母盘制作策略调整方法和盘制造方法

专利名称：母盘制作策略调整方法和盘制造方法
技术领域：
本公开涉及用于调整对于母盘的记录(曝光)的写入策略的方法(母盘制造策略调整方法)。此外，本公开涉及制造基于母盘创建的光盘记录介质的方法。
背景技术：
例如，在作为所谓R0M(只读存储器)型的诸如⑶(致密盘)、DVD (数字多功能盘)、或BD(蓝光盘注册商标)的光盘记录介质中，存在使用凹坑和平台的组合的信息记录。也就是说，存在使用具有作为凹坑的凹入部分和作为平台的凸起部分的信息图案的信 息记录。在制造诸如这种的ROM型光盘记录介质时，首先，通过对于形成光敏层的光母盘执行的激光照射来执行信息记录。然后，在对于已经以此方式执行记录的光母盘通过显影处理创建其中已经形成凹坑的完成记录的母盘，并且创建转印在完成记录的母盘上形成的凹坑图案(因此，记录信息)的压模之后，通过由使用压模的注入成型等形成具有再现的记录信息的基底，并且通过对于基底的反射膜的沉积等，制造光盘记录介质。近年来，在用于制造诸如这种的光盘记录介质的方法中，已经在记录处理(母盘制作处理)中采用PTM (相变母盘制作)方法，以便支持光盘记录介质中更高的记录密度。其称为所谓的热敏成像法(thermography)。在PTM方法中，无机光刻胶用作配置光敏层的光刻胶。半导体激光用作记录激光。在此，在没有采用PTM方法的现有技术的方法中，有机光刻胶用作光敏层。在此情况下，使用激光曝光的部分保持为凹坑，因为光刻胶的曝光是所谓的光记录。也就是说，激光光斑直径实际上对凹坑宽度具有影响。另ー方面，在PTM方法中，无机光刻胶的特性通过伴随激光的照射施加的热量改变(也就是说，化学特性改变)，并且形成记录标记。在PTM方法中使用的无机光刻胶在热量集中的部分展现化学特性的显著改变，并且形成的凹槽的尺寸不宣接受激光光斑直径的影响。也就是说，由于这一点，在PTM方法中可能比在现有技术的方法中执行更加精确的凹槽形成。然而，即使在根据记录信号执行激光照射以便制造母盘的情况下，也需要设置适当的写入策略。例如，对于用于制造具有位长度为2T到9T(其中T是信道时钟)的光盘的母盘，在母盘的记录期间使用激光照射执行对应于2T到9T凹坑的曝光。此时，对于2T到9T的每个位长度，通过适当地调整策略模式(施加到激光发射部分的记录驱动波形)，可能实现最终制造的光盘的凹坑行的广品质量的提闻。此时，在母盘的记录处理中采用PTM方法的情况下，能够执行在以此方式的母盘记录期间的策略调整，而不执行对于母盘的显影处理(凹坑的形成处理)。也就是说，如日本未审专利申请公开No. 2009-64542所示，在采用PTM方法的情况下，可能在因为在无机光刻胶中激光照射的部分中存在变形(弯曲)，所以凹下部分没有由于显影处理而形成为凹坑的情况下，使用利用再现功率的激光照射读出在信息部分和其它部分中记录的信号。也就是说，可能基于以此方式读出的信号，执行根据策略调整的评估值的測量。因为在用于策略调整的评估值的測量中不执行显影处理之后的处理是足够的，所以可能显著地改进操作效率。然而,需要改进作为最终产品的光盘而不是母盘的信号质量。通常地，即使从母盘测量的评估值调整为最佳值，从光盘测量的评估值也可能不一定变为最佳值。这是因为从母盘的形成到光盘的创建存在诸如压模形成、基底形成和沉积的许多处理，由于处理中的各种原因导致在母盘和光盘上形成的位长度中可能存在差别。由于这点，在由于上述日本未审专利申请公开No. 2009 -64542中描述的方法而实现策略调整操作的效率的情况下，预先使用实验、计算等确定评估值，其中从光盘测量的评估值设为作为在策略调整中使用的评估值的目标的最佳值，而不是从母盘测量的评估值的最佳值，并且执行策略调整以便匹配以此方式确定的目标值。然而，在以上述方式在母盘和光盘之间出现的偏差的特性方面，预先优化以此方式从光盘测量的评估值的目标值的确定实际上非常困难。因此，为了使得实际上作为最终产品的光盘的信号质量合适，现实的是每次执行光盘的形成和其评估值的測量，基于光盘的评估值的測量结果执行母盘的策略调整。为了确认，将參照图8的流程图描述诸如这种母盘制作策略的调整方法的具体处理。首先，对于母盘执行记录(步骤SI)，并且基于记录之后的母盘创建光盘(步骤S2)。此后，执行对于已经创建的光盘的评估值的测量(步骤S3)，并且识别评估值是否在可允许范围内(步骤S4)。执行基于测量评估值的结果的母盘制作策略的调整，作为在评估值在可允许范围内的情况下的策略调整处理(步骤S5)。具体地，执行策略的调整，其中在步骤S3中测量的评估值是最佳值。在诸如这种的策略调整处理之后，从母盘记录(步骤SI)起再次执行处理。也就是说，由于此，重复策略的调整，直到从光盘测量的评估值在可允许范围内。根据上述方法，可能通过基于从光盘测量的评估值调整母盘制作策略，更可靠地制造闻质量的光盘。

