一种I2C铁电存储器的制作方法

本实用新型披露了一种i²c铁电存储器，涉及存储设备领域。

背景技术：

铁电存储器是集合了随机存取存储器和非易失性存储器两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力。与随机存取存储器相比，铁电存储器不需要检测其电池状态，且掉电后数据不丢失。与传统的非易失性存储器相比，铁电存储器具有更快的写入、更高的耐久力。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种i²c铁电存储器，具有稳定性强，适应性广的优点。

本实用新型的上述实用新型目的是通过以下技术方案得以实现的：一种i²c铁电存储器，包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳可耐温度范围-55℃～125℃，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃。

通过采用上述技术方案，频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；csop8线金属陶瓷封装外壳，温度范围-55℃～125℃，具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点，金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃，温度适应性好，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节，处理效率高，整体封装结构紧凑，稳定性强。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：1支所述高可靠铁电存储器芯片和1支所述金属陶瓷封装外壳由8根所述键合丝相连。

通过采用上述技术方案，连接稳固，用料节省，键合丝布局合理。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：单电源1.8v～3.6v电压供电电压为1.8v～3.6v；频率可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节。

通过采用上述技术方案，电压适应性好，读写速度快。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述高可靠铁电存储器芯片内设有非易失性存储单元，将电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器、数据锁存器、计时器电路等集成进所述高可靠铁电存储器芯片中，并设立a1、a2两个地址引出端，建立000、001、010、011四种总线接口码。

通过采用上述技术方案，集成度高，且稳定性强，设置000、001、010、011四种总线接口码，适应性好。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：键合丝材质为au，键合丝直径为：25um。

通过采用上述技术方案，au导电性强，结构稳定。

本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：金属陶瓷封装外壳中，高可靠铁电存储器芯片粘接在芯片粘接区，且芯片粘接区独立；金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆。

通过采用上述技术方案，铁电存储器芯片单独粘结在芯片粘接区，其散热性好，且金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆，减少发热。综上所述，本实用新型包括以下有益技术效果：其工作频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；csop8线金属陶瓷封装外壳，温度范围-55℃～125℃，具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点，金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃，温度适应性好，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节，处理效率高，整体封装结构紧凑，稳定性强。

附图说明

图1为金属陶瓷封装正视图；

图2为金属陶瓷封装底视图；

图3为金属陶瓷封装侧视图。

图中，1、金属陶瓷封装外壳；2、键合丝。

具体实施方式

参照图1和图2和图3，本实用新型披露了一种i²c铁电存储器，包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳可耐温度范围-55℃～125℃，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃。1支所述高可靠铁电存储器芯片和1支金属陶瓷封装外壳由8根所述键合丝相连，单电源1.8v～3.6v电压供电电压为1.8v～3.6v；频率可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节，键合丝材质为au，键合丝直径为：25um，au导电性强，结构稳定。金属陶瓷封装外壳中，高可靠铁电存储器芯片粘接在芯片粘接区，且芯片粘接区独立；金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆，铁电存储器芯片单独粘结在芯片粘接区，其散热性好，且金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆，减少发热。

实施原理；在8英寸硅片上利用8层布线技术，通过硅栅cmos工艺技术形成非易失性存储单元，实现掉电数据不丢失，无需备用电池即可保持数据；通过铁电工艺使非易失性存储单元读/写的耐久性进一步提升，至少为10¹³(十万亿)次，明显超过闪存和电可擦除存储器。把电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器、数据锁存器、计时器电路等集成进芯片中，并设立a1、a2两个地址引出端，建立000、001、010、011四种总线接口码，实现4支芯片与总线级联，通过总线控制器分时选用芯片，排除总线串扰，集成度高，且稳定性强，设置000、001、010、011四种总线接口码，适应性好，其工作频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；csop8线金属陶瓷封装外壳，温度范围-55℃～125℃，具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点，金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃，温度适应性好，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节，处理效率高，整体封装结构紧凑，稳定性强。

技术特征：

1.一种i2c铁电存储器，其特征在于；包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳耐温度范围-55℃～125℃，单电源供电；频率最高可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围-55℃～125℃。

2.根据权利要求1所述的一种i2c铁电存储器，其特征在于；1支所述高可靠铁电存储器芯片和1支所述金属陶瓷封装外壳由8根所述键合丝相连。

3.根据权利要求2所述的一种i2c铁电存储器，其特征在于；单电源1.8v～3.6v电压供电电压为1.8v～3.6v；频率可达1mhz；读写耐力十万亿次/字节。

4.根据权利要求3所述的一种i2c铁电存储器，其特征在于，所述高可靠铁电存储器芯片内设有非易失性存储单元，将电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器、数据锁存器、计时器电路集成进所述高可靠铁电存储器芯片中，并设立a1、a2两个地址引出端，建立000、001、010、011四种总线接口码。

5.根据权利要求4所述的一种i2c铁电存储器，其特征在于，键合丝材质为au，键合丝直径为：25um。

6.根据权利要求1所述的一种i2c铁电存储器，其特征在于；金属陶瓷封装外壳中，高可靠铁电存储器芯片粘接在芯片粘接区，且芯片粘接区独立；金属陶瓷封装外壳外引线电阻小于1欧姆。

技术总结
一种I2C铁电存储器，涉及存储设备领域，包括高可靠铁电存储器芯片、键合丝、金属陶瓷封装外壳，所述的金属陶瓷封装外壳是中空的，高可靠铁电存储器芯片粘接在金属陶瓷封装外壳内，容量为1Mbit，高可靠铁电存储器芯片通过键合丝与金属陶瓷封装外壳的外引线相连，金属陶瓷封装外壳可耐温度范围‑55℃～125℃，单电源供电；频率最高可达1MHz；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；金属陶瓷封装外壳，适用温度范围‑55℃～125℃。

技术研发人员：周宗辉
受保护的技术使用者：北京华芯微半导体有限公司
技术研发日：2019.10.11
技术公布日：2020.08.04