专利名称：电流检测方法
技术领域：
本发明涉及一种检测方法，尤指一种用于一次可编程只读存储器的电流检测方法。
背景技术：
只读存储器(Read-Only Memory, ROM)是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其内所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。只读存储器所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。一次可编程只读存储器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)为只读存储器中的一种，其只能写入一次。为了了解存储器中存储数据的情况，有必要提供一种可以检测出存储器中是否存储数据的电流检测方法，而传统的电流检测方法往往较复杂。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种用于一次可编程只读存储器的电流检测方法。一种电流检测方法，用于检测一存储单元中的数据存储情况，其包括以下步骤一检测电流输入端与一基准电流端分别输入一电流；—第一开关元件读取所述检测电流输入端的电流，一第二开关元件读取所述基准电流端的电流；所述第一开关元件与所述第二开关元件将读取的电流转换为电压，并传送至一比较器；及所述比较器输出一用于判断所述存储单元中是否存储数据的电压信号。相对现有技术，本发明电流检测方法根据输出的电平高低来判断存储器中是否存储数据，简单方便。
图1为本发明电流检测方法较佳实施方式所使用的电流检测电路的电路图。图2为本发明电流检测方法较佳实施方式的流程图。
具体实施例方式请参阅图1，本发明电流检测方法较佳实施方式所使用的一电流检测电路包括一检测电流输入端Idet、一基准电流端IKEF、一与该检测电流输入端Idet相连的第一开关元件、 一与该基准电流端Ikef相连的第二开关元件、一运算放大器0ΡΑ、一比较器CMP、一基准电压端Vkef、一输出端Vott及一接地端GND。其中，该检测电流输入端Idet与一存储器的一存储单元相连接。在本实施方式中，该第一开关元件为一第一场效应管Μ1，该第二开关元件为一第二场效应管M2，且第一场效应管Ml及第二场效应管M2均为N型场效应管(NMOQ。在其他实施方式中，开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的其它开关元件或电路。该电流检测电路的具体连接关系如下该检测电流输入端Idet与该第一场效应管 Ml的漏极、该运算放大器OPA的一正相输入端及该比较器CMP的一反相输入端相连，该基准电流端Ikef与该第二场效应管M2的漏极及该比较器CMP的一正相输入端相连。该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2的源级共同连接该接地端GND。该运算放大器OPA的一反相输入端连接该基准电压端Vkef，该运算放大器OPA的一输出端连接该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2的栅极。该比较器CMP的一输出端连接该输出端VQUT。该运算放大器OPA使得该第一场效应管Ml的漏极电压与该基准电压端Vkef的电压相等，为存储单元提供了一个合适的电压偏置，同时该运算放大器OPA的输出端连接该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2的栅极，使得第一场效应管Ml与第二场效应管M2成为镜像关系，为第一场效应管Ml与第二场效应管M2提供了合适的电压偏置。该第一场效应管Ml用于读取该检测电流输入端Idet的电流大小，该第二场效应管M2用于读取该基准电流端Ikef的电流大小。当存储单元中存储有数据时，则该检测电流输入端Idet的电流大小将大于该基准电流端Ikef的电流大小；当存储单元中没有存储数据时，则该检测电流输入端Idet 将无电流流过或该检测电流输入端Idet的电流大小小于该基准电流端Ikef的电流大小。请参阅图2，本发明电流检测方法较佳实施方式包括以下步骤步骤一该检测电流输入端Idet与该基准电流端Ikef分别输入一电流。