发明内容
然而，在使用上述方法的策略调整的情况下，因为每次执行光盘的形成，所以策略调整的操作效率显著劣化。此外，对于策略调整，存在担心可能需要创建大量不能用作最终产品的光盘，并且可能促使母盘、压模和光盘的形成时材料的不必要消耗。希望通过实现形成用于策略调整的不需要光盘的次数的減少，实现母盘制作策略调整的操作效率的改进并且避免光盘形成时材料的浪费，同时实现避免作为最终产品的光盘的产品质量的降低。根据本公开的实施例，提出以下作为母盘制作策略调整方法。
也就是说，存在在设置预定写入策略的状态下，对于母盘执行第一记录。此外，存在执行评估值的第一測量，所述评估值是对于在执行第一记录时对于母盘记录的信号的信号质量的评估指示符。此外，存在基于在执行第一记录时已经执行记录的母盘，形成第一光盘记录介质。此外，存在对于在形成第一光盘时形成的光盘记录介质的记录信号，执行评估值的第二測量。此外，存在基于在执行第一測量时测量的评估值和在执行第二測量时测量的评估值的差別，对于母盘计算评估值的目标值。此外，存在调整在执行第一记录时设置的第一写入策略，使得对于母盘的评估值匹配目标值，在设置调整的写入策略的状态下，对于母盘执行记录，对于母盘的记录信号执行评估值的測量，执行确定已经测量的评估值是否是至少在目标值设为基准的情况下的预 定范围内的值的处理，直到能够在确定中获得肯定結果。根据本公开的另ー实施例，提出以下作为盘制造方法。也就是说，存在在设置预定写入策略的状态下，对于母盘执行第一记录。此外，存在执行评估值的第一測量，所述评估值是对于在执行第一记录时对于母盘记录的信号的信号质量的评估指示符。此外，存在基于在执行第一记录时已经执行记录的母盘，形成第一光盘记录介质。此外，存在对于在形成第一光盘时形成的光盘记录介质的记录信号，执行评估值的第二測量。此外，存在基于在执行第一測量时测量的评估值和在执行第二測量时测量的评估值的差別，对于母盘计算评估值的目标值。此外，存在调整在执行第一记录时设置的写入策略，使得对于母盘的评估值匹配目标值，在设置调整的写入策略的状态下，对于母盘执行记录，对于母盘的记录信号执行评估值的测量，并且执行确定已经测量的评估值是否是至少在目标值设为基准的情况下的预定范围内的值的处理，直到能够在确定中获得肯定結果。此外，存在基于在确定中获得肯定结果时设置的写入策略，在设置策略的状态下对于母盘执行第三记录，并且基于在执行第三记录时已经执行记录的母盘，形成第三光盘记录介质。在如上所述的本公开的实施例中，执行对于其中已经使用预定策略设置执行记录的母盘的评估值的测量(评估值的第一测量的执行)，基于已经执行记录(盘的第一形成)的母盘形成一次光盘记录介质，并且执行对于光盘记录介质的评估值的测量(评估值的第ニ测量的执行)。然后，基于对于母盘的评估值和光盘记录介质的评估值的差别，计算对于母盘的评估值的目标值(目标值的计算)。此后，执行母盘制作策略的调整，使得对于母盘的评估值匹配目标值，在设置调整的写入策略的状态下执行对于母盘的记录，执行对于母盘的记录信号的评估值的測量，并且执行确定已经测量的评估值是否至少是在目标值设为基准的情况下的预定范围内的值的处理，直到在确定中能够获得肯定结果(写入策略的第ー调整)。通过采用这样的序列，其中执行母盘制作策略的调整，使得通过执行直到以此方式(其中对于母盘的记录信号的评估值跟踪目标值)形成光盘记录介质一次，从母盘的评估值和光盘记录介质的评估值的差别计算母盘的评估值的目标值之后，评估值匹配目标值，可能将策略调整所必须的形成光盘记录介质的次数抑制为至少一次。也就是说，通过实现不必要的形成用于策略调整的光盘记录介质的次数的減少，可能实现母盘制作策略调整的操作效率的改进，并且避免根据光盘的形成的材料的浪费。此时，因为执行策略调整以反映策略调整中实际形成的光盘记录介质的评估值到这样的程度，所以可能提高光盘记录介质的信号质量。根据本公开的实施例，通过实现避免作为最终产品的光盘记录介质的产品质量的降低，并且实现不必要的形成用于策略调整的光盘记录介质的次数的減少，可能实现母盘制作策略调整的操作效率的改进，并且避免根据光盘的形成的材料的浪费。


图IA到IJ是用于描述用于制造光盘记录介质的处理的图；图2是图示母盘记录设备的配置示例的图；图3是用于描述根据实施例的母盘制作策略调整方法的概念的流程图；图4A和4B是用于描述基于差别的目标值计算序列的图；图5A和5B是用于描述母盘评估值的可靠性的降低的图；图6是作为其中码长度的掌握由于图案匹配而可能的评估部分的内部配置的示例的图；图7是用于描述具体母盘制作策略调整序列的流程图，该母盘制作策略调整序列包括用于改进母盘制作评估值的可靠性的处理和确认处理；以及图8是图示现有技术的母盘制作策略的具体序列的流程图。
