存储装置以及形成存储装置的读出放大器的方法与流程

本申请涉及存储装置，尤其涉及一种存储装置的读出放大器的布局结构，以及形成存储装置的读出放大器的方法。

背景技术：

1、读出放大器(sense amplifier)是存储器周边的重要电路器件，因为它可以读出(sense)并放大所选取的存储单元(memory cell)其储存的电压信号。读出放大器可以减轻工艺变异的影响，例如，由于差分读出放大器具有高共模抑制比(common mode rejectionratio)，故可用于降噪；差分读出放大器可以将小的电压摆幅放大到可识别的逻辑电平，因此适用于低电压应用。然而，本领域需要一种改善方案，以减少由读出放大器的布局(layout)中的不对称及/或互连线(interconnect)之间的电容耦合噪声所造成的不良影响。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的实施例公开了一种存储装置，以及形成存储装置的读出放大器的方法。

2、本申请的某些实施例公开了一种形成存储装置的多个读出放大器的方法。所述方法包括：判断每一位线选择器的类型，其中每一位线选择器用于提供数据信号给相应的读出放大器；根据所判断的位线选择器的类型，沿着列方向与行方向其中的一个在所述存储装置的基板中形成彼此分离的多个主动区，其中所述基板包括多个单元列，所述多个单元列的每一个均具有沿着所述列方向排列的多个存储单元，以及所述多个主动区的每一个均跨越两个相邻单元列之间的边界，且位于所述两个相邻单元列之中；以及将多个栅极结构设置在所述多个主动区，以形成所述多个读出放大器的多个晶体管，其中每一栅极结构均沿着所述行方向延伸。

3、本申请的某些实施例公开了一种存储装置。所述存储装置包括基板、第一列存储单元、第二列存储单元、第一1对1复用器电路、第二1对1复用器电路以及第一读出放大器。所述基板具有彼此相邻的第一单元列与第二单元列。所述第一列存储单元沿着列方向设置在所述第一单元列之中，并耦接于第一对位线。所述第二列存储单元沿着所述列方向设置在所述第二单元列之中，并耦接于第二对位线。所述第一1对1复用器电路用以将所述第一对位线耦接于设置在所述第一单元列之中的第一对金属线。所述第二1对1复用器电路用以将所述第二对位线耦接于设置在所述第二单元列之中的第二对金属线。所述第一读出放大器用以读出所述第一对金属线所运送的数据信号。所述第一读出放大器包括形成于所述基板中的第一主动区。所述第一主动区跨越所述第一单元列与所述第二单元列之间的边界。所述第一读出放大器通过一组接触点在所述第一主动区内耦接于所述第一对金属线。

4、本申请的某些实施例公开了一种存储装置。所述存储装置包括基板、第一列存储单元、第二列存储单元、第三列存储单元、第四列存储单元、4对1复用器电路以及读出放大器。所述基板具有平行排列的第一单元列、第二单元列、第三单元列与第四单元列。所述第一单元列邻近所述第二单元列，且所述第三单元列邻近所述第四单元列。所述第一列存储单元设置于所述第一单元列之中，并耦接于第一对位线。所述第二列存储单元设置于所述第二单元列之中，并耦接于第二对位线。所述第三列存储单元设置于所述第三单元列之中，并耦接于第三对位线。所述第四列存储单元设置于所述第四单元列之中，并耦接于第四对位线。所述4对1复用器电路用以从所述第一对位线、所述第二对位线、所述第三对位线与所述第四对位线之中选取一对位线，并将所选取的所述一对位线耦接于一对输出节点。所述读出放大器用以读出所述一对输出节点上的数据信号，并具有分离的第一主动区与第二主动区。所述第一主动区与所述第二主动区均形成于所述基板中并耦接于所述一对输出节点。所述第一主动区跨越所述第一单元列与所述第二单元列之间的边界，且所述第二主动区跨越所述第三单元列与所述第四单元列之间的边界。

