(步骤1302)。测试设备l执行磁记录操作，使得所施 加的负载成为大于正常磁记录操作的负载。接着，控制器12a确定读装置 在写装置施加负载之前和之后的读特性的劣化量是否落入了容许范围(步 骤1304)。容许范围被存储在存储器12b中。本实施例的容许范围是读装 置在写装置没有施加负载之后的读特性与读装置在写装置施加负载之前的 读特性的理想比值的±20%的范围，但这仅仅是为了说明。因为理想值是 1，所以容许范围在0.8和1.2之间。控制器12a确定具有落入容许范围的 读特性的读装置为不存在缺陷的(步骤1306)，并且确定具有落入容许范 围外的读特性的读装置为存在缺陷的(步骤1308)。控制器12a将测试结 果输出到输出部分16，同时将测试结果与读装置的ID相关联，并且将其 存储在存储器12b中。步骤1302在检测读装置的读特性时向读装置施加了外部负载。传统 的测试设备仅仅具有第一和第二模式，并且控制器12a可以控制电流的大 小和频率，以及写装置中写的次数。测试设备1在第一模式期间同时进行 第二模式的部分操作，这不是大的变化。通过写装置施加外部负载利用了 传统的测试设备所固有的第一和第二模式。设置第三模式仅仅需要对传统 测试设备中的第一和第二模式的程序或软件进行小的修改，并且不需要新 的设备。因此，即使添加了第三模式，也可以防止测试成本的增加。因为 写装置布置得非常靠近读装置，所以写装置可以被用于对于写装置的外部 负载源。而且，此测试方法在HGA 111被安装在HDD 100上之前进行测 试。虽然整个HDD100也经过外部测试，诸如温度测试，但是此实施例可 以较之JP 2005-93054进一步提高了 HDD 100的成品率，因为安装在HDD 100上的经选择的HGA 111几乎没有环境劣化。外部负载包含磁场、热和无线电波。在此实施例中写装置所施加的负
载为磁负载和/或热负载。磁负载和热负载是影响读装置的外部负载中的有 影响力的因素。磁负载和/或热负载意在表示磁负载，热负载，以及磁负载 和热负载。例如，如果在仅仅施加磁负载的情况下读特性就劣化，则得到 反馈，诸如确认屏蔽膜的加工状态(这将在后面描述)。磁负载或者热负载是等于或者大于读装置在HDD 100的正常使用期间 所受到的最大值的负载。对于磁负载和热负载的控制将在写装置中流过的 电流的大小(诸如恒定的电流)、电流的频率、以及写的次数中的至少之 一，设定为信息以此被实际写入盘中的实际模式中的最大值。例如，大于 在磁记录部分中流过的额定电流的电流被流过磁记录部件，磁记录部分在 最大的写频率下连续地写，磁记录部分对于将由磁读/写头进行记录和再现 的磁记录介质的至少一圈进行连续地写。假定写次数中的一次写被定义为盘30的每一次旋转一次。例如，当 写电流被设定得高并且电流频率被设定得低时，仅仅是热(温度)负载可 以被增大。当写电流被设定得低并且电流频率被设定得低时，可以限制磁 负载的磁强度和磁幅值。当写电流和电流频率都被设定得高时，磁负载和 热负载都可以被增大。如果必要，控制器12a可以进一步控制电流的前沿 的过冲、电流的极性、以及频率模式(即，其是连续模式还是随机模 式)。由此，可以获得对磁负载和热负载的精细控制。在写电流为40ml，电流频率为500MHz，频率模式为连续模式，并且 写次数为1000次的条件下，写装置向读装置施加外部负载。写电流在 HDD 100的实际使用中为约30 ml，增大了约30%。 500 MHz的频率为目 前HDD 100中的最大频率。在正常的HDD 100中，保证100次写足够 了。 40 ml的写电流和500 MHz的频率使得读装置的温度为5(TC或更高。 55"是HDD IOO所保证的环境温度的上限值。图7A示出了结果，其中横坐标轴表示在施加负载之前读装置的输 出，纵坐标轴表示在施加负载之后读装置的输出。在图7A中，理想线的 梯度为1，而容许范围为从梯度为1的线±20%的范围。被椭圆包围的读 装置为在容许范围之外的那些装置，并且控制器12a确定这些读装置是存 在缺陷的。图7B示出了不存在缺陷的读装置。图7B中示出的每一个读装