具体实施例方式下面，将描述根据本公开的实施例。在此，将以下面的顺序执行描述。[I.盘制造序列][2.母盘记录设备配置示例][3.实施例的策略调整的概念][4.改进母盘评估值的可靠性][5.确认处理][6.具体策略调整方法][7.修改的示例][I.盘制造序列]首先，将使用图IA到IJ描述用于制造光盘记录介质的处理。在图IA到IJ中，作为用于制造光盘记录介质的处理，可能宽泛分类为母盘制造处理、记录处理(曝光序列)、显影处理、模型(压模)制造处理、或者记录介质制造处理。在此，说明书中所称的光盘记录介质指示具有盘形状的记录介质，其中通过光的照射读出记录信息。下面，光盘记录介质也可以简称为光盘。图IA图不由光母盘(下面简称为母盘(disc master)或母盘(master))配置的母盘形成基底100。首先，通过溅射方法在母盘形成基底100上均匀沉积(光刻胶层形成序列，图1B)从无机系统的光刻胶材料形成的无机光刻胶层101。由于此，首先，形成无机光刻胶母盘102 (预记录母盘)。在该示例中，作为其中制造母盘的母盘制作处理，使用无机系统的光刻胶材料执行利用PTM方法的母盘制作。此时，作为提供为光刻胶层101的材料，可以使用过渡金属的不完全氧化物。例如，作为具体的过渡金属，存在 Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、Ag 等。在此，不特别限制光刻胶层101的具体材料，只要该材料(由于伴随激光 照射的热反应，对于光敏感)能够所谓的热敏成像。在此，为了改进无机光刻胶层101的曝光灵敏度，可以在基底100和光刻胶层101之间形成预定的中间层99，其形状在图IB中图示。在任何情况下，如果沉积光刻胶层101以便暴露于基底100的上层上的外部部分，使得其能够根据曝光期间的激光光学照射感光，则是足够的。此外，在此情况下，作为母盘形成基底100，例如可以使用Si晶片基底，并且通过溅射执行上述光刻胶层101的沉积。在此情况下，DC或RF溅射用作沉积方法。接下来，曝光和光敏化对应于光刻胶层101的信号图案的选择性曝光(光刻胶层曝光处理，图1C)。在此，通过使用稍后将描述的母盘记录设备I执行该曝光处理(记录处理)。然后，通过光刻胶层101的显影(光刻胶层显影处理，图1D)形成其中形成预定凹凸图案的母盘103 (下面也称为显影后母盘103)。在光刻胶层显影处理中，作为具体显影方法，可能存在通过沉浸的浸溃方法，可替代地，在通过旋涂器旋转的母盘102上涂覆化学溶剂的方法等。对于显影液，例如，可以使用诸如TMAH(四甲基氢氧化铵)的有机碱性显影液，或者诸如KOH、NaOH、磷酸的无机碱性显影液。接下来，在用水冲洗如上所述形成的显影后母盘103之后，使用电铸槽制造金属母盘(电铸处理，图1E)。然后，在电铸之后，获得用于成型的压模104，其通过显影后母盘103和金属母盘的分离转印显影后母盘103的凹凸图案(图1F)。在此情况下，Ni用作上述金属母盘(压模104)的材料。在此，在执行图IE的电铸处理之前，可能通过执行显影后母盘103的表面的分离处理改进脱模特性，并且根据需要执行分离处理。对于脱模特性的改进足够的是例如对于显影后母盘103执行下述处理的任ー个。I)在加热到40到60°的碱性液中沉浸几分钟。2)在加热到40到60°的电解碱性液中沉浸几分钟的同时电解氧化。3)使用RIE等形成氧化物膜。4)使用沉积设备沉积金属氧化物膜。或者可替代地，可能通过对于选择为预定无机光刻胶材料的金属母盘具有更容易从模型脱离的氧成分比的合成物材料，实现脱模特性的改进。在此，在制造压模104之后，用水冲洗显影后母盘103，然后保持在干燥状态。可以根据需要重复制造希望数目的压模104。
接下来，通过使用压模104的注入成型从作为热塑树脂的聚碳酸酯形成树脂盘基底 105 (图 1G)。此后，分离压模104 (图1H)，并且通过树脂盘基底105的凹凸表面上诸如Ag合金的反射涂层106 (图II)和大约O. Imm的涂层厚度的保护涂层107 (图1J)的沉积，形成光盘。也就是说，由于此，获得通过使用凹凸图案存储信息的光盘记录介质。[2.母盘记录设备配置示例]图2示出使用PTM方法执行母盘制作的本示例的母盘记录设备I的配置示例。在母盘制作处理中，母盘记录设备I通过对于其中形成无机光刻胶101的预记录母盘102执行根据激光照射的热敏成像动作，执行记录标记的形成。在图2中，母盘记录设备I提供有作为拾取头10的虚线示出的配置。在拾取头10中，作为半导体激光器的激光光源11根据要制造的光盘记录介质的类型设置波长。在该示 例的情况下，对应于BD设置大约405nm的波长。在通过准直透镜102成为平行光之后，从激光光源11发射的激光被引导到偏振光束分束器14，其中光斑形状例如由变形棱镜13转换为圆形。