专利名称：一种提高eeprom良率和读取可靠性的方法
技术领域：
本发明涉及EEPROM检测领域，特别涉及一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法。
背景技术：
在现有的非易失存储器中，EEPROM因其可按位操作、数据保持时间长、擦写次数多而被广泛使用，尤其适用于要求信息经常更新和高可靠的场合。EEPROM生产时工艺相对复杂，控制难度相对较大。事实上，在同一晶元乃至同一芯片的不同位置，无论怎样控制工艺， 其各种参数都会有细微变化，并呈正态分布。对任何单个芯片而言，如果存在哪怕是单个 EEPROM单元失效，那么该芯片就是废品。这就要求通过合理的设计和筛选，来克服参数在一定范围内的变化，使其不会对出厂产品的品质产生影响。目前对EEPROM的检测主要通过比较法进行，在进行测试时，将EEPROM上的所有存储单元均与同一位线(bitline)连接，同一位线上的各EEPROM单元在同一时刻只能有一个被选中。当所选中的单元上存储“0”时，EEPROM的阈值电压为负值，当其栅与读取电源连接时，其所在支路有电流流过；而当所选中的单元上存储“1”时，EEPROM的阈值电压大于所加的读取电源，EERPOM单元所在支路的电流近似为零。设置介于“0”和“ 1 ”所对应EEPROM 单元电流的中间值作为一个参考单元电流，这样通过实际EEPROM单元与该参考单元电流的比较确定该EEPROM单元是否有效。而事实上，由于EEPROM器件本身会存在漏电，当EEPROM单元存储“ 1 ”，其EERPOM 单元所在支路可能存在漏电电流，特别是个别单元的漏电电流可能会影响读出值的正确性；而在EEPROM单元存储“0”时，由于工艺的不均勻性，其阈值电压的大小不一，其个别单元的“0”值读出的正确性也可能会受到影响。这样如果将参考单元电流简单的设定为介于 “0”和“ 1 ”所对应EEPROM单元电流的中间值则可能会对EEPROM良率和读取可靠性造成影响。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一简单易行、效果显著、可有效提高EEPROM良率和读取可靠性测试方法。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法，其特征在于，其包括如下步骤1)在所测试晶元的不同位置，选取不同分组，检测各分组EEPROM单元在存储“0” 及“1”时的支路电流，并以测得的上述支路电流值实际分布情况作为参考确定参考单元电流区间；2)选取参考单元电流区间的最小值采用电流比较法来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值采用电流比较法来测试EEPROM的“0”状态；3)以参考单元电流区间最大值和最小值的中间值作为EEPROM的参考单元电流的出厂设定值，对步骤幻中判定有效的EEPROM分别采用电流比较法对该EEPROM的“1”状态和“0”状态进行测试来作为最终的判定结果。优选的，在步骤幻、3)中的电流比较法采用灵敏放大器进行比较，所述灵敏放大器包括要检测的EEPR0M、参考单元、第一电流源、第二电流源及比较放大器，第一电流源分别与EEPROM及比较放大器的同相端连接，所述第二电流源分别与参考单元及比较放大器的反相端连接，根据比较放大器输出结果即可判定要检测的EEPROM单元是否有效。优选的，所述参考单元的电流值可调节。上述技术方案具有如下有益效果该方法通过确定参考单元电流区间来设定参考单元电流的值，从而实现对参考单元电流值的平移，克服了由于参考单元电流设定固定值而带来的可能使EEPROM单元在测试中出现大批失效的问题，提高了测试良率；同时该方法通过首先采用选取参考单元电流区间的最小值来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值来测试EEPROM的“0”状态”的步骤可先筛选出少数失效的EEPROM单元，从而预留出读取EEPROM “ 1 ”状态和“0”状态的检测余量，提高了出厂后EEPROM读取的可靠性。
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。该提高EEPROM良率和读取可靠性的方法在进行实施时，首先在所要测试晶元的不同位置，选取不同分组，检测各分组EEPROM单元在存储“0”及“ 1”时的支路电流，并以测得的上述支路电流值实际分布情况作为参考确定参考单元电流区间。然后选取参考单元电流区间的最小值采用电流比较法来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值采用电流比较法来测试EEPROM的“ 0 ”状态。上述电流比较法采用灵敏放大器进行比较，该灵敏放大器包括要检测的EEPR0M、 参考单元、第一电流源II、第二电流源12及比较放大器1，EEPR0M包括数个EEPROM单元，每个EEPROM单元由管M3、M5组成。