置被安装到HDD 100上。此后，HDD 100整体进行环境测试。环境测试 例如将环境温度设为55°C，并且测试暴露在该环境下的HDD 100的特 性。当考察HDD IOO通过环境测试的比率时，与使用包括图7A中所示出 的椭圆区域在内的所有读装置的HDD 100相比，使用图7B中所示的读装 置的HDD 100的成品率提高10%到20%。现在将参考图8到11描述在图2的步骤2000安装HGA 111的HDD 100。如图8所示，HDD IOO包括处于壳体102中的一个或者多个磁盘104 (每一个都充当记录介质)，心轴电机106，以及头堆叠组件 ("HSA" ) 110。 HGA lll构成HSA 110的一部分。在此，图8是HDD 100的内部结构的示意性平面图。壳体或者基体102由例如铝模铸和不锈钢制成，并且具有长方体形 状，密封内部空间的该被接合到其上。磁盘104具有高的表面记录密度， 诸如HDD 100 Gb/ii^或者更大。磁盘104通过其中心孔安装在心轴电机 106的心轴(轴心)上。心轴电机106具有例如无电刷DC电机(没有示出)和作为其转子部 分的心轴。例如，两个磁盘104以盘、隔片、盘和夹具堆叠在心轴上的次 序来使用，并且由与心轴配合的螺栓固定。HSA 110包括磁头部分120、滑架170、底板178以及悬架179。图 ll示出了HGAlll的顶视、侧视和后视图。磁头部分120包括滑块121，以及与滑块121的空气流出端接合的读/ 写头122。滑块121具有大致长方体的形状，并且由Al203-TiC (Altic)制成。 滑块121支撑头122，并且从盘104的表面浮动。头122在和从盘104记 录和再现信息。滑块121与磁盘104相对的表面充当浮动表面125。浮动 表面125接收由磁盘104的旋转发生的空气流126。在此，图9是磁头部 分120的示意性透视图。图10是头122的放大的平面图。头122例如为MR感应复合头，该 MR感应复合头包括感应头装置130和磁阻("MR")头装置140，所述 感应头装置130利用由感应线圈模式(没有示出)产生的磁场在磁盘104 中写入二进制信息，所述磁阻("MR")头装置140基于根据由磁盘104 所施加的磁场变化的电阻读二进制信息。感应头装置130包括非磁性间隔层132，上磁极层134,由八1203膜制 成的绝缘膜136，上屏蔽-上电极层139。上屏蔽-上电极层139也构成MR 头装置140的一部分。MR头装置140包括上屏蔽层139,下屏蔽层142， 上间隔层144，下间隔层146， MR膜150，以及一对布置在MR膜150两 侧的硬偏置膜160。因此，感应头装置(磁记录部分)130和MR头装置 (磁再现部分)140被在例如5 /mi的距离内彼此靠近地布置。MR膜150可以包括例如自旋阀膜和TMR膜。在TMR膜的情形中， MR膜150从图10中的底部起包括自由铁磁层152，非磁性中间层154， 钉扎磁性层156，以及反铁磁层158。 TMR膜具有铁磁穿隧结点，其被配 置来保持两个铁磁层之间的绝缘层154,并且TMR膜利用穿隧现象，其 中，在两个铁磁层之间施加电压时，在负侧铁磁层中的电子穿过绝缘层叨 到达正侧铁磁层。绝缘层154采用例如八1203膜。在自旋阀膜的情形中， MR膜150是CPP-GMR器件，其从图10所示的底部开始依次包括自由层 152、非磁性中间层154、钉扎磁性层156，以及交换耦合(反铁磁)层 158。通常，保护层和非磁性底涂层(诸如Ta)被添加在交换耦合层上方 和自由层下方。本实施例的MR头装置140具有CPP结构，其施加垂直于 MR膜150的层叠平面或者平行于层叠方向的感应电流，如箭头CF所示， 但是本发明允许MR器件为CIP-GMR器件。回到图8，滑架170用于沿图8所示的箭头方向旋转或转动磁头部分 120，并且包括音圈电机("VCM")，轴174，柔性印刷电路板 ("FPC" ) 175和臂176。VCM具有处于一对轭之间的偏平线圈。偏平线圈与设置在壳体102 上的磁路(没有示出)相对，并且滑架170根据流过偏平线圈的电流值围 绕轴174摇摆。磁路包括例如固定到固定在壳体102中的铁板上的永磁 体，以及固定到滑架170上的可移动磁体。轴174插入到滑架170中的中空圆筒中，并且在壳体102中垂直于图 8的纸面延伸。FPC175为布线部分提供控制信号、将被记录在盘104中的