然后，通过偏振光束分束器14透射的偏振分量通过λ/4波片15和扩束器16引导到物镜17，并且通过聚光物镜17照射到无机光刻胶母盘102上。如上所述，通过物镜17照射到母盘102的激光在母盘102的无机光刻胶101上连接焦点。通过无机光刻胶101吸收激光束，特别在照射部分的中心附近加热到高温的部分处出现结晶化。通过该动作，在无机光刻胶层101上形成光刻胶图案。在偏振光束分束器14中反射的激光照射在监视检测器19 (用于监视激光功率的光检测器)上。监视检测器19根据激光的接收光量(光强)输出光强监视信号SM。另ー方面，照射在无机光刻胶母盘102上的激光的返回光通过物镜17、扩束器16和λ /4波片15，并且到达偏振光束分束器14。在此，如之前在日本未审专利申请公开No. 2009-64542中所述，在采用PTM方法的情况下，可能通过无机光刻胶层101中曝光部分的转换，通过使用曝光部分和非曝光部分的差别读出记录信号。也就是说，在显影之前的阶段，可能读出记录信号。在此,如上所述到达偏振光束分束器14的激光的返回光由于λ /4波片15的向外路径和返回路径的两次通过，旋转偏振光表面90°，并且由偏振光束分束器14反射。由偏振光束分束器14反射的返回光通过光会聚透镜20和柱面透镜21在光检测器22的光接收面接收。光检测器22的光接收面例如提供有四个接收面，并且能够获得由于象散的聚焦
误差信号。在光检测器22的每个接收面，根据接收光量输出电流信号，并且电流信号提供到反射光计算电路23。反射光计算电路23将来自四个光接收面的每个的电流信号转换为电压信号，并且通过执行作为象散方法的计算处理生成聚焦误差信号FE。此外，还生成作为和信号的RF信号(母盘102的记录信号的再现信号)。如图所示，聚焦误差信号FE提供到聚焦控制电路24，并且RF信号提供到稍后将描述的评估部分25。聚焦控制电路24形成其中把持物镜17的致动器18的伺服驱动信号FS，以便能够基于聚焦误差信号FE在聚焦方向上移动。然后，通过致动器18基于伺服驱动信号FS在对于无机光刻胶母盘102分离的方向上驱动物镜17，执行聚焦伺服。无机光刻胶母盘102由主轴电动机8旋转驱动。在通过主轴伺服/驱动器5控制旋转速度的同时，旋转驱动主轴电动机8。由于此，无机光刻胶母盘102例如以预定线速度旋转。 通过滑动驱动器6驱动滑动器7，加载无机光刻胶母盘102，并且移动包括主轴结构的基部的整体。也就是说，通过在由滑动器7在径向移动的同时，使用上述光学系统，无机光刻胶母盘102在由主轴电动机8旋转的状态下曝光，以螺旋形状形成在无机光刻胶层101处形成的凹槽部分(凹坑行轨道)。通过传感器9检测无机光刻胶母盘102由于滑动器7的移动位置，也就是说，曝光位置(盘径向位置滑动器径向位置)。来自传感器9的位置检测信息SS提供到下面将描述的控制器2。评估部分25基于RF信号測量位置的预定评估值，该评估值是对于母盘102的记录信号的信号质量的评估指示符。在此，在本示例的情况下，作为上述评估值，測量记录信号中要作为凹坑的部分(由于显影剂变为凹下部分的部分)的长度，以及作为对于其位置的评估指示符的值。具体地，对于凹坑部分的读取边缘(前缘)位置和尾部边缘(后缘)位置的至少ー个执行评估值的测量。此外，通过对于每个凹坑长度(码长度)的分离分类执行该评估值。使用评估部分25对于每个码长度分离计算的评估值提供到控制器2。控制器2例如由微计算机配置，并且执行母盘记录设备I的总体控制。例如，通过执行对于主轴伺服/驱动器5的主轴旋转动作控制、使用滑动驱动器6的滑动器7的移动动作控制等，执行母盘102上记录位置的控制。此外，特别在本示例的情况下，执行图像显示，其中使用评估部分25的评估值的测量结果等显示在显示部分27的图的中央，并且此外，还基于来自操作部分26的操作输入信息执行基于来自用户(操作者)的指令的写入策略设置处理。记录波形生成部分3通过对于输入数据执行预定记录转换编码处理，获得记录转换码行，并且基于由控制器2指示的写入策略执行根据记录转换码行的记录波形的生成。激光驱动器4输入由记录波形生成部分3生成的记录波形(记录驱动信号)，并且驱动拾取头10中的激光光源11。激光驱动器4根据记录驱动信号施加光发射驱动电流到激光光源11。在此，对于激光驱动器4还从监视检测器19提供光强监视信号SM。激光驱动器4还能够基于光强监视信号SM和基准值的比较结果，执行激光发光控制。[3.实施例的策略调整的概念]实施例的母盘制作策略调整序列指用于确定优化为写入策略的策略的调整序列，在图I所述的光盘记录介质的制造过程中的母盘记录期间设置该写入策略。下面，将參照图3的流程图描述实施例的母盘制作策略调整序列的概念。
