专利名称：双光束多阶存储光盘的制作方法
技术领域：
本实用新型属于髙密度光存储领域，利用目前的硬件设备实现红光的髙 密度光存储，改变了以往的二值化存储方式(即在一个数据单元上仅记录两种 状态)，并且提出了一种新的多阶光存储方案，即利用双光束在原来数据单元 上产生两个较窄的光斑，借此，在一个数据单元上可以存储四种状态，从而提 升了光盘的存储容量，在不考虑编码和格式的情况下，单面单层存储容量可以 达到11G以上。
背景技术：
传统的提髙光存储容量的方式主要是减小信息符尺寸和增加存储的维数。 但是他们都没有改变传统的二值化存储方式，即在一个数据单元仅记录两种状 态。多阶存储技术是借助多阶编码技术将多于两个的状态记录在一个数据单元 中，也就是说，利用多阶技术使光盘存储容量在保持原有纪录符尺寸和记录单 元数量的情况下得到大幅提髙。目前研究比较广泛的多阶存储方式有坑深调制在这种多阶只读光盘中，信息坑的宽度固定，信息坑的深度 具有M种不同的可能，代表着不同的阶次。根据光盘读出的衍射理论，对于 不同深度的信息坑，其读出光在光电探测器上呈现不同光强，从而实现多阶坑 深调制。这种方式的缺点是检测系统过于复杂，难以实现小型化和实用化而 且制造盘片的工艺基本采用了 MEMS路线，应用于大批量生产难度较大。信息坑长度调制Sony公司研究了一种利用信息坑边沿相对于固定时 钟的变化来存储信息的多阶技术，实际上是利用信息坑长度的变化实现多阶光 存储效果。Philips公司于2001年提出了一种LML (Limited Multi-Level)多阶光存储技术。LML多阶技术是在较长的信息坑(或岸)上加入一些"扰动"，稍 微改变信息坑(或岸)的形状使其RF信号降低，从而实现多阶光存储。本实用新型采用的通过现有的双光束母盘刻录设备能在一个数据单元上 刻录两个信息坑从而产生(00， 01, 10， 11)四种编码来实现多阶存储，增大 了光盘的存储容量。发明内容本实用新型目的在于提出一种双光束多阶存储光盘，利用双光束能在母盘 的一个记录单元上产生两个光斑的原理，然后对这两个光斑的有无进行编码 (00， 01， 10, 11),从而实现了多阶光存储，提高了存储容量，其单面单层的 容量可达IIG。本实用新型的技术方案是 一种双光束多阶存储光盘，其特征在于将原 DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T 14T，最短信息坑长度3T为0.4〃w，宽度0.2 0.3//附，孪生信息坑间距0.3 0.4//;n，道间距为0.74//w。通过这两个光斑的有无来确定这个数据单元的状态，由于状态数为4，故一个数据单元的存储量由DVD的lbit变为 2bit。有益效果本实用新型用两个较细的在弧线方向上并列的信息坑代替原有 的单信息坑，目前DVD信息坑宽度为0.4/zw，本实用新型光盘的信息坑宽度为0.2 0.3//附，最短信息坑长度3T为0.4;/m，两个孪生信息坑之间的间距控制在0.3 0.4//附，信道间距为0.74/zm。通过两个孪生信息坑的有无进行编码(00, 01, 10, 11)，这样，在不改变硬件参数的条件下可以将存储容量扩大， 单面单层容量可达11G(不考虑编码效率和格式效率)，另外，读取速度也会加 快。
1.图1为目前DVD光盘信息坑示意图。2.图2为本实用新型实施例的双光束多阶存储光盘信息坑示意图。 图中，L:信息坑长度，D:道间距，W:信息坑宽度，W:孪生信息坑 间距，d:相邻信息轨道信息坑间距。
具体实施方式
参见图1和图2。本实用新型实施例的双光束多阶存储光盘，将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑光斑变为两个孪生信息坑光斑，信息坑长度1^0.4//m,信息坑宽度W-0.3/^,孪生信息坑间距w=0.3//m,道间距为D-0.74^m。通过这两个光斑的有无来确定这个数据单元的状态，由于状态数 为4,故一个数据单元的存储量由DVD的lbit变为2bit。其制作工艺如下-1. 母盘编码由于采用了多阶技术，故必须使用专门的母盘编码设 备，例如采用多阶游程编码技术，并综合考虑编码效率等因素，以及采 用新的调制技术，这必须在新的母盘编码设备上给予实现。2. 母盘刻录利用现有的母盘双光束刻录设备，但是必须调整两束光 的刻录位置，根据编码规则对上述编码后所得到的数据流进行刻录。必 须严格控制刻录光强，控制两个孪生信息坑的宽度。3. 母盘制作利用现有的母盘制作设备和工艺流程。需耍严格控制或 者调整的是显影时间，也是为了控制信息坑的宽度。4. 盘片制作利用现有的DVD盘片制作设备和工艺流程。5. 信息读取由于采用了完全不同的编码方式，故在信息读取时也要 完全采用与之对应的解码方式。由于本实用新型采用的方案为双光束多 阶技术，故在读取时相对于坑深和坑长的调制技术的误码率会降低不 少，而且可以采用传统的过零检测。
权利要求1.一种双光束多阶存储光盘，其特征在于将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。
专利摘要一种双光束多阶存储光盘，其特征在于将原DVD盘一个数据单元上的一个信息坑变为两个孪生信息坑，两个孪生信息坑长度3T～14T，最短信息坑长度3T为0.4μm，宽度0.2～0.3μm，孪生信息坑间距0.3～0.4μm，道间距为0.74μm。本实用新型用两个较细的在弧线方向上并列的信息坑代替原有的单信息坑，通过两个孪生信息坑的有无进行编码(00，01，10，11)，这样，在不改变硬件参数的条件下可以将存储容量扩大，单面单层容量可达11G(不考虑编码效率和格式效率)，另外，读取速度也会加快。
文档编号G11B7/007GK201111894SQ200720086709
公开日2008年9月10日 申请日期2007年8月27日 优先权日2007年8月27日
发明者李伟权, 李曹建, 昊 阮 申请人:阮 昊;李伟权