信号以及功率，并且接收从盘104再现的信号。臂176是铝刚性体，并且在其顶部具有钻孔。悬架179经由钻孔和底 板178附接到臂176。底板178用于将悬架179附接到臂176，并且包括焊接部分和轮轴 178a。焊接部分与悬架179激光焊接。轮毂178a是与臂176套接的部分。悬架179用于支撑磁头部分120，并且用于向磁头部分120施加弹性 力以抵靠磁盘104，并且例如是不锈钢悬架。悬架179具有弯曲部179a和 负载梁179b，所述弯曲部179a悬臂支撑磁头部分120，并且负载梁179b 被连接到底板178。负载梁179b在其中央具有弹性部件，以在Z方向上施 加足够的压力。负载梁179b经由所谓凹座(dimple)的突起(称为枢轴或 另一名称)接触弯曲部179a，使得浮动表面125跟随盘104的翘曲和膨 胀，并且其总是与盘表面平行。磁头部分120被设计为轻柔地扎入凹部， 并且围绕凹部转动。悬架179还支撑经由引线等连接到磁头部分120的布 线部分。悬架179安装有悬架衬底180，悬架衬底180电连接到磁头部分 120，如图11所示。悬架衬底180电连接到头122和FPC 175，并且发送 感应电流(读电流)，写信息，以及读信息。悬架衬底180在焊接部分 179c在磁头部分120被安装到其上的表面上与悬架179焊剂或固定到悬架 179上。悬架衬底180包括底部181，转动部分182，长尾183，在长尾183的 末端的接合端部分184，以及连接到接合端部分184和FPC 175的主端部 185。底部181的一端为连接到磁头部分120的布线部分(没有示出)，并 且底部181的另一端位于悬架179和底板178之间的边界附近。底部181 从磁头部分120沿悬架179的中心线在平行于底板178的纵向上延伸。转动部分182从底部181的端部向臂的外侧，即，在垂直于纵向的水 平方向上转过90度。转动部分182的另一端在臂176的侧表面上转过90 度。长尾183开始于转动部分182的另一端，并且经由接合端部分184结 束于与FPC 175的连接部分，或者主端部分185，沿臂176的侧表面延 伸。包括长尾183的悬架衬底180经由诸如聚酰亚胺的绝缘层在衬底上设 置有布线图案。衬底由例如SUS制成，并且刚度很高，或者其基本上是刚 性的。因此，本实施例使用具有长尾183的长尾悬架，其延伸电连接到头并 且设置在悬架表面上的悬架衬底，由此悬架衬底的端部直接连接到作为预 放大器固定到滑架上的FPC。长尾悬架将传统的主干FPC (其将主FPC连 接到悬架板)与用于阻抗匹配的悬架衬底集中。端部分184和185与绕长尾183的纵向弯曲90度后的主FPC 175焊 接。端部分185具有用于头122的一对记录用端子和一对再现用端子。另 一实施例的端部分185还具有一对用于浮动量控制的端子。在HDD 100的操作中，心轴电机106旋转盘104。与每一个盘104的 旋转相关空气流被引入盘104和滑块121之间，形成精细的空气膜，并由 此产生使得滑块121能够在盘表面上浮动的浮力。悬架179向滑块121施 加沿与滑块121的浮力相反的方向的弹性压力。结果，形成浮力和弹性力 之间的平衡。浮力和弹性力之间的平衡使得磁头部分120与盘104间隔一定的距 离。接着，在头寻找盘104上的目标轨道过程中，滑架170绕轴174旋 转。在写操作时，通过界面来自诸如PC的主机(没有示出)数据被调 制，并且被供应到感应头装置130。由此，感应头装置130将数据写入到 目标轨道上。在写操作中，向MR头装置140供应预定的感应电流，并且 从盘104上的目标轨道上读所期望的信息。本实施例选择可耐受外部负 载、稳定HDD100的读操作的MR头装置140。此外，本发明不限于这些优选的实施例，并且在不偏离本发明的范围 的情况下可以进行各种变化和修改。例如，除了磁头之外，本发明还适用 于磁传感器，诸如检测位移和角度、读取磁卡以及识别用磁性墨水印刷的 纸质票据的磁电位计。
权利要求
1.一种用于检测其中磁记录部分和磁再现部分彼此靠近的磁读/写头的方法，所述方法包括如下步骤以大于所述磁记录部分的正常磁记录操作的负载执行磁记录操作；并且在以所述负载进行的所述磁记录操作之后，检测所述磁再现部分。