在图3中，首先，在步骤SlOl中，用预定策略执行母盘记录。也就是说，在使用母盘记录设备I设置预定策略的状态下，执行对于无机光刻胶母盘102的预定测试图案的记求。在此，作为上述预定策略，例如，在诸如初始策略的策略调整方面，设置预定确定的策略以便设为对应于初始母盘记录是足够的。能够使用经由图2所示的操作部分26的操作输入，执行在设置策略或开始记录时的指令。接下来，在步骤S102中，对于母盘执行目标T(T :信道时钟)的评估值的測量。也就是说，评估部分25对于预定码长度执行评估值的测量，该预定码长度预先确定为作为在步骤SlOl中在母盘102中记录的测试图案的记录信号中包括的每个码长度(长度Τ)中的评估值测量的目标。在此，存在对于以此方式由评估部分25对于母盘102的记录信号测量的评估值的评估值符号EV-M。接下来，在步骤S103中，基于记录之后的母盘形成盘。也就是说，基于记录之后的母盘102，通过如图I所示执行显影处理(图1D)到保护膜107的形成处理(图1J)，形成光盘记录介质。然后，接下来，在步骤S104中，执行对于盘的目标T的评估值的測量。也就是说，对于在步骤S103中形成的光盘，对于每个长度T执行包括在记录信号中的目标T的评估值的測量。使用对于光盘的评估设备而不是母盘记录设备I，执行步骤S104中的光盘的评估值的测量。在此，因为光盘的评估设备的配置是常识(对于边缘位置、码长度等測量评估值的设备)，所以在此将省略使用附图的描述。下面，在步骤S104中测量的对于光盘的评估值是评估值EV-D。接下来，在步骤S105中，计算评估值EV-M和评估值EV-D的差别D。可以通过操作者执行差别D的计算，或者可以通过将每个评估值EV的信息输入预定信息处理设备来计算。接下来，在步骤S106中，基于差别D计算对于母盘的评估值的目标值。在此，同样对于目标值的计算，可以通过操作者自己执行计算，或者可以通过将信息输入预定信息处理设备来计算。在此，将參照图4Α和4Β描述基于差别D的目标值的计算序列。图4Α图示对于母盘102中特定码长度的频率分布，并且图4Β图示对于相同码长度的频率分布，该分频分布是对于基于母盘102形成的光盘测量的。如上所述，在对于母盘的评估值测量结果和对于光盘的评估值测量结果中存在偏差。在图4Α和4Β中，示出这样的情况作为示例，其中母盘中的码长度的频率分布的中心(平均值)与其理想值显著偏差，并且光盘中的码长度的频率分布的中心与其理想值没有偏差到此程度。上述步骤S106中评估值EV-M和评估值EV-D的差别D的计算等价于图4所示的“D”部分的计算。也就是说，因为对于母盘测量的评估值能够取为与盘侧的评估值偏移偏差D，所以、作为使基于偏差D与理想值偏移的值(也就是说,使用偏差D施加校正的值)作为母盘制作策略调整中的目标而不是理想值作为目标的结果，可能实现在盘侧测量的评估值与理想值的匹配。具体地，例如，如果母盘的频率分布的中心与理想值偏差“1.0”，并且盘侧与理想值仅偏差“ O. 5”，则通过设置母盘的目标值为与理想值偏差“ O. 5”的值，可能实现盘侧的中心位置与理想值的匹配。

描述将返回图3。在基于步骤S106中的差别D执行目标值的计算之后，在步骤S107中调整策略以便匹配目标值。在此，关于对于母盘的记录，即使由于目标值的计算使得凹坑位置要移动的量清楚，也不必定明确确定策略要通过移动该量所调整的程度。例如，当移动前缘时，可能出现其效果移动后缘的显影，并且极难预先得到策略调整量和凹坑的实际移动量之间的关系。由于这些情况，在该示例中，使用所谓反复试验作为基础执行策略调整以匹配目标值，其中操作者输入对于从目标值估计的策略的指令到母盘记录设备1，測量由于此记录的信号的评估值，并且在从测量结果需要进ー步校正的情况下，在执行校正之后通过策略的指令的重置再次执行记录。具体地，在上述步骤S107中策略的调整以便匹配目标值之后(通过操作者的策略的指令的设置)，在步骤S108中在设置调整之后的策略的状态下执行母盘记录，并且此外，接下来在步骤S109中，測量目标T的评估值。然后，接下来，在步骤SllO中，计算与目标值的偏差。在此，对于以此方式在步骤S109中測量结果和目标值的偏差的计算，可以通过母盘记录设备I执行计算，或者可以基于在显示部分27中显示的測量结果的信息由操作者等执行计算。接下来，在步骤Slll中，识别在步骤SllO中计算的偏差是否在可允许的范围内。然后，识别已经计算的偏差量是否是预先设置的预定范围中的值。在步骤Slll中，在获得否定结果使得如上所述已经计算的偏差量不在可允许的范围内的情况下，序列返回步骤S107。由于此，执行从步骤S107到SllO的处理，也就是说，执行根据偏差量的策略的重新调整、使用重新调整之后的策略的母盘记录、评估值的测量、以及与目标值的偏差的计算，直到偏差量在可允许的范围内。换句话说，执行策略调整，使得在目标值作为基准情况下，使母盘的评估值在预定可允许的范围内。另ー方面，在步骤Slll中获得肯定结果使得如上所述计算的偏差量在可允许的范围内的情况下，完成图中所示的用于调整母盘制作策略的序列。在此，在图3所示的用于调整母盘制作策略的序列完成(也就是说，最佳的策略的导出完成)之后，在设置最终调整的策略的状态下(策略在可允许的范围内时)，对于无机光刻胶母盘102重新执行记录。下文中，对于记录之后的母盘102执行图I所述的显影处理(图1D)到保护膜107的形成处理(图IJ)，并且光盘记录介质形成为产品。由于此，作为基于母盘形成光盘产品的结果，可能实现高质量的光盘产品，该母盘中已经使用基于实际形成的光盘记录介质的评估值导出的最佳策略执行记录。