参考单元的结构与EEPROM单元的结构相同，其由管M4、 M6组成，参考单元采用与EEPROM单元相同的结构可使参考单元与EEPROM单元的工作环境更加的相似，从而提高检测的精确性，该参考单元可根据需要进行调节。第一电流源Il分别与EEPROM单元及比较放大器1的同相端连接，第二电流源12分别与参考单元及比较放大器1的反相端连接，这样根据比较放大器1输出结果即可判定要检测的EEPROM单元是否有效。在进行测试时，每个EEPROM单元均与同一位线(bitline)连接，同一位线上的各 EEPROM单元在同一时刻只能有一个被选中，当所选中的单元上存储“0”时，EEPROM的阈值电压为负值，当其栅与读取电源连接时，其所在支路有电流流过；而当所选中的单元上存储 “1”时，EEPROM的阈值电压大于所加的读取电源，EERPOM单元所在支路的电流近似为零。以选取参考单元电流区间的最小值采用电流比较法来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值采用电流比较法来测试EEPROM的“0”状态，这样就可先筛选出少数失效的EEPROM单元，从而预留出读取EEPROM “ 1，，状态和“0”状态的检测余量，提高了出厂后 EEPROM读取的可靠性。最后以上述参考单元电流区间最大值和最小值的中间值作为EEPROM的参考单元电流的出厂设定值，对经上述筛选后判定有效的EEPROM分别采用电流比较法对该EEPROM 的“1”状态和“0”状态进行测试，以此来作为最终的判定结果。该方法通过确定参考单元电流区间来设定参考单元电流的值，从而实现对参考单元电流值的平移，克服了由于参考单元电流设定固定值而带来的可能使EEPROM单元在测试中出现大批失效的问题，提高了测试良率。为了便于理解，现举例对本发明方法做进一步的描述首先在所测试晶元的不同位置，选取不同分组，检测各分组EEPROM单元在存储“0”及“1”时的支路电流，并以测得的上述支路电流值实际分布情况作为参考确定参考单元电流区间；然后以选取参考单元电流区间的最小值a作为参考单元电流采用电流比较法来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值b作为参考单元电流采用电流比较法来测试EEPROM的“0”状态，从而可筛选掉一部分失效的EEPROM单元。最后以参考单元电流区间最大值b和最小值a的中间值(a+b)/2作为EEPROM的参考单元电流的出厂设定值。以上对本发明实施例所提供的一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法，其特征在于，其包括如下步骤1)在所测试晶元的不同位置，选取不同分组，检测各分组EEPROM单元在存储“0”及 “1”时的支路电流，并以测得的上述支路电流值实际分布情况作为参考确定参考单元电流区间；2)选取参考单元电流区间的最小值采用电流比较法来测试EEPROM的“1 ”状态，选取参考单元电流区间的最大值采用电流比较法来测试EEPROM的“ 0 ”状态；3)以参考单元电流区间最大值和最小值的中间值作为EEPROM的参考单元电流的出厂设定值，对步骤2)中判定有效的EEPROM分别采用电流比较法对该EEPROM的“ 1 ”状态和 “0”状态进行测试来作为最终的判定结果。
2.根据权利要求1所述的一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法，其特征在于 在步骤幻、3)中的电流比较法采用灵敏放大器进行比较，所述灵敏放大器包括要检测的 EEPR0M、参考单元、第一电流源、第二电流源及比较放大器，第一电流源分别与EEPROM及比较放大器的同相端连接，所述第二电流源分别与参考单元及比较放大器的反相端连接，根据比较放大器输出结果即可判定要检测的EEPROM单元是否有效。
3.根据权利要求2所述的一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法，其特征在于所述参考单元的电流值可调节。
全文摘要
本发明公开了一种提高EEPROM良率和读取可靠性的方法，该方法通过确定参考单元电流区间来设定参考单元电流的值，从而实现对参考单元电流值的平移，克服了由于参考单元电流设定固定值而带来的可能使EEPROM单元在测试中出现大批失效的问题，提高了测试良率；同时该方法通过首先采用选取参考单元电流区间的最小值来测试EEPROM的“1”状态，选取参考单元电流区间的最大值来测试EEPROM的“0”状态”的步骤可先筛选出少数失效的EEPROM单元，从而预留出读取EEPROM“1”状态和“0”状态的检测余量，提高了出厂后EEPROM读取的可靠性。
文档编号G11C29/08GK102163461SQ20111011229
公开日2011年8月24日 申请日期2011年5月3日 优先权日2011年5月3日
发明者万海军, 韩兴成, 韩雨亭 申请人:苏州聚元微电子有限公司