步骤二 该第一场效应管Ml读取该检测电流输入端Idet的电流大小，且该第二场效应管M2读取该基准电流端Ikef的电流大小。步骤三该第一场效应管Ml将读取到的电流值转换为对应的电压值传送至该比较器CMP的反相输入端，该第二场效应管M2将读取到的电流值转换为对应的电压值传送至该比较器CMP的正相输入端。步骤四该比较器CMP输出一用于判断存储器的存储单元中是否存储数据的电压信号；当该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2读取到该检测电流输入端Idet的电流大小大于该基准电流端Ikef的电流大小时，则该比较器CMP的反相输入端的电压大于正相输入端的电压，从而使得该比较器CMP的输出端输出一低电平电压至该输出端Vott，从而证明存储器的存储单元中存储有数据；当该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2读取到该检测电流输入端Idet的电流大小小于该基准电流端Ikef的电流大小时，则该比较器CMP的反相输入端的电压小于正相输入端的电压，从而使得该比较器CMP的输出端输出一高电平电压至该输出端VOT，从而证明存储器的存储单元中没有存储数据。该电流检测方法根据输出端Vot输出的电平高低来检测存储器中是否存储数据， 检测速度较快、功耗较低，且简单方便。
权利要求
1.一种电流检测方法，用于检测一存储单元中的数据存储情况，其包括以下步骤一检测电流输入端与一基准电流端分别输入一电流；一第一开关元件读取所述检测电流输入端的电流，一第二开关元件读取所述基准电流端的电流；所述第一开关元件与所述第二开关元件将读取的电流转换为电压，并传送至一比较器；及所述比较器输出一用于判断所述存储单元中是否存储数据的电压信号。
2.如权利要求1所述的电流检测方法，其特征在于所述第一开关元件为一第一场效应管，所述第二开关元件为一第二场效应管。
3.如权利要求2所述的电流检测方法，其特征在于所述第一场效应管的漏极连接所述检测电流输入端，所述第二场效应管的漏极连接所述基准电流端，所述第一场效应管与所述第二场效应管的栅极共同连接一运算放大器，所述第一场效应管与所述第二场效应管的源极共同连接一接地端。
4.如权利要求3所述的电流检测方法，其特征在于所述运算放大器的一反相输入端连接一基准电压端，所述运算放大器的一正相输入端及所述第一场效应管的漏极共同连接所述检测电流输入端，所述运算放大器的一输出端连接所述第一场效应管与所述第二场效应管的栅极。
5.如权利要求4所述的电流检测方法，其特征在于所述比较器的一反相输入端、所述第一场效应管的漏极及所述运算放大器的正相输入端共同连接所述检测电流输入端，所述比较器的一正相输入端及所述第二场效应管的漏极共同连接所述基准电流端。
6.如权利要求5所述的电流检测方法，其特征在于所述第一场效应管将读取到的电流转换为对应的电压值传送至所述比较器的反相输入端，所述第二场效应管将读取到的电流转换为对应的电压值传送至所述比较器的正相输入端。
7.如权利要求6所述的电流检测方法，其特征在于当所述第一场效应管与所述第二场效应管读取到所述检测电流输入端的电流大小大于所述基准电流端的电流大小时，所述比较器的反相输入端的电压大于正相输入端的电压，所述比较器的输出端输出一低电平电压信号，则所述存储单元中存储有数据。
8.如权利要求6所述的电流检测方法，其特征在于当所述第一场效应管与所述第二场效应管读取到所述检测电流输入端的电流大小小于所述基准电流端的电流大小时，所述比较器的反相输入端的电压小于正相输入端的电压，所述比较器的输出端输出一高电平电压信号，则所述存储单元中没有存储数据。
全文摘要
一种电流检测方法，用于检测一存储单元中的数据存储情况，其包括以下步骤一检测电流输入端与一基准电流端分别输入一电流；一第一开关元件读取所述检测电流输入端的电流，一第二开关元件读取所述基准电流端的电流；所述第一开关元件与所述第二开关元件将读取的电流转换为电压，并传送至一比较器；及所述比较器输出一用于判断所述存储单元中是否存储数据的电压信号。该电流检测方法检测速度较快、功耗较低，且简单方便。
文档编号G11C29/50GK102314951SQ201010213788
公开日2012年1月11日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者何忠波 申请人:四川和芯微电子股份有限公司