根据如上所述的母盘制作策略调整序列，在策略调整方面所需的形成光盘记录介质的次数能够抑制为1，结果，与用图8描述的现有技术的策略调整序列相比，可能显著简化策略调整中的操作处理，并且能够实现操作效率的改进。此外，由于形成光盘的次数的减少，能够实现光盘形成时避免材料的浪费。此外，根据由于上述描述的母盘制作策略序列，可能基于实际形成的光盘记录介质的评估值实现高质量的光盘记录介质。根据本实施例的母盘制作策略调整序列，通过实现形成用于策略调整的不需要光盘的次数的減少，可能实现母盘制作策略调整的操作效率的改进并且避免光盘形成时材料的浪费，同时实现避免作为最终产品的光盘的产品质量的降低。此外，在该示例中，因为关于母盘记录处理采用PTM方法，所以可能在母盘的评估值的测量中不必再次执行母盘的显影处理。对于这点，能够实现母盘制作策略调整的操作效率的改进。此时，在该实施例中，执行策略调整、记录和评估值的测量(S107到S111)，直到在·对于母盘的评估值设置目标值之后，在目标值作为基准的情况下，母盘的评估值在可允许的范围内，但是可能进ー步利用PTM记录的优点，也就是说，操作效率改进的优点，其中由于以此方式根据目标值提供策略调整处理，对于显影处理之前的母盘的信号的读出是可能的。[4.改进母盘评估值的可靠性]在此，如从直到这里的描述所理解的，在记录和基于反射光获得的再现信号(RF信号)之后，通过对于母盘102照射的激光执行记录之后对于母盘102的评估值的測量。在由于以此方式的序列从母盘102获得再现信号的情况下，存在对于难以适当地执行码长度的分离和对于每个码长度的评估值的測量结果的可靠性降低的担心。图5A和5B是用于描述这点的图，图5A图示在码长度的分离极好的状态下的每个码长度的频率分布(对于2T到7T的每个码长度的频率分布)，并且图5B图示在对于母盘102通过直接激光照射获得再现信号的情况下，每个码长度的频率分布(对于以相同方式的2T到7T)。在对于母盘102通过直接激光照射获得再现信号的情况下，特别对于2T和3T的短码长度，码长度的分离差，结果，存在如图5B所示的通过原始分类为2T的码长度的评估值分类为3T的评估长度，对于每个码长度的评估值的測量结果的可靠性降低或出现相反现象的担心。因此，在该示例中，如下执行对于每个码长度的评估的測量，以便实现避免以此方式的评估值的可靠性的降低。也就是说，通过记录在母盘102中的码图案存储在存储器等中，并且记录码图案与通过读出在母盘102中实际记录的码图案获得的再现信号同步，当前读出的再现信号中的码长度对应于适当掌握的码长度。换句话说，通过执行记录码图案和再现信号的图案匹配，适当地掌握当前码长度。图6示出评估部分25的内部配置的示例，其中可能以此方式使用图案匹配掌握码长度。在图6中，在此情况下的评估部分25提供有ニ进制化电路30、时钟生成电路31、同步和当前码长度指示部分32、存储器33和不同码长度评估值測量部分34。首先，在此情况下，要对于母盘102记录的记录码图案33A存储在存储器33中。能够使用同步和当前码长度指示部分32读出作为记录码图案33A的信息。在此情况下，来自图I所示的反射光计算电路23的RF信号输入ニ进制化电路30和时钟生成电路31。ニ进制化电路30将RF信号ニ进制化。ニ进制化的RF信号(如下称为ニ进制化RF信号)提供到同步和当前码长度指示部分32和不同码长度评估值測量部分34。时钟生成电路31基于RF信号生成与RF信号同步的再现时钟。再现时钟提供到同步和当前码长度指示部分32和不同码长度评估值測量部分34。