5、通过本申请所公开的读出放大器布局设计，读出放大器的布局结构可定制为符合其应用环境。在采用1对1复用器电路的存储器应用中，读出放大器的布局结构可具有相对较短的互连线和相对较宽的晶体管宽度，从而改善读出放大器的性能。在采用4对1复用器电路的存储器应用中，读出放大器的布局结构可减轻布局依赖效应对装置性能的影响、改善抗噪声能力，以及满足高速操作的需求。

技术特征：

1.一种形成存储装置的多个读出放大器的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成彼此分离的所述多个主动区的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着所述列方向形成的所述多个主动区包括第一主动区与第二主动区；所述第一主动区与所述第二主动区均位于彼此相邻的第一单元列与第二单元列之中；所述方法还包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着所述行方向形成的所述多个主动区包括位于彼此相邻的第一单元列与第二单元列之中的第一主动区；所述方法还包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着所述行方向形成的所述多个主动区包括第一主动区与第二主动区，所述第一主动区位于彼此相邻的第一单元列与第二单元列之中，所述第二主动区位于彼此相邻的第三单元列与第四单元列之中；所述第二单元列位于所述第一单元列与所述第三单元列之间；所述方法还包括：

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿着所述行方向形成的所述多个主动区包括第一主动区与第二主动区；所述第一主动区位于彼此相邻的第一单元列与第二单元列之中，所述第二主动区位于彼此相邻的第三单元列与第四单元列之中；所述第二单元列位于所述第一单元列与所述第三单元列之间；将所述多个栅极结构设置在所述多个主动区的步骤包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个栅极结构设置在所述多个主动区的步骤包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个栅极结构设置在所述多个主动区的步骤包括：

9.一种存储装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的存储装置，其特征在于，还包括：

11.根据权利要求10所述的存储装置，其特征在于，所述第一对金属线与所述第二对金属线均沿着所述列方向跨越所述第一主动区与所述第二主动区。

12.根据权利要求9所述的存储装置，其特征在于，所述第一读出放大器包括：

13.根据权利要求12所述的存储装置，其特征在于，所述多个第一晶体管的栅极结构与所述多个第二晶体管的栅极结构设置在所述多个第三晶体管的栅极结构的其中两者之间。

14.根据权利要求12所述的存储装置，其特征在于，所述多个第一晶体管的栅极结构与所述多个第二晶体管的栅极结构彼此交错。

15.一种存储装置，其特征在于，包括：

16.根据权利要求15所述的存储装置，其特征在于：

17.根据权利要求15所述的存储装置，其特征在于，所述读出放大器包括多个晶体管，且所述多个晶体管各自的栅极结构彼此电性连接但互相分离；

18.根据权利要求17所述的存储装置，其特征在于，设置在所述第一主动区上所述多个晶体管的栅极结构的部分与设置于所述第二主动区上所述多个晶体管的栅极结构的另一部分，相对于所述第二单元列与所述第三单元列之间的边界呈镜像对称排列。

19.根据权利要求15所述的存储装置，其特征在于，所述读出放大器包括：

20.根据权利要求19所述的存储装置，其特征在于，所述多个第一晶体管中的每一栅极结构以及所述多个第二晶体管中的每一栅极结构设置在所述多个第三晶体管中的两个栅极结构之间。

技术总结
本申请公开了一种存储装置以及形成存储装置的读出放大器的方法。所述方法包括：判断每一位线选择器的类型，每一位线选择器用于提供数据信号给相应的读出放大器；根据所判断的位线选择器的类型，沿着列方向或行方向在所述存储装置的基板中形成彼此分离的多个主动区，所述基板包括多个单元列，每一单元列均具有沿着所述列方向排列的多个存储单元，每一主动区均跨越两个相邻单元列之间的边界，且位于所述两个相邻单元列之中；以及将多个栅极结构设置在所述多个主动区，以形成所述多个读出放大器的多个晶体管，其中每一栅极结构均沿着所述行方向延伸。所述方法能够减轻布局依赖效应对装置性能的影响、改善抗噪声能力、满足高速操作的需求。

技术研发人员：陈正昌,邱志杰,林俊彦
受保护的技术使用者：英属维京群岛商烁星有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15