本公开实施例涉及半导体,特别涉及一种存储系统。
背景技术:
1、半导体存储可以分为非易失性存储和易失性存储。动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory,dram)作为易失性存储,具备存储密度高、读写速度快等优点,广泛用于各种电子系统中。
2、dram系统通常由控制器以及多个存储芯片构成,因制程等差异使得不同的存储芯片的性能也相应具有差异,这将影响dram系统的整体性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种存储系统,至少可以改善存储系统中数据信号传输冲突的问题。
2、根据本公开一些实施例中,本公开实施例一方面提供一种存储系统,包括:多个存储芯片,每一所述存储芯片被配置为,所述存储芯片内具有用于表征所述存储芯片的工艺角的参数;控制器,所述控制器被配置为,获取每一所述存储芯片的所述参数,并基于所述参数,调整发送至与所述参数相对应的所述存储芯片的读命令的延时。
3、在一些实施例中,所述参数为存储于所述存储芯片内的表征参数。
4、在一些实施例中,所述存储芯片包括:非易失性存储模块;所述存储芯片被配置为,在与所述控制器封装之前,获取所述表征参数并将所述表征参数存储至所述非易失性存储模块。
5、在一些实施例中,所述非易失性存储模块包括一次可编程存储单元。
6、在一些实施例中,所述参数为用于表征所述存储芯片的工艺角的计数值,且所述存储芯片被配置为,在所述存储系统每次上电启动后在预设时间内进行计数并获取所述计数值。
7、在一些实施例中,所述存储芯片包括:环形振荡器;计数器,所述计数器与所述环形振荡器连接,用于在预设时间内对所述环形振荡器的振荡周期进行计数,以获取所述计数值;所述控制器与所述环形振荡器以及所述计数器连接,用于控制所述环形振荡器启动振荡并获取所述计数值。
8、在一些实施例中,所述环形振荡器的使能信号由所述控制器提供。
9、在一些实施例中,所述控制器包括:命令产生模块,用于提供基准读命令;延时模块,用于接收所述基准读命令,并基于所述参数输出相较于所述基准读命令具有延时的所述读命令。
10、在一些实施例中,所述延时模块包括:多个串联的反相器,处于首位的所述反相器接收所述基准读命令,且处于尾位的所述反相器输出所述读命令;多个开关,每一所述开关与至少一个所述反相器并联;所述控制器被配置为,基于所述参数控制所述多个开关中导通的开关的数量。
11、在一些实施例中,所有所述反相器的数量为偶数个。
12、在一些实施例中,与每一所述开关并联的所述反相器的数量为偶数个。
13、在一些实施例中,所述控制器被配置为,在所述存储系统每次上电启动之后,获取每一所述存储芯片的所述参数,并调整发送至与所述参数相对应的所述存储芯片的读命令的延时,直至轮询获取所有所述存储芯片的所述参数,并调整完发送至所有所述存储芯片的读命令的延时。
14、在一些实施例中,所述存储芯片还包括:扫描链接口,所述扫描链接口被配置为,基于所述控制器发出的命令信号获取所述参数,并向所述控制器输出所述参数;所述控制器还包括:获取模块,所述获取模块被配置为,向所述扫描链接口发出所述命令信号,并接收所述扫描链接口输出的所述参数。
15、在一些实施例中,多个所述存储芯片依次层叠于所述控制器表面。
16、在一些实施例中,所述存储系统还包括:承载基板,所述控制器位于所述承载基板表面,且多个所述存储芯片依次层叠于所述承载基板表面。
17、本公开实施例提供的技术方案具有以下优点:
18、本公开实施例提供的存储系统的技术方案中,每个存储芯片被配置为,存储芯片内具有用于表征存储芯片的工艺角的参数,控制器被配置为,获取每一存储芯片的参数,并基于参数调整发送至参数相对应的存储芯片的读命令的延时,这样,发送至每个存储芯片的读命令的延时基于工艺角可以得到不同的补偿,以弥补由于慢工艺角带来的存储芯片本身数据传输较慢的问题,补偿快工艺角带来的存储芯片本身数据传输较快的问题,使得不同工艺角的存储芯片的数据从数据端口输出的时刻符合预期,提升数据的整齐度,避免不同存储芯片的数据发生传输冲突,改善存储系统的存储性能。
1.一种存储系统,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述参数为存储于所述存储芯片内的表征参数。
3.如权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述存储芯片包括:非易失性存储模块;所述存储芯片被配置为,在与所述控制器封装之前,获取所述表征参数并将所述表征参数存储至所述非易失性存储模块。
4.如权利要求3所述的存储系统,其特征在于,所述非易失性存储模块包括一次可编程存储单元。
5.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述参数为用于表征所述存储芯片的工艺角的计数值,且所述存储芯片被配置为,在所述存储系统每次上电启动后在预设时间内进行计数并获取所述计数值。
6.如权利要求5所述的存储系统,其特征在于,所述存储芯片包括:
7.如权利要求6所述的存储系统,其特征在于,所述环形振荡器的使能信号由所述控制器提供。
8.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述控制器包括:
9.如权利要求8所述的存储系统,其特征在于,所述延时模块包括:
10.如权利要求9所述的存储系统,其特征在于,所有所述反相器的数量为偶数个。
11.如权利要求9所述的存储系统,其特征在于,与每一所述开关并联的所述反相器的数量为偶数个。
12.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述控制器被配置为,在所述存储系统每次上电启动之后,获取每一所述存储芯片的所述参数,并调整发送至与所述参数相对应的所述存储芯片的读命令的延时,直至轮询获取所有所述存储芯片的所述参数,并调整完发送至所有所述存储芯片的读命令的延时。
13.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述存储芯片还包括:扫描链接口,所述扫描链接口被配置为,基于所述控制器发出的命令信号获取所述参数,并向所述控制器输出所述参数;所述控制器还包括:
14.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,多个所述存储芯片依次层叠于所述控制器表面。
15.如权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述存储系统还包括:承载基板,所述控制器位于所述承载基板表面,且多个所述存储芯片依次层叠于所述承载基板表面。