同步和当前码长度指示部分32将ニ进制化的RF信号和记录码图案33A同歩。具体地，考虑之前使用图5描述的码分离的问题并且鉴于匹配等于或大于码分离极好的预定长度的码长度的信号部分(其中码长度分布中不存在重叠)，执行在此情况下的同歩。具体地，在光盘形成为如在该示例中的BD的情况下，例如，鉴于7T信号部分同步ニ进制化的RF信号和记录码图案。同步和当前码长度指示部分32基于同步之后的记录码图案33A，将当前码长度指示给不同码长度评估值測量部分34。为了描述顺序用于确认，同步和当前码长度指示部分32根据再现时钟，基于以此方式同步之后的记录码图案33A执行当前码长度的指示。不同码长度评估值測量部分34根据关于从同步和当前码长度指示部分32指示的当前码长度的信息，基于ニ进制化的RF信号对于每个码长度执行评估值的测量。换句话说，根据关于从同步和当前码长度指示部分32指示的当前码长度的信息，对于每个码长度分类和保持基于ニ进制化的RF信号测量的评估值。在此情况下，至少测量前缘位置和后缘位置的评估值作为评估值，并且不同码长度评估值測量部分34在这些评估值的测量中使用再现时钟。由于如上所述的配置，由于对于来自母盘102的再现信号的图案匹配，可能适当地掌握码长度，结果，可能实现母盘的评估值的可靠性的改进。此外，通过提高评估值測量结果的可靠性，可能有效地执行与目标值的匹配，结果，能够实现策略调整操作的效率的进ー步改进。[5.确认处理]此外，在之前使用图3描述的母盘制作策略调整序列的概念中，在目标值作为基准的情况下，根据对于母盘102测量的评估值在可允许的范围内，完成策略调整，但是在更可靠地改进光盘的产品质量的含义的情况下，可能再次形成光盘，并且执行其评估值的测量，并且在母盘的评估值以此方式在可允许的范围内之后，在理想值作为基准的情况下，确认评估值是否在预定的可允许的范围内。然后，作为以此方式执行确认处理的結果，在光盘的评估值不在上述可允许的范围内的情况下，再次执行策略的调整。具体地，执行策略调整使得根据光盘的评估值和理想值的偏差量，校正对于母盘的评估值的目标值，并且基于已经校正的目标值，再次匹配母盘的评估值与校正之后的目标值。通过以此方式根据确认处理及其结果，再次执行母盘制作策略调整，可能实现光盘的产品质量的更可靠改进。[6.具体策略调整方法]图7是用于描述具体策略调整方法的流程图，该具体策略调整方法包括用于改进母盘评估值(图案匹配)的可靠性的处理以及已经使用上面的描述来描述的确认处理。在此，在图7中，对于具有与已经在图3中描述内容的相同内容的序列，将通过附加相同的步骤号码省略描述。如与图3的比较所理解的，在此情况下执行步骤S201的序列替代图3中的步骤S102，并且执行步骤S202的序列替代步骤S109。此外，在此情况下，在步骤Slll中获得肯定结果的情况下，也就是说，在母盘的评估值在基于目标值的可允许的范围内的情况下，执 行S203到S205和根据需要的步骤S206的序列。首先，步骤S201和步骤S202都是在对于记录之后的母盘102的评估值的测量中的序列。具体地，步骤S201是在作为步骤SlOl的初始母盘记录之后执行的序列，并且步骤S202是在作为步骤S109的目标值的设置之后的母盘记录之后执行的序列。在步骤S201和步骤S202中，使用图案匹配测量的目标T的评估值(EV-M)作为对于母盘的评估值的測量。也就是说，图6所示的评估部分25使用上述图案匹配，对于作为目标的每个码长度测量评估值。此外，在步骤SI 11中获得肯定结果之后的步骤S203中，基于记录之后的母盘形成盘。也就是说，在目标值作为基准的情况下，在评估值识别为在可允许的范围内之后，基于母盘102形成光盘。接下来，在步骤S204中，对于已经形成的光盘测量目标T的评估值。评估值的测量目标在此是这样的部分，其对应于当在步骤Slll中识别为在可允许的范围内时，在设置策略的状态下记录的母盘上记录部分。然后，接下来，在步骤S205中，识别评估值是否在可允许的范围内。也就是说，在理想值作为基准的情况下，识别在步骤S204中测量的评估值是否在可允许的范围内。在步骤S205中获得评估值不在可允许的范围内的否定结果的情况下，序列进到步骤S206，并且基干与理想值的偏差量校正目标值。也就是说，执行目标值的校正，使得抵消在步骤S204中测量的评估值与理想值的偏差量。在校正目标值之后，序列如图所示返回步骤S207。由于此，基于校正之后的目标值执行母盘制作策略的重新调整。另ー方面，在步骤S205中获得评估值在可允许的范围内的肯定结果的情况下，用于图中所示的母盘制作策略调整的序列完成。[7.修改的示例]下面，描述根据本公开的实施例，但是本公开不限于直到在此描述的具体示例。例如，对于母盘的记录方法不限于PTM方法。在对于母盘的记录信号的读出需要显影的情况下，如果通过显影之后对于母盘103的激光照射执行信号的读出(评估值的测量)则是足够的。此外，示出其中采用评估值测量方法的情况作为示例，其中使用图案匹配以便实现母盘的评估值的可靠性的改进，但是当对于光盘测量评估值时，也能够应用以此方式使用图案匹配的评估值測量方法。