2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述检测步骤检测当恒定电流流 过所述磁再现部分时所述磁再现部分的电压。
3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述负载为使大于额定电流的电 流流过所述磁记录部分。
4. 如权利要求1所述的方法，其中，所述负载为以最大的写频率连续 地写。
5. 如权利要求l所述的方法，其中，所述负载为对于将由所述磁读/写 头进行记录和再现的磁记录介质的至少一圈进行连续地写。
6. 头的读装置的测试方法，所述头包括从盘读信息的所述读装置和在所述盘中写信息的写装置，所述测试方法包括如下步骤在所述头被安装 到存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加负载的同时，检测所 述读装置的读特性。
7. —种用于制造包括头的存储设备的方法，所述头包括从盘读信息的读装置和在所述盘中写信息的写装置，所述方法包括如下步骤在所述头被安装到所述存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置 施加负载的同时，检测所述读装置的读特性；确定由所述检测步骤检测到的所述读装置的读特性是否落入容许范围；并且选择具有落入所述容许范围的读特性的所述读装置作为将被安装到所 述存储设备上的候选件。
8. 如权利要求7所述的制造方法，其中，所述检测步骤将流过所述写 装置的电流的大小、所述电流的频率和写的次数中至少之一，设定为大于用于实际将信息写入盘中的实际使用模式中的最大值的值。
9. 一种用于制造包括头的存储设备的方法，所述头包括从盘读信息的 读装置和在所述盘中写信息的写装置，所述方法包括第一检测步骤，所述第一检测步骤在所述头被安装到所述存储设备上 之前，在所述写装置没有向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置 的读特性；第二检测步骤，所述第二检测步骤在所述头被安装到所述存储设备上 之前，在所述写装置向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置的读特性；确定由所述第二检测步骤检测出的所述读装置的读特性相对于由所述 第一检测步骤检测出的所述读装置的读特性的劣化是否落入容许范围；并 且选择具有落入所述容许范围的读特性的所述读装置作为将被安装到所 述存储设备上的候选件。
10. 如权利要求7或9所述的制造方法，其中，所述负载是磁负载或 热负载。
11. 如权利要求9所述的制造方法，其中，所述第二检测步骤将流过 所述写装置的电流的大小、所述电流的频率和写的次数中至少之一，设定 为大于用于实际将信息写入盘中的实际使用模式中的最大值的值。
12. —种头的测试设备，所述头包括从盘读信息的读装置和在所述盘 中写信息的写装置，所述测试设备包括第一模式，用于在所述头被安装到所述存储设备上之前，在所述写装 置没有向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置的读特性；第二模式，用于在所述头被安装到所述存储设备上之前，检测所述写 装置的写特性；禾口第三模式，用于在所述头被安装到所述存储设备上之前，在所述写装 置向所述读装置施加负载的情况下检测所述读装置的读特性。
13. 如权利要求12所述的测试设备，还包括控制器，所述控制器确定 在所述头被安装到所述存储设备上之前，在所述写装置向所述读装置施加 负载的情况下所述读装置的读特性相对于在所述写装置没有向所述读装置 施加负载的情况下所述读装置的读特性的劣化是否落入容许范围。
全文摘要
本发明公开了一种用于检测其中磁记录部分和磁再现部分彼此靠近的磁读/写头的方法，所述方法包括如下步骤以大于所述磁记录部分的正常磁记录操作的负载执行磁记录操作；以及在以所述负载进行的所述磁记录操作之后，检测所述磁再现部分。
文档编号G11B5/455GK101154389SQ20071014202
公开日2008年4月2日 申请日期2007年8月20日 优先权日2006年9月28日
发明者远藤敏彦 申请人:富士通株式会社