此外，在直到在此的描述中，存在这样的示例，其中对于边缘位置的评估值(也包括对于凹坑长度的评估值)测量为作为母盘和光盘的记录信号的质量的评估指示符的评估值，但是例如，也可能基于诸如抖动和非対称性的其他评估值执行策略调整。在任ー情况下，如果记录信号的质量的评估指示符用作评估值则是足够的。此外，本公开能够适当地应用于光盘的制造，其中用凹坑和平台的组合记录信息，并且能够不但应用于所谓ROM型光盘的制造，而且能够应用于光盘的制造，如果它是具有用凹坑和平台的组合记录信息的部分的光盘，即使它是作为一次写入型或可重写型的光盘。本申请包含涉及于2011年3月15日向日本专利局提交的日本优先权专利申请 JP2011-056186中公开的主题，在此通过引用并入其全部内容。本领域的技术人员应该立即，取决于设计要求和其他因素，可以出现各种修改、组合、字组合和更替，只要它们在所附权利要求或其等价物的范围内。
权利要求
1.一种母盘制作策略调整方法，包括 在设置预定写入策略的状态下，对于母盘执行第一记录； 执行评估值的第一測量，所述评估值是对于在执行第一记录时对于母盘记录的信号的信号质量的评估指示符； 基于在执行第一记录时已经执行记录的母盘，形成第一光盘记录介质； 对于在形成第一光盘时形成的光盘记录介质的记录信号，执行评估值的第二測量； 基于在执行第一測量时测量的评估值和在执行第二測量时测量的评估值的差别，对于母盘计算评估值的目标值；以及 调整在执行第一记录时设置的第一写入策略，使得对于母盘的评估值匹配目标值，在设置调整的写入策略的状态下，对于母盘执行记录，对于母盘的记录信号执行评估值的测量，并且执行确定已经测量的评估值是否是至少在目标值设为基准的情况下的预定范围内的值的处理，直到能够在确定中获得肯定結果。
2.如权利要求I所述的母盘制作策略调整方法， 其中使用PTM(相变母盘制作)方法执行对于母盘的记录。
3.如权利要求2所述的母盘制作策略调整方法， 其中对于作为目标的每个码长度测量评估值，并且 在至少对于每个码长度的对于母盘的评估值的测量中，在预先存储的要在母盘中记录的记录码图案与来自母盘的再现信号同步的情况下，基于已经同步的记录码图案，执行每个码长度的分类。
4.如权利要求3所述的母盘制作策略调整方法， 其中，在包括在记录码图案和再现信号中的每个码长度中的码长度分布没有重叠的情况下，鉴于等于或大于预定长度的码长度的匹配，执行对于再现信号的记录码图案的同歩。
5.如权利要求4所述的母盘制作策略调整方法，还包括 在设置写入策略的状态下，对于母盘执行第二记录，所述写入策略是在调整第一写入策略时确定的； 基于在执行第二记录时已经执行记录的母盘，形成第二光盘记录介质；以及 对于在形成第二光盘时形成的光盘记录介质的记录信号，执行评估值的第三測量。
6.如权利要求5所述的母盘制作策略调整方法，还包括 基于在执行第三測量时测量的评估值与其理想值的差別，执行目标值的校正；以及调整在调整第一写入策略时确定的第二写入策略，使得对于母盘的评估值匹配在执行目标值的校正时已经校正的目标值，在设置调整的写入策略的状态下对于母盘执行记录，对于母盘的记录信号执行评估值的测量，并且执行确定已经测量的评估值是否是至少在校正的目标值设为基准的情况下的预定范围内的值的处理，直到能够在确定中获得肯定结果O
7.一种盘制造方法，包括 在设置预定写入策略的状态下，对于母盘执行第一记录； 执行评估值的第一測量，所述评估值是对于在执行第一记录时对于母盘记录的信号的信号质量的评估指示符； 基于在执行第一记录时已经执行记录的母盘，形成第一光盘记录介质；对于在形成第一光盘时形成的光盘记录介质的记录信号，执行评估值的第二測量； 基于在执行第一測量时测量的评估值和在执行第二測量时测量的评估值的差别，对于母盘计算评估值的目标值； 调整在执行第一记录时设置的写入策略，使得对于母盘的评估值匹配目标值，在设置调整的写入策略的状态下，对于母盘执行记录，对于母盘的记录信号执行评估值的测量，并且执行确定已经测量的评估值是否是至少在目标值设为基准的情况下的预定范围内的值的处理，直到能够在确定中获得肯定结果； 基于 在确定中获得肯定结果时设置的写入策略，在设置策略的状态下对于母盘执行第三记录；以及 基于在执行第三记录时已经执行记录的母盘，形成第三光盘记录介质。
全文摘要
一种母盘制作策略调整方法，包括使用预定策略对母盘执行第一记录，执行第一记录的母盘的评估值的第一测量，基于第一记录之后的母盘形成第一光盘，执行形成为第一光盘的光盘的评估值的测量，基于第一测量评估值和第二测量评估值的差别计算母盘的评估值的目标值，并且调整策略，使得对于母盘的评估值匹配目标值，使用调整的写入策略对母盘执行记录，执行母盘的评估值的测量，并且在目标值作为基准的情况下执行评估值是否在预定范围内的确定，直到获得肯定结果。
文档编号G11B7/26GK102682793SQ20121006938
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月15日 优先权日2011年3月15日
发明者会田桐, 斋藤昭也, 林忍 申请人:索尼信息技术股份有限公司